WO2005080502A1 - アンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物および同組成物を用いて封止した半導体装置 - Google Patents

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WO2005080502A1
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epoxy resin
resin composition
coupling agent
underfill
agent
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PCT/JP2004/002158
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Takashi Hasegawa
Yasutaka Miyata
Original Assignee
Matsushita Electric Works, Ltd.
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    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
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Definitions

  • the present invention relates to a liquid epoxy resin composition for underfill having excellent underfill penetration, moisture resistance, and thermal shock resistance, and a semiconductor device encapsulated with the composition.
  • the underfill material for flip-chip type semiconductor devices described in Japanese Patent Application Publication No. 2001-55486 is 100 parts by weight of liquid epoxy resin, and has a maximum particle size of 5 ⁇ m or less.
  • the curing accelerator contains 0.01 to 10 parts by weight.
  • R 1 a R 2 b Si ( ⁇ R 3 ) c (OH) d ⁇ (c - d) / 2 (P)
  • R 1 is a monovalent organic group which has 2 and R 3 are independently an unsubstituted or alkoxy-substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms
  • a is 0.16 to 1.0
  • b is 0 to 2.0
  • c is 0.5 to 2.0
  • d is 0 to 1.0
  • the number of silicon atoms in one molecule of fe is 2 to 6.
  • the above-mentioned 7 reactive functional groups Since the silicone compound is contained, it is possible to maintain good penetration characteristics into narrow gaps by blending a large amount of the inorganic filler as described above. Even when a silane coupling agent (ie, a reactive functional group-containing alkoxysilane compound) is added, the generation of voids can be reduced, and the flip sealed with the underfill material can be used. It is improving the reliability of chip-type semiconductor devices.
  • a silane coupling agent ie, a reactive functional group-containing alkoxysilane compound
  • the present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to improve the disadvantages of the conventional epoxy resin composition for encapsulation, and to excel in underfill penetration, moisture resistance, and thermal shock resistance.
  • An object of the present invention is to provide a liquid epoxy resin composition for underfill.
  • the epoxy resin composition of the present invention contains an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, an inorganic filler, and a coupling agent, and the coupling agent has a structure (A) represented by the following formula in one molecule.
  • the content of the coupling agent in the resin composition is 0.05% to 1.0% by weight.
  • the power coupling agent it is preferable to hydrolyze the power coupling agent with pure water or alcohol prior to blending with the other components of the resin composition.
  • the alkoxy group of the coupling agent By hydrolyzing the alkoxy group of the coupling agent, the wettability of the coupling agent with the inorganic filler can be further improved.
  • hydrolysis is performed in advance, variation during production can be reduced.
  • those containing S, -OH, and nickel have high polarity, which contributes to improving the adhesion between the base material and the chip, thereby improving the reliability.
  • the curing accelerator is preferably at least one selected from tertiary amines and microcapsule-type latent imidazole. Selection from these three types is desirable in terms of one-part properties and pot life.
  • the inorganic filler preferably has a maximum particle size of 0.5 to 30 m. If the maximum particle size is less than Q.5jum, the viscosity increases and the underfill performance decreases. On the other hand, if the maximum particle size is 30 jm or more, the narrow gap of 30 iim or less cannot be counter-emitted.
  • the curing agent is preferably an acid anhydride type, and preferably contains 5 to 40 wt% of trifunctional or more in the curing agent.
  • a further object of the present invention is to provide a semiconductor device which is encapsulated using the above epoxy resin composition.
  • the epoxy resin composition for underfill of the present invention contains an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, an inorganic filler, and a coupling agent as essential components.
  • Examples of the epoxy resin used in the present invention include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthalene ring-containing epoxy resin, and alicyclic type Epoxy resin, dicyclopentadiene-type epoxy resin having dicyclopentane skeleton, phenol novolak type Epoxy resin, cresol nopolak type epoxy resin, triphenyl methane type epoxy resin, aliphatic epoxy resin, triglycidyl isocyanurate, etc. are used, and one or two or more kinds selected from these are selected. Can be used.
  • bisphenol A-type epoxy resin bisphenol F-type epoxy resin, biphenyl-type epoxy resin, naphthalene ring-containing epoxy resin, and alicyclic epoxy resin are particularly preferable from the viewpoint of improving the viscosity and physical properties of the cured product.
  • the polyfunctional epoxy resin include the following compounds (1) to (3) (in the formula, “G ⁇ is a glycidyl group”).
  • alicyclic epoxy resins and trifunctional epoxy resins may be used, such as trifunctional and tetrafunctional types.In view of reliability, Na ion, CI ion, Brion and the like may be used. It is preferable to use an epoxy resin containing as few impurities as possible.
  • the curing agent used in the present invention may be any one that normally cures an epoxy resin.
  • amine-based curing agents such as diaminodiphenylmethane and metaphenylenediamine
  • acid anhydride curing agents such as anhydrous phthalic acid and pyromellitic anhydride
  • phenol nopolak-based curing agents and aryl phenol curing agents And so on.
  • polyfunctional acid anhydride curing agent include compounds having the structures shown in the following Examples (4) to (9), and the bifunctional type is preferred because of its low viscosity and low melting point.
  • the chemical equivalent ratio of the curing agent to the epoxy resin to be blended is preferably in the range of 0.6 to 1.4. If the Tohoku ratio is less than 0.6, curing may become difficult, the heat resistance of the cured product may be reduced, and the strength of the cured product may be reduced. If the equivalent ratio is more than "1.4", the heat resistance of the cured product may be reduced, the adhesive strength after curing may be reduced, and the moisture absorption of the cured product may increase.
  • a particularly preferred staring ratio of the curing agent to the epoxy resin is in the range of 0.75 to 1.00
  • curing is preferably performed with as few impurities as possible, such as Na ion CI ion and Br ion.
  • the curing accelerator used in the present invention preferably contains at least one of an imidazole skeleton, an amine compound, and a microcapsule-type curing accelerator.
  • a known one such as a primary to tertiary amine or a salt thereof, a triazole or a salt thereof, an imidazole or a salt thereof, a diazabicycloalkene or a salt thereof, alone.
  • a thermosetting resin film is formed around a core made of a compound having an S-dazole skeleton.
  • fine spheres fine spheres (so-called microcapsules) provided with, or amine adduct particles are suitably used as a curing accelerator.
