JP2002097341A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 室温及び半田付け工程での反りが小さく、金
メッキやソルダーレジストとの密着性に優れるため耐半
田性や耐温度サイクル性等の信頼性に優れるエリア実装
型半導体装置に適した半導体封止用エポキシ樹脂組成物
を得ること。 【解決手段】 総エポキシ樹脂中に３０重量％以上の式
（１０）のエポキシ樹脂、総フェノール樹脂中に３０重
量％以上の式（１１）のフェノール樹脂、硬化促進剤、
式（１２）の化合物、及び総エポキシ樹脂組成物中に８
０〜９０重量％の溶融シリカを必須成分とするエポキシ
樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板や
金属リードフレームの片面に半導体素子を搭載し、その
搭載面側の実質的に片面のみを樹脂封止されたいわゆる
エリア実装型半導体装置に適した半導体封止用エポキシ
樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子機器の小型化、軽量化、高性
能化の市場動向において、半導体素子の高集積化が年々
進み、又、半導体装置の表面実装化が促進されるなか
で、新規にエリア実装型半導体装置が開発され、従来構
造の半導体装置から移行し始めている。エリア実装型半
導体装置としてはＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）或い
は更に小型化を追求したＣＳＰ（チップスケールパッケ
ージ）等が代表的であるが、これらは従来ＱＦＰ、ＳＯ
Ｐに代表される表面実装型半導体装置では限界に近づい
ている多ピン化・高速化への要求に対応するために開発
されたものである。構造としては、ＢＴ樹脂／銅箔回路
基板（ビスマレイミド・トリアジン樹脂／ガラスクロス
基板）に代表される硬質回路基板、或いはポリイミド樹
脂フィルム／銅箔回路基板に代表されるフレキシブル回
路基板の片面上に半導体素子を搭載し、その半導体素子
搭載面、即ち基板の片面のみがエポキシ樹脂組成物等で
成形・封止されている。又、基板の半導体素子搭載面の
反対面には半田ボールを２次元的に並列して形成し、半
導体装置を実装する回路基板との接合を行う特徴を有し
ている。更に、半導体素子を搭載する基板としては、上
記の有機回路基板以外にもリードフレーム等の金属基板
を用いる構造も開発されている。

【０００３】これらエリア実装型半導体装置の構造は、
基板の半導体素子搭載面のみをエポキシ樹脂組成物で封
止し、半田ボール形成面側は封止しないという片面封止
の形態をとっている。リードフレーム等の金属基板等で
は、半田ボール形成面でも数十μｍ程度の封止樹脂層が
存在することもあるが、半導体素子搭載面では数百μｍ
から数ｍｍ程度の封止樹脂層が形成されるため、実質的
に片面封止となっている。このため、有機基板や金属基
板とエポキシ樹脂組成物の硬化物との間での熱膨張・熱
収縮の不整合、或いはエポキシ樹脂組成物の成形硬化時
の硬化収縮による影響で、これらの半導体装置では成形
直後から反りが発生しやすい。更に、これらの半導体装
置を実装する回路基板上に半田接合を行う場合、２００
℃以上の加熱工程を経るが、この際にも半導体装置の反
りが発生し、多数の半田ボールが平坦とならず、半導体
装置を実装する回路基板から浮き上がってしまい、電気
的接合の信頼性が低下する問題が起こる。

