WO2017104298A1 - エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

エポキシ樹脂組成物 Download PDF

Info

Publication number
WO2017104298A1
WO2017104298A1 PCT/JP2016/083071 JP2016083071W WO2017104298A1 WO 2017104298 A1 WO2017104298 A1 WO 2017104298A1 JP 2016083071 W JP2016083071 W JP 2016083071W WO 2017104298 A1 WO2017104298 A1 WO 2017104298A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
epoxy resin
resin composition
alumina filler
composition according
present
Prior art date
Application number
PCT/JP2016/083071
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
将宏 長谷川
Original Assignee
ナミックス株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ナミックス株式会社 filed Critical ナミックス株式会社
Priority to KR1020187016315A priority Critical patent/KR102626002B1/ko
Priority to CN201680070570.5A priority patent/CN108368326A/zh
Publication of WO2017104298A1 publication Critical patent/WO2017104298A1/ja

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/50—Amines
    • C08G59/5033—Amines aromatic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/50—Amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/54—Silicon-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2227—Oxides; Hydroxides of metals of aluminium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector

Definitions

  • the present invention relates to an epoxy resin composition used as a semiconductor sealing material or an adhesive.
  • a flip chip type semiconductor device has a structure in which an electrode portion on a substrate and a semiconductor element are connected via a bump electrode.
  • a stress is applied to the bump electrode due to a difference in coefficient of thermal expansion between the substrate made of an organic material such as an epoxy resin and the semiconductor element. It is a problem that defects such as cracks occur.
  • a liquid semiconductor sealing material called an underfill material is used to seal the gap between the semiconductor element and the substrate and fix them together, thereby providing thermal cycle resistance. It is widely done to improve.
  • the underfill material is applied (dispensed) along the outer periphery of the semiconductor element, and the capillary phenomenon is used.
  • a capillary flow in which an underfill material is injected into the gap between the two is common.
  • the underfill material is heated and cured to reinforce the connection site between the two.
  • the underfill material is required to have excellent injectability, adhesiveness, curability, storage stability, and the like. Moreover, it is calculated
  • an epoxy resin-based material is widely used as an underfill material.
  • a filler made of an inorganic substance (hereinafter referred to as “inorganic filler”) is used as the underfill material. It is known that it is effective to control the difference in thermal expansion coefficient between the substrate made of an organic material such as epoxy resin and the semiconductor element and to reinforce the bump electrode by adding to ( Patent Document 1).
  • silica filler is preferably used because of its high electrical insulation and low thermal expansion coefficient.
  • the two-dimensional mounting with a normal planar arrangement has been shifted to three-dimensional mounting in which components are stacked and mounted.
  • the three-dimensional mounting a package using a three-dimensional package in which bare chips are stacked (for example, a stack-type CSP), or a package in which a plurality of semiconductor chips are stacked and then stacked to form a three-dimensional package.
  • the thing using a lamination three-dimensional module is mentioned.
  • the thermal conductivity of the underfill material is high.
  • Silica fillers widely used as inorganic fillers never have high thermal conductivity. Therefore, it is preferable to use an inorganic filler having a higher thermal conductivity than the silica filler for the underfill material used for three-dimensional mounting.
  • Examples of the inorganic filler having higher thermal conductivity than the silica filler include alumina filler, filler such as magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, and diamond. Among these, an alumina filler is preferable because of low cost, easy sphericity, and excellent moisture resistance.
  • Patent Documents 2 to 4 In order to prevent malfunction in a device that is easily affected by ⁇ rays, it is necessary to reduce ⁇ rays emitted from uranium, thorium, and its destructive substances in the inorganic filler contained in the underfill material ( Patent Documents 2 to 4).
  • the inorganic fillers having higher thermal conductivity than the silica filler exemplified above the alumina filler has a small amount of ⁇ -ray emission, but is required to further reduce the amount of ⁇ -ray emission.
  • Patent Documents 2 to 4 the total amount of uranium and thorium in the aluminum hydroxide powder used as a raw material or in the alumina filler produced from the aluminum hydroxide powder is set to less than 10 ppb.
  • the conventional alumina filler obtained by Patent Documents 2 to 4 has a large average particle diameter D50 of 2 ⁇ m or more by laser diffraction scattering method, when added to an underfill material used for three-dimensional mounting, the underfill Due to the low filling of the material, voids were likely to occur during filling.
  • JP-A-10-173103 Japanese Patent Laid-Open No. 2005-248087 JP 2014-5359 A JP 2011-236118 A
  • the present invention has a low uranium content, and when used as an underfill material for three-dimensional mounting, the underfill material has excellent filling properties, and voids It aims at providing the epoxy resin composition by which generation
  • the present invention provides an epoxy resin composition
  • an epoxy resin composition comprising (A) a liquid epoxy resin, (B) a curing agent, and (C) an alumina filler,
  • An epoxy resin composition is provided wherein the (C) alumina filler has an average particle size of 0.1 to 4.9 ⁇ m and a uranium content of 0.1 to 9 ppb.
  • the (B) curing agent is preferably an aromatic amine curing agent.
  • the content of the aromatic amine curing agent is preferably 0.5 to 1.5 equivalents relative to the epoxy equivalent of the liquid epoxy resin (A).
  • the content of the (C) alumina filler is preferably 45 to 90 parts by mass with respect to 100 parts by mass as the total mass of all components of the epoxy resin composition.
  • the ⁇ dose in the cured product is preferably 0.0020 count / cm 2 ⁇ h or less.
  • the epoxy resin composition of the present invention may further contain (D) a silane coupling agent.
  • the roundness of the (C) alumina filler is preferably 0.9 or more.
  • this invention provides the semiconductor sealing agent containing the epoxy resin composition of this invention.
  • the present invention also provides an adhesive comprising the epoxy resin composition of the present invention.
  • the present invention also provides a cured resin obtained by heating the epoxy resin composition of the present invention.
  • the present invention also provides a semiconductor device having a flip-chip type semiconductor element sealed using the semiconductor sealing material of the present invention.
  • the epoxy resin composition of the present invention uses an alumina filler as an inorganic filler, thermal design is easy when used as an underfill material for three-dimensional mounting. Since the epoxy resin composition of the present invention uses an alumina filler having a uranium content of 0.1 to 9 ppb as an inorganic filler, the ⁇ dose in the cured product is 0.0020 count / cm 2 ⁇ h or less. Low, it can prevent malfunction in devices that are susceptible to ⁇ -rays when used as an underfill material. Since the epoxy resin composition of the present invention uses an alumina filler having an average particle size of 0.1 to 4.9 ⁇ m as an inorganic filler, when used as an underfill material for three-dimensional mounting, And the generation of voids is suppressed.
  • the epoxy resin composition of the present invention contains the following components (A) to (C) as essential components.
  • (A) Liquid epoxy resin (A) The liquid epoxy resin of a component is a component which makes the main ingredient of the epoxy resin composition of this invention.
  • the liquid epoxy resin means an epoxy resin that is liquid at room temperature.
  • the liquid epoxy resin in the present invention includes a bisphenol A type epoxy resin having an average molecular weight of about 400 or less; a branched polyfunctional bisphenol A type epoxy resin such as p-glycidyloxyphenyldimethyltrisbisphenol A diglycidyl ether; F type epoxy resin; phenol novolac type epoxy resin having an average molecular weight of about 570 or less; vinyl (3,4-cyclohexene) dioxide, 3,4-epoxycyclohexylcarboxylic acid (3,4-epoxycyclohexyl) methyl, adipic acid Alicyclic epoxy resins such as bis (3,4-epoxy-6-methylcyclohexylmethyl), 2- (3,4-epoxycyclohexyl) 5,1-spiro (3,4-epoxycyclohexyl) -m-dioxane ; 3,3 ' Biphenyl type epoxy resin such as 5,5'-tetramethyl-4,4'-dig
  • An epoxy resin having a silicone skeleton such as 1,3-bis (3-glycidoxypropyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane can also be used.
  • diepoxide compounds such as (poly) ethylene glycol diglycidyl ether, (poly) propylene glycol diglycidyl ether, butanediol diglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, cyclohexane dimethanol diglycidyl ether; trimethylolpropane triglycidyl Examples include ethers and triepoxide compounds such as glycerin triglycidyl ether.
  • liquid bisphenol type epoxy resin a liquid aminophenol type epoxy resin, a silicone-modified epoxy resin, and a naphthalene type epoxy resin are preferable. More preferred are liquid bisphenol A type epoxy resin, liquid bisphenol F type epoxy resin, p-aminophenol type liquid epoxy resin, 1,3-bis (3-glycidoxypropyl) tetramethyldisiloxane, and naphthalene type epoxy resin. .
  • the liquid epoxy resin as a component may be individual or may be used together 2 or more types. Moreover, even if it is an epoxy resin solid at normal temperature, it can be used when it shows liquid as a mixture by using together with a liquid epoxy resin.
