JP6189148B2 - エポキシ樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
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Description
(1) 半導体装置の製造に用いられるエポキシ樹脂組成物であって、
190℃以上220℃以下に加熱して用いられるものであり、
分子内にエポキシ基を2個以上有する液状のエポキシ樹脂と、硬化剤としての固体分散型アミンアダクト系硬化剤と、無機充填剤と、ビニル重合体で構成されたプレゲル化剤とを含み、
前記プレゲル化剤の含有率が2.0重量%以上20重量%以下であり、
190℃で加熱した場合に、前記エポキシ樹脂が硬化する前に、ゲル化することを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
前記ビスフェノールF型エポキシ樹脂の含有率が7.0重量%以上40重量%以下であり、
前記アミノフェノールエポキシ樹脂の含有率が10重量%以上30重量%以下である上記(2)に記載のエポキシ樹脂組成物。
《半導体装置の製造方法》
まず、本発明の半導体装置の製造方法の一例について説明する。
回路基板4は、基板5および複数の端子6を備えるものである。
エポキシ樹脂組成物付与工程では、回路基板4の端子6が設けられた面側にエポキシ樹脂組成物8’を付与する。
本発明のエポキシ樹脂組成物8’については、後に詳述する。
まず、本工程で用いる半導体チップ1について説明する。
半導体チップ1は、基板2と、基板2の一方の面(下面)側に設けられた複数の端子(バンプ)3を有している。
ボンディングツール9による半導体チップ1の加圧圧力は、0.5Pa以上5Pa以下であるのが好ましい。これにより、回路基板4と半導体チップ1との接続信頼性を特に優れたものとすることができる。
本発明の半導体装置は、後に詳述する本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止したものである。
本発明の半導体装置は、例えば、前述したような方法を用いて製造することができる。
次に、本発明のエポキシ樹脂組成物の好適な実施形態について詳細に説明する。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、分子内にエポキシ基を2個以上有する液状のエポキシ樹脂を含むものである。このようなエポキシ樹脂は、各種硬化性樹脂の中でも、硬化反応の反応性や、硬化後における硬度を高いものとする上で有利である。また、このようなエポキシ樹脂は、各種硬化性樹脂の中でも、硬化物の耐熱性、寸法精度等の観点からも有利な材料である。また、溶剤等を含まなくても、エポキシ樹脂組成物全体として、適度な流動性を有するものとすることができる。また、このようなエポキシ樹脂は、プレゲル化剤と適切な相溶性を持つことで、室温での粘度安定性と、ゲル化時の増粘性が得られる。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、硬化剤を含むものである。硬化剤は、本発明のエポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂の硬化反応を促進する機能を有するものである。エポキシ樹脂組成物が硬化剤を含まないものであると、加熱によるエポキシ樹脂の硬化反応を速やかに進行させることができない。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、無機充填剤を含むものである。無機充填剤を含むことにより、本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて形成される硬化部の熱膨張率をより効果的に低減することができる。その結果、製造される半導体装置において、電子部品と回路基板との接続信頼性を高いものとすることができる。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、所定の含有率で、ビニル重合体で構成されたプレゲル化剤を含むものである。プレゲル化剤は、加熱によりエポキシ樹脂組成物をゲル化させる成分である。
すなわち、まず、回路基板への供給時においては、エポキシ樹脂組成物のゲル化が進行していないため、エポキシ樹脂組成物は十分な流動性を有し、エポキシ樹脂組成物付与工程を円滑に行うことができ、電子部品の周辺等の狭い空間にもエポキシ樹脂組成物を確実に侵入させることができる。
その後さらに加熱が続くとエポキシ樹脂の硬化反応が終了し、流動性を失った硬化部となる。
(アセトン可溶分)=(1−アセトン不溶分の重量)×100
Fox式を以下に示す。
1/(273+Tg)=Σ(wi/(273+Tgi)) 式(1)
