JP5793160B2 - 電子デバイス封止用樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子デバイス封止用樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法に関する。

電子デバイスパッケージの作製には、代表的に、基板などに固定された１又は複数の電子デバイスを封止樹脂にて封止し、必要に応じて封止体を電子デバイス単位のパッケージとなるようにダイシングするという手順が採用されている。

封止樹脂中に存在する水分は、熱硬化させる際の加熱によって水蒸気化する。封止樹脂に多くの水分が存在すると、この蒸気圧によって封止樹脂にクラックが発生する場合がある。このため、低吸湿性の封止樹脂が求められている。吸湿性を低減させる方法としては、例えば、シリカを配合する方法などがある。

特許文献１では、樹脂、シリカ及びシランカップリング剤などを含有するワニスをフィルム上に塗布し、次いで塗布膜を乾燥させることにより樹脂シートを形成することが記載されている。しかしながら、吸湿性について、充分に検討されていない。

特開２００６−１９７１４号公報

特許文献１のような樹脂シートの作製方法（溶剤塗工）では、シリカを高充填できないため、吸湿性を低減することは難しい。

本発明は前記課題を解決し、低吸湿性の電子デバイス封止用樹脂シートを提供することを目的とする。

本発明は、フィラーを含み、８５℃、８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置した後の吸水率が０．３重量％以下であり、前記フィラーが実質的に一次粒子の状態で分散している電子デバイス封止用樹脂シートに関する。本発明の電子デバイス封止用樹脂シートは、吸水率が０．３重量％以下であり、低吸湿性である。よって、耐湿信頼性に優れた電子デバイスパッケージを製造できる。

前記フィラーが、シランカップリング剤により処理されたものであることが好ましい。これにより、フィラーを一次粒子の状態で分散させることが容易となる。また、このようなフィラーは疎水性が高く、このようなフィラーを実質的に一次粒子の状態で分散できるので、樹脂シートの吸湿性を効果的に低減できる。

前記電子デバイス封止用樹脂シート中の前記フィラーの含有量が７０〜９０体積％であることが好ましい。これにより、吸湿性を低減できる。

本発明はまた、１又は複数の電子デバイスを覆うように前記電子デバイス封止用樹脂シートを前記電子デバイス上に積層する積層工程、及び前記電子デバイス封止用樹脂シートを硬化させて封止体を形成する封止体形成工程を含む電子デバイスパッケージの製造方法に関する。

本発明の一実施形態に係る樹脂シートを模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る電子デバイスパッケージの製造方法の一工程を模式的に示す図である。 本発明の一実施形態に係る電子デバイスパッケージの製造方法の一工程を模式的に示す図である。 本発明の一実施形態に係る電子デバイスパッケージの製造方法の一工程を模式的に示す図である。

以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

［電子デバイス封止用樹脂シート］

図１は、本発明の一実施形態に係る樹脂シート１１を模式的に示す断面図である。樹脂シート１１は、代表的に、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどの支持体１１ａ上に積層された状態で提供される。なお、支持体１１ａには樹脂シート１１の剥離を容易に行うために離型処理が施されていてもよい。

樹脂シート１１は、８５℃、８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置した後の吸水率が０．３重量％以下であり、好ましくは０．２５重量％以下である。０．３重量％以下であるので、低吸湿性である。よって、耐湿信頼性に優れた電子デバイスパッケージを製造できる。吸水率の下限は特に限定されず、例えば、０．０５重量％以上である。
８５℃、８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置した後の吸水率は、実施例に記載の方法で測定できる。

樹脂シート１１中に、フィラーが実質的に一次粒子の状態で分散している。このため、前述の吸水率を容易に達成できる。

なお、本明細書において、フィラーが実質的に一次粒子の状態で分散しているとは、実質的に凝集物が無いことをいう。具体的には、実施例に記載の方法で測定でき、実施例に記載のフィラー分散性の評価が良好であることをいう。