  • the curing agent of the component (B) is not particularly limited as long as it is a curing agent for an epoxy resin, and a known one can be used.
  • curing agent can be used.
  • amine curing agent examples include aliphatic polyamines such as triethylenetetraamine, tetraethylenepentamine, m-xylenediamine, trimethylhexamethylenediamine, 2-methylpentamethylenediamine, isophoronediamine, 1,3- Alicyclic polyamines such as bisaminomethylcyclohexane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, norbornenediamine, 1,2-diaminocyclohexane, N-aminoethylpiperazine, 1,4-bis (2-amino-2-methylpropyl) )
  • Piperazine type polyamines such as piperazine, diethyltoluenediamine, dimethylthiotoluenediamine, 4,4′-diamino-3,3′-diethyldiphenylmethane, bis (methylthio) toluenediamine, diaminodiphenylmethane, - phenyl
  • the acid anhydride-based curing agent examples include methyl tetrahydrophthalic anhydride, methyl hexahydrophthalic anhydride, alkylated tetrahydrophthalic anhydride such as methyl tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, Examples include methyl hymic acid anhydride, succinic acid anhydride substituted with an alkenyl group, methyl nadic acid anhydride, glutaric acid anhydride and the like.
  • phenolic curing agents include monomers, oligomers, and polymers in general having a phenolic hydroxyl group.
  • phenol novolak resins and alkylated products or allylated products thereof cresol novolak resins, phenol aralkyl (including phenylene and biphenylene skeletons) ) Resin, naphthol aralkyl resin, triphenol methane resin, dicyclopentadiene type phenol resin and the like.
  • amine-based curing agents are preferable because they are excellent in moisture resistance and thermal cycle resistance.
  • diethyltoluenediamine, dimethylthiotoluenediamine, 4,4′-diamino-3,3′-diethyldiphenylmethane, and the like are preferable.
  • Aromatic amine curing agents are preferred from the viewpoints of heat resistance, mechanical properties, adhesion, electrical properties, and moisture resistance.
  • the point which exhibits liquid state at normal temperature is also preferable as a hardening
  • Component curing agents may be used alone or in combination of two or more.
  • the blending ratio of the curing agent of the component (B) is not particularly limited. 0.5 to 1.5 equivalents are preferable, and 0.7 to 1.3 equivalents are more preferable.
  • the alumina filler of component (C) has moisture resistance and thermal cycle resistance, particularly thermal cycle resistance at the sealed site when the epoxy resin composition of the present invention is used as an underfill material. It is added for the purpose of improving.
  • the reason why the thermal cycle resistance is improved by the addition of the alumina filler is that the expansion / contraction of the cured product of the epoxy resin composition due to the thermal cycle can be suppressed by lowering the linear expansion coefficient.
  • the alumina filler is used as the component (C) because it has a higher thermal conductivity than the silica filler. Therefore, when used as an underfill material for three-dimensional mounting, thermal design is easy. Because it becomes. Moreover, it is because it is low-cost with respect to the other inorganic filler whose heat conductivity is higher than the silica filler illustrated above, it is easy to make a sphericity high, and it is excellent in moisture resistance.
  • Patent Documents 2 to 4 in order to prevent malfunction in a device that is easily affected by ⁇ rays, it is necessary to reduce ⁇ rays emitted from uranium, thorium, and its destructive substances in the inorganic filler contained in the underfill material.
  • the (C) component alumina filler has an average particle size of 0.1 to 4.9 ⁇ m. The reason is that, when used as an underfill material for three-dimensional mounting, the filling property is excellent and the generation of voids is suppressed.
  • the average particle size of the component (C) alumina filler is less than 0.1 ⁇ m, the viscosity of the epoxy resin composition becomes very high.
  • the filling properties and work sexuality deteriorates.
  • the average particle diameter of the (C) component alumina filler is more than 4.9 ⁇ m, there is a risk of filling failure due to clogging of large particles between gaps when used as an underfill material for three-dimensional mounting. There is. Even if it can be filled, voids are involved at the time of filling, which is inappropriate.
  • the average particle size of the (C) component alumina filler is more preferably 0.1 to 3.0 ⁇ m, and further preferably 0.1 to 1.7 ⁇ m.
  • the shape of the component (C) alumina filler is not particularly limited, and may be any form such as granular, powder, flakes and the like.
  • the average particle diameter of the alumina filler means the average maximum diameter of the alumina filler.
  • the roundness of the alumina filler of component (C) is 0.9 or more, the dispersibility of the alumina filler in the epoxy resin composition and the use as an underfill material for three-dimensional mounting This is preferable from the viewpoint of improving the injection property of the filler and bringing the alumina filler closer to the closest packing state.
  • the “roundness” in this specification is defined as “the ratio of the minimum diameter to the maximum diameter of particles” in a two-dimensional image observed with a scanning electron microscope (SEM). That is, the ratio of the minimum diameter to the maximum diameter in a two-dimensional image observed with a scanning electron microscope (SEM) is 0.9 or more.
  • the alumina filler has a higher thermal conductivity than the silica filler, thermal design is facilitated when used as an underfill material used for three-dimensional mounting.
  • the alumina filler contains uranium as an inevitable impurity, bauxite, which is a raw material for production, and the produced alumina filler also uranium as an inevitable impurity, when used as an underfill material for three-dimensional mounting, The device may malfunction due to the emitted ⁇ -rays.
  • the uranium content of the (C) component alumina filler is 0.1 to 9 ppb, the ⁇ dose from the cured product of the resin composition is reduced to such an extent that the device does not malfunction.
  • the ⁇ dose from the cured product of the resin composition is reduced to 0.0020 count / cm 2 ⁇ h or less.
  • the uranium content of the (C) component alumina filler is 0.1 to 4.9 ppb or less.
  • an alumina filler having a total amount of uranium and thorium of less than 10 ppb can be produced from aluminum hydroxide powder.
  • This alumina filler has an average particle diameter determined by a laser diffraction scattering method.
  • An alumina filler having a D50 of 2 ⁇ m or more and an average particle size of 0.1 to 4.9 ⁇ m could not be produced.
  • An alumina filler having an average particle size of 0.1 to 4.9 ⁇ m and a uranium content of 0.1 to 9 ppb is disclosed in, for example, JP 2002-285003 A, JP 2003-1119019 A, VMC method (VapouriZed). Metal Combination Method).
  • a chemical flame is formed by a burner in an atmosphere containing oxygen, and a metal (here, an alumina filler, hereinafter the same) is formed in the chemical flame.
  • a metal hereinafter the same
  • Al is a method in which powder is added in such an amount that a dust cloud is formed, and deflagration is caused to synthesize oxide fine particles.
  • the operation of the VMC method will be described as follows. First, a gas containing oxygen, which is a reaction gas, is filled in a container to form a chemical flame in the reaction gas. Next, metal powder is introduced into the chemical flame to form a dust cloud with a high concentration (500 g / m 3 or more).
  • the VMC method utilizes the principle of dust explosion, and a large amount of oxide fine particles can be obtained instantaneously, and the fine particles have a substantially spherical shape. It is possible to adjust the particle size of the fine particles by adjusting the particle size, input amount, flame temperature, etc. of the powder to be added, and it is possible to synthesize an alumina filler with an average particle size of 0.1 to 4.9 ⁇ m. is there.
  • the content of the component (C) alumina filler is preferably 45 to 90 parts by mass with respect to 100 parts by mass as the total mass of all components of the resin composition.
  • the content of the component (C) alumina filler is less than 45 parts by mass, the linear expansion coefficient of the resin composition increases, and when used as an underfill material for three-dimensional mounting, the thermal resistance of the sealed part Cycle performance is reduced.
  • the content of the component (C) alumina filler exceeds 90 parts by mass, the viscosity of the resin composition increases, and when used as an underfill material for three-dimensional mounting, liquid sealing for flip chip packages When used as a material, the injectability into the gap between the semiconductor element and the substrate is reduced.
  • the content of the alumina filler as the component (C) is more preferably 50 to 80 parts by mass, and further preferably 55 to 75 parts by mass with respect to 100 parts by mass as the total mass of all components of the resin composition. .
  • the epoxy resin composition of the present invention may contain the components described below as needed in addition to the components (A) to (C).
  • (D) Coupling agent The epoxy resin composition of the present invention may contain a coupling agent as the component (D) in order to improve adhesion when used as an underfill material used for three-dimensional mounting.
  • a coupling agent As the coupling agent of component (D), various silane coupling agents such as epoxy, amino, vinyl, methacrylic, acrylic and mercapto can be used.
  • an epoxy-based silane coupling agent is preferable because it is excellent in the effect of improving adhesion and mechanical strength when the epoxy resin composition is used as an underfill material for three-dimensional mounting.