  • the inorganic filler used in the present invention is not particularly limited.
  • use of crystalline silica, fused silica, alumina, finely divided silica, magnesia, silicon nitride and the like can be mentioned.
  • the addition amount is 40 wt% to 65 wt% of the whole resin composition. If it is less than 40 wt%, it is difficult to reduce the coefficient of linear expansion, which may eventually lead to cracking and destruction of the obtained semiconductor device.
  • the content is 65 wt% or more, the viscosity may increase and the underfill penetration may decrease. In the case of flip chips, it is necessary to reduce the particle size of the filler. ic.1t. If the viscosity increases due to the fineness and the sedimentation during hardening is observed, the maximum particle size is 30 ⁇ . It is preferable that it is not more than rn.
  • the coupling agent used in the present invention has two or more structures (A) represented by the following formula in one molecule, and is used in a resin composition.
  • silane coupling agent having two or more structures (A) in one molecule is used, other coupling agents may be used in combination.
  • silane coupling agent! a titanate coupling agent. That is, silane coupling agents such as ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane, r-glycidoxypropyltriethoxysilane, ⁇ - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, etc.
  • vinyl silanes such as toxic silane, and epoxy-, amino-, and vinyl-based polymer-type silanes.
  • Epoxy silane, amino silane, and mercapto silane are particularly preferable.
  • the titanate coupling agent include isopropyl triisostearoyl titanate, isopropyl tri (N-aminoethyl'aminoethyl) titanate, diisopropyl bis (dioctylphosphoret) titanate, and tetraisopropyl bis ( Dioctyl phosphite) Titanate, Tetra octyl bis (ditridecyl phosphite) titanate, Bis (Dioctyl benzoyl phosphate) is there.
  • These coupling agents can be used alone, or two or more of them can be mixed and used.
  • the coupling agent may be used by treating the filler in advance by a wet method or a dry method, or may be used by an integral blend method in which the filler is mixed with a resin.
  • the epoxy resin composition of the present invention When the epoxy resin composition of the present invention is produced, the above-mentioned epoxy resin, curing agent, curing accelerator, coupling agent and other components are mixed together or separately, if necessary. B. Stir, dissolve, mix and disperse while performing heat treatment. Next, an inorganic filler is added to the obtained mixture, and the mixture is stirred, dissolved, mixed and dispersed while performing a cooling and heating treatment as needed, to obtain a liquid epoxy resin composition.
  • a dispersing planetary mixer, a ball mill, a bead mill, a three-plate mill, or the like may be effectively used in the steps of stirring, dissolving, mixing, and dispersing.
  • epoxy resin examples include bis-A epoxy resin (Japan Epoxy Resin Co., Ltd.
  • methyl tetrahydrophthalic anhydride As the acid anhydride of the hardener, methyl tetrahydrophthalic anhydride (Shin Nippon Rika Co., Ltd.)
  • imidazole-based microcapsule-type latent catalysts As curing accelerators, imidazole-based microcapsule-type latent catalysts (Asahi Kasei Epoxy, HX3941 HR, Amine-modified catalysts (Asahi Denka Kogyo Co., Ltd. EH3849S), imidazole (Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 1 B2PZ), phosphorus-based Catalyst (Hokuko Chemical Industry Co., Ltd.) Use either TPP (triphenylphosphine)).
  • QS-4 Mitsubishi Rayon Co., Ltd., maximum particle size 14 m
  • SO-E2 Admatex Co., Ltd., max. 3 im>
  • QS-9 Mitsubishi Rayon Co., Ltd., max. 35 m
  • QS-8 Koryo Rayon Co., Ltd., max. 30 wm
  • AA04 Suditomo Chemical Co., Ltd., max. 0.5 m
  • This coupling agent 1 has the following structure (18), and the molecule S is 178.
  • This coupling agent is prepared by adding 0.2 mol of pure water and 0.05 mol of ethanol to “I mol” of the coupling agent No. 1 and stirring the mixture, and leaving the mixture at 35 ° C. for 3 hrs to leave the coupling agent No. 1 Was obtained by hydrolysis.
  • This force coupling agent the molecular weight 120 of (CH 3) 2 Si (OCH 3) 2 pure water 0.2mol against 1 mol, adding ethanol O.05mol was ⁇ , obtained by leaving 3hrs at 35C It has the following structure (19), and the average degree of polymerization is 1.1.
  • This coupling agent has the following structure (20), the average degree of polymerization is 1.1, and the molecular weight is 161.
  • This coupling agent has the following structure (2 ⁇ ), a homopolymerization degree of 2.2, and a molecular weight of 114.
  • an epoxy silane coupling agent (Shinichi Nihonichi (Shima A187) was used in a predetermined amount.
  • Example 1 As an example, a method for producing the epoxy resin composition of Example 1 will be specifically described. First, bisphenol A type epoxy resin, MH-700, a curing agent acid anhydride and PMDA, a multifunctional acid anhydride B, imidazole "tB2PZ", a curing accelerator The mixing agent No. 2 and the synthetic silica QS-4, an inorganic filler, were blended in the blending amounts shown in Table 1, mixed with a mixer for 30 minutes, and then kneaded with three rolls. The obtained kneaded material was mixed again with a mixer for 30 minutes to obtain the epoxy resin composition of Example 1.
  • the epoxy resin compositions of Examples 2 to 21 were prepared by substantially the same method as described above so as to have the composition shown in Tables 1 to 3, respectively.
  • the case where the coupling agent containing two structures (A) was not used was used as the comparative example 1, and the case where the compounding amount of the coupling agent No. 1 was less than 0.05 ⁇ %.
  • the epoxy resin composition thus obtained and the semiconductor device sealed using the epoxy resin composition were evaluated for the following physical properties.
  • the semiconductor device used in the test was composed of electrodes on the FR5 grade circuit board and electrodes on the periphery of the chip of a 0.4 mm thick, 1 Omm square CMOS gate array element, with a height of 70 jtm. They are connected by solder bumps.
  • the epoxy resin composition is applied to the end of one side of the chip with a dispenser. Immediately after the substrate is placed on a hot plate at 80 ° C, the resin composition is applied to the opposite side of the side. The time to reach the side of was measured. When the measurement time was 60 seconds or less, it was evaluated as " ⁇ " when it was 2 minutes or less, and as "X" when it was 2 minutes or more, and evaluated.
