JP2003160642A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 一液性無溶剤型の液状封止材において、半導
体素子や配線供与部材における配線等の金属表面に対す
る密着性を高めた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提
供する。 【解決手段】 エポキシ樹脂、硬化剤、潜在性の硬化促
進剤を必須成分とする室温で液状の半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物に関する。エポキシ樹脂として、ナフタレ
ン骨格又はビスフェノール骨格を有するエポキシ樹脂の
うち少なくともいずれか一方を含む。また、硬化剤とし
て、室温で液状の無水コハク酸構造を有する有機酸無水
物と室温で液状のフェノールノボラック骨格を有する化
合物のうち少なくともいずれか一方を含む。さらに、２
−メルカプトメチルベンズイミダゾールと２−メルカプ
トベンズイミダゾールのうち少なくともいずれか一方を
半導体封止用エポキシ樹脂組成物全量に対して０．０１
〜３質量％含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を封止
するために用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成
物、及びこの半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて
封止した半導体装置に関し、特に、封止後の耐湿性や耐
ヒートサイクル性等の信頼性を高めるため、また、カー
ド形態の電子機器や携帯情報機器等の耐屈曲性や耐衝撃
性、耐振動性等を高めるため、電極や回路等の配線を形
成する金属表面に対する密着性を高めた半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子を封止するにあたっ
て、液状のエポキシ樹脂組成物を封止材として用いる場
合には、これをディスペンサーから吐出させるポッティ
ング封止やアンダーフィル封止による方法、また加圧と
加熱を同時に行う圧接封止等の方法、あるいはマスクや
スクリーンを使った印刷による方法を行っていた。これ
らの方法は、金型で成形する方法ではないので離型剤を
必要とせず、そのため液状封止材は、金型を必要とする
成形用封止材に比べると本質的には密着性の高い材料で
あるといえる。

【０００３】しかし、近年においては、高機能化・高集
積化に伴って半導体素子が大型化したり、機器の軽薄短
小化によって実装体積が極小化したり、地球環境への負
荷低減のために使用原材料が極小化したりする流れの中
で、液状封止材に対しては、今まで以上に高い性能が要
求されている。具体的には、大きなサイズの半導体素子
を封止しても、あるいは封止材の硬化物の厚みを極めて
薄く（数マイクロメートル〜数十マイクロメートル）し
ても、耐湿性・耐ヒートサイクル性を充分に維持するこ
とができることや、折り曲げの力が掛かりやすいカード
状の機器にあっては折り曲げられても故障しないこと
や、携帯電話をはじめとする携帯情報端末や車両等に組
み込まれる機器にあっては落下衝撃や振動で故障しない
ことなどが要求されている。

【０００４】上記の要求に応えるには、半導体素子及び
これに配線を供する配線供与部材と液状封止材との密着
力を従来以上に高める必要がある。詳しくは、半導体素
子や配線供与部材における電極や配線を形成している金
属表面に対する液状封止材の密着性を高める必要があ
る。ここで、上記の配線供与部材とは、一般的には回路
基板を意味するものであるが、小型化・高速化を低コス
トで実現しようとするニーズに導かれて最近は、チップ
オンチップやチップオンウエハーと呼ばれる構造、すな
わち半導体素子表面の配線部分に別の半導体素子を接続
するようなものや、フラットな高周波アンテナ等の部品
の一部に直接半導体素子を接続するものが登場している
ので、これらのものを包含する意味で、あえて回路基板
とは呼ばずに配線供与部材と呼ぶことにしている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】そして、液状封止材の
密着性を高める手段としては、従来は化学的な結合を形
成するために封止材にカップリング剤を配合したり、樹
脂中の内部応力を低減して接着層の欠陥を少なくするた
めにシリコーンやゴム状物質であるエラストマーを封止
材に配合したりする試みが行われているが、その効果は
未だに充分ではない。

【０００６】一方、液状封止材としては、使用の簡便性
の観点から、いわゆる一液性（ワンコンポーネント）で
無溶剤のものが必要であるとされている。この一液性無
溶剤型の液状封止材は、硬化を目的として加熱するまで
は、すなわち室温あるいは低温下で保管する際には化学
反応が進展しても粘度上昇が少なく、また使用直前に混
合する必要がなく、さらに硬化反応に寄与しない揮発性
の溶剤を含まないものをいう。

【０００７】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、一液性無溶剤型の液状封止材において、半導体素
子や配線供与部材における配線等の金属表面に対する密
着性を高めた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び信
頼性の高い半導体装置を提供することを目的とするもの
である。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬
化剤、潜在性の硬化促進剤を必須成分とする室温で液状
の半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ
樹脂として、ナフタレン骨格又はビスフェノール骨格を
有するエポキシ樹脂のうち少なくともいずれか一方を含
み、硬化剤として、室温で液状の無水コハク酸構造を有
する有機酸無水物と室温で液状のフェノールノボラック
骨格を有する化合物のうち少なくともいずれか一方を含
むと共に、２−メルカプトメチルベンズイミダゾールと
２−メルカプトベンズイミダゾールのうち少なくともい
ずれか一方を半導体封止用エポキシ樹脂組成物全量に対
して０．０１〜３質量％含むことを特徴とするものであ
る。

【０００９】また請求項２の発明は、請求項１におい
て、無機充填材として最大粒径が０．５〜２０μｍであ
る、球状非晶質シリカとアルミナのうち少なくともいず
れか一方を半導体封止用エポキシ樹脂組成物全量に対し
て真比重換算で２０〜７０体積％含むことを特徴とする
ものである。

【００１０】また請求項３の発明は、請求項１におい
て、無機充填材として最大粒径が０．５〜５μｍであ
る、球状非晶質シリカとアルミナのうち少なくともいず
れか一方を半導体封止用エポキシ樹脂組成物全量に対し
て真比重換算で２０〜５０体積％含み、かつ、半導体封
止用エポキシ樹脂組成物中における固形分の最大粒径が
５μｍ以下であることを特徴とするものである。