  • epoxy silane coupling agents include 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (trade name: KBM-303, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane (trade name: KBM-402, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane (trade name: KBM-403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), 3 -Glycidoxypropylmethyldiethoxysilane (trade name: KBE-402, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), 3-glycidoxypropyl triethoxysilane (trade name: KBE-403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), etc. Can be mentioned.
  • a silane coupling agent is contained as the component (D), it is 0.1 to 3.0% by mass with respect to the total mass of the liquid epoxy resin of the component (A) and the curing agent of the component (B). It is preferably 0.3 to 2.0% by mass, more preferably 0.5 to 1.5% by mass.
  • the liquid sealing material of the present invention may contain a curing accelerator as the component (E).
  • the hardening accelerator as a component will not be specifically limited if it is a hardening accelerator of an epoxy resin, A well-known thing can be used. Examples thereof include imidazole-based curing accelerators (including microcapsule type and epoxy adduct type), tertiary amine-based curing accelerators, phosphorus compound-based curing accelerators, and the like. Among these, imidazole-based curing accelerators are preferable because they are excellent in terms of compatibility with other components of the semiconductor resin encapsulant and the curing rate of the semiconductor resin encapsulant.
  • imidazole curing accelerator examples include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, and 2-phenyl-4-methylimidazole. And the like, and the like. Further, encapsulated imidazole called microcapsule type imidazole or epoxy adduct type imidazole can also be used.
  • an imidazole-based latent curing agent encapsulated by adducting an imidazole compound with urea or an isocyanate compound and then blocking the surface with an isocyanate compound, or adducting an imidazole compound with an epoxy compound, and further treating the surface with an isocyanate compound An imidazole-based latent curing agent encapsulated by blocking with can also be used.
  • NovaCure HX3941HP NovaCure HXA3042HP, NovaCure HXA3922HP, NovaCure HXA3792, NovaCure HX3748, NovaCure HX3721, NovaCure HX3722, NovaCure HX3088, NovaCure HX3741 And Amicure PN-40J (trade name, manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.) and Fuji Cure FXR-1211 (trade name, manufactured by Fuji Kasei Kogyo Co., Ltd.).
  • the liquid sealing material of the present invention may further contain components other than the components (A) to (E) as necessary.
  • Specific examples of such components include elastomers, curing accelerators, metal complexes, leveling agents, colorants, ion trapping agents, antifoaming agents, flame retardants, and the like.
  • the type and amount of each compounding agent are as usual.
  • the liquid sealing material of the present invention comprises the above components (A) to (C), and if included, the (D) component, the (E) component, and other compounding agents that are further blended as necessary. Prepared by mixing and stirring. Although mixing and stirring can be performed using a roll mill, of course, it is not limited to this.
  • the epoxy resin as the component (A) is solid, it is preferably liquefied or fluidized and mixed by heating. Even if the components are mixed at the same time, some components may be mixed first, and the remaining components may be mixed later.
  • the epoxy resin composition of the present invention preferably has a viscosity at room temperature (25 ° C.) of 200 Pa ⁇ s or less, and has good injectability when used as an underfill material used for three-dimensional mounting.
  • the viscosity in normal temperature (25 degreeC) is 150 Pa.s or less.
  • the epoxy resin composition of the present invention preferably has a glass transition temperature (Tg) of the heat-cured product of 50 ° C. or higher. When used as an underfill material for three-dimensional mounting, it is sealed with an underfill material. The stopped part is excellent in thermal cycle resistance.
  • Tg glass transition temperature
  • the epoxy resin composition of this invention it is more preferable that the glass transition temperature (Tg) of heat-hardened
  • the epoxy resin composition of the present invention preferably has a heat conductivity of 0.3 W / (m ⁇ K) or higher when the heat-cured product is used. Is easy.
  • the heat conductivity of the heat-cured product is more preferably 0.5 W / (m ⁇ K) or more, and further preferably 0.7 W / (m ⁇ K) or more. .
  • the epoxy resin composition of the present invention preferably has an ⁇ dose of 0.0020 count / cm 2 ⁇ h or less in the cured product.
  • the epoxy resin composition of the present invention more preferably the dose ⁇ in the cured product is less than 0.0015count / cm 2 ⁇ h, more preferably not more than 0.0010count / cm 2 ⁇ h.
  • the injectability by capillary flow is good.
  • the injection time into the 20 ⁇ m gap is preferably 800 seconds or less, and more preferably 750 seconds or less. More preferably, it is 650 seconds or less.
  • no voids are generated during gap injection.
  • the gap between the substrate and the semiconductor element is filled with the epoxy resin composition of the present invention by the following procedure.
  • the epoxy resin composition of the present invention is applied to one end of a semiconductor element while heating the substrate to 70 to 130 ° C., for example, the epoxy resin composition of the present invention is formed in the gap between the substrate and the semiconductor element due to capillary action. Filled.
  • the substrate may be tilted or a pressure difference may be generated inside and outside the gap.
  • the substrate After filling the gap with the epoxy resin composition of the present invention, the substrate is heated at a predetermined temperature for a predetermined time, specifically, at 80 to 200 ° C. for 0.2 to 6 hours to obtain an epoxy resin composition.
  • the gap is sealed by heat curing.
  • the semiconductor device of the present invention uses the epoxy resin composition of the present invention as an underfill material, and seals the sealing portion, that is, the gap between the substrate and the semiconductor element by the above procedure.
  • the semiconductor element to be sealed here is not particularly limited to an integrated circuit, a large-scale integrated circuit, a transistor, a thyristor, a diode, a capacitor, and the like.
  • a plurality of those using a three-dimensional package in which bare chips are stacked for example, a stack-type CSP) or a semiconductor chip made into an independent single temporary package are used.
  • the semiconductor device has a three-dimensional mounting structure such as one using a package stacked three-dimensional module that is superposed and three-dimensionalized.
  • the epoxy resin composition of the present invention can also be used for applications such as adhesives and solder resists.
  • Examples 1 to 4 Comparative Examples 1 and 2
  • the raw material was kneaded using a roll mill so that the blending ratios shown in the following table were obtained to prepare the epoxy resin compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2.
  • surface represents the mass part.
  • Epoxy resin Epoxy resin A1 Bisphenol F type epoxy resin, product name YDF8170, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent 158 g / eq
  • Curing agent curing agent B1 Amine-based curing agent, 4,4′-diamino-3,3′-diethyldiphenylmethane, product name Kayahard AA, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.
  • Alumina filler Alumina filler C1 Average particle size 0.7 ⁇ m, uranium content 0.1 ppb
  • Alumina filler C2 average particle size 0.7 ⁇ m, uranium content 3 ppb
  • Alumina filler C3 average particle size 0.7 ⁇ m, uranium content 9 ppb
  • Alumina filler C4 average particle size 0.7 ⁇ m, uranium content 16 ppb
  • Alumina filler C5 average particle size 4.9 ⁇ m, uranium content 9 ppb
  • Alumina filler C6 average particle size 5 ⁇ m, uranium content 9 ppb
  • Coupling agent D1 Epoxy silane coupling agent (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane), product name KBM403 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
  • Glass transition temperature (Tg) About the hardened
  • the thermal conductivity of the cured product of the evaluation sample was measured by the following procedure.
  • the cured resin obtained by heating and curing the sample for evaluation at 165 ° C. for 120 min was cut into 10 mm ⁇ 10 mm, and the thermal conductivity was measured using a thermal conductivity measuring device (LFA447 Nano Flash, manufactured by NETZSCH).
  • a test piece in which a glass plate was fixed instead of a semiconductor element was prepared by providing a 20 ⁇ m gap between two glass substrates using aluminum tape. This test piece was placed on a hot plate set at 110 ° C., an evaluation sample was applied to one end of the glass plate, and the time until the injection distance reached 20 mm was measured. This procedure was performed twice, and the average value of the measured values was taken as the measured value of the injection time. Moreover, the presence or absence of the void in the injected sample for evaluation was confirmed visually.
  • the viscosity at normal temperature (25 ° C.) is 200 Pa ⁇ s or less
  • the Tg of the heat-cured product is 200 ° C. or less
  • the thermal conductivity is 0.3 W / (m ⁇ K).
  • the ⁇ dose was 0.020 count / cm 2 ⁇ h or less
  • the injection time into the 20 ⁇ m gap was 800 seconds or less, and no void was confirmed during the injection.
  • the ⁇ dose in the cured product was more than 0.020 count / cm 2 ⁇ h.
  • Comparative Example 2 in which the average particle diameter of the (C) component alumina filler exceeded 4.9 ⁇ m, the injection time into the 20 ⁇ m gap was more than 800 seconds, and voids were confirmed during the injection.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