  • the semiconductor component in which the epoxy resin composition was infiltrated was cured at a temperature of 150 ° C. for 2 hours 1 ⁇ .
  • the results of confirming the electrical operation of the semiconductor parts after curing are good.
  • One cycle 30 minutes at 55 ° C, 5 minutes at room temperature, 30 minutes at 150 ° C, 5 minutes at room temperature
  • the device was subjected to a temperature cycle test of the gas phase to confirm the operation of the device after 1 000 cycles, and passed or failed. If the number of defective samples in 10 test samples is 0-3, it is evaluated as " ⁇ ", if 4-6, it is evaluated as "mu”, and if it is 7-1 ⁇ , it is evaluated as "X" ⁇ .
  • the results of confirming the electrical operation of the semiconductor component after curing are good. Then, it was subjected to a pressure and cooker test at 2 atm of 121 ° C, and the operation of the device was confirmed after 168 hours, and the pass / fail was judged. 1 ⁇ If the number of defective samples in the test sample is 0-3, it is evaluated as 4-6 if it is 4-6, and if it is 10-10, it is evaluated as ⁇ .
  • Tables 1 to 3 show the evaluation results of _t notes 1 to 3, respectively.
  • the liquid epoxy for underfill of the present invention containing a coupling agent having two or more of the above structure (A) in one molecule in the range of 0.05 wt% to 1.5 t%.
  • a favorable underfill can be ensured and the infiltration property can be ensured in response to a demand for high filling of the inorganic filling material. Since excellent moisture resistance and thermal shock resistance are still achieved, the semiconductor device encapsulated with the epoxy resin composition of the present invention has high reliability.
  • Multifunctional acid anhydride B PMDA 19.2 19.2 19.2 19.2 19.2 19.2 7.7 9.7 Cured microphone 0 cuff ° Cellular imida 1 / -HX-3941 HP 8.7
  • No. 1 0.4 16.0 contains 2 of the structure A in one molecule Allinge No. 2 3.0 3.0 2.5

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Abstract

アンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物を提供する。この樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填材、カップリング剤を必須成分とし、カップリング剤は、−Si(OR)nH3−n(n=1~3)で表される構造を1分子中に2個以上有し、樹脂組成物中におけるカップリング剤の含有量は0.05wt%~1.5wt%である。これにより、無機充填材の充填性を高めても良好なアンダーフィル浸入性を確保できる。また、この組成物を用いて封止した半導体装置は、耐湿性および耐熱衝撃性において優れる。

Description

明細書
アンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物および罔組成物を用いて封止した 半導体装置 技術分野
本発明は、 アンダーフィル浸入性、 耐湿性および耐熱衝撃性に優れるアンダーフィル 用液状エポキシ樹脂組成物、 および同組成物を用いて封止し 半導体装置に関するちの である。 背景技術
近年、 樹脂封止型半導体装置は、 デバイスの高密度化、 高集積度化、 動作の高速化等 の傾向にあり、 従来型のパッケージ (Q F P等) よりさらに小型化、 薄型化することの できる半導体素子のパッケージが要求されている。 これらの要求に対して、 BGA及び C S P、ベアチップ実装といった高密度実装が知られている。ベアチップ実装としては、 たとえば、 フリップチップ実装がある。 フリップチップ実装とは、 チップ配線面に約 1 0〜"! 50 mの \'ンプ電極を数十個から数千個つけて基板の電極をはんだ、金属接合、 導霉ペース卜等で接合する方法であり、 実装品の温度サイクル性能を高めるため液状封 止材が使用される。 すなわち、 液状封止材の硬化物は金属バンプを補強する効果を持つ ので、 温度サイクルによるバンプ破壊の発生を防止することができる。
例えば、 日本公開特許公報第 200 1 -55486号に記載されいてるフリつプチヅ プ型半導体装置用アンダーフィル材は、 液状エポキシ樹脂 1 00重蓳部、 最大粒径 5〇 m以下で ^均粒径 0.5~10 m球状無機質充填材 1 00〜300重釐部、 以下の組成 式 (P)で表される反麻性官能基含有シリコーン化合物 (オルガノシロキサンオリゴマ 一) O. 1〜6重星部および硬化促進剤 0. 0 1〜1 0重量部を含有してなる。