【００１１】また請求項４に係る半導体装置は、半導体
素子とこれに配線を供する配線供与部材のうち少なくと
も配線部分を請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体
封止用エポキシ樹脂組成物によって封止して成ることを
特徴とするものである。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。

【００１３】本発明に係る半導体封止用エポキシ樹脂組
成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、潜在性の硬化促進剤を
必須成分とし、さらに、２−メルカプトメチルベンズイ
ミダゾールと２−メルカプトベンズイミダゾールのうち
少なくともいずれか一方を含むものであって、室温で液
状のものである。以下、上記各成分の詳細について順に
説明する。

【００１４】本発明においてエポキシ樹脂としては、ナ
フタレン骨格又はビスフェノール骨格を有するエポキシ
樹脂のうち少なくともいずれか一方を必ず使用するもの
である。具体的には、ナフタレン骨格を有するエポキシ
樹脂としては、基本構造が下記［化１］〜［化３］に示
すような化合物であるものや、これらのオリゴマーや、
これらのノボラックタイプを例示することができる。

【００１５】

【化１】

【００１６】

【化２】

【００１７】

【化３】

【００１８】また、ビスフェノール骨格を有するエポキ
シ樹脂としては、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂や、
基本構造が下記［化４］〜［化６］に示すような化合物
であるものや、これらのオリゴマーや、これらのノボラ
ックタイプを例示することができる。

【００１９】

【化４】

【００２０】

【化５】

【００２１】

【化６】

【００２２】上記のナフタレン骨格やビスフェノール骨
格を有するエポキシ樹脂を使用することによって、低粘
度の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を調製することが
できると共に、硬化物の吸湿率を低く抑えることがで
き、しかも金属表面に対する密着性を高く得ることがで
きるものである。

【００２３】なお、上記以外のエポキシ樹脂として、室
温下において半導体封止用エポキシ樹脂組成物が液状と
なり、かつ、本発明の目的を損なわない範囲であれば、
市販されている液状エポキシ樹脂や固体エポキシ樹脂を
併用することができる。固体エポキシ樹脂を使用する場
合には、これを粉砕して分散させるか、溶解させるなど
することによって、液状の半導体封止用エポキシ樹脂組
成物を調製することができる。エポキシ樹脂の具体例と
しては、ビフェニル骨格を有するビフェニル型エポキシ
樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格
を有するジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック
型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、
ブロム含有エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹脂、トリ
グリシジルイソシアヌレート等を挙げることができる。

【００２４】また本発明において硬化剤としては、分子
内に５員環である無水コハク酸構造を有する室温で液状
の有機酸無水物（以下「無水コハク酸構造を有する有機
酸無水物」ともいう）と、分子内に複数のフェノール性
水酸基を有するフェノールノボラック骨格を有する室温
で液状の化合物（以下「フェノールノボラック骨格を有
する化合物」ともいう）のうち少なくともいずれか一方
を使用するものである。具体的には、無水コハク酸構造
を有する有機酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無
水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）や、メチルヘキサヒドロ無水
フタル酸（ＭＨＨＰＡ）や、分子式Ｃ₁₀Ｈ₁₆で示される
モノテルペンのうち炭素間二重結合を１分子内に３つ持
ち、かつ、そのうち２つの二重結合が共役している化合
物（トリエンのモノテルペンという）と無水マレイン酸
とをDiels-Alder（ディールス・アルダー）反応により
６員環化させて合成されたテルペン系酸無水物や、ノネ
ニル無水コハク酸や、ドデセニル無水コハク酸等を例示
することができる。このような無水コハク酸構造を有す
る有機酸無水物を硬化剤として使用することによって、
低粘度の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を調製するこ
とができると共に、吸湿率が低く、かつ、電気絶縁特性
が良好な硬化物を得ることができるものである。なお、
上記の無水コハク酸構造を有する有機酸無水物以外の硬
化剤として、本発明の目的を損なわない範囲であれば、
以下のようなものを併用することができる。例えば、ピ
ロメリット酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸
無水物、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水
物、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラニ
ル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカ
ルボン酸無水物（大日本インキ工業株式会社から商品名
「エピクロンＢ−４４００」として市販されている）
や、グリセロールトリスアンヒドロトメリテート（新日
本理化株式会社から商品名「リカシッドＴＭＴＡ−Ｃ」
として市販されている）等を挙げることができる。

【００２５】また、フェノールノボラック骨格を有する
化合物としては、アリル（Allyl）化フェノールノボラ
ック（明和化成株式会社から商品名「ＭＥＨ−８０００
Ｈ」や「ＭＥＨ−８０００−４Ｌ」等として市販されて
いる）や、多核体を含まないフェノールノボラック、及
びこれらのイミド変性品（明和化成株式会社から商品名
「ＭＥＨ−８１０５」や「ＭＥＨ−８２０５」等として
市販されている）等を挙げることができる。このような
フェノールノボラック骨格を有する化合物を硬化剤とし
て使用することによって、硬化物の吸湿率を低く抑える
ことができると共に、金属表面に対する密着性を高く得
ることができ、しかも封止した半導体素子において良好
な耐湿信頼性を実現することができるものである。な
お、フェノールノボラック骨格を有する化合物以外の硬
化剤として、本発明の目的を損なわない範囲であれば、
例えば、室温で固体のフェノール性水酸基を有する化合
物や室温で固体の酸無水物等を併用することができる。