本発明は、三次元実装用のアンダーフィル材として好適な、ウラン含有量が低く、充填性に優れ、かつ、ボイドの発生が抑制されたエポキシ樹脂組成物を提供する。本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）アルミナフィラーを含むエポキシ樹脂組成物であって、前記（Ｃ）アルミナフィラーの平均粒径が０．１～４．９μｍであり、かつ、ウラン含有量が０．１～９ｐｐｂ、であることを特徴とする。

Description

エポキシ樹脂組成物
　本発明は、半導体封止材もしくは接着剤として用いられるエポキシ樹脂組成物に関する。
　電子機器の小型化、軽量化、高性能化に伴い半導体の実装形態がワイヤーボンド型からフリップチップ型へと変化してきている。
　フリップチップ型の半導体装置は、バンプ電極を介して基板上の電極部と半導体素子とが接続された構造を持っている。この構造の半導体装置は、温度サイクル等の熱付加が加わった際に、エポキシ樹脂等の有機材料製の基板と、半導体素子と、の熱膨張係数の差によってバンプ電極に応力がかかり、バンプ電極にクラック等の不良が発生することが問題となっている。この不良発生を抑制するために、アンダーフィル材と呼ばれる液状の半導体封止材を用いて、半導体素子と基板との間のギャップを封止し、両者を互いに固定することによって、耐サーマルサイクル性を向上させることが広く行われている。
　アンダーフィル材の供給方法としては、半導体素子と、基板上の電極部と、を接続させた後、半導体素子の外周に沿ってアンダーフィル材を塗布（ディスペンス）し、毛細管現象を利用して、両者の間隙にアンダーフィル材を注入するキャピラリーフローが一般的である。アンダーフィル材の注入後、該アンダーフィル材を加熱硬化させることで両者の接続部位を補強する。
　アンダーフィル材は、注入性、接着性、硬化性、保存安定性等に優れることが求められる。また、アンダーフィル材で封止した部位が、耐湿性、耐サーマルサイクル性等に優れることが求められる。
　上記の要求を満足するため、アンダーフィル材としては、エポキシ樹脂を主剤とするものが広く用いられている。
　アンダーフィル材によって封止した部位の耐湿性および耐サーマルサイクル性、特に耐サーマルサイクル性を向上させるためには、無機物質からなる充填材（以下、「無機充填材」という。）をアンダーフィル材に添加することにより、エポキシ樹脂等の有機材料製の基板と、半導体素子と、の熱膨張係数差のコントロールを行うことや、バンプ電極を補強することが有効であることが知られている（特許文献１参照）。
　この目的で添加される無機充填材としては、電気絶縁性が高いこと、および、熱膨張係数が低いことから、シリカフィラーが好ましく用いられている。
　一方、高密度・高機能実装を実現するために、通常の平面的な配置の二次元実装から、部品を積み重ねて実装を行った三次元実装に移行してきている。三次元実装としては、ベアチップを積層した三次元パッケージ（例えば、スタック型ＣＳＰ）を用いたものや、半導体チップを独立単体の仮パッケージとした後にこれを複数重ね合わせて三次元化を図ったパッケージ積層三次元モジュールを用いたもの等が挙げられる。さらには、電子部品（半導体チップ、受動部品など）を実装した配線基板を多段化することにより、高密度・高機能実装を実現する技術もある。
　従来の二次元実装ではチップが露出していたので、チップからの発熱の放熱は問題とならなかったが、複数のチップが積層された構造の三次元実装では、放熱されにくくなるため熱設計が大きな問題となる。熱設計を容易にするためには、アンダーフィル材の熱伝導率は高い方が好ましい。
　無機充填材として、広く用いられるシリカフィラーは、熱伝導率は決して高くない。そのため、三次元実装に用いるアンダーフィル材には、シリカフィラーよりも熱伝導率が高い無機充填材を使用することが好ましい。シリカフィラーよりも熱伝導率が高い無機充填材としては、アルミナフィラーや、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミ、ダイヤモンドなどのフィラーが挙げられる。これらの中でも、アルミナフィラーが、低コストであること、真球度を高くしやすいこと、耐湿性に優れることから好ましい。
　また、α線の影響を受け易いデバイスにおける誤動作を防止するため、アンダーフィル材に含まれる無機充填材中のウラン、トリウム、その壊変物質から放出されるα線を低減することが必要である（特許文献２～４）。アルミナフィラーは、上記で例示したシリカフィラーよりも熱伝導率が高い無機充填材の中では、α線の放出量は少ないが、α線の放出量をさらに低減することが求められる。
　特許文献２～４では、原料として用いる水酸化アルミニウム粉末中、若しくは、水酸化アルミニウム粉末から製造されるアルミナフィラー中のウラン、トリウムの合計量が１０ｐｐｂ未満とされている。
　しかしながら、特許文献２～４により得られる従来のアルミナフィラーは、レーザー回析散乱法による平均粒子径Ｄ５０が２μｍ以上と大きいため、三次元実装に用いるアンダーフィル材に添加した際に、該アンダーフィル材の充填性が低いため、充填時にボイドが発生しやすかった。
特開平１０－１７３１０３号公報 特開２００５－２４８０８７号公報 特開２０１４－５３５９号公報 特開２０１１－２３６１１８号公報
　本発明は、上記した従来技術における問題点を解決するため、ウラン含有量が低く、三次元実装用のアンダーフィル材として使用した際に、該アンダーフィル材の充填性に優れ、かつ、ボイドの発生が抑制されたエポキシ樹脂組成物を提供することを目的とする。
　上記の目的を達成するため、本発明は、（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）アルミナフィラーを含むエポキシ樹脂組成物であって、
　前記（Ｃ）アルミナフィラーの平均粒径が０．１～４．９μｍであり、かつ、ウラン含有量が０．１～９ｐｐｂ、であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物を提供する。
　本発明のエポキシ樹脂組成物において、前記（Ｂ）硬化剤は、芳香族アミン硬化剤であることが好ましい。
　本発明のエポキシ樹脂組成物において、芳香族アミン硬化剤の含有量が、前記（Ａ）液状エポキシ樹脂のエポキシ当量に対して、０．５～１．５当量であることが好ましい。
　本発明のエポキシ樹脂組成物において、前記（Ｃ）アルミナフィラーの含有量は、エポキシ樹脂組成物の全成分の合計質量１００質量部に対し、４５～９０質量部であることが好ましい。
　本発明のエポキシ樹脂組成物は、硬化物におけるα線量が０．００２０ｃｏｕｎｔ／ｃｍ2・ｈ以下であることが好ましい。
　本発明のエポキシ樹脂組成物は、さらに、（Ｄ）シランカップリング剤を含有してもよい。
　本発明のエポキシ樹脂組成物は、前記（Ｃ）アルミナフィラーの真円度が０．９以上であることが好ましい。
　また、本発明は、本発明のエポキシ樹脂組成物を含む半導体封止剤を提供する。
　また、本発明は、本発明のエポキシ樹脂組成物を含む接着剤を提供する。
　また、本発明は、本発明のエポキシ樹脂組成物を加熱することで得られる樹脂硬化物を提供する。
　また、本発明は、本発明の半導体封止材を用いて封止されたフリップチップ型半導体素子を有する半導体装置を提供する。
　本発明のエポキシ樹脂組成物は、無機充填材として、アルミナフィラーを使用しているため、三次元実装のアンダーフィル材として使用する際に、熱設計が容易である。
　本発明のエポキシ樹脂組成物は、無機充填材として、ウラン含有量が０．１～９ｐｐｂのアルミナフィラーを使用しているため、その硬化物におけるα線量が０．００２０ｃｏｕｎｔ／ｃｍ2・ｈ以下と低く、アンダーフィル材として使用した際に、α線の影響を受け易いデバイスにおける誤動作を防止できる。
　本発明のエポキシ樹脂組成物は、無機充填材として、平均粒径が０．１～４．９μｍのアルミナフィラーを使用しているため、三次元実装のアンダーフィル材として使用した際に、充填性が良好であり、かつ、ボイドの発生が抑制される。
　以下、本発明について詳細に説明する。
　本発明のエポキシ樹脂組成物は、以下に示す（Ａ）～（Ｃ）成分を必須成分として含有する。
（Ａ）液状エポキシ樹脂
　（Ａ）成分の液状エポキシ樹脂は、本発明のエポキシ樹脂組成物の主剤をなす成分である。
　本発明において、液状エポキシ樹脂とは常温で液状のエポキシ樹脂を意味する。