水酸基含有ビニル単量体としては、例えば、2−ヒドロキシエチルメタクリレート等が挙げられる。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、カップリング剤を含むものであってもよい。カップリング剤を含むことにより、エポキシ樹脂組成物による硬化物と、回路基板や電子部品との密着性のさらなる向上を図ることができる。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、前記以外の成分(その他の成分)を含むものであってもよい。このような成分としては、例えば、前述したエポキシ樹脂以外の樹脂成分(例えば、分子内にエポキシ基を1個のみ有する樹脂等)、分子内にメルカプト基を有するチオール化合物、ホウ酸エステル、凝集防止剤、界面活性剤、各種重合促進剤、発光材料、着色剤、消泡剤、レベリング剤、揺変剤、応力緩和剤、イオンキャッチャー等が挙げられる。なお、ボイド抑制の観点から、有機溶媒、特に低沸点の有機溶媒は含有させないことが好ましい。
(実施例1)
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(850LVP、DIC(株)社製):2.0重量部と、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(830LVP、DIC(株)社製):13重量部と、アミノフェノールエポキシ樹脂(630LSD、三菱化学(株)社製):20重量部と、固体分散型アミンアダクト系硬化剤(HXA−3922HP、旭化成イーマテリアルズ(株)社製):15重量部と、球状シリカフィラー(MP−15EF、(株)龍森社製、最大粒径:5μm):50重量部と、カップリング剤としてのKBM−403(信越化学(株)社製):0.1重量部と、プレゲル化剤としてのプレゲル化剤A:4.0重量部とを混合し、3本ロールミルで均一分散し、加えて減圧撹拌を行い、エポキシ樹脂組成物を製造した。
なお、プレゲル化剤Aとしては、以下のようにして調製したものを用いた。
原料として用いる成分およびこれらの使用量を表1に示すようにした以外は前記実施例1と同様にして、エポキシ樹脂組成物を製造した。
原料としてプレゲル化剤を用いず、各成分の使用量を表1に示すようにした以外は前記実施例1と同様にして、エポキシ樹脂組成物を製造した。
原料としてプレゲル化剤を用いず、各成分の使用量を表1に示すようにした以外は前記実施例2と同様にして、エポキシ樹脂組成物を製造した。
原料として用いる成分の使用量を表1に示すようにした以外は前記実施例1と同様にして、エポキシ樹脂組成物を製造した。
硬化剤として、固体分散型アミンアダクト系硬化剤の代わりに、固体分散型アミンアダクト系硬化剤以外の硬化剤としての2MA−OK−PW(四国化成(株)社製)を用いるとともに、プレゲル化剤の含有量を変更した以外は前記比較例4と同様にして、エポキシ樹脂組成物を製造した。
プレゲル化剤として、ゼフィアックF351(アイカ工業(株)社製)を用いた以外は前記実施例1と同様にして、エポキシ樹脂組成物を製造した。
また、表1中には、コーンプレート型粘度計(Themo社製)を用いて測定されたエポキシ樹脂組成物の25℃における粘度の値等をあわせて示した。
[2.1]ゲル化のタイミングと硬化のタイミングとの関係
前記各実施例および比較例のエポキシ樹脂組成物について、それぞれ、10mgを、表面温度を190℃に設定したアズワン社製ホットプレート(DP−1S)の上に置き、撹拌棒で円を描くように撹拌し、エポキシ樹脂組成物の色調は変化しないが流動性が損なわれ高粘調に変化状態した状態をゲル化、エポキシ樹脂組成物の色調が白色から茶褐色へと変化し流動性が全くなく固化した状態を硬化という条件で調べた。エポキシ樹脂が硬化する前にエポキシ樹脂組成物がゲル化したものを「○」、エポキシ樹脂が硬化する前にエポキシ樹脂組成物がゲル化しなかったものを「×」とした。
前記各実施例および比較例のエポキシ樹脂組成物について、それぞれ、コーンプレート型粘度測定装置(Thermo(株)製 HAAKE Roto Visco−1)を用い、パラレルプレート直径:20mm、ギャップ:0.3mm、周波数:1Hz、開始温度:25℃、昇温速度:10℃/分の条件で、エポキシ樹脂組成物の粘弾性の温度依存性を測定し、増粘が開始する温度をゲル化温度として求めた。
前記各実施例および比較例のエポキシ樹脂組成物について、示差熱分析装置((株)島津製 DTG−60)にて開始温度:25℃、昇温速度:10℃/分の条件で反応熱の温度依存性を測定し、反応熱が増発現した温度を硬化開始温度として求めた。
まず、前記各実施例および比較例のエポキシ樹脂組成物を、それぞれ、熱分析用クランプセル(材質アルミ、5mmφ)に、5mgだけ塗布した。
前記各実施例および比較例のエポキシ樹脂組成物を、温度:25℃、湿度:50%RHの環境下に、5日間静置した。
B:粘度の変化量が初期値の25%以上100%未満。
C:粘度の変化量が初期値の100%以上。
前記各実施例および比較例のエポキシ樹脂組成物について、以下の方法で浸透性を評価した。
B:浸透距離が5mm以上10mm未満。
C:浸透距離が10mm以上。
前記各実施例および比較例のエポキシ樹脂組成物を用いて、それぞれ190℃×5分の熱処理を施した後、150℃×60分の熱処理を施し、エポキシ樹脂組成物を硬化させ硬化物とした。得られた硬化物を5mm×50mm×厚み1mmで切り出しSII社製、EXSTAR−600にて室温から200℃までDMA測定をおこない、損失弾性の最大値を求めた。