【００２６】また、上記のエポキシ樹脂と硬化剤との化
学量論上の反応基のモル比、すなわちエポキシ当量と硬
化剤当量との比率（当量比）は、無水コハク酸構造を有
する有機酸無水物を硬化剤として使用する場合には、１
０：６〜１０：１０であることが好ましい。より好まし
くは１０：７〜１０：９である。エポキシ樹脂のエポキ
シ当量１０に対して硬化剤の硬化剤当量が６未満である
と、半導体封止用エポキシ樹脂組成物が硬化しにくくな
ったり、硬化しても硬化物の耐熱性が低下したり、硬化
物の強度が低下したりするおそれがある。逆に硬化剤当
量が１０を超えると、硬化反応後に未反応の有機酸無水
物が残り、この有機酸無水物の有機酸基に起因して、半
導体装置において吸湿時の腐食や電圧印加時のリーク等
の悪影響が生じるおそれがある。なお、本発明では上記
のように硬化剤として酸無水物を使用する場合があるた
め、硬化剤当量を酸無水物当量ともいう。

【００２７】一方、フェノールノボラック骨格を有する
化合物を硬化剤として使用する場合には、エポキシ樹
脂：硬化剤（当量比）は、１０：９〜９：１０が好まし
い。酸無水物の場合のように未反応の官能基に起因する
悪影響は少ないので、化学量論的に必要な量を配合する
ことによって、硬化物の耐熱性や吸湿性、密着性等の特
性を高めることができるものである。当量比が上記の範
囲から外れると、硬化性が悪化したり、硬化物の強度が
低下したりするおそれがある。

【００２８】また本発明において硬化促進剤としては、
潜在性を有するものであれば、特に限定されるものでは
ない。ここで潜在性とは、加熱することによって反応が
開始され、常温ではエポキシ樹脂その他の成分と混合し
ても実用上支障となるほど硬化が進行し難い性質をい
い、組成物として混合した状態で保管できるため、一液
性とも呼ばれ、混合すると直ちに硬化が始まる二液性と
区別される。具体的には、イミダゾール骨格を有する化
合物を核とし、この核の周囲を熱硬化性樹脂による被膜
で被覆して得られる微細球粒子（いわゆるマイクロカプ
セル）や、アミンアダクト粒子を例示することができ
る。

【００２９】上記のマイクロカプセルは、乳化重合等の
一般的な方法により作製することができるものであり、
被膜を形成するにあたっては、フェノール・ホルムアル
デヒド樹脂、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、エポキ
シ樹脂を好適に用いることができる。またマイクロカプ
セルのサイズ（粒径）は５０μｍ以下が好ましく、１０
μｍ以下がより好ましく、５μｍ以下が最も好ましい。
このようにサイズが小さくなればなるほど、マイクロカ
プセルが半導体封止用エポキシ樹脂組成物中に均一に分
散され、得られる硬化物の全体を均質にすることができ
るものである。なお、上述したイミダゾール系の核を持
つマイクロカプセル型の硬化促進剤としては、商品名
「ノバキュア」として旭化成工業株式会社から市販され
ているものを用いることができる。

【００３０】一方、アミンアダクト粒子は、ポリアミン
と各種エポキシ樹脂とから合成することができるもので
あり、このアミンアダクト粒子のサイズ（粒径）も上記
のマイクロカプセルの場合と同様に、５０μｍ以下が好
ましく、１０μｍ以下がより好ましく、５μｍ以下が最
も好ましい。このようにサイズが小さくなればなるほ
ど、マイクロカプセルの場合と同様に、得られる硬化物
の全体を均質にすることができるものである。なお、ア
ミンアダクト粒子の硬化促進剤としては、商品名「アミ
キュア」として株式会社味の素から市販されているもの
を用いることができる。

【００３１】また本発明においては、添加剤として、下
記［化７］に示す２−メルカプトメチルベンズイミダゾ
ールと下記［化８］に示す２−メルカプトベンズイミダ
ゾールのうち少なくともいずれか一方を半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物全量に対して０．０１〜３質量％含む
ものである。

【００３２】

【化７】

【００３３】

【化８】

【００３４】上記添加剤を使用することによって、半導
体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物の金属に対する密
着性を向上させることができるものである。その理由は
明らかではないが、分子中のメルカプト基（−ＳＨ）が
金属に強く配位するからであると推測されている。しか
し、上記添加剤が半導体封止用エポキシ樹脂組成物全量
に対して０．０１質量％未満であると、密着性を向上す
る効果を充分に得ることができず、逆に３質量％を超え
ると、密着性向上の効果を得ることはできるものの、封
止して得られた半導体装置において、密着性以外の耐湿
信頼性を確保することができなくなるものである。

【００３５】また本発明に係る半導体封止用エポキシ樹
脂組成物には、無機充填材を配合することができる。無
機充填材としては、特に限定されるものではないが、最
大粒径が０．５〜２０μｍである、球状非晶質シリカと
アルミナのうち少なくともいずれか一方を半導体封止用
エポキシ樹脂組成物全量に対して真比重換算で２０〜７
０体積％含むことが好ましい。上記の範囲の最大粒径及
び真比重換算による体積％が好ましい理由は以下の通り
である。

【００３６】まず、本発明において無機充填材の最大粒
径とは、無機充填材をふるいにかけ、９９質量％以上１
００質量％未満のものがふるいを通過した場合における
ふるいの網目の大きさとして定義されるものである。そ
して無機充填材の最大粒径が０．５μｍ未満であると、
充填材としては微細過ぎて半導体封止用エポキシ樹脂組
成物の粘度やチクソ性が増加し、封止作業の作業性が低
下したり、封止対象物を目的とする形状に封止できなく
なるおそれがあり好ましくない。逆に最大粒径が２０μ
ｍを超えると、半導体封止用エポキシ樹脂組成物を狭い
隙間（ギャップ）に浸入させるのが困難となったり、ボ
ンディングワイヤー等の細い金属導線を変形させる原因
となったり、細い金属導線同士の間隔を狭めてしまった
りするおそれがあり好ましくない。さらに硬化時の加温
によって樹脂が低粘度化し、比重の大きい充填材が沈降
して、鉛直方向について充填材含有率の不均一が生じる
おそれもあり好ましくない。