　本発明における液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の平均分子量が約４００以下のもの；ｐ－グリシジルオキシフェニルジメチルトリスビスフェノールＡジグリシジルエーテルのような分岐状多官能ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂の平均分子量が約５７０以下のもの；ビニル（３，４－シクロヘキセン）ジオキシド、３，４－エポキシシクロヘキシルカルボン酸（３，４－エポキシシクロヘキシル）メチル、アジピン酸ビス（３，４－エポキシ－６－メチルシクロヘキシルメチル）、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）５，１－スピロ（３，４－エポキシシクロヘキシル）－ｍ－ジオキサンのような脂環式エポキシ樹脂；３，３´，５，５´－テトラメチル－４，４´－ジグリシジルオキシビフェニルのようなビフェニル型エポキシ樹脂；ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジル、３－メチルヘキサヒドロフタル酸ジグリシジル、ヘキサヒドロテレフタル酸ジグリシジルのようなグリシジルエステル型エポキシ樹脂；ジグリシジルアニリン、ジグリシジルトルイジン、トリグリシジル－ｐ－アミノフェノール、テトラグリシジル－ｍ－キシリレンジアミン、テトラグリシジルビス（アミノメチル）シクロヘキサンのようなグリシジルアミン型エポキシ樹脂；ならびに１，３－ジグリシジル－５－メチル－５－エチルヒダントインのようなヒダントイン型エポキシ樹脂；ナフタレン環含有エポキシ樹脂が例示される。また、１，３－ビス（３－グリシドキシプロピル）－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサンのようなシリコーン骨格をもつエポキシ樹脂も使用することができる。さらに、（ポリ）エチレングリコールジグリシジルエーテル、（ポリ）プロピレングリコールジグルシジルエーテル、ブタンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテルのようなジエポキシド化合物；トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテルのようなトリエポキシド化合物等も例示される。
　中でも好ましくは、液状ビスフェノール型エポキシ樹脂、液状アミノフェノール型エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂である。さらに好ましくは液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、液状ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ｐ－アミノフェノール型液状エポキシ樹脂、１，３－ビス（３－グリシドキシプロピル）テトラメチルジシロキサン、ナフタレン型エポキシ樹脂である。
　（Ａ）成分としての液状エポキシ樹脂は、単独でも、２種以上併用してもよい。
　また、常温で固体のエポキシ樹脂であっても、液状のエポキシ樹脂と併用することにより、混合物として液状を示す場合は用いることができる。
（Ｂ）硬化剤
　（Ｂ）成分の硬化剤は、エポキシ樹脂の硬化剤であれば、特に限定されず、公知のものを使用することができ、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤、および、フェノール系硬化剤のいずれも使用できる。
　アミン系硬化剤の具体例としては、トリエチレンテトラアミン、テトラエチレンペンタミン、ｍ－キシレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン、２－メチルペンタメチレンジアミンなどの脂肪族ポリアミン、イソフォロンジアミン、１，３－ビスアミノメチルシクロヘキサン、ビス（４－アミノシクロヘキシル）メタン、ノルボルネンジアミン、１，２－ジアミノシクロヘキサンなどの脂環式ポリアミン、Ｎ－アミノエチルピペラジン、１，４－ビス（２－アミノ－２－メチルプロピル）ピペラジンなどのピペラジン型のポリアミン、ジエチルトルエンジアミン、ジメチルチオトルエンジアミン、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジエチルジフェニルメタン、ビス（メチルチオ）トルエンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ｍ－フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルホン、ジエチルトルエンジアミン、トリメチレンビス（４－アミノベンゾエート）、ポリテトラメチレンオキシド－ジ－ｐ－アミノベンゾエートなどの芳香族ポリアミン類が挙げられる。また、市販品として、Ｔ－１２（商品名、三洋化成工業製）（アミン当量１１６）が挙げられる。
　酸無水物系硬化剤の具体例としては、メチルテトラヒドロフタル酸無水物、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、メチルテトラヒドロフタル酸無水物等のアルキル化テトラヒドロフタル酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、メチルハイミック酸無水物、アルケニル基で置換されたコハク酸無水物、メチルナジック酸無水物、グルタル酸無水物等が例示される。
　フェノール系硬化剤の具体例としては、フェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例えば、フェノールノボラック樹脂およびそのアルキル化物またはアリル化物、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル（フェニレン、ビフェニレン骨格を含む）樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂等が挙げられる。
　これらの中でも、アミン系硬化剤が、耐湿性および耐サーマルサイクル性に優れることから好ましく、中でも、ジエチルトルエンジアミン、ジメチルチオトルエンジアミン、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジエチルジフェニルメタン等の芳香族アミン硬化剤が、耐熱性、機械的特性、密着性、電気的特性、耐湿性の観点から好ましい。また、常温で液状を呈する点も、本発明のエポキシ樹脂組成物におけるエポキシ樹脂の硬化剤として好ましい。
　（Ｂ）成分の硬化剤は、単独でも、２種以上併用してもよい。
　本発明の樹脂組成物において、（Ｂ）成分の硬化剤の配合割合は特に限定されないが、芳香族アミン硬化剤の場合、（Ａ）成分の液状エポキシ樹脂のエポキシ基１当量に対して、０．５～１．５当量であることが好ましく、０．７～１．３当量であることがより好ましい。
（Ｃ）アルミナフィラー
　（Ｃ）成分のアルミナフィラーは、本発明のエポキシ樹脂組成物をアンダーフィル材として使用した際に、封止した部位の耐湿性および耐サーマルサイクル性、特に耐サーマルサイクル性を向上させる目的で添加される。アルミナフィラーの添加により耐サーマルサイクル性が向上するのは、線膨張係数を下げることにより、サーマルサイクルによる、エポキシ樹脂組成物の硬化物の膨張・収縮を抑制できるからである。
　（Ｃ）成分としてアルミナフィラーを使用するのは、上述したように、シリカフィラーに比べて、熱伝導率が高いため、三次元実装に用いるアンダーフィル材として使用する際に、熱設計が容易になるからである。また、上記で例示したシリカフィラーよりも熱伝導率が高い他の無機充填材に対し、低コストであり、真球度を高くしやすく、耐湿性に優れるからである。
　また、α線の影響を受け易いデバイスにおける誤動作を防止するため、アンダーフィル材に含まれる無機充填材中のウラン、トリウム、その壊変物質から放出されるα線を低減することが必要である（特許文献２～４）。
　本発明のエポキシ樹脂組成物において、（Ｃ）成分のアルミナフィラーは、平均粒径が０．１～４．９μｍである。その理由は、三次元実装用のアンダーフィル材として使用した際に、充填性に優れ、かつ、ボイドの発生が抑制されるためである。（Ｃ）成分のアルミナフィラーの平均粒径が０．１μｍ未満だと、エポキシ樹脂組成物の粘度が非常に高くなるため、三次元実装用のアンダーフィル材として使用した際に、充填性、作業性が悪化する。
　一方、（Ｃ）成分のアルミナフィラーの平均粒径が４．９μｍ超だと、三次元実装用のアンダーフィル材として使用した際に、大きな粒子がギャップ間で詰まることにより充填不良が発生するおそれがある。また充填できたとしても充填時にボイドを巻き込むため、不適切である。
　（Ｃ）成分のアルミナフィラーの平均粒径は０．１～３．０μｍであることがより好ましく、０．１～１．７μｍであることがさらに好ましい。
　（Ｃ）成分のアルミナフィラーの形状は特に限定されず、粒状、粉末状、りん片等のいずれの形態であってもよい。なお、アルミナフィラーの形状が粒状以外の場合、アルミナフィラーの平均粒径とはアルミナフィラーの平均最大径を意味する。