【０００４】又、赤外線リフロー、ベーパーフェイズソ
ルダリング、半田浸漬等の手段での半田処理による半田
接合を行う場合、エポキシ樹脂組成物の硬化物並びに有
機基板からの吸湿により半導体装置内部に存在する水分
が高温で急激に気化することによる応力で半導体装置に
クラックが発生したり、有機基板の半導体素子搭載面と
エポキシ樹脂組成物の硬化物との界面で剥離が発生する
こともあり、エポキシ樹脂組成物の低応力化・低吸湿化
とともに、有機基板との接着性も求められる。更に、有
機基板とエポキシ樹脂組成物の硬化物の熱膨張の不整合
により、信頼性テストの代表例である温度サイクル試験
でも、有機基板／エポキシ樹脂組成物の硬化物の界面の
剥離やクラックが発生する。従来のＱＦＰやＳＯＰ等の
表面実装型半導体装置では、半田実装時のクラックや各
素材界面での剥離の防止のために、ビフェニル型エポキ
シ樹脂に代表されるような結晶性エポキシ樹脂と、可撓
性骨格を有するフェノール樹脂とを組み合わせて用い、
かつ無機充填材の配合量を増加することにより、ガラス
転移温度（以下、Ｔｇという）の低下、及び低吸湿化を
行う対策がとられてきた。しかし、この手法では、片面
封止パッケージにおける反りの問題は解決できないのが
現状であった。

【０００５】基板上の実質的に片面のみをエポキシ樹脂
組成物で封止した半導体装置において、反りを低減する
には、基板の熱膨張係数とエポキシ樹脂組成物の硬化物
の熱膨張係数とを近づけること、及びエポキシ樹脂組成
物の硬化物の硬化収縮量を小さくすることの二つの方法
が重要である。基板としては、有機基板ではＢＴ樹脂や
ポリイミド樹脂のような高いＴｇを有する樹脂が広く用
いられており、これらはエポキシ樹脂組成物の成形温度
である１７０℃近辺よりも高いＴｇを有する。従って、
成形温度から室温までの冷却過程では有機基板の線膨張
係数（以下、α１という）の領域のみで収縮する。従っ
て、エポキシ樹脂組成物の硬化物も、Ｔｇが高くかつα
１が有機基板と同じで、更に硬化収縮量がゼロであれ
ば、反りはほぼゼロであると考えられる。このため、多
官能型エポキシ樹脂と多官能型フェノール樹脂との組み
合わせによりＴｇを高くし、無機充填材の配合量でα１
を合わせる手法が既に提案されている。

【０００６】ところが、一分子中に３個以上のエポキシ
基を有する多官能型エポキシ樹脂と、一分子中に３個以
上のフェノール性水酸基を有する多官能型フェノール樹
脂とを組み合わせた系は、吸湿率が大きいこと、各々の
樹脂の粘度が高いため無機充填材を高充填することがで
きず低吸湿化が困難なこと、半田処理温度でも高弾性を
示し発生応力が高いこと等から、半田処理時のパッケー
ジクラックの発生や界面剥離の発生が解決されていな
い。中でも、金メッキとエポキシ樹脂組成物の硬化物と
の界面、又はソルダーレジストとエポキシ樹脂組成物の
硬化物との界面で剥離が発生しており、金メッキやソル
ダーレジストとの密着性を高めたエポキシ樹脂組成物の
開発が急務である。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、成形後や半
田処理時の反りが小さく、又、金メッキやソルダーレジ
ストとの密着性に特に優れるため、耐半田性や耐温度サ
イクル性に優れ、エリア実装型半導体装置に適した半導
体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体
装置を提供するものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】即ち本発明は、（Ａ）一
般式（１）〜（５）で示され、かつ融点が５０〜１５０
℃のエポキシ樹脂からなる群から選択される１種以上の
エポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に３０重量％以上含む
エポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（６）で示されるフェノー
ル樹脂を総フェノール樹脂中に３０重量％以上含むフェ
ノール樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）一般式
（７）〜（９）で示される化合物から選択される１種以
上の化合物、及び（Ｅ）溶融シリカを必須成分とし、か
つ総エポキシ樹脂組成物中に前記溶融シリカを８０〜９
０重量％含むことを特徴とするエリア実装型半導体封止
用エポキシ樹脂組成物、及び基板の片面に半導体素子が
搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質
的に片面のみが前記のエポキシ樹脂組成物を用いて封止
されていることを特徴とする半導体装置である。