【００３７】次に、本発明において無機充填材の真比重
換算の体積％とは、充填材の配合質量÷充填材の真比重
で得られる充填材の真体積（Ｖｆ）と、充填材以外の樹
脂成分の配合質量÷その真比重で得られる充填材以外の
真体積（Ｖｒ）とから、Ｖｆ÷（Ｖｆ＋Ｖｒ）×１００
の式により求められる値のことをいう。そして、無機充
填材を配合する目的としては、補強効果を発揮させて硬
化物の強度や弾性率を高めることや、半導体素子等の封
止対象物の熱膨張率と硬化物の熱膨張率の差を小さくす
ることなどを挙げることができる。しかし、無機充填材
が真比重換算で２０体積％未満であると、充填材による
補強効果が不充分となったり、熱膨張率を充填材未添加
の場合に比べて充分に小さくできなくなったりして、上
記の目的を達成するのが困難となるおそれがあり好まし
くない。逆に無機充填材が真比重換算で７０体積％を超
えると、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の粘度やチク
ソ性が増加し、封止作業の作業性が低下したり、封止対
象物を目的とする形状に封止することができなくなるお
それがあり好ましくない。

【００３８】ここで、既述したように、球状非晶質シリ
カとアルミナとは混合して使用することができるが、こ
のように比重の異なる充填材を併用する場合には、予め
平均比重を求めておき、これをもとにして前述した式に
より、真比重換算の体積％を決定することができる。具
体的には、ｎ種類の充填材からなるものの平均比重は、
各充填材の配合質量をＷｉ、真比重ｄｉ（ｉ＝１〜ｎ）
として、ΣＷｉ／Σ（Ｗｉ／ｄｉ）（ｉ＝１〜ｎ）によ
り求めることができる。

【００３９】そして、無機充填材の中でも球状非晶質シ
リカやアルミナが好ましいのは以下の理由による。すな
わち球状非晶質シリカは結晶性でない二酸化珪素のこと
であるが、これは熱膨張率が極めて小さいので、組成物
の硬化物である複合材の熱膨張率低減に効果が大きい。
またその粒子形状はその名が示す通り球状であって、こ
のことにより、破砕状の粒子形状に比べて半導体封止用
エポキシ樹脂組成物の粘度を低くすることができ、また
上記組成物が半導体素子等の回路面に使用された場合に
この回路面への応力集中を低減し、半導体装置の誤動作
を低減したり信頼性を向上させたりすることができるも
のである。一方、アルミナは熱伝導率が高くかつ弾性率
も高いので、複合材の熱伝導や補強効果の向上に有効で
ある。またその粒子形状についても、球状非晶質シリカ
と同様の効果が得られることから、板状や破砕状のもの
よりも球状あるいは球状に近い正多面体状のものが好適
である。

【００４０】以上のように無機充填材の最大粒径、真比
重換算による体積％及び材質を限定することによって、
半導体封止用エポキシ樹脂組成物の狭部充填性を高める
ことができる。具体的には、例えばフリップチップ実装
において、半導体素子や配線供与部材が狭小な隙間を形
成していても、この隙間に半導体封止用エポキシ樹脂組
成物を容易に充填させることができるものである。

【００４１】なお、α線で悪影響を受けるおそれのある
半導体素子の表面に接触する形で半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を使用する場合には、上記の球状非晶質シリ
カやアルミナとしては、ウラン（Ｕ）やトリウム（Ｔ
ｈ）等の放射性同位元素の含有率が小さいものを使用す
ることが好ましい。この場合における球状非晶質シリカ
やアルミナのＵやＴｈの含有率は、好ましくは０．５ｐ
ｐｂ以下であり、より好ましくは０．１ｐｐｂ以下であ
る。

【００４２】また、最大粒径が０．５〜５μｍである、
球状非晶質シリカとアルミナのうち少なくともいずれか
一方を半導体封止用エポキシ樹脂組成物全量に対して真
比重換算で２０〜５０体積％含み、かつ、半導体封止用
エポキシ樹脂組成物中における固形分の最大粒径が５μ
ｍ以下であることが、より好ましい。このように最大粒
径の範囲を０．５〜２０μｍから０．５〜５μｍへ、及
び真比重換算による体積％の範囲を２０〜７０体積％か
ら２０〜５０体積％へ狭め、かつ、固形分の最大粒径を
５μｍ以下とすることによって、半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を極めて狭い隙間に浸入させることを容易に
行うことができると共に、充填材による補強効果を得つ
つ、半導体素子等と硬化物との熱膨張率の差を充填材未
添加の場合に比べて有意に小さくすることができるもの
である。

【００４３】無機充填材の最大粒径が０．５μｍ未満で
あると、既述したように、充填材としては微細過ぎて半
導体封止用エポキシ樹脂組成物の粘度やチクソ性が増加
し、封止作業の作業性が低下したり、封止対象物を目的
とする形状に封止できなくなるおそれがあり好ましくな
い。逆に最大粒径が５μｍを超えると、１０μｍ以下等
の極めて狭い隙間へ半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
浸入させるのが困難となったり、金属バンプを介して半
導体素子を配線供与部材に電気的に接続する際の障害と
なったりするおそれがあり好ましくない。

【００４４】また、無機充填材が真比重換算で２０体積
％未満であると、既述したように、充填材による補強効
果が不充分となったり、熱膨張率を充填材未添加の場合
に比べて充分に小さくできなくなったりするおそれがあ
り、好ましくない。逆に無機充填材が真比重換算で５０
体積％を超えると、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の
粘度やチクソ性が増加し、１０μｍ以下等の極めて狭い
隙間へ浸入させる封止作業の作業性が低下したり、封止
対象物を目的とする形状に精度良く封止することができ
なくなるおそれがあり好ましくない。