　但し、（Ｃ）成分のアルミナフィラーの真円度が０．９以上であることが、エポキシ樹脂組成物中でのアルミナフィラーの分散性、および、三次元実装用のアンダーフィル材として使用する際の注入性が向上するとともに、アルミナフィラーをより最密充填状態に近づけるという観点から好ましい。本明細書における「真円度」は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した二次元像における「粒子の最大径に対する最小径の比」と定義する。すなわち、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した二次元像における最大径に対する最小径の比が０．９以上であることを指す。
　上述したように、アルミナフィラーは、シリカフィラーに比べて、熱伝導率が高いため、三次元実装に用いるアンダーフィル材として使用する際に、熱設計が容易になる。
　しかしながら、アルミナフィラーは、その製造原料であるボーキサイトが不可避不純物としてウランを含有し、製造されたアルミナフィラーも不可避不純物としてウランするため、三次元実装に用いるアンダーフィル材として使用した場合に、ウランから放出されるα線により、デバイスが誤動作するおそれがある。
　本発明の樹脂組成物では、（Ｃ）成分のアルミナフィラーのウラン含有量が０．１～９ｐｐｂであるため、樹脂組成物の硬化物からのα線量が、デバイスを誤作動させない程度まで低減される。具体的には、樹脂組成物の硬化物からのα線量が０．００２０ｃｏｕｎｔ／ｃｍ2・ｈ以下に低減される。
　本発明の樹脂組成物において、（Ｃ）成分のアルミナフィラーのウラン含有量が０．１～４．９ｐｐｂ以下であることが好ましい。
　特許文献２～４に記載の方法によれば、水酸化アルミニウム粉末から、ウラン、トリウムの合計量が１０ｐｐｂ未満のアルミナフィラーを製造できるが、このアルミナフィラーは、レーザー回析散乱法による平均粒子径Ｄ５０が２μｍ以上であり、平均粒径が０．１～４．９μｍのアルミナフィラーを製造することができなかった。
　平均粒径が０．１～４．９μｍ、かつ、ウラン含有量が０．１～９ｐｐｂのアルミナフィラーは、例えば、特開２００２－２８５００３号公報、特開２００３－１１９０１９号公報、ＶＭＣ法（Ｖａｐｏｕｒｉｚｅｄ  Ｍｅｔａｌ  Ｃｏｍｂｕｔｉｏｎ  Ｍｅｔｈｏｄ）により製造できる。ＶＭＣ法とは、酸素を含む雰囲気内においてバーナーにより化学炎を形成し、この化学炎中に目的とする酸化物微粒子（ここでは、アルミナフィラー、以下、同様）の一部を形成する金属（ここでは、Ａｌ、以下同様）粉末を粉塵雲が形成される程度の量投入し、爆燃を起こさせて酸化物微粒子を合成する方法である。
　ＶＭＣ法の作用について説明すれば以下のようになる。まず容器中に反応ガスである酸素を含有するガスを充満させ、この反応ガス中化学炎を形成する。次いでこの化学炎に金属粉末を投入し高濃度（５００ｇ／ｍ3以上）の粉塵雲を形成する。すると、化学炎により金属粉末表面に熱エネルギが与えられ、金属粉末の表面温度が上昇し、金属粉末表面から金属の蒸気が周囲に広がる。この金属蒸気粉末が酸素ガスと反応して発火し火炎を生じる。この火炎により生じた熱は、さらに金属粉末の気化を促進し、生じた金属蒸気と反応ガスが混合され、連鎖的に発火伝播する。このとき金属粉末自体も破壊して飛散し、火炎伝播を促す。燃焼後に生成ガスが自然冷却されることにより、酸化物微粒子の雲ができる。得られた酸化物微粒子は、電気集塵器等により帯電させて捕獲することができる。
　ＶＭＣ法は粉塵爆発の原理を利用するものであり、瞬時に大量の酸化物微粒子が得られ、その微粒子は、略真球の形状をなす。投入する粉末の粒子径、投入量、火炎温度等を調整することにより、微粒子の粒径を調整することが可能であり、平均粒径が０．１～４．９μｍのアルミナフィラーを合成可能である。
　本発明の樹脂組成物において、（Ｃ）成分のアルミナフィラーの含有量は、樹脂組成物の全成分の合計質量１００質量部に対し、４５～９０質量部であることが好ましい。
　（Ｃ）成分のアルミナフィラーの含有量が４５質量部未満だと、樹脂組成物の線膨張係数が大きくなり、三次元実装に用いるアンダーフィル材として使用した場合に、封止した部位の耐サーマルサイクル性が低下する。
　一方、（Ｃ）成分のアルミナフィラーの含有量が９０質量部超だと、樹脂組成物の粘度が増加し、三次元実装に用いるアンダーフィル材として使用した場合に、フリップチップパッケージ用液状封止材として使用した場合に、半導体素子と基板とのギャップへの注入性が低下する。
　（Ｃ）成分のアルミナフィラーの含有量は、樹脂組成物の全成分の合計質量１００質量部に対し、５０～８０質量部であることがより好ましく、５５～７５質量部であることがさらに好ましい。
　本発明のエポキシ樹脂組成物は、上記（Ａ）～（Ｃ）成分以外に、以下に述べる成分を必要に応じて含有してもよい。
（Ｄ）カップリング剤
　本発明のエポキシ樹脂組成物は、三次元実装に用いるアンダーフィル材として使用した際の密着性を向上させるために、（Ｄ）成分としてカップリング剤を含有してもよい。
　（Ｄ）成分のカップリング剤としては、エポキシ系、アミノ系、ビニル系、メタクリル系、アクリル系、メルカプト系等の各種シランカップリング剤を用いることができる。これらの中でも、エポキシ系シランカップリング剤が、エポキシ樹脂組成物を三次元実装に用いるアンダーフィル材として使用した際の密着性および機械的強度を向上させる効果に優れることから好ましい。
　エポキシ系シランカップリング剤の具体例としては、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ－３０３、信越化学株式会社製）、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ－４０２、信越化学株式会社製）、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ－４０３、信越化学株式会社製）、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、（商品名：ＫＢＥ－４０２、信越化学株式会社製）、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン（商品名：ＫＢＥ－４０３、信越化学株式会社製）等が挙げられる。
　（Ｄ）成分としてシランカップリング剤を含有させる場合、（Ａ）成分の液状エポキシ樹脂、および、（Ｂ）成分の硬化剤の合計質量に対する質量百分率で０．１～３．０質量％であることが好ましく、０．３～２．０質量％であることがより好ましく、０．５～１．５質量％であることがさらに好ましい。
（Ｅ）硬化促進剤
　本発明の液状封止材は、（Ｅ）成分として硬化促進剤を含有してもよい。（Ｂ）成分の硬化剤として、酸無水物系硬化剤やフェノール系硬化剤を使用する場合は、（Ｅ）成分として硬化促進剤を含有することが好ましい。
　（Ｅ）成分としての硬化促進剤は、エポキシ樹脂の硬化促進剤であれば、特に限定されず、公知のものを使用することができる。例えば、イミダゾール系硬化促進剤（マイクロカプセル型、エポキシアダクト型を含む）、第三級アミン系硬化促進剤、リン化合物系硬化促進剤等が挙げられる。
　これらの中でもイミダゾール系硬化促進剤が、半導体樹脂封止材の他の成分との相溶性、および、半導体樹脂封止材の硬化速度という点で優れることから好ましい。
　イミダゾール系硬化促進剤の具体例としては、２－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙げられる。
　また、マイクロカプセル型イミダゾールやエポキシアダクト型イミダゾールと呼ばれるカプセル化イミダゾールも用いることができる。すなわち、イミダゾール化合物を尿素やイソシアネート化合物でアダクトし、さらにその表面をイソシアネート化合物でブロックすることによりカプセル化したイミダゾール系潜在性硬化剤や、イミダゾール化合物をエポキシ化合物でアダクトし、さらにその表面をイソシアネート化合物でブロックすることによりカプセル化したイミダゾール系潜在性硬化剤も用いることができる。具体的には、例えば、ノバキュアＨＸ３９４１ＨＰ、ノバキュアＨＸＡ３０４２ＨＰ、ノバキュアＨＸＡ３９２２ＨＰ、ノバキュアＨＸＡ３７９２、ノバキュアＨＸ３７４８、ノバキュアＨＸ３７２１、ノバキュアＨＸ３７２２、ノバキュアＨＸ３０８８、ノバキュアＨＸ３７４１、ノバキュアＨＸ３７４２、ノバキュアＨＸ３６１３（いずれも旭化成ケミカルズ社製、商品名）等、アミキュアＰＮ－４０Ｊ（味の素ファインテクノ株式会社製、商品名）、フジキュアＦＸＲ－１１２１富士化成工業株式会社製、商品名）を挙げることができる。
（その他の配合剤）
　本発明の液状封止材は、上記（Ａ）～（Ｅ）成分以外の成分を必要に応じてさらに含有してもよい。このような成分の具体例としてはエラストマー、硬化促進剤、金属錯体、レベリング剤、着色剤、イオントラップ剤、消泡剤、難燃剤などを配合することができる。各配合剤の種類、配合量は常法通りである。