フィラーとしては特に限定されないが、シランカップリング剤により処理（前処理）されたフィラーが好ましい。これにより、フィラーを一次粒子の状態で分散させることが容易となる。また、このようなフィラーは疎水性が高く（フィラー表面の親水基にシランカップリング剤が結合しているため疎水性が高い）、このようなフィラーを実質的に一次粒子の状態で分散できるので、樹脂シート１１の吸湿性を効果的に低減できる。

シランカップリング剤により処理されるフィラーとしては特に限定されないが、無機充填材が好ましい。無機充填材としては、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカなど）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素などが挙げられる。なかでも、シランカップリング剤との反応性に優れるという理由から、シリカ、アルミナが好ましく、シリカがより好ましい。シリカとしては、流動性に優れるという理由から、溶融シリカが好ましく、球状溶融シリカがより好ましい。

フィラーの平均一次粒子径は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上である。１μｍ以上であると、樹脂シートの可撓性、柔軟性を得易い。フィラーの平均一次粒子径は、好ましくは４０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下である。４０μｍ以下であると、フィラーを高充填率化し易い。
なお、平均一次粒子径は、例えば、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。

シランカップリング剤は、分子中に加水分解性基及び有機官能基を有する化合物である。

加水分解性基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基などの炭素数１〜６のアルコキシ基、アセトキシ基、２−メトキシエトキシ基等が挙げられる。なかでも、加水分解によって生じるアルコールなどの揮発成分を除去し易いという理由から、メトキシ基が好ましい。

有機官能基としては、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリル基、アクリル基、アミノ基、ウレイド基、メルカプト基、スルフィド基、イソシアネート基などが挙げられる。なかでも、エポキシ樹脂、フェノール樹脂と反応し易いという理由から、エポキシ基が好ましい。

シランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシランなどのビニル基含有シランカップリング剤；２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどのエポキシ基含有シランカップリング剤；ｐ−スチリルトリメトキシシランなどのスチリル基含有シランカップリング剤；３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランなどのメタクリル基含有シランカップリング剤；３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどのアクリル基含有シランカップリング剤；Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシランなどのアミノ基含有シランカップリング剤；３−ウレイドプロピルトリエトキシシランなどのウレイド基含有シランカップリング剤；３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランなどのメルカプト基含有シランカップリング剤；ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィドなどのスルフィド基含有シランカップリング剤；３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどのイソシアネート基含有シランカップリング剤などが挙げられる。

シランカップリング剤によりフィラーを処理する方法としては特に限定されず、溶媒中でフィラーとシランカップリング剤を混合する湿式法、気相中でフィラーとシランカップリング剤を処理させる乾式法などが挙げられる。

シランカップリング剤の処理量は特に限定されないが、未処理のフィラー１００重量部に対して、シランカップリング剤を０．１〜１重量部処理することが好ましい。

樹脂シート１１中のフィラーの含有量は、好ましくは７０体積％以上であり、より好ましくは７４体積％以上である。７０体積％以上であると、吸湿性を低減できる。一方、フィラーの含有量は、好ましくは９０体積％以下であり、より好ましくは８５体積％以下である。９０体積％以下であると、柔軟性、流動性、接着性が良好に得られる。

フィラーの含有量は、「重量％」を単位としても説明できる。代表的にシリカの含有量について、「重量％」を単位として説明する。
シリカは通常、比重２．２ｇ／ｃｍ^３であるので、シリカの含有量（重量％）の好適範囲は例えば以下のとおりである。
すなわち、樹脂シート１１中のシリカの含有量は、８１重量％以上が好ましく、８４重量％以上がより好ましい。樹脂シート１１中のシリカの含有量は、９４重量％以下が好ましく、９１重量％以下がより好ましい。

アルミナは通常、比重３．９ｇ／ｃｍ^３であるので、アルミナの含有量（重量％）の好適範囲は例えば以下のとおりである。
すなわち、樹脂シート１１中のアルミナの含有量は、８８重量％以上が好ましく、９０重量％以上がより好ましい。樹脂シート１１中のアルミナの含有量は、９７重量％以下が好ましく、９５重量％以下がより好ましい。