R1 aR2 bSi(〇R3) c (OH) d( c-d)/2 (P) ここに、 R1は反廂性官^基を^する 1価の有機基、 R2および R3は独立して炭素数 1〜 8の非置換又はアルコキシ置換の 1価炭化水素基、 aは 0.16〜1.0、 bは 0〜2.0、 cは 0.5~2·0、 dは 0〜1.0、 3 +ヒ+ 0 + 0!は0.8〜3を満足する数でぁる。 ま fe、 1分子 中の珪素原子数は 2~6である。 このアンダーフィル材によれば、上記し 7£反¾性官能基 含有シリコーン化合物を含有しているので、 上記のように無機質充填材を多萤に配合し てち狭い間隙への良好な浸入特性を維持することができる。 ま 、 シランカップリング 剤 (即ち、 反¾性官能基含有アルコキシシラン化合物) を添加しだ場合であっても、 ボ ィドの発生を低減でき、 このアンダーフィル材を用いて封止されたフリップチップ型半 導体装置の信頼性の向上を I つている。
しかしながら、 アンダーフィル浸入性、 耐湿性および耐熱衝撃性に優れるとともに、 アンダーフィル材を用いて封止され フリップチップ型半導体装置のさらなる信頼性の 向上を図るためには既存のアンダーフィル材には依然として改善の余地が残されている。 例えば、 高信頼性を得るためには、 無機充填材料の高充填化による低線膨張、 低吸湿が 要な項目になる。 特に 近年においては、 半導体デバイスの高速通信化により、 アン ダーフィルのギヤップがー層狭くなり、 より粒径の小さいシリカを高充填させる必要が ある。 しかしながら、 液状エポキシ樹脂組成物に無機充填材を高充填させると粘度が上 昇して流動性が失われ、 フリップチップへの封止が困難になる。 また、 無機充填材を高 充填させたエポキシ樹脂組成物は一般に密着力及び耐熱衝撃性が低下する傾向が見られ る。 発明の開示
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、 その目的とするところは、 従来の 封止用エポキシ樹脂組成物の欠点を改善し、 アンダーフィル浸入性、 耐湿性および耐熱 衝撃性に優れるアンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物を提供することにある。
すなわち、 本発明のエポキシ樹脂組成物は、 エポキシ樹脂、 硬化剤、 硬化促進剤、 無 機充填材、 カップリング剤を含み、 カップリング剤は次式で示される構造 (A) を 1分 子中に 2個以上有し、 樹脂組成物中におけるカップリング剤の含有董が 0. 05wt%~1 . Owt%であることを特徴とする。
—S i (OR) nH3-n (n= "!〜 3) … (A) 本発明によれば、 1分子中にアルコキシ基群が 2つ以上ある力ップリング剤を使用す ることにより無機充填剤の濡れ性を大幅に向上でき、 アンダーフィルの信頼性を損なわ ずに充填性を向上することが可能となる。
上記エポキシ樹脂組成物において、 樹脂組成物の他の成分との配合に先立って力ヅプ リング剤を純水もしくはアルコール類にて加水分解することが好ましい。 この場合は、 カツプリング剤のアルコキシ基を加水分解することによって、 カツプリング剤の無機充 填剤との濡れ性をさらに改善できる。 また、 予め加水分解する方が、 製造時のバラつき を少なくでさる。
上記エポキシ樹脂組成物において、 カップリング剤の少なくとち 2個の構造(A) の 間は、 (-NH-)n、 (- S -) n、 (一 CH2-)n、 (-〇-)n、 (一〇=〇) から選ばれる 1種によつ て連結されることが好ましい。 特に、 S、 -OH、 ニ〇を含 ¾ものは極性が高い めに、 基材ゅ Chipとの密着性向上に寄与し、 信頼性の向上を図れる。
上記エポキシ樹脂組成物において、 硬化促進剤は、 3級ァミン、 マイクロカプセル型 潜在性イミダゾールの中から選択される少なくとも 1種であることが好ましい。 これら 3種類からの選定が一液性及びポッ卜ライフの点で望ましい。
上記エポキシ樹脂組成物において、 無機充填材は最大粒径が 0.5 ii mから 30 mであ ることが好ましい。最大粒径が Q.5ju m以下であると、粘度が増加してアンダーフィル性 能が低下する。 一方、 最大粒径が 30 j m以上であると、 30 iim以下の狭い隙間に対麻 でさなくなる。
上記エポキシ樹脂組成物において、 硬化剤は、 酸無水物型で 3官能以上の≤ を硬化 剤中に 5〜40wt%含 ことが好ましい。
本発明のさらなる目的は、 上記エポキシ樹脂組成物を使用して封止し 半導体装置を 提供することにある。
本発明のさらなる特徴およびそれがちたらす効果は, 以下に述べる発明を実施するた めの最良の形態および実施例から理解されるだろう。 発明を実施するための最良の形態
以下に本発明のアンダーフィル用エポキシ樹脂組成物および罔組成物を用いて封止し た半導体装置について詳細に説明する。
本発明のアンダーフィル用エポキシ樹脂組成物は、 エポキシ樹脂、 硬化剤、 硬化促進 剤、 無機充填材、 カップリング剤を必須成分として含有する。
本発明で用いられるエポキシ樹脂としては、 例えば、 ビスフエノール A型エポキシ樹 脂、 ビスフエノール F型エポキシ樹脂、 ビスフエノール S型エポキシ樹脂、 ビフエ二ル 型エポキシ樹脂、 ナフタレン環含有エポキシ樹脂、 脂環式エポキシ樹脂、 ジシクロペン タジェン骨格を有するジシクロペンタジェン型エポキシ樹脂、 フエノールノボラック型 エポキシ樹脂、 クレゾールノポラック型エポキシ樹脂、 トリフエニルメタン型エポキシ 樹脂、 脂肪族系エポキシ樹脂、 卜リグリシジルイソシァヌレー卜等が拳げられ、 これら から選択される 1種または 2種以上の混合物を使甬できる。 これらの中でちビスフエノ ール A型エポキシ樹脂、 ビスフエノール F型エポキシ樹脂、 ビフエニル型エポキシ樹脂、 ナフタレン環含有エポキシ樹脂、 脂環式エポキシ樹脂の使用が粘度と硬化物物性向上の 観点から特に好ましい。 多官能エポキシ樹脂としては、 例えば下記に示すような化合物 ( 1 )〜(3)がある(式中" G〃はグリシジル基である) 。 官能基数は 3もしくは 4が粘 度や硬化性の面で好ましい。 ま^、 脂環型エポキシ樹脂ゃァミン型エポキシ樹脂の 3官 能、 4官能タイプを使用しても良い。 尚、 信頼性の点から Naイオンや CIイオン、 Brィォ ン等の不純物が出来るだけ少ないエポキシ樹脂を使用する方が好ましい。
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本発明で用いられる硬化剤としては、通常エポキシ樹脂を硬化するおのであればよい。 例えば、 ジアミノジフエ二ルメタン、 メタフエ二レンジァミン等のアミン系硬化材、 無 水フタル酸、無水ピロメリッ卜酸等の酸無水物硬化材、フエノールノポラック系硬化材、 ァリ一ル型フエノ-ル硬化剤などがあげられる。 酸無水物硬化剤の多官能型は、 下記例 (4) 〜 (9) に示すような構造の化合物があるが、 2官能型のものが低粘度、 低融点で好ま しい。
Figure imgf000006_0001
STZ00/l700Zdf/X3d
Figure imgf000007_0001