前記各実施例および比較例のエポキシ樹脂組成物を用いて、それぞれ190℃×5分の熱処理を施した後、150℃×60分の熱処理を施し、エポキシ樹脂組成物を硬化させ硬化物とした。得られた硬化物を5mm×50mm×厚み1mmで切り出しSII社製、XSTAR−600にて室温から200℃まで測定をおこない、40℃から80℃の熱膨張率を測定した。
前記各実施例および比較例のエポキシ樹脂組成物を用いて、それぞれ、以下のようにして半導体装置を製造した。
前記[4]で得られた半導体装置について、日立建機ファインテック社製の超音波顕微鏡を用いて硬化した内部のボイド面積比を測定し、以下の基準に従い評価した。
B:全ボイドの面積の合計が半導体素子の面積に対して1%未満。
C:全ボイドの面積の合計が半導体素子の面積に対して1%以上。
前記[4]で得られた各20個の半導体装置について、回路基板の導体配線に形成された測定用端子にデジタルマルチメーターのプローブをあてて、電気的動作確認を行い、初期接続性を評価した。そして、前記各実施例および比較例について、各20個の半導体装置のうち断線の不良が発生したものの個数にて、初期接続性を評価した。
これらの結果を表2にまとめて示す。
2 基板
21 面
211 配線パターン
212 パッシベーション膜
22 面
3 端子(バンプ)
4 回路基板(配線基板)
5 基板
51 面
6 端子
60 配線パターン
8 硬化部(絶縁部)
8’ エポキシ樹脂組成物
9 ボンディングツール
100 半導体装置
Claims (12)
- 半導体装置の製造に用いられるエポキシ樹脂組成物であって、
190℃以上220℃以下に加熱して用いられるものであり、
分子内にエポキシ基を2個以上有する液状のエポキシ樹脂と、硬化剤としての固体分散型アミンアダクト系硬化剤と、無機充填剤と、ビニル重合体で構成されたプレゲル化剤とを含み、
前記プレゲル化剤の含有率が2.0重量%以上20重量%以下であり、
190℃で加熱した場合に、前記エポキシ樹脂が硬化する前に、ゲル化することを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 - 前記エポキシ樹脂は、ビスフェノールA型エポキシ樹脂と、ビスフェノールF型エポキシ樹脂と、アミノフェノールエポキシ樹脂とを含むものである請求項1に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記ビスフェノールA型エポキシ樹脂の含有率が0.5重量%以上4.0重量%以下であり、
前記ビスフェノールF型エポキシ樹脂の含有率が7.0重量%以上40重量%以下であり、
前記アミノフェノールエポキシ樹脂の含有率が10重量%以上30重量%以下である請求項2に記載のエポキシ樹脂組成物。 - 前記エポキシ樹脂は、さらに、1,6−ヘキサンジオールエポキシ樹脂を含むものである請求項2または3に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記1,6−ヘキサンジオールエポキシ樹脂の含有率が1.0重量%以上6.0重量%以下である請求項4に記載のエポキシ樹脂組成物。
- エポキシ樹脂組成物は、25℃での粘度が20Pa・s以下であり、190℃で加熱した場合のゲル化が開始するまでの時間が5秒以内である請求項1ないし5のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記硬化剤の含有率が3重量%以上30重量%以下である請求項1ないし6のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記プレゲル化剤は、アセトン可溶分の重量平均分子量が10万以上2000万以下のものである請求項1ないし7のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記プレゲル化剤のアセトン可溶分は、2.0重量%以上35重量%以下である請求項1ないし8のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記プレゲル化剤は、単量体成分として、メチルメタクリレート:70重量%以上99重量%以下、メチルメタクリレート以外のビニル単量体:1重量%以上30重量%以下を含むものである請求項1ないし9のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記メチルメタクリレート以外のビニル単量体は、カルボキシル基含有ビニル単量体、水酸基含有ビニル単量体、および、グリシジル基含有ビニル単量体よりなる群から選択される1種または2種以上の官能基含有単量体を含むものである請求項10に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 請求項1ないし11のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物を用いて製造されたことを特徴とする半導体装置。
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