樹脂シート１１はエポキシ樹脂、及びフェノール樹脂を含むことが好ましい。これにより、良好な熱硬化性が得られる。

エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂などの各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。

エポキシ樹脂の硬化後の靭性及びエポキシ樹脂の反応性を確保する観点からは、エポキシ当量１５０〜２５０、軟化点もしくは融点が５０〜１３０℃の常温で固形のものが好ましく、なかでも、信頼性の観点から、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。

フェノール樹脂は、エポキシ樹脂との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂などが用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。

フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂との反応性の観点から、水酸基当量が７０〜２５０、軟化点が５０〜１１０℃のものを用いることが好ましく、なかでも硬化反応性が高いという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。また、信頼性の観点から、フェノールアラルキル樹脂やビフェニルアラルキル樹脂のような低吸湿性のものも好適に用いることができる。

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９〜１．２当量である。

樹脂シート１１中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、２．０重量％以上が好ましく、３．０重量％以上がより好ましい。２．０重量％以上であると、電子デバイス、基板などに対する接着力が良好に得られる。樹脂シート１１中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、２０重量％以下が好ましく、１０重量％以下がより好ましい。２０重量％以下であると、吸湿性を低く抑えることができる。

樹脂シート１１は、熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。これにより、未硬化状態でのハンドリング性、硬化物の低応力性を得ることができる。

熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴなどの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体などが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、低応力性、低吸水性という観点から、スチレン-イソブチレン-スチレンブロック共重合体が好ましい。

樹脂シート１１中の熱可塑性樹脂の含有量は、１．０重量％以上が好ましく、１．５重量％以上がより好ましい。１．０重量％以上であると、柔軟性、可撓性が得られる。樹脂シート１１中の熱可塑性樹脂の含有量は、３．５重量％以下が好ましく、３重量％以下がより好ましい。３.５重量％以下であると、電子デバイスや基板との接着性を高められる。

樹脂シート１１は、硬化促進剤を含むことが好ましい。

硬化促進剤としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化を進行させるものであれば特に限定されず、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどの有機リン系化合物；２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール系化合物；などが挙げられる。なかでも、混練時の温度上昇によっても硬化反応が急激に進まず、樹脂シート１１を良好に作製できるという理由から、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。

硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計１００重量部に対して０．１〜５重量部が好ましい。

樹脂シート１１は、難燃剤成分を含むことが好ましい。これにより、部品ショートや発熱などにより発火した際の、燃焼拡大を低減できる。難燃剤組成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物などの各種金属水酸化物；ホスファゼン系難燃剤などを用いることができる。なかでも、難燃性、硬化後の強度に優れるという理由から、ホスファゼン系難燃剤が好ましく、式（１）又は式（２）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^１及びＲ^２は、同一若しくは異なって、アルコキシ基、フェノキシ基、アミノ基、水酸基、アリル基又はこれらの基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有する１価の有機基を表す。ｘは３〜２５の整数を表す。）

（式中、Ｒ^３及びＲ^５は、同一若しくは異なって、アルコキシ基、フェノキシ基、アミノ基、水酸基、アリル基又はこれらの基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有する１価の有機基を表す。Ｒ^４は、アルコキシ基、フェノキシ基、アミノ基、水酸基及びアリル基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有する２価の有機基を表す。ｙは３〜２５の整数を表す。ｚは３〜２５の整数を表す。）

Ｒ^１及びＲ^２のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基などが挙げられる。なかでも、炭素数４〜１０のアルコキシ基が好ましい。

Ｒ^１及びＲ^２のフェノキシ基としては、例えば、式（３）で表される基が挙げられる。

（式中、Ｒ^１１は、水素、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、グリシジル基又はこれらの基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有する１価の有機基を表す。）