（エポキシ樹脂組成物の調製）
　本発明の液状封止材は、上記（Ａ）～（Ｃ）成分、および、含有させる場合はさらに（Ｄ）成分、（Ｅ）成分、ならびに、さらに必要に応じて配合するその他の配合剤を混合し、攪拌して調製される。
　混合攪拌は、ロールミルを用いて行うことができるが、勿論、これに限定されない。（Ａ）成分のエポキシ樹脂が固形の場合には、加熱などにより液状化ないし流動化し混合することが好ましい。
　各成分を同時に混合しても、一部成分を先に混合し、残り成分を後から混合するなど、適宜変更しても差支えない。
　次に本発明のエポキシ樹脂組成物の特性について述べる。
　本発明のエポキシ樹脂組成物は、常温（２５℃）での粘度が２００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、三次元実装に用いるアンダーフィル材として使用した際に注入性が良好である。
　本発明のエポキシ樹脂組成物は、常温（２５℃）での粘度が１５０Ｐａ・ｓ以下であることがより好ましい。
　また、本発明のエポキシ樹脂組成物は、加熱硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以上であることが好ましく、三次元実装に用いるアンダーフィル材として使用した場合に、アンダーフィル材で封止した部位が耐サーマルサイクル性に優れている。
　本発明のエポキシ樹脂組成物は、加熱硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）が、８０℃以上であることがより好ましい。
　また、本発明のエポキシ樹脂組成物は、加熱硬化物の熱伝導率が０．３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であることが好ましく、三次元実装のアンダーフィル材として使用する際に、熱設計が容易である。
　本発明のエポキシ樹脂組成物は、加熱硬化物の熱伝導率が０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であることがより好ましく、０．７Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であることがさらに好ましい。
　また、本発明のエポキシ樹脂組成物は、硬化物におけるα線量が０．００２０ｃｏｕｎｔ／ｃｍ2・ｈ以下であることが好ましく、三次元実装のアンダーフィル材として使用した際に、α線の影響を受け易いデバイスにおける誤動作を防止できる。
　また、本発明のエポキシ樹脂組成物は、硬化物におけるα線量が０．００１５ｃｏｕｎｔ／ｃｍ2・ｈ以下であることがより好ましく、０．００１０ｃｏｕｎｔ／ｃｍ2・ｈ以下であることがさらに好ましい。
　また、本発明のエポキシ樹脂組成物は、三次元実装に用いるアンダーフィル材として使用した場合に、キャピラリーフローによる注入性が良好である。具体的には、後述する実施例に記載の手順でギャップへの注入性を評価した際に、２０μｍギャップへの注入時間が８００秒以下であることが好ましく、７５０秒以下であることがより好ましく、６５０秒以下であることがさらに好ましい。
　また、ギャップの注入時にボイドが発生することがない。
　次に本発明のエポキシ樹脂組成物の使用方法を、アンダーフィル材としての使用を挙げて説明する。
　本発明のエポキシ樹脂組成物をアンダーフィル材として使用する場合、以下の手順で基板と半導体素子との間のギャップに本発明のエポキシ樹脂組成物を充填する。
　基板をたとえば７０～１３０℃に加熱しながら、半導体素子の一端に本発明のエポキシ樹脂組成物を塗布すると、毛細管現象によって、基板と半導体素子との間のギャップに本発明のエポキシ樹脂組成物が充填される。この際、本発明のエポキシ樹脂組成物の充填に要する時間を短くするため、基板を傾斜させたり、該ギャップ内外に圧力差を生じさせてもよい。
　該ギャップに本発明のエポキシ樹脂組成物を充填させた後、該基板を所定温度で所定時間、具体的には、８０～２００℃で０．２～６時間加熱して、エポキシ樹脂組成物を加熱硬化させることによって、該ギャップを封止する。
　本発明の半導体装置は、本発明のエポキシ樹脂組成物をアンダーフィル材として使用し、上記の手順で封止部位、すなわち、基板と半導体素子との間のギャップを封止したものである。ここで封止を行う半導体素子としては、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタおよびダイオードおよびコンデンサ等で特に限定されるものではない。
　但し、上述した加熱硬化物の熱伝導率の高さにより、ベアチップを積層した三次元パッケージ（例えば、スタック型ＣＳＰ）を用いたものや、半導体チップを独立単体の仮パッケージとした後にこれを複数重ね合わせて三次元化を図ったパッケージ積層三次元モジュールを用いたものといった、三次元実装構造を有する半導体装置であることが好ましい。
　また、本発明のエポキシ樹脂組成物は、接着剤、ソルダーレジスト等の用途にも用いることができる。
　以下、実施例により、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１～４、比較例１～２）
　下記表に示す配合割合となるように、ロールミルを用いて原料を混練して実施例１～４、比較例１～２のエポキシ樹脂組成物を調製した。なお、表中の各組成に関する数値は質量部を表している。
（Ａ）エポキシ樹脂
エポキシ樹脂Ａ１：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、製品名ＹＤＦ８170、新日鐵化学株式会社製、エポキシ当量１５８ｇ／ｅｑ
（Ｂ）硬化剤
硬化剤Ｂ１：アミン系硬化剤、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジエチルジフェニルメタン、製品名カヤハードＡ－Ａ、日本化薬株式会社製
（Ｃ）アルミナフィラー
アルミナフィラーＣ１：平均粒径０．７μｍ、ウラン含有量０．１ｐｐｂ
アルミナフィラーＣ２：平均粒径０．７μｍ、ウラン含有量３ｐｐｂ
アルミナフィラーＣ３：平均粒径０．７μｍ、ウラン含有量９ｐｐｂ
アルミナフィラーＣ４：平均粒径０．７μｍ、ウラン含有量１６ｐｐｂ
アルミナフィラーＣ５：平均粒径４．９μｍ、ウラン含有量９ｐｐｂ
アルミナフィラーＣ６：平均粒径５μｍ、ウラン含有量９ｐｐｂ
（Ｄ）カップリング剤
カップリング剤Ｄ１：エポキシ系シランカップリング剤（３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、製品名ＫＢＭ４０３（信越化学工業株式会社製）
　調製したエポキシ樹脂組成物を評価用試料として以下の評価を実施した。
（粘度）
　ブルックフィールド粘度計を用いて、液温２５℃、５０ｒｐｍで調製直後の評価用試料の粘度を測定した。
（ガラス転移温度（Ｔｇ））
　評価用試料を１６５℃で１２０ｍｉｎ加熱硬化させ８ｍｍφ×２００ｍｍの円柱状に成形した硬化物について、ブルカーＡＳＸ製ＴＭＡ４０００ＳＡを用いて、ＴＭＡ法によりガラス転移温度を測定した。
（熱伝導率）
　下記手順で評価用試料の硬化物の熱伝導率を測定した。
　評価用試料を１６５℃で１２０ｍｉｎ加熱硬化させた樹脂硬化物を１０ｍｍ×１０ｍｍにカットし、熱伝導率測定装置（ＬＦＡ４４７ナノフラッシュ、ＮＥＴＺＳＣＨ社製）を用いて熱伝導率の測定を行った。
（注入性）
　２枚のガラス基板の間にアルミテープを用いて２０μｍのギャップを設けて、半導体素子の代わりにガラス板を固定した試験片を作製した。この試験片を１１０℃に設定したホットプレート上に置き、ガラス板の一端側に評価用試料を塗布し、注入距離が２０ｍｍに達するまでの時間を測定した。この手順を２回実施し、測定値の平均値を注入時間の測定値とした。
　また、注入された評価用試料におけるボイドの有無を目視により確認した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　実施例１～４は、いずれも常温（２５℃）での粘度が２００Ｐａ・ｓ以下であり、加熱硬化物のＴｇが２００℃以下であり、熱伝導率が０．３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であり、α線量が０．０２０ｃｏｕｎｔ／ｃｍ2・ｈ以下であり、２０μｍギャップへの注入時間が８００秒以下であり、注入時にボイドが確認されなかった。（Ｃ）成分のアルミナフィラーのウラン含有量が９ｐｐｂ超の比較例１は、硬化物におけるα線量が０．０２０ｃｏｕｎｔ／ｃｍ2・ｈ超であった。（Ｃ）成分のアルミナフィラーの平均粒径が４．９μｍ超の比較例２は、２０μｍギャップへの注入時間が８００秒超であり、注入時にボイドが確認された。