【００４５】また、半導体封止用エポキシ樹脂組成物中
における固形分とは、組成物中において有機物や無機物
を含めた固体として存在している成分のことをいう。例
えば、上記の２−メルカプトメチルベンズイミダゾール
や２−メルカプトベンズイミダゾールを固体状態のまま
使用した場合には、これらが固形分となり、また後述す
る顔料等の各種添加剤を固体状態のまま使用した場合に
は、これらが固形分となる。そしてこのような固形分の
最大粒径が５μｍを超えると、１０μｍ以下等の極めて
狭い隙間へ半導体封止用エポキシ樹脂組成物を浸入させ
るのが困難となったり、金属バンプを介して半導体素子
を配線供与部材に電気的に接続する際の障害となったり
するおそれがあり好ましくない。なお、５μｍ前後の最
大粒径はＪＩＳ Ｋ５６００−２−５に示されているゲ
ージとスクレーパーによる方法によって容易に測定する
ことができる。

【００４６】以上のように無機充填材の最大粒径及び真
比重換算による体積％の範囲を狭め、材質を限定すると
共に、組成物中における固形分の最大粒径をも限定する
ことによって、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の超狭
部充填性を高めることができる。具体的には、例えばフ
リップチップ実装において、半導体素子や配線供与部材
が１０μｍ以下の極めて狭小な隙間を形成していても、
この隙間に半導体封止用エポキシ樹脂組成物を容易に充
填させることができるものである。

【００４７】また本発明においては、発明の目的を損な
わない範囲内で、シランカップリング剤やチタネートカ
ップリング剤を使用することができる。ここで、シラン
カップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエト
キシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）
エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、γ−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチ
ル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β
（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−
ウレイドプロピルトリエトキシシラン等のアミノシラ
ン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメ
ルカプトシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、ビ
ニルトリクロルシラン、ビニルトリス（β−メトキシエ
トキシ）シラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルト
リエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメ
トキシシラン等のビニルシラン、さらに、エポキシ系、
アミノ系、ビニル系の高分子タイプのシラン等を用いる
ことができる。

【００４８】一方、チタネートカップリング剤として
は、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イ
ソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル・アミノエチル）チ
タネート、ジイソプロピルビス（ジオクチルホスフェー
ト）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチル
ホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジト
リデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−
ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシ
ル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロ
ホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジ
オクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート等を
用いることができる。

【００４９】これらのカップリング剤は、単独で使用し
ても良いし、２種類以上を混合して使用することもでき
る。このときカップリング剤は、半導体封止用エポキシ
樹脂組成物全量に対して０．１〜１質量％、あるいは充
填材に対して０．３〜２質量％が好ましい。またカップ
リング剤は、予め湿式法あるいは乾式法で充填材を処理
することによって使用しても良く、あるいは充填材の配
合の有無に関係なく、樹脂に混合するインテグラルブレ
ンド法を行うことによって使用しても良い。

【００５０】さらに、本発明に係る半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物には、本発明の目的を損なわない限り、必
要に応じて他の物質を配合することもできる。このよう
な物質としては、着色目的で使用される顔料をはじめと
して、分散剤、乳化剤、難燃剤、低弾性化剤、カーボン
ブラック等の着色剤、希釈剤、消泡剤、イオントラップ
剤等の各種添加剤を例示することができる。

【００５１】そして、均一な液状の半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物を調製するにあたっては、一般的には前述
した各成分を撹拌型の分散機で混合したり、ビーズミル
で分散混合したり、３本ロールで分散混合したりするこ
とによって行うことができるものであるが、これらの方
法に限定されるものではない。このとき３本ロールやニ
ーダー、ボールミル等の強い剪断作用のある混練あるい
は分散装置を用いると、半導体封止用エポキシ樹脂組成
物中における固形分の最大粒径を２０μｍ以下にするこ
とができる。ところが、固形分の最大粒径を５μｍ以下
にするには、上記の方法では効率良く調製するのが困難
となる場合が多いため、ビーズミルと呼ばれる装置や、
バスケットミルと呼ばれる装置を用いるのが好ましい。
なお、本発明に係る半導体封止用エポキシ樹脂組成物中
には、潜在性（一液性）の硬化促進剤が含まれているの
で、全成分を混合しても反応が進展するおそれがなく、
しかも溶剤を配合する必要がない。

【００５２】そして、上記のようにして得た半導体封止
用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子とこれに配
線を供する配線供与部材とを接着すると共に、半導体素
子と配線供与部材のうち少なくとも配線部分を封止する
ことによって、本発明に係る半導体装置を製造すること
ができる。具体的には、以下の３通りの方法を例示する
ことができる。なお、配線供与部材とは既述したよう
に、回路基板のほか、これと同等の機能を有する半導体
素子等の電子部品をも含む。

【００５３】第一の方法は、半導体素子の電極と、配線
供与部材の配線とをボンディングワイヤーや金バンプに
よって電気的に接続した後に、半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を塗布したり、印刷したり、隙間へ流動させた
りすることによって、少なくとも半導体素子と配線供与
部材の配線部分を被覆し、これを硬化させるというもの
である。この方法は、一般的にはポッティングや印刷封
止、あるいはキャピラリーフローアンダーフィル等と呼
ばれている。

【００５４】第二の方法は、金属バンプによって半導体
素子と配線供与部材とを電気的に接続する際に、半導体
封止用エポキシ樹脂組成物をリフロー同時硬化封止材又
はノーフロー封止材として用いるものである。この場合
の配線供与部材は回路基板を意味する。そして半導体素
子の回路基板側の面と、回路基板の半導体素子側の面の
うち少なくともいずれか一方に半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を塗布する。次いで、半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を介して半導体素子と回路基板とを接触させつ
つ、金属バンプ又は回路基板の電極のいずれか低い方の
溶融温度以上に加温することにより、半導体素子と回路
基板とを金属接合させて電気的に接続し、かつ、半導体
封止用エポキシ樹脂組成物を硬化させるものである。