Ｒ^１１のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、へキシル基、へプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基などが挙げられる。Ｒ^１１のアルコキシ基としては、Ｒ^１及びＲ^２のアルコキシ基と同様の基が挙げられる。

Ｒ^１及びＲ^２としては、難燃性、硬化後の強度が良好に得られるという理由から、フェノキシ基が好ましく、式（３）で表される基がより好ましい。

ｘは３〜２５の整数を表すが、難燃性、硬化後の強度が良好に得られるという理由から、３〜１０が好ましく、３〜４がより好ましい。

式（２）において、Ｒ^３及びＲ^５のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基などが挙げられる。なかでも、炭素数４〜１０のアルコキシ基が好ましい。

Ｒ^３及びＲ^５のフェノキシ基としては、例えば、前記式（３）で表される基が挙げられる。

Ｒ^３及びＲ^５におけるアルコキシ基、フェノキシ基、アミノ基、水酸基及びアリル基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有する１価の有機基としては特に限定されない。

Ｒ^３及びＲ^５としては、難燃性、硬化後の強度が良好に得られるという理由から、フェノキシ基が好ましく、式（３）で表される基がより好ましい。

Ｒ^４の２価の有機基が有するアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基などが挙げられる。なかでも、炭素数４〜１０のアルコキシ基が好ましい。

Ｒ^４の２価の有機基が有するフェノキシ基としては、例えば、前記式（３）で表される基が挙げられる。

ｙは３〜２５の整数を表すが、難燃性、硬化後の強度が良好に得られるという理由から、３〜１０が好ましい。

ｚは３〜２５の整数を表すが、難燃性、硬化後の強度が良好に得られるという理由から、３〜１０が好ましい。

少量でも難燃効果を発揮するという観点から、ホスファゼン系難燃剤に含まれるリン元素の含有率は、１２重量％以上であることが好ましい。

難燃剤成分の含有量は、有機成分（フィラーを除く全成分）１００重量％中、１０重量％以上が好ましく、１５重量％以上がより好ましい。１０重量％以上であると、難燃性が良好に得られる。難燃剤成分の含有量は、３０重量％以下が好ましく、２５重量％以下がより好ましい。３０重量％以下であると、硬化物の物性低下（具体的には、ガラス転移温度や高温樹脂強度などの物性の低下）が少ない傾向がある。

樹脂シート１１は、顔料を含むことが好ましい。顔料としては特に限定されず、カーボンブラックなどが挙げられる。

樹脂シート１１中の顔料の含有量は、０．１〜２重量％が好ましい。０．１重量％以上であると、良好なマーキング性が得られる。２重量％以下であると、硬化物強度が十分得られる。

なお、樹脂組成物には、上記の各成分以外に必要に応じて、他の添加剤を適宜配合できる。

樹脂シート１１は離型剤を含んでいてもよい。離型剤は、通常、疎水性、撥水性であるので、これを配合することにより吸湿性を低減できる。
しかし、樹脂シート１１はシート状であるので、従来のタブレット状の封止樹脂のように、離型剤を配合する必要がない。また、配合せずとも、低吸湿性を達成できる。このため、樹脂シート１１中の離型剤の含有量は、例えば１重量％以下が好ましく、離型剤を含まないことがより好ましい。

樹脂シート１１の製造方法は特に限定されないが、前述の各成分の混練物を調製し、得られた混練物をシート状に塑性加工する方法が好ましい。これにより、フィラーを高充填でき、吸湿性を低減できる。また、フィラーを一次粒子の状態で分散させることが容易となる。

具体的には、前述の各成分（例えば、フィラー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、熱可塑性樹脂及び硬化促進剤など）をミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機で溶融混練することにより混練物を調製し、得られた混練物をシート状に塑性加工する。混練条件として、温度は、上述の各成分の軟化点以上であることが好ましく、例えば３０〜１５０℃、エポキシ樹脂の熱硬化性を考慮すると、好ましくは４０〜１４０℃、さらに好ましくは６０〜１２０℃である。時間は、例えば１〜３０分間、好ましくは５〜
１５分間である。