本発明では、 配合されるエポキシ樹脂に対する硬化剤の化学蘆論上の当璗比は、 0.6 〜 1.4の範囲が好適である。 当黌比が 0.6未満であると、 硬化しにくくなつたり、 硬化物 の耐熱性が低下しだり、 硬化物の強度が低下する恐れがある。 また、 当量比が "1.4より も多くなると、 硬化物の耐熱性が低下し^り、 硬化後の接着強度が低下したり、 硬化物 の吸湿率が高くなるなどの欠点が発現する恐れがある。 また、 特に好ましいエポキシ樹 脂に対する硬化剤の当星比は、 0.75〜1.00の範囲である。 尚、 信頼性の点から Naィォ ンゃ CIイオン、 Brイオン等の不純物が出来るだけ少ない硬化剤を使用する方が好ましい。 本発明で使用される硬化促進剤は、 イミダゾ一ル骨格を持つ£もの、 もしくはァミン 類化合物、 マイクロカプセル型硬化促進剤の少なくとも一方を含 ことが好ましい。 あ るいは、 1級〜 3級のアミン類もしくはその塩、 トリァゾール類もしくはその塩、 イミ ダゾ一ル類もしくはその塩、 ジァザビシクロアルケン類もしくはその塩などの公知のち のを単独で、 又は 2種類以上混合して使用できる。 更に、 上記のょラな単一の化学構造 をおつちの以外にち、 ィ Sダゾール骨格を有する化合物からなる核の周りに熱硬化性樹 脂の皮膜を配しだ微細球(いわゆるマイクロカプセル)、 またはアミンァダク卜の粒子 等も硬化促進剤として好適に用いられる。
本発明で用いられる無機充填材は特に限定されない。 例えば、 結晶シリカ、 溶融シリ 力、 アルミナ、 微粉シリカ、 マグネシア、 窒化珪素等の使用が挙げられる。 その添加量 は、 樹脂組成物全体の 40wt%〜65w t %とすることが好ましい。 40w t %以下だと 線膨張係数を低減することが難しく、 結榘的に得られた半導体装置の割れゆ破壊につな がる恐れがある。 一方、 65wt%以上だと粘度が高くなつてアンダーフィル浸入性が 下する恐れがある。 フリップチップ の場合は、 フィラーの粒径を細かくする必要があ る。 ic.1t. 細かくすることによる粘度上昇、 硬化時の沈降を者えると、 最大粒径が 30 ι rn以下であることが好ましい。
本発明で使用されるカップリング剤は、 次式で示される構造 (A) を 1分子中に 2個 以上有し、 樹脂組成物中におけるカ
Figure imgf000008_0001
る。
—S i (O R) n H 3-n (n= 1〜3) … (A) 構造 (A) を 1分子中に 2個以上持っ カップリング剤としては、 例えば、 下記の構 造 (1〇) 〜 (1了) を持つものが挙げられる (nは 1〜1 0) 。
3(03HC)Si— (S)n— Si(OCH3)3 ( 1 0)
2(O3HC)HSi-(S)n-Si(0CH3)2H
3(03HC)Si— (NH)n— Si(OCH3)3 ( 1 2)
3(03HC)Si— (O)n— Si(OCH3)3 ( 3)
3(05H2C)Si— (O)n— Si(OC2H5)3 ( 1 4)
3(03HC)Si-(CH2)n— Si(OCH3)3 ( 1 5)
C3H6Si(OCH3)へ II /C3H6Si(OCH3)3
Nハ Ijl
。 人
C3H6 i( Cn3)3 6)
3(03HC)Si— C3H6— (NH)n— C3H6— Si(OCH3)3 ( 1 7) 構造(A) を 1分子中に 2個以上持ったシランカップリング剤を使用すれぱ、 その 他カップリング剤を併用してち構わない。 例えば、 下記のシランカップリン^!)やチタ ネートカップリング剤を併用してもよい。 すなわち、 シランカップリング剤としては、 γーグリシドキシプロピル卜リメ卜キシシラン、 rーグリシドキシプロピル卜リエ卜キ シシラン、 β— ( 3, 4—エポキシシクロへキシル) ェチルトリメトキシシラン等のェ ポキシシラン、 y—アミノブ口ピル卜リエトキシシラン、 N— (アミノエチル) r一 ァミノプロビルトリメトキシシラン、 N-/S (アミノエチル) r一アミノプロピルトリ メ卜キシシラン、 r—ウレイドプロピル卜リエ卜キシシラン等のアミノシラン、 3—メ ルカプトプロビルトリメ卜キシシラン等のメルカプ卜シラン、 ρ—スチリルトリメ卜キ シシラン、 ビニル卜リクロルシラン、 ビニル卜リス (S—メトキシェ卜キシ) シラン、 ビニル卜リメ卜キシシラン、 ビニル卜リエ卜キシシラン、 rーメタクリロキシプロピル トリメトキシシラン等のビニルシラン、 更に エポキシ系、 アミノ系、 ビニル系の高分 子タイプのシラン等があり、 特に、 エポキシシラン、 アミノシラン、 メルカプ卜シラン が好適である。 ま 、 チタネー卜カップリング剤としては、 イソプロピル卜リイソステ ァロイルチタネー卜、 イソプロピルトリ (N—アミノエチル 'アミノエチル) チタネー 卜、 ジイソプロピルビス (ジォクチルホスフエ一卜) チタネー卜、 テ卜ライソプロピル ビス (ジォクチルホスファイト) チタネート、 テ卜ラオクチルビス(ジトリデシルホス フアイ卜) チタネー卜、 ビス (ジォクチルバイロホスフエ一卜) ォキシァセテ一卜チタ ネ一卜、 ビス(ジォクチルパイ口ホスフエ一卜) エチレンチタネート等がある。 これら のカップリング剤は単独で使用してち良いし、 2種類以上を混合して使 ffiすることがで ぎる。
これらのカップリング剤は、 エポキシ樹脂組成物中に配合されることで、封止樹脂と、 半導体チップ及び回路基板の界面の接着性を向上して、 半導体装置の信頼性を高める。 ま 、 カップリング剤の使用方法は、 あらかじめ充填材に対して湿式法あるいは乾式法 で処理しても良いし、 樹脂に混合するインテグラルブレンド法で使用してち良い。
尚、 本発明においては必要に; gじて他の樹脂ゆ顔料、 希釈剤、 消泡剤等を甩いてち問 題はない。 また、 チタネー卜系などエポキシ樹脂の改質、 基板等の密着性を向上させる 等の目的で用いられるちのが好ましい。
本発明のエポキシ樹脂組成物を製造する場合は、 上記したエポキシ樹脂、 硬化剤、 硬 化促進剤、 カップリング剤およびその他の成分を一緒にま^は別 に配合し、 必要に ¾ じて; B加熱処理を行ないながら、 攪拌、 溶解、 混合、 分散を行なう。 次いで、 得られ≥ 混合物に無機充填材を加え、 必要に ¾じて冷加熱処理を行ないながら、 攪拌、 溶解、 混 合、 散を行なうことによって液状エポキシ樹脂組成物が得られる。 尚、 攪拌、 溶解、 混合、 分散等の工程でディスパ一ゆプラネタリーミキサー、 ボールミル、 ビーズミル、 3本□一ル等を効果的に組み合わせて使用してもよい。
〔実細 1〜2 1および比較例 1〜3)
以" 、 本発明の樹脂組成物を実施例に基づいて具体的に説明する。 尚、 これらの実施 例は本発明の好ましい実施例であり、 本発明をこれらの実施例に限定する意味に解釈さ れるべ ではない。
実沲例 1〜2 1および比較例 1〜3のエポキシ樹脂組成物を製造する め、 以下のェ ポキシ樹脂、 硬化剤、 硬化促進剤およびカップリング剤を表"!〜 3に示す配合躉で用い だ。
エ キシ樹脂としては、 ビス A型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン (株)ェピコ
—卜 8 28、 エポキシ当 § 1 8 9)を用い^。
硬 ί匕剤の酸無水物としては、 メチルテトラヒドロ無水フタル酸 (新日本理化 (株)