【００５５】第三の方法は、金属バンプによって半導体
素子と配線供与部材とを電気的に接続する際に、半導体
素子と配線供与部材とを圧接させるものである。この場
合も配線供与部材は回路基板を意味する。そして半導体
素子の回路基板側の面と、回路基板の半導体素子側の面
のうち少なくともいずれか一方に半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を塗布する。次いで、半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を介して半導体素子と回路基板とを圧接させ
るか、又は圧接時にヒーターや超音波を用いて金属バン
プ又は回路基板の電極のいずれか低い方の溶融温度以上
に加熱することにより、半導体素子と回路基板とを金属
接合させて電気的に接続し、かつ、半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物を硬化させるものである。

【００５６】そして、本発明に係る半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物にあっては、半導体素子や配線供与部材に
おける電極や回路等の配線を形成する金属表面に対する
密着性を高く得ることができると共に、耐湿性を向上さ
せることができるものである。従って、この半導体封止
用エポキシ樹脂組成物を用いて製造される半導体装置に
あっては、耐湿性や耐ヒートサイクル性等の信頼性が高
く、しかも耐屈曲性や耐衝撃性、耐振動性等にも優れ、
上記半導体装置をカード形態の電子機器や携帯情報機器
等に用いても、極めて高い信頼性を得ることができるも
のである。

【００５７】

【実施例】以下、本発明を実施例によって具体的に説明
する。

【００５８】（実施例１〜１０及び比較例１〜３）実施
例１〜１０に関しては、下記の表１〜２に示す配合量
（質量部）で、また比較例１〜３に関しては、下記の表
３に示す配合量（質量部）で、半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を調製した。

【００５９】ここで、表１〜３において使用した原材料
は次のものである。

【００６０】（エポキシ樹脂） 樹脂Ａ：ナフタレン環含有エポキシ樹脂（大日本インキ
化学工業株式会社製、品番「ＨＰ−４０３２」、エポキ
シ当量１４３） 樹脂Ｂ：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（東都化成株
式会社製、品番「ＹＤ−８１２５」、エポキシ当量１７
２） 樹脂Ｃ：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（東都化成株
式会社製、品番「ＹＤＦ−８１７０」、エポキシ当量１
６０） （硬化剤） 硬化剤Ａ：テルペン系酸無水物（油化シェルエポキシ株
式会社製、品番「ＹＨ−３０６」、酸無水物当量２３
４） 硬化剤Ｂ：メチルヘキサヒドロ無水フタル酸（ＭＨＨＰ
Ａ、大日本インキ化学工業株式会社製、品番「Ｂ−６５
０」、酸無水物当量１６８） 硬化剤Ｃ：アリル化フェノールノボラック（明和化成株
式会社製、品番「ＭＥＨ８０００Ｈ」、水酸基当量１４
１） （硬化促進剤） 促進剤Ａ：アミンアダクト（株式会社味の素製、品番
「アミキュアＰＮ２３」） 促進剤Ｂ：イミダゾール類を核とするマイクロカプセル
（旭化成工業株式会社製、品番「ノバキュアＨＸ３０８
８」） （添加剤） 添加剤Ａ：２−メルカプトメチルベンズイミダゾール
（大内新興化学工業株式会社製、品番「ノクラックＭＭ
Ｂ」）のみを使用する場合、２−メルカプトベンズイ
ミダゾール（試薬）のみを使用する場合、２−メルカ
プトメチルベンズイミダゾールと２−メルカプトベンズ
イミダゾールを併用（質量比は１：１）する場合の３つ
に分けた。すなわち添加剤Ａ以外の成分は変更せず、添
加剤Ａのみを〜のものに変更した。なお、各成分の
配合量は〜のいずれの場合であっても、表１〜３に
示す通りとした。

【００６１】添加剤Ｂ：イオントラップ剤としての無機
イオン交換体（層状構造を有する複合酸化物、東亞合成
株式会社製、品番「ＩＸＥ−６００」） 添加剤Ｃ：カーボンブラック（三菱化学株式会社製、品
番「ＭＡ１００」） （無機充填材） 充填材Ａ：球状非晶質シリカ（電気化学工業株式会社
製、品番「ＦＢ−６Ｄ」、最大粒径４５μｍ、真比重
２．２） 充填材Ｂ：球状非晶質シリカ（三菱レーヨン株式会社
製、品番「ＱＳ−４」、最大粒径１４μｍ、真比重２．
２） 充填材Ｃ：球状非晶質シリカ（株式会社アドマテックス
製、品番「ＳＯ−Ｅ２」、最大粒径３μｍ、真比重２．
２） 充填材Ｄ：丸みを帯びた粒状のαアルミナ（住友化学工
業株式会社製、品番「ＡＡ−５」、最大粒径２０μｍ、
真比重３．９６） 充填材Ｅ：球状αアルミナ（住友化学工業株式会社製、
品番「ＡＡ−０７」、最大粒径３μｍ、真比重３．９
６） また、半導体封止用エポキシ樹脂組成物を調製するにあ
たって採用した製造法は、次の通りである。

【００６２】（製造法Ａ）硬化促進剤以外の成分を混合
し、特殊機化工業製ホモミキサーにて３０００〜５００
０ｒｐｍで分散、混合した後、硬化促進剤を加え、特殊
機化工業製ホモディスパーにて３００〜５００ｒｐｍで
分散、混合することによって半導体封止用エポキシ樹脂
組成物を調製した。