混練は、減圧条件下（減圧雰囲気下）で行うことが好ましい。減圧条件下の圧力は、好ましくは０．１ｋｇ／ｃｍ^２以下、より好ましくは０．０５ｋｇ／ｃｍ^２以下である。減圧下の圧力の下限は特に限定されないが、例えば、１×１０^−４ｋｇ／ｃｍ^２以上である。

溶融混練後の混練物は、冷却することなく高温状態のままで塑性加工することが好ましい。塑性加工方法としては特に制限されず、平板プレス法、Ｔダイ押出法、スクリューダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、インフレーション押出法、共押出法、カレンダー成形法などが挙げられる。塑性加工温度としては上述の各成分の軟化点以上が好ましく、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば４０〜１５０℃、好ましくは５０〜１４０℃、さらに好ましくは７０〜１２０℃である。

樹脂シート１１の厚さは特に限定されないが、好ましくは１００μｍ以上、より好ましくは１５０μｍ以上である。また、樹脂シート１１の厚さは、好ましくは２０００μｍ以下、より好ましくは１０００μｍ以下である。上記範囲内であると、良好に電子デバイスを封止できる。

樹脂シート１１は、単層構造であってもよいし、２以上の樹脂シートを積層した多層構造であってもよいが、表面積が小さく、低吸湿化し易いという理由から、単層構造が好ましい。

樹脂シート１１は、従来のタブレット状の封止樹脂に比べて表面積が小さいため、吸湿性を低減し易い。

樹脂シート１１は、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタ；圧力センサ、振動センサなどのＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）；ＬＳＩなどのＩＣ（集積回路）、トランジスタなどの半導体；コンデンサ；抵抗などの電子デバイスの封止に使用される。なかでも、中空封止が必要な電子デバイス（具体的には、ＳＡＷフィルタ、ＭＥＭＳ）の封止に好適に使用でき、ＳＡＷフィルタの封止に特に好適に使用できる。

封止方法としては特に限定されず、例えば、基板上の電子デバイスを覆うように未硬化の樹脂シート１１を基板上に積層し、次いで樹脂シート１１を硬化させて封止する方法などが挙げられる。基板としては特に限定されず、例えば、プリント配線基板、セラミック基板、シリコン基板、金属基板などが挙げられる。

［電子デバイスパッケージの製造方法］
図２Ａ〜２Ｃはそれぞれ、本発明の一実施形態に係る電子デバイスパッケージの製造方法の一工程を模式的に示す図である。本実施形態では、プリント配線基板１２上に搭載されたＳＡＷフィルタ１３を樹脂シート１１により中空封止して電子デバイスパッケージ１８を作製する。

（ＳＡＷフィルタ搭載基板準備工程）
ＳＡＷフィルタ搭載基板準備工程では、複数のＳＡＷフィルタ１３が搭載されたプリント配線基板１２を準備する（図２Ａ参照）。ＳＡＷフィルタ１３は、所定の櫛形電極が形成された圧電結晶を公知の方法でダイシングして個片化することにより形成できる。ＳＡＷフィルタ１３のプリント配線基板１２への搭載には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。ＳＡＷフィルタ１３とプリント配線基板１２とはバンプなどの突起電極１３ａを介して電気的に接続されている。また、ＳＡＷフィルタ１３とプリント配線基板１２との間は、ＳＡＷフィルタ表面での表面弾性波の伝播を阻害しないように中空部分１４を維持するようになっている。ＳＡＷフィルタ１３とプリント配線基板１２との間の距離は適宜設定でき、一般的には１５〜５０μｍ程度である。