【化７】 （一般式（１）〜（４）中のＲ１は、水素原子又は炭素
数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても
異なっていてもよい。）

【０００９】

【化８】 （式中、Ｒ２は炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互
いに同一であっても異なっていてもよい。ｌは平均値で
あり、１〜７の正の数、ａは０もしくは１〜４の整数、
ｂは０もしくは１〜３の整数、ｃは０もしくは１〜２の
整数である。）

【００１０】

【化９】 （式中、Ｒ２は炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互
いに同一であっても異なっていてもよい。ｌは平均値で
あり、１〜１０の正の数、ａは０もしくは１〜４の整
数、ｂは０もしくは１〜３の整数である。）

【００１１】

【化１０】 （式中、Ｒ３は炭素数１〜１０のアルコキシ基、Ｒ４は
炭素数１〜１０のアルキル基、Ｒ５は水素原子、フェニ
ル基、炭素数１〜１０のアルキル基、又はアミノ基であ
る。ｋは平均値で１〜５の正数。ｍは１〜５の整数。ｎ
は１〜３の整数。）

【００１２】

【化１１】 （式中、Ｒ６は炭素数１〜１０のアルコキシ基であ
る。）

【００１３】

【化１２】 （式中、Ｒ７は炭素数１〜１０のアルコキシ基であ
る。）

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明に用いられるエポキシ樹脂
のうち、一般式（１）〜（５）で示され、かつ融点５０
〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂は、融点未満の温度で
は固体であるが、融点以上の温度では低粘度の液状物質
となる。このため融点が５０℃未満だと、エポキシ樹脂
組成物の製造工程において融着を起こしやすく、作業性
が著しく低下するので好ましくない。又、融点が１５０
℃を越えると、エポキシ樹脂組成物を加熱混練する製造
工程で充分に溶融しないため、材料の均一性に劣るとい
った問題点を生じるので好ましくない。これらは単独で
も混合して用いても良い。これらの具体例を以下に示す
が、これらに限定されるものではない。

【化１３】

【００１５】

【化１４】

【００１６】

【化１５】

【００１７】

【化１６】

【００１８】

【化１７】 本発明におけるエポキシ樹脂の融点は、示差走査熱量計
［セイコー電子（株）製・ＳＳＣ／５２００］を用い
て、吸熱ピーク温度（昇温速度５℃／分）から求めた。

【００１９】本発明に用いられる結晶性エポキシ樹脂
は、フェノールノボラック樹脂や可撓性骨格を導入した
フェノール樹脂硬化剤との組み合わせでは架橋密度が低
く、耐熱性の低い硬化物しか得られない。しかし構造と
して剛直な平面ないし棒状の骨格を有しており、かつ結
晶化する性質、即ち分子同士が配向しやすいという特徴
を有するため、一般式（６）で示される多官能型フェノ
ール樹脂硬化剤を併用した場合、硬化後の多官能型フェ
ノール樹脂による架橋構造の架橋密度は低下させても、
Ｔｇ等の耐熱性は低下させない特徴がある。通常の２官
能非結晶性エポキシ樹脂では、多官能型フェノール樹脂
と組み合わせても、架橋密度が低下すると共に、Ｔｇの
大幅な低下も起こってしまう。更に、本発明に用いられ
る結晶性エポキシ樹脂と多官能型フェノール樹脂とを組
み合わせた場合、一旦Ｔｇを越えた温度領域では、低官
能基数化合物の特徴である低弾性率を示すため、半田処
理温度での低応力化に効果的である。このため、半田処
理での半導体装置のクラックの発生や、基板とエポキシ
樹脂組成物の硬化物との界面の剥離の発生を防止する効
果がある。又、本発明に用いられる結晶性エポキシ樹脂
は、溶融状態では低粘度を示すため、成形時にエポキシ
樹脂組成物の流動性が高くなり、薄型半導体装置への充
填性に優れる。更に、本発明に用いられる結晶性エポキ
シ樹脂は低粘度であるため、溶融シリカを高充填するこ
とが可能で、線膨張係数を小さくできるため、半導体装
置の反りを低減できる。