ΜΗ-ァ 00、 酸無水物当重 1 6 6) 、 及び多官能型酸無水物 Α (大日本インキ化学工業
(株) B4400、酸無水物当 40)、もしくは多官能型酸無水物 B (ダイセル化学工業 (株)
PMDA (無水ピロメリット酸無水物 (1 ,2,4,5-ベンゼンテトラ力ルポン酸ニ無水物))、 酸無氷物当釐 2 1 8)を甩い 。
硬化促進剤としては、イミダゾール系マイクロカプセル型潜在性触媒 (旭化成エポキシ 、 HX3941 HR、 ァミン変性触媒(旭電化工業 (株) EH3849S)、 イミダリール(四 国化成工業 (株)、 1 B2PZ)、 リン系触媒(北興化学工業綱) TPP (卜リフエニルホスフ イン)) のいずれかを使用し^。
無機充填材として、 QS-4 (三菱レイヨン (株)、 最大粒径 14 m)、 SO-E2 ((株)アド マテックス、 最大 3 im>、 QS-9 (三菱レイヨン (株)、 最大 35 m)、 QS-8 (ョ菱レイ ヨン (株〉、 最大 30wm)、 AA04 (住友化学工業 (株)、 最大 0.5 m)のいずれかを使用し 。
欉造 (A) .耷 1分子中に 2個含 カップリング剤としては、 下記のカップリング剤 1〜 5の (Λずれ:、を使用し 。
くカップリング剤 N o. 1〉 このカップリング剤 1は、 以下の構造 (1 8) を有し、 分子 Sは 1 78である。
Figure imgf000011_0001
6οι(リ CH 3 -^ 3)
くカップリング剤 N o. 2>
このカップリング剤は、 カップリング剤 N o. 1の" I molに対して純水 0.2mol、 エタ ノール 0.05molを加えて攪拌し、 35°Cで 3hrs放置してカップリング剤 N o. 1の加水 分解を行うことによって得られた。
くカップリング剤 N o. 3〉
この力ップリング剤は、分子量 120の(CH3) 2 Si (OCH3)21 molに対して純水 0.2mol、 エタノール O.05molを加えて攒拌し、 35Cで 3hrs放置することにより得られ、 以下の 構造 ( 1 9) を有し、 平均重合度は 1.1である。
3(05H2C)Si— (O)n— Si(OC2H5)3 ( 1 9)
く力、 プリング剤 N o. 4>
このカップリング剤は、 以下の構造(20) を有し、 平均重合度は 1.1であり、 分子 璗は 1 6 1である。
3(03HC)Si— C3H6— (NH)n— C3H6— Si(OCH3)3 (20)
くカップリング剤 N o. 5>
このカップリング剤は、 以下の構造(2 Ό を有し、 ^均重合度は 2.2であり、 分子 量は 1 1 4である。
3(03HC)Si— (S)n— Si(OCH3)3 (2 1 )
尚、 必要に応じて、 従来カップリング剤であるエポキシシランカップリング剤(曰本 ュニ力一 (嶋 A187) を所定 S使用した。
—例として、 実施例 1のエポキシ樹脂組成物の製造方法を具体的に説明する。 まず、 ビスフェノール A型エポキシ樹脂と、 硬化剤の酸無水物である MH— 700および多官 能型酸無水物 Bである PMDAと、 硬化促進剤のイミダゾール "t B 2 P Zと、 カツプリ ング剤 N o . 2と、 無機充填材の合成シリカ QS— 4とを表 1に示す配合量で配合し、 これをミキサーで 3 0分間混合し 後、 3本ロールで混練しだ。 得られだ混練物を再び ミキサーで 30分間混合し、 実施例 1のエポキシ樹脂組成物を得 。
上記と実質的に同様の手法によって表 1〜 3に記載の配合組成となるように実施例 2 〜2 1のエポキシ樹脂組成物をそれぞれ作製し^。 尚、 比較例としては、 構造 (A) を 子中に 2個含 カップリング剤を使用しない場合を比較例 1、カップリング剤 N o . 1の配合量が 0.05^%に満/£ない場合を比較例 2、 およびカップリング剤 N o . 1の 配合蠆が 1.5wt%を上回る場合を比較例 3とした。
このようにして得られ ェポキシ樹脂組成物及びそれを用し、て封止した半導体装置に つし、て以下の物性評価を行つた。
①アンダーフィル浸入性
試験に用いた半導体装置は、 F R 5グレードの回路基板上の電極と、チップサイズ 0. 4mm厚、 1 Omm角の CMO Sゲートアレイ素子のチップ周辺部の電極が、 70 jt m の高さの半田バンプにより接続され ちのである。 このチップの 1辺の端部に、 ェポキ シ樹脂組成物をディスペンサ一で塗布し、 すぐに基板を 80°Cのホッ卜プレー卜上に置 いてから、 樹脂組成物が塗布し 辺と反対側の辺に到達する時間を測定した。 測定し 時間が 6 0秒以下の場合を 2分以下の場合を"△"、 2分以上の場合を" X とし Γ評 価した。
②温度サイクル(TC)試験
エポキシ樹脂組成物を浸入させた半導体部品を、 1 5 0°Cの温度で 2時間で硬化させ 1ό。 硬化後の半導体部品の電気的動作確認結果が良品であっ^ちのについて、一 5 5°C で 3 0分、 室温で 5分、 1 50°Cで 3 0分、 室温で 5分を 1サイクルとする気相の温度 サイクル試験にかけ、 1 000サイクル後の素子の動作確認を行い、 良否を判定し 。 1 0個の供試サンプル中の不良数が 0〜3個の場合を "〇、 4〜6個の場合を厶、 7~1〇 個の場合を〃 X〃として評価し^。
まだ、 同サンプルの外観検査を行ない、 樹脂フィレット部にクラックが発生している かどうかを確認した。 クラック発生し^サンプルの個数が 0〜3個の場合を "〇"、 4〜6 個の場合を"△、 7~10個の揚合を" X〃として評価した。
③ PCT (プレッシャークッ力)試験
前記と同様に、 硬化後の半導体部品の電気的動作確認結果が良品であっ ものについ て、 2気圧 1 2 1 °Cのプレッシやークッカ一試験にかけ、 168時間後の素子の動作確認 を行い、 良否を判定し 。 1〇個 ώ供試サンプル中の不良数が 0〜3個の場合を 4 〜6個の場合を厶、 了〜 10個の場合を ' 〃として評価しだ。
_t記①〜③の評価結果をそれぞれ表 1〜表 3に示す。 産業上の利用可能性
Jz記実施例から明らかなように、 上記構造 (A) を 1分子中に 2個以上有するカップ リング剤を 0.05wt%〜1.5 t%の範囲で含有する本発明のアンダーフィル用液状ェポ キシ樹脂組成物によれば、 無機充填材料の高充填化の要請に対してち良好なアンダーフ イリし浸入性を確保できる。まだ、優れた耐湿性および耐熱衝撃性が達成されることから、 本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて封止された半導体装置は高い信頼性を有するもの である。
表 1
実施例
1 2 3 4 5 6 7 8 9 匕'スフ Iノ- il A型 ΙίΤキク樹脂 Iヒ。] -ト 828 252.4 253.7 246.1 252.4 252.4 252.4 252.4 252.4 252.4 硬化剤 酸無水物 H-700 172.5 173.5 167.5 172.5 172.5 172.5 172.5 172.5 172.5 多官能型酸無水物 A 日 4400
多官能型酸無水物 B PMDA 19,2 19.3 18.7 19.2 19.2 19.2 19.2 19.2 19.2 硬化 マイク 0ァ¾化イミタ'ソ' -ル HX-3941 HP