（封止工程）
封止工程では、ＳＡＷフィルタ１３を覆うようにプリント配線基板１２へ樹脂シート１１を積層し、ＳＡＷフィルタ１３を樹脂シート１１で樹脂封止する（図２Ｂ参照）。樹脂シート１１は、ＳＡＷフィルタ１３及びそれに付随する要素を外部環境から保護するための封止樹脂として機能する。

樹脂シート１１をプリント配線基板１２上に積層する方法は特に限定されず、熱プレスやラミネータなど公知の方法により行うことができる。熱プレス条件としては、温度が、例えば、４０〜１００℃、好ましくは５０〜９０℃であり、圧力が、例えば、０．１〜１０ＭＰａ、好ましくは０．５〜８ＭＰａであり、時間が、例えば０．３〜１０分間、好ましくは０．５〜５分間である。また、樹脂シート１１のＳＡＷフィルタ１３及びプリント配線基板１２への密着性および追従性の向上を考慮すると、減圧条件下（例えば０．１〜５ｋＰａ）においてプレスすることが好ましい。

（封止体形成工程）
封止体形成工程では、樹脂シート１１を熱硬化処理して封止体１５を形成する（図２Ｂ参照）。

熱硬化処理の条件として、加熱温度が好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上である。一方、加熱温度の上限が、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。加熱時間が、好ましくは１０分以上、より好ましくは３０分以上である。一方、加熱時間の上限が、好ましくは１８０分以下、より好ましくは１２０分以下である。また、必要に応じて加圧してもよく、好ましくは０．１ＭＰａ以上、より好ましくは０．５ＭＰａ以上である。一方、上限は好ましくは１０ＭＰａ以下、より好ましくは５ＭＰａ以下である。

（ダイシング工程）
続いて、封止体１５のダイシングを行ってもよい（図２Ｃ参照）。これにより、ＳＡＷフィルタ１３単位での電子デバイスパッケージ１８を得ることができる。

（基板実装工程）
必要に応じて、電子デバイスパッケージ１８に対して再配線及びバンプを形成し、これを別途の基板（図示せず）に実装する基板実装工程を行うことができる。電子デバイスパッケージ１８の基板への実装には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量などは、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。

実施例で使用した成分について説明する。
エポキシ樹脂１：新日鐵化学（株）製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃）
エポキシ樹脂２：日本化薬（株）製のＥＰＰＮ−５０１ＨＹ（トリフェニルメタン型エポキシ樹脂）
エポキシ樹脂３：三菱化学（株）製のＹＬ９８０（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）
フェノール樹脂１：明和化成社製のＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．、軟化点６７℃）
フェノール樹脂２：昭和高分子（株）製のＮＤ５６４
熱可塑性樹脂１：カネカ社製のＳＩＢＳＴＥＲ ０７２Ｔ（スチレン-イソブチレン-スチレンブロック共重合体）
熱可塑性樹脂２：ナガセケムテックス（株）製のＳＧ−Ｐ３
シランカップリング剤処理フィラー：電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均一次粒子径２０μｍ）を信越化学社製のＫＢＭ−４０３（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）で処理したもの（ＦＢ−９４５４ＦＣ ８８．０重量部に対して、ＫＢＭ−４０３ ０．３重量部の割合で処理）
未処理フィラー：電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均一次粒子径２０μｍ）
シランカップリング剤：信越化学社製のＫＢＭ−４０３（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）
カーボンブラック：三菱化学社製の＃２０
難燃剤：伏見製薬所製のＦＰ−１００（ホスファゼン系難燃剤：式（４）で表される化
合物）

（式中、ｍは３〜４の整数を表す。）
硬化促進剤１：北興化学工業社製のＴＰＰ−Ｋ（テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート）
硬化促進剤２：北興化学工業社製のＴＰＰ−ＭＫ（テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリルボレート）

実施例１〜２及び比較例２
表１に記載の配合比に従い、各成分を配合し、ロール混練機により６０〜１２０℃、１０分間、減圧条件下（０．０１ｋｇ／ｃｍ^２）で溶融混練し、混練物を調製した。次いで、得られた混練物を、平板プレス法により、シート状に形成して、厚さ２００μｍの樹脂シートを作製した。