【００６３】（製造法Ｂ）硬化促進剤以外の成分を混合
し、３本ロールにて分散、混合した後、硬化促進剤を加
え、特殊機化工業製ホモディスパーにて３００〜５００
ｒｐｍで分散、混合することによって半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物を調製した。

【００６４】（製造法Ｃ）硬化促進剤以外の成分を混合
し、ゲッツマン社製ビーズミルにて分散、混合した後、
硬化促進剤を加え、特殊機化工業製ホモディスパーにて
３００〜５００ｒｐｍで分散、混合することによって半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を調製した。

【００６５】実施例１〜１０及び比較例１〜３について
採用した製造法を表１〜３の製造法の欄に示す。

【００６６】

【表１】

【００６７】

【表２】

【００６８】

【表３】

【００６９】なお、上記の表１〜３において当量比（１
００：）とは、エポキシ当量１００に対する硬化剤当量
を示し、フィラー体積％とは、真比重換算した無機充填
材の体積％を示し、フィラー質量％とは、半導体封止用
エポキシ樹脂組成物中における無機充填材の質量％を示
す。

【００７０】また真比重換算した無機充填材の体積％を
算出するにあたって、充填材以外の樹脂成分の真比重は
１．２とし、充填材Ｃの球状非晶質シリカと充填材Ｄの
アルミナを質量比２：８で混合したもの（実施例５の場
合）については、それぞれの真比重をもとに計算し、平
均比重として３．４１とした。

【００７１】そして、実施例１〜１０及び比較例１〜３
で得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物の特性を次
の方法で測定した。測定結果を下記の表４〜９に示す。

【００７２】（１）半導体封止用エポキシ樹脂組成物の
粘度 室温にてＢ型粘度計を用いて測定した。

【００７３】（２）半導体封止用エポキシ樹脂組成物の
ゲルタイム １５０℃の熱板上に、半導体封止用エポキシ樹脂組成物
を約０．５ｇ置いた時点で計時を開始し、先を尖らせた
テフロン（Ｒ）製の棒の先端でかき混ぜながら樹脂状態
を観察した。樹脂が硬化して粘着性がなくなった時点で
計時を終了し、ゲルタイムを求めた。

【００７４】（３）半導体封止用エポキシ樹脂組成物の
最大粒径 ＪＩＳ Ｋ５６００−２−５に準拠し、最大１００μｍ
のゲージ、最大５０μｍのゲージ又は最大２５μｍのゲ
ージを用いて、組成物中における固形分の最大粒径を測
定した。

【００７５】（４）密着力 接着面積が０．７ｃｍ角の剪断引っ張り試験で密着力を
評価した。具体的には、１．６ｍｍ厚のＦＲ４の銅張り
両面板に金メッキを施し、これを０．７ｃｍ幅×７ｃｍ
長に切り出し、端部から１ｃｍの部分をアセトンで充分
に脱脂した。このようにして得た板を用い、２枚の脱脂
した端部同士を半導体封止用エポキシ樹脂組成物で接着
するようにして、クリップで固定し硬化させた。このと
き１２０℃で１時間反応させた後、さらに１５０℃で３
時間反応させて硬化させた。このようにして得られた供
試品を剪断引っ張り試験にかけ、密着力を測定した。

【００７６】（５）ＰＣＴ信頼性 ＦＲ５の回路基板上に半導体素子として１２ｍｍ角のＣ
ＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）
ゲートアレイＩＣが半田バンプによりフリップチップ接
続された評価用ＩＣを用いた。回路基板と半導体素子の
間隔は１５０μｍである。上記評価用ＩＣを７０℃のホ
ットプレート上に置いて加温し、半導体素子と回路基板
とが形成する隙間の一辺に、各実施例及び比較例の半導
体封止用エポキシ樹脂組成物をディスペンサーで約０．
１ｃｍ³塗布し、半導体素子と回路基板間の空間に満た
した。その後、１２０℃で１時間、引き続き１５０℃で
３時間の硬化処理を行った。そしてプローブを回路基板
の金メッキした電極に当てて電気的動作確認を行い、初
期動作確認を行った。各々の半導体封止用エポキシ樹脂
組成物について、良品を１０個得てこれらのものを供試
サンプルとした。次いでこれらの供試サンプルについ
て、２気圧で１２１℃のプレッシャークッカー試験（Ｐ
ＣＴ）を行い、１０００時間まで５０時間毎に供試サン
プルの動作確認を行い、その良否を判定した。１０個の
供試サンプル中の不良数が、半数以上に到達したときの
通算処理時間を求めた。

【００７７】（６）３０μｍ浸入性 隙間が３０μｍになるように、スライドガラス上に１０
ｍｍ角のシリコンチップを搭載して評価素子を作製し、
これを浸入性の試験に用いた。具体的には、金バンプを
形成したシリコンチップの金バンプにダイボンド用銀ペ
ーストを塗布し、スライドガラス上にフリップチップボ
ンダーで、荷重を制御して搭載し、銀ペーストを乾燥硬
化して評価素子を得た。そしてこの素子を７０℃のホッ
トプレートに置いて加温し、チップとガラス間の隙間の
一辺に、半導体封止用エポキシ樹脂組成物を約０．１ｃ
ｍ³塗布した。この時点から、半導体封止用エポキシ樹
脂組成物が塗布された辺と反対側の辺に到達するまでの
時間を測定した。この時間が３０秒以下のものを
「◎」、３０秒を超えて６０秒以下のものを「○」、６
０秒を超えて２分以下のものを「△」、２分を超えるも
のを「×」と判定した。

【００７８】（７）１０μｍ浸入性 隙間が１０μｍになるように作製した（６）と同様のガ
ラス基板の評価素子を用い、（６）と同様の方法・基準
で浸入性を評価した。

【００７９】

【表４】

【００８０】

【表５】

【００８１】

【表６】

【００８２】

【表７】

【００８３】

【表８】

【００８４】

【表９】

【００８５】表４〜６にみられるように、実施例１〜１
０のものと比較例１〜３のものとを比較すると、各実施
例のものはいずれも密着性とＰＣＴ信頼性が良く、実使
用下において問題なく使用できることが確認される。