促進剤 イミダゾ一ル 1B2P2 2.9 3.0 2.7 2.9 2.9 2.9 2.9
アミン類 EH3849S 2.9 リン系 TPP 2.9 Tリ 1 'キシシラン アリンク'剤 A-187
剤 構造 Aを"!分子中 N o. 1 0.5 15.0 3.0
に 2個含 Ci ァリ '剤 N o. 2 3.0 3.0 3.0
N o. 3 3.0
N o. 4 3.0
N o. 5 3.0
細 合成シリカ S0-E2
充填材 QS-4 550 550 550 550 550 550 550 550 550
QS-8
QS-9
アルミナ AA04
合計 (震 :量部) 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 評価 温度サイクル デバイス動作不良判定 〇 〇 △ 0 O O O O 0 試験 (TC) 樹脂クラックの判定 〇 O 厶 O O 〇 O 〇 Δ
PCT O 厶 Δ 〇 〇 Δ O 〇 Δ タ' -フ 浸入性 〇 Δ O 〇 O Δ O 〇 Δ
表 2
実施例
10 1 1 12 13 14 15 16 1了 18 ビスフ Iノ-ル A型 1$'キシ樹 Iピ] -ト 828 246.6 252.4 252.4 252.4 252.4 252.4 256.1 253.6 253.3 樹脂 脂
硬化剤 酸無水物 MH-700 172.5 172.5 172.5 172.5 172.5 172.5 169.3 182.8 181.1 多官能型酸無水物 A B4400 18.7
多官能型酸無水物 B PMDA 19.2 19.2 19.2 19.2 19.2 19.2 7.7 9.7 硬化 マイク 0カフ °セル化イミダ1 / -ル HX-3941 HP 8.7
促進剤 イミダゾール 1 B2PZ 2.9 2.9 2.9 2.9 2.9 2.9 2.9 2.9 アミン類 EH3849S
リン系 TPP
カツァリンク' °キシシランカツアリ '剤 A-187 1.0
剤 構造 Aを 1分子中 N o. 1
に 2個含 カ アリング剤 N o. 2 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 2.0 3.0 3.0 3.0
N o. 3
N o. 4
N o. 5
無機 合成シリカ SO-E2 550
充填材 QS-4 550 550 550 550 550
QS-8 550
QS-9 550
アルミナ AA04 550
合計 (aasts) 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 評価 温度サイクル デ八"イス動作不良判定 〇 〇 O 〇 〇 〇 〇 △ 〇 試験 (TC) 樹脂クラックの判定 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 厶 厶
P CT 〇 〇 O O 〇 O 〇 Δ Δ アンダ -フィル浸入性 〇 〇 Δ Δ △ 〇 〇 〇 〇
表 3
実施例 比較例
19 20 21 1 2 3 'キシ 匕'スフ Iノ-ル A型 1ぁ°キ 樹脂 I匕。 ]-ト 828 244.3 244.1 253.8 252.4 253.8 244.0 樹脂
硬化剤 酸無水物 H-700 1 19.8 1 17.9 189.5 172.5 173.5 167.8 多官能型酸無水物 A B4400
多官能型酸無水物 B PMDA 79.9 82.0 19.2 19.3 18,7 マイク 0カフ'セル化イミダ' / -ル HX-3941 HP
促進剤 イミダゾ一ル 1 B2PZ 2.9 2.9 3.2 2.9 3.0 3.5 アミン類 EH3849S
リン系 TPP
力 フ'リンク' 1市°キ^ランカ 'リンク'剤 A - 187 1,0 3.0
剤 構造 Aを 1分子中 N o. 1 0.4 16.0 に 2個含€ アリンゲ剤 N o. 2 3.0 3.0 2.5
N o. 3
N o. 4
N o. 5
無機 合成シリカ SO-E2
充填材 QS-4 550 550 550 550 550 550
QS-8
QS-9
アルミナ AA04
口き T KA 部) 999.9 999.9 1000 1000 1000 1000 評価 温度サイクル デバイス動作不良判定 〇 〇 厶 厶 Ο X
試験 (TC) 樹脂クラックの判定 〇 Δ 〇 Δ Ο 厶
PCT 〇 O Ο X 厶 X アンダ.-フィル浸入性 厶 Δ 〇 X X 〇

Claims

請求の範囲
1 . エポキシ樹脂、 硬化剤、 硬化促進剤、 無機充填材および力' プリング剤を含 ¾アン ダ一フィル用液状エポキシ樹脂組成物であって、 前記力ップリング剤は次式で示される 構造 (A) を 1分子中に 2個以上有し、 前記樹脂組成物中における前記カップリング剤 の含有量は 0.05wt%~1.5wt%である。
— S i (O R) nH 3-n (n= 1〜3) … (A)
2. 請求項"!に記載のエポキシ樹脂組成物において、
上記カツプリング剤は、エポキシ樹脂組成物の他の成分との混合に先立って純水ち しくはアルコール類にて加水分解される。
3. 請求項 1に記載のエポキシ樹脂組成物において、
上記カップリング剤の少なくとち 2個の構造(A)の間は、 (-NH- )n、 (- S-)n、 CH2-)n. (_〇-)n、 (一 C=〇) から選ばれる 1種によって連結される。
4. 請求項 1に記載のエポキシ樹脂組成物において、
上記硬化促進剤は、 3級ァミン、 マイクロカプセル型潜在性イミダゾールの中から 選択される少なくとも 1種である。
5. 請求項 1に記載のエポキシ樹脂組成物において、
上記無機充填材の最大粒径は、 0.5 a m〜30 mである。
6. 請求項 1に記載のエポキシ樹脂組成物において、
上記硬化剤は、 酸無水物型で 3官能以上のものを硬化剤中に 5〜40wt%含 ,
7. 請求項 1に記載のエポキシ樹脂組成物を用いて封止したフリップチップ型半導体装 置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007169445A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Matsushita Electric Works Ltd アンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2008050544A (ja) * 2006-08-28 2008-03-06 Matsushita Electric Works Ltd エポキシ樹脂組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法。
WO2008072491A1 (ja) * 2006-12-11 2008-06-19 Sharp Kabushiki Kaisha Icチップ実装パッケージ及びその製造方法
WO2012018684A1 (en) 2010-08-04 2012-02-09 3M Innovative Properties Company Encapsulating resin composition