得られた樹脂シート用いて下記の評価を行った。結果を表１に示す。

［吸水率］
樹脂シートからサイズ２０ｍｍ×２０ｍｍ×厚さ２００μｍのサンプルを切り出し、これを１２０℃の真空乾燥機中で、３時間放置して乾燥させた。その後、デシケータ中で放冷し、サンプルの乾燥重量Ｍ１を測定した。次に、８５℃、８５％ＲＨの雰囲気下にある恒温恒湿槽中に１６８時間放置し、サンプルを吸湿させてから取り出し秤量した。秤量値が一定になったときの重量をＭ２とした。測定したＭ１及びＭ２から、下記式に基づき吸水率を算出した。
吸水率（重量％）＝［（Ｍ２−Ｍ１）／Ｍ１］×１００

［フィラー分散性］
樹脂シートの断面（厚さ方向に切断した断面）をＳＥＭ観察し、３００μｍ以上の凝集物の有無を確認した。また、樹脂シートからサイズ２０ｍｍ×２０ｍｍ×厚さ２００μｍのサンプルを切り出し、これを電気炉にて７００℃で１時間焼いて有機分を分解した。残った無機分について、粒度分布測定により３００μｍ以上の凝集物の有無を確認した。
ＳＥＭ観察及び粒度分布測定の両方において、３００μｍ以上の凝集物が確認されなかった場合を○（良好）と判定した。いずれかの方法で凝集物が確認された場合を×（不良）と判定した。

比較例１
表１に記載の配合比に従い、各成分を配合し、これに各成分の総量と同量のメチルエチルケトンを添加して、ワニスを調製した。得られたワニスを、コンマコ―タ−により、厚み５０μｍのポリエステルフィルムＡ（三菱化学ポリエステル社製、ＭＲＦ−５０）の剥離処理面上に、乾燥後の厚みが５０μｍとなるように塗工し、乾燥させた。次いで、厚み３８μｍのポリエステルフィルムＢ（三菱化学ポリエステル社製、ＭＲＦ−３８）の剥離処理面を、乾燥後のワニス上に張り合わせて、薄膜樹脂シートを調製した。
その後、ポリエステルフィルムＡおよびポリエステルフィルムＢを適宜剥離しながら、ロールラミネ―タ―により、薄膜樹脂シートを４枚積層することにより、厚み２００μｍの樹脂シートを調製した。

得られた樹脂シート用いて上記の評価を行った。結果を表１に示す。

１１ 樹脂シート
１１ａ 支持体
１３ ＳＡＷフィルタ
１４ 中空部分
１５ 封止体
１８ 電子デバイスパッケージ

Claims (4)

1. 電子デバイスを覆うための電子デバイス封止用樹脂シートであって、
   シランカップリング剤により処理されたシリカフィラーのみからなる無機充填材を含み、
   前記シランカップリング剤がビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリル基、アクリル基、メルカプト基、スルフィド基およびイソシアネート基からなる群より選ばれた１種以上を有し、
   ８５℃、８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置した後の吸水率が０．３重量％以下であ
   り、
   前記シリカフィラーが実質的に一次粒子の状態で分散している電子デバイス封止用樹脂シート。
2. 前記シランカップリング剤がエポキシ基を有する請求項１に記載の電子デバイス封止用樹脂シート。
3. 前記電子デバイス封止用樹脂シート中の前記シリカフィラーの含有量が７０〜９０体積％である請求項１又は２に記載の電子デバイス封止用樹脂シート。
4. １又は複数の電子デバイスを覆うように請求項１〜３のいずれかに記載の電子デバイス封
   止用樹脂シートを前記電子デバイス上に積層する積層工程、及び
   前記電子デバイス封止用樹脂シートを硬化させて封止体を形成する封止体形成工程を含む
   電子デバイスパッケージの製造方法。

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