【００８６】また、表７〜９にみられるように、実施例
４〜１０のものは、実施例１〜３のものと比較すると、
いずれも３０μｍの浸入性に優れるという特徴を併せ持
ち、フリップチップ実装に代表されるような狭部充填性
が必要な用途で、問題なく使用できることが確認され
る。

【００８７】さらに、実施例８〜１０のものは、実施例
１〜７のものと比較すると、いずれも１０μｍの浸入性
に優れるという特徴を併せ持ち、超狭ギャップのフリッ
プチップ実装に代表されるような超狭部充填性が必要な
用途で、問題なく使用できることが確認される。

【００８８】一方、比較例１，２のものは、いずれも密
着力やＰＣＴ信頼性が著しく悪く、実用に供さないこと
が確認される。また比較例３のものは、密着力について
は比較例１，２のものほどは悪くないが、ＰＣＴ信頼性
が各実施例のものより悪く、実用に供さないことが確認
される。

【００８９】

【発明の効果】上記のように本発明の請求項１に係る半
導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化
剤、潜在性の硬化促進剤を必須成分とする室温で液状の
半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹
脂として、ナフタレン骨格又はビスフェノール骨格を有
するエポキシ樹脂のうち少なくともいずれか一方を含
み、硬化剤として、室温で液状の無水コハク酸構造を有
する有機酸無水物と室温で液状のフェノールノボラック
骨格を有する化合物のうち少なくともいずれか一方を含
むと共に、２−メルカプトメチルベンズイミダゾールと
２−メルカプトベンズイミダゾールのうち少なくともい
ずれか一方を半導体封止用エポキシ樹脂組成物全量に対
して０．０１〜３質量％含むので、硬化前においては、
一液性無溶剤型の液状封止材であって簡便に使用するこ
とができ、硬化後においては、金属表面に対する密着性
を高く得ることができると共に、吸湿率を低く抑えるこ
とができるものである。

【００９０】また請求項２の発明は、無機充填材として
最大粒径が０．５〜２０μｍである、球状非晶質シリカ
とアルミナのうち少なくともいずれか一方を半導体封止
用エポキシ樹脂組成物全量に対して真比重換算で２０〜
７０体積％含むので、フリップチップ実装に代表される
ような狭部充填性が必要な用途であっても、好適に用い
ることができるものである。

【００９１】また請求項３の発明は、無機充填材として
最大粒径が０．５〜５μｍである、球状非晶質シリカと
アルミナのうち少なくともいずれか一方を半導体封止用
エポキシ樹脂組成物全量に対して真比重換算で２０〜５
０体積％含み、かつ、半導体封止用エポキシ樹脂組成物
中における固形分の最大粒径が５μｍ以下であるので、
１０μｍ以下の超狭ギャップのフリップチップ実装に代
表されるような、超狭部充填性が必要な用途であっても
好適に用いることができるものである。

【００９２】また請求項４に係る半導体装置は、半導体
素子とこれに配線を供する配線供与部材のうち少なくと
も配線部分を請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体
封止用エポキシ樹脂組成物によって封止しているので、
耐湿性や耐ヒートサイクル性等の信頼性が高く、しかも
耐屈曲性や耐衝撃性、耐振動性等にも優れており、上記
半導体装置をカード形態の電子機器や携帯情報機器等に
用いても、極めて高い信頼性を得ることができるもので
ある。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 63/00 Ｃ０８Ｌ 63/00 Ｃ Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 (72)発明者 橋本 眞治 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 日野 裕久 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 福井 太郎 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 4J002 CD031 CD051 DE146 DJ016 FA086 GQ05 4J036 AC01 AC05 AD08 AF15 DA04 DB18 DD01 FA03 FA05 FB08 JA07 4M109 AA01 BA05 CA04 EA02 EB02 EC09

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 エポキシ樹脂、硬化剤、潜在性の硬化促
   進剤を必須成分とする室温で液状の半導体封止用エポキ
   シ樹脂組成物において、エポキシ樹脂として、ナフタレ
   ン骨格又はビスフェノール骨格を有するエポキシ樹脂の
   うち少なくともいずれか一方を含み、硬化剤として、室
   温で液状の無水コハク酸構造を有する有機酸無水物と室
   温で液状のフェノールノボラック骨格を有する化合物の
   うち少なくともいずれか一方を含むと共に、２−メルカ
   プトメチルベンズイミダゾールと２−メルカプトベンズ
   イミダゾールのうち少なくともいずれか一方を半導体封
   止用エポキシ樹脂組成物全量に対して０．０１〜３質量
   ％含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成
   物。
2. 【請求項２】 無機充填材として最大粒径が０．５〜２
   ０μｍである、球状非晶質シリカとアルミナのうち少な
   くともいずれか一方を半導体封止用エポキシ樹脂組成物
   全量に対して真比重換算で２０〜７０体積％含むことを
   特徴とする請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂
   組成物。
3. 【請求項３】 無機充填材として最大粒径が０．５〜５
   μｍである、球状非晶質シリカとアルミナのうち少なく
   ともいずれか一方を半導体封止用エポキシ樹脂組成物全
   量に対して真比重換算で２０〜５０体積％含み、かつ、
   半導体封止用エポキシ樹脂組成物中における固形分の最
   大粒径が５μｍ以下であることを特徴とする請求項１に
   記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
4. 【請求項４】 半導体素子とこれに配線を供する配線供
   与部材のうち少なくとも配線部分を請求項１乃至３のい
   ずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物によっ
   て封止して成ることを特徴とする半導体装置。