【００２０】本発明の一般式（１）〜（５）で示され、
かつ融点５０〜１５０℃のエポキシ樹脂は、他のエポキ
シ樹脂と併用しても良い。併用できるエポキシ樹脂とし
ては、特に限定されるものではないが、例えば、エポキ
シ基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指
し、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、オルソ
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトール型エ
ポキシ樹脂等が挙げられ、これらのエポキシ樹脂は単独
でも混合して用いても良い。本発明の一般式（１）〜
（５）で示され、かつ融点５０〜１５０℃のエポキシ樹
脂は、総エポキシ樹脂中に３０重量％以上含まれること
が必要である。３０重量％未満だと、熱時の低弾性化や
低粘度化の効果が得難く、従って基板との高密着性が発
現せず、好ましくない。

【００２１】本発明に用いられるフェノール樹脂硬化剤
は、一般式（６）で示されるフェノール樹脂で、いわゆ
るトリフェノールメタン型フェノール樹脂と呼ばれるも
のである。具体例を以下に示すが、これらに限定される
ものではない。

【化１８】 一般式（６）で示されるフェノール樹脂を使用すると、
硬化物の架橋密度が高くなり、Ｔｇの高い硬化物が得ら
れる。一般式（６）で示されるフェノール樹脂は、Ｔｇ
の点から、総フェノール樹脂中に３０重量％以上含まれ
ることが必要である。３０重量％未満だと、Ｔｇが低下
し、又、硬化収縮率も大きくなり、成形後の半導体装置
の反り量が大きくなるので好ましくない。一般式（６）
で示されるフェノール樹脂は、他のフェノール樹脂と併
用しても良い。併用できるフェノール樹脂としては、特
に限定されるものではないが、例えば、フェノールノボ
ラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノ
ボラック樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して
用いても良い。

【００２２】本発明に用いられる硬化促進剤としては、
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂硬化剤との架橋反応
の触媒となり得るものを指し、具体的には、トリブチル
アミン等のアミン系化合物、トリフェニルホスフィン、
テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート
塩等の有機リン系化合物、２−メチルイミダゾール等の
イミダゾール化合物等が例示できるが、これらに限定さ
れるものではない。これらの硬化促進剤は、単独でも混
合して用いても良い。

【００２３】本発明に用いられるシランカップリング剤
は、一般式（７）〜（９）で示される化合物から選択さ
れる１種以上の化合物である。一般式（７）で示される
シランカップリング剤は、ポリエチレンイミン変性部分
を含んでおり、このポリエチレンイミン変性部分を含ん
でいることにより樹脂成分との反応性が高くなると同時
に、溶融シリカや各種基材表面の水酸基と反応すること
により、接着強度が高まり、耐半田性を向上させること
ができる。一般式（７）中のｎは、アルコキシ基が溶融
シリカや各種基材との接着強度を向上させることから、
ｎ＝３が最も好ましい。又、アルコキシ基の炭素数を調
整することにより、該シランカップリング剤と樹脂成分
や溶融シリカとの反応性を調整することができる。又、
ｍ＝３が、入手し易さの点から好ましい。又、ｋが大き
くなるに従い、該シランカップリング剤の粘度が上昇
し、エポキシ樹脂組成物中での均一混合が困難となる。
このようなシランカップリング剤を用いる場合は、アル
コール等に溶解させ粘度を調整して用いてもよい。

【００２４】一般式（８）で示されるシランカップリン
グ剤は、イソシアヌネート環を含んでおり、このイソシ
アヌネート環を含んでいることにより樹脂成分との濡れ
性が向上すると同時に、極性構造のため各種基材との接
着強度を向上させることができる。又、アルコキシ基の
炭素数を調整することにより、該シランカップリング剤
と樹脂成分や溶融シリカとの反応性を調整することがで
きる。