CN102850721A (zh) * 2005-11-25 2013-01-02 日立化成工业株式会社 电子零件用液状树脂组合物及电子零件装置
JP2014111704A (ja) * 2012-11-07 2014-06-19 Panasonic Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02210853A (ja) * 1989-02-10 1990-08-22 Nitto Denko Corp 半導体装置
JPH04216819A (ja) * 1990-12-17 1992-08-06 Toshiba Chem Corp 一液性エポキシ樹脂組成物
JPH0867805A (ja) * 1994-08-29 1996-03-12 Matsushita Electric Works Ltd 液状エポキシ樹脂組成物
JPH10231351A (ja) * 1997-02-18 1998-09-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状注入封止アンダーフィル材料
JP2000198831A (ja) * 1998-12-28 2000-07-18 Nagase Chiba Kk エポキシ樹脂組成物およびそれを用いてlsiを封止する方法
JP2001031841A (ja) * 1999-07-21 2001-02-06 Hitachi Chem Co Ltd 電子部品封止用エポキシ樹脂組成物
JP2001055486A (ja) * 1999-06-09 2001-02-27 Shin Etsu Chem Co Ltd フリップチップ型半導体装置用アンダーフィル材及びフリップチップ型半導体装置
JP2002012742A (ja) * 2000-06-28 2002-01-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002097341A (ja) * 2000-09-20 2002-04-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002105172A (ja) * 2000-10-04 2002-04-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003201386A (ja) * 2001-10-30 2003-07-18 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02210853A (ja) * 1989-02-10 1990-08-22 Nitto Denko Corp 半導体装置
JPH04216819A (ja) * 1990-12-17 1992-08-06 Toshiba Chem Corp 一液性エポキシ樹脂組成物
JPH0867805A (ja) * 1994-08-29 1996-03-12 Matsushita Electric Works Ltd 液状エポキシ樹脂組成物
JPH10231351A (ja) * 1997-02-18 1998-09-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状注入封止アンダーフィル材料
JP2000198831A (ja) * 1998-12-28 2000-07-18 Nagase Chiba Kk エポキシ樹脂組成物およびそれを用いてlsiを封止する方法
JP2001055486A (ja) * 1999-06-09 2001-02-27 Shin Etsu Chem Co Ltd フリップチップ型半導体装置用アンダーフィル材及びフリップチップ型半導体装置
JP2001031841A (ja) * 1999-07-21 2001-02-06 Hitachi Chem Co Ltd 電子部品封止用エポキシ樹脂組成物
JP2002012742A (ja) * 2000-06-28 2002-01-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002097341A (ja) * 2000-09-20 2002-04-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002105172A (ja) * 2000-10-04 2002-04-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003201386A (ja) * 2001-10-30 2003-07-18 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102850721A (zh) * 2005-11-25 2013-01-02 日立化成工业株式会社 电子零件用液状树脂组合物及电子零件装置
JP2007169445A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Matsushita Electric Works Ltd アンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4534980B2 (ja) * 2005-12-21 2010-09-01 パナソニック電工株式会社 アンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2008050544A (ja) * 2006-08-28 2008-03-06 Matsushita Electric Works Ltd エポキシ樹脂組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法。
WO2008072491A1 (ja) * 2006-12-11 2008-06-19 Sharp Kabushiki Kaisha Icチップ実装パッケージ及びその製造方法
US8193627B2 (en) 2006-12-11 2012-06-05 Sharp Kabushiki Kaisha IC chip mounting package provided with IC chip located in device hole formed within a package base member
WO2012018684A1 (en) 2010-08-04 2012-02-09 3M Innovative Properties Company Encapsulating resin composition
JP2014111704A (ja) * 2012-11-07 2014-06-19 Panasonic Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置

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Publication number Publication date
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