Claims (11)

  1. 　（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）アルミナフィラーを含むエポキシ樹脂組成物であって、
    　前記（Ｃ）アルミナフィラーの平均粒径が０．１～４．９μｍであり、かつ、ウラン含有量が０．１～９ｐｐｂ、であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
  2. 　前記（Ｂ）硬化剤が芳香族アミン硬化剤である、請求項１に記載のエポキシ樹脂組成物。
  3. 　前記芳香族アミン硬化剤の含有量が、前記（Ａ）液状エポキシ樹脂のエポキシ当量に対して０．５～１．５当量である、請求項２に記載のエポキシ樹脂組成物。
  4. 　前記（Ｃ）アルミナフィラーの含有量が、エポキシ樹脂組成物の全成分の合計質量１００質量部に対し、４５～９０質量部である、請求項１～３のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
  5. 　硬化物におけるα線量が０．００２０ｃｏｕｎｔ／ｃｍ2・ｈ以下である、請求項１～４のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
  6. 　さらに、（Ｄ）シランカップリング剤を含有する、請求項１～５のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
  7. 　前記（Ｃ）アルミナフィラーの真円度が０．８以上である、請求項１～６のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
  8. 　請求項１～７のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を含む半導体封止剤。
  9. 　請求項１～７のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を含む接着剤。
  10. 　請求項１～７のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を加熱することで得られる樹脂硬化物。
  11. 　請求項８に記載の半導体封止材を用いて封止されたフリップチップ型半導体素子を有する半導体装置。
PCT/JP2016/083071 2015-12-18 2016-11-08 エポキシ樹脂組成物 WO2017104298A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020187016315A KR102626002B1 (ko) 2015-12-18 2016-11-08 에폭시 수지 조성물
CN201680070570.5A CN108368326A (zh) 2015-12-18 2016-11-08 环氧树脂组合物

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015247112A JP6688065B2 (ja) 2015-12-18 2015-12-18 エポキシ樹脂組成物
JP2015-247112 2015-12-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017104298A1 true WO2017104298A1 (ja) 2017-06-22

Family

ID=59056021

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2016/083071 WO2017104298A1 (ja) 2015-12-18 2016-11-08 エポキシ樹脂組成物

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6688065B2 (ja)
KR (1) KR102626002B1 (ja)
CN (1) CN108368326A (ja)
TW (1) TWI711132B (ja)
WO (1) WO2017104298A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114292613A (zh) * 2022-02-16 2022-04-08 武汉市三选科技有限公司 复合膜、倒装led芯片及其制造方法
CN116445117A (zh) * 2023-04-23 2023-07-18 有行鲨鱼（上海）科技股份有限公司 一种大尺寸芯片补强用光热双固封边胶及其制备与使用

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109654388A (zh) * 2018-12-06 2019-04-19 安徽皇广实业有限公司 一种集成高导热基材led灯具
CN112080238B (zh) * 2020-09-07 2022-05-27 江苏矽时代材料科技有限公司 一种导热填充胶及其制备方法和应用
JP2022074144A (ja) 2020-11-02 2022-05-17 三菱ケミカル株式会社 組成物、液状封止剤、樹脂複合材、封止材、封止材の製造方法、及び電子デバイス
WO2023089878A1 (ja) * 2021-11-16 2023-05-25 ナミックス株式会社 エポキシ樹脂組成物、液状コンプレッションモールド材、グラブトップ材および半導体装置
KR20230108931A (ko) 2022-01-12 2023-07-19 주식회사 이포트 알루미나 제조방법 및 이에 의해 제조된 알루미나

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60124647A (ja) * 1983-12-09 1985-07-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd 低放射線性エポキシ樹脂組成物
JPS6312621A (ja) * 1986-07-02 1988-01-20 Sumitomo Bakelite Co Ltd 低放射線性エポキシ樹脂組成物
JP2002097254A (ja) * 2000-09-26 2002-04-02 Matsushita Electric Works Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002097255A (ja) * 2000-09-26 2002-04-02 Matsushita Electric Works Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003160642A (ja) * 2001-11-27 2003-06-03 Matsushita Electric Works Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003160644A (ja) * 2001-11-27 2003-06-03 Matsushita Electric Works Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003160643A (ja) * 2001-11-27 2003-06-03 Matsushita Electric Works Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003261647A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Toray Ind Inc エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2005248087A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2014005359A (ja) * 2012-06-25 2014-01-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10173103A (ja) 1996-12-13 1998-06-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
CA2577681C (en) * 2004-08-18 2013-10-08 Kaneka Corporation Epoxy resin composition for semiconductor sealing agents and epoxy resin molding material
JP2007308678A (ja) * 2005-11-02 2007-11-29 Shin Etsu Chem Co Ltd 液状エポキシ樹脂組成物
TWI494341B (zh) * 2008-03-31 2015-08-01 Nippon Steel & Sumikin Chem Co Epoxy resin compositions and shaped articles
WO2010106780A1 (ja) * 2009-03-17 2010-09-23 日本曹達株式会社 包接錯体、硬化剤、硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP5163912B2 (ja) * 2010-02-16 2013-03-13 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
TWI518034B (zh) 2010-04-15 2016-01-21 新日鐵住金高新材料股份有限公司 用以製造球狀氧化鋁粉末之方法
JP5968137B2 (ja) * 2012-07-20 2016-08-10 ナミックス株式会社 液状封止材、それを用いた電子部品
KR102192792B1 (ko) * 2013-09-30 2020-12-18 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 인 함유 에폭시 수지 조성물 및 경화물
JP5983590B2 (ja) * 2013-12-13 2016-08-31 株式会社デンソー 硬化性樹脂組成物、封止材、及びこれを用いた電子デバイス製品

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60124647A (ja) * 1983-12-09 1985-07-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd 低放射線性エポキシ樹脂組成物
JPS6312621A (ja) * 1986-07-02 1988-01-20 Sumitomo Bakelite Co Ltd 低放射線性エポキシ樹脂組成物
JP2002097254A (ja) * 2000-09-26 2002-04-02 Matsushita Electric Works Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002097255A (ja) * 2000-09-26 2002-04-02 Matsushita Electric Works Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003160642A (ja) * 2001-11-27 2003-06-03 Matsushita Electric Works Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003160644A (ja) * 2001-11-27 2003-06-03 Matsushita Electric Works Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003160643A (ja) * 2001-11-27 2003-06-03 Matsushita Electric Works Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003261647A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Toray Ind Inc エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2005248087A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2014005359A (ja) * 2012-06-25 2014-01-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114292613A (zh) * 2022-02-16 2022-04-08 武汉市三选科技有限公司 复合膜、倒装led芯片及其制造方法
CN116445117A (zh) * 2023-04-23 2023-07-18 有行鲨鱼（上海）科技股份有限公司 一种大尺寸芯片补强用光热双固封边胶及其制备与使用
CN116445117B (zh) * 2023-04-23 2023-12-29 有行鲨鱼（上海）科技股份有限公司 一种大尺寸芯片补强用光热双固封边胶及其制备与使用

Also Published As

Publication number Publication date
KR102626002B1 (ko) 2024-01-16
JP2017110146A (ja) 2017-06-22
TW201727848A (zh) 2017-08-01
CN108368326A (zh) 2018-08-03
JP6688065B2 (ja) 2020-04-28
KR20180094882A (ko) 2018-08-24
TWI711132B (zh) 2020-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6688065B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JP6415104B2 (ja) 液状封止材、それを用いた電子部品
JP5968137B2 (ja) 液状封止材、それを用いた電子部品
JP6789495B2 (ja) アンダーフィル用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
JP2015193851A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2016135888A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JPWO2019146617A1 (ja) 封止用樹脂組成物
WO2023089878A1 (ja) エポキシ樹脂組成物、液状コンプレッションモールド材、グラブトップ材および半導体装置
JP2013253195A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP6039837B2 (ja) 液状封止材、それを用いた電子部品
JP5708666B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2016040393A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2015180760A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP6405209B2 (ja) 銅バンプ用液状封止材、および、それに用いる樹脂組成物
JP2015110803A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP5924443B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP5929977B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP7095724B2 (ja) アンダーフィル用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
JP5804479B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び樹脂封止型半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16875282

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20187016315

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16875282

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1