【００２５】一般式（９）で示されるシランカップリン
グ剤は、分子中に４つの硫黄原子が結合したスルフィド
結合を有し、この結合によって金属、特に他のシランカ
ップリング剤では高い接着力が得られにくい、金、銀、
ニッケル等の金属表面との接着性を向上させる効果があ
る。又、アルコキシ基の炭素数を調整することにより、
該シランカップリング剤と樹脂成分や無機充填材との反
応性を調整することができる。

【００２６】本発明の一般式（７）〜（９）で示される
シランカップリング剤は、他のシランカップリング剤と
併用しても良い。併用できるシランカップリング剤とし
ては、特に限定されるものではないが、１分子中にアル
コキシシリル基と、エポキシ基等の有機官能基を有する
シラン化合物全般を指し、例えば、γ−アミノプロピル
トリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−
アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロ
ピルトリエトキシシラン等のアミノ基を有するシラン、
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−
（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキ
シシラン等のエポキシ基を有するシラン、γ−メルカプ
トプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト基を有す
るシラン、ビニルトリメトキシシラン等のビニル基を有
するシラン、γ−（メタクリロキシプロピル）トリメト
キシシラン等のメタクリル基を有するシラン等が挙げら
れ、これらは単独でも混合して用いても良い。

【００２７】一般式（７）〜（９）で示されるシランカ
ップリング剤は、予めアルコキシ基の一部又は全部を加
水分解した加水分解物として添加してもよい。この場
合、予めアルコキシ基が加水分解されているため、無機
充填材や各種基材表面の水酸基と容易に水素結合或いは
共有結合を形成し、耐半田性を向上させることができ
る。

【００２８】通常、シランカップリング剤は、エポキシ
樹脂組成物中にインテグラルブレンドにより混合される
が、本発明の一般式（７）〜（９）で示されるシランカ
ップリング剤の全部又は一部を、予めエポキシ樹脂やフ
ェノール樹脂の全部又は一部に加熱混合してもよい。シ
ランカップリング剤は、半導体装置の内部に存在する各
種基材とエポキシ樹脂組成物の硬化物との界面の親和性
向上や化学結合の形成による界面接着強度の向上にも効
果がある。この場合は、配合されたシランカップリング
剤が、エポキシ樹脂組成物の成形時に各種基材との界面
に効率的に移行し易いことが必要になる。このために有
効な手法が、シランカップリング剤を予め樹脂成分に加
熱混合させる方法である。

【００２９】一方、シランカップリング剤は、無機充填
材表面に存在することにより、無機充填材とエポキシ樹
脂組成物中の有機成分を化学的に結合させ、界面の接着
性の向上に有効であると考えられる。このように無機充
填材と有機成分の界面の接着性を向上させるためには、
シランカップリング剤が無機充填材表面に存在すること
が必要で、このために本発明の一般式（７）〜（９）で
示されるシランカップリング剤で、溶融シリカ表面を処
理することが、界面接着強度の向上により、熱時強度や
耐半田性の向上に効果がある。溶融シリカの表面にシラ
ンカップリング剤を処理する方法としては、攪拌されて
いる溶融シリカにシランカップリング剤或いはアルコー
ル等に溶解した溶液を噴霧し、更に攪拌を行った後に室
温に放置したり、或いは加熱することにより表面処理溶
融シリカを得る方法等が挙げられる。更に、表面処理し
た溶融シリカの他に、シランカップリング剤をインテグ
ラルブレンド又は樹脂成分と予め加熱混合する手法と併
用してもよい。

【００３０】本発明に用いられる溶融シリカは、破砕
状、球状のいずれでも使用可能であるが、溶融シリカの
配合量を高め、かつエポキシ樹脂組成物の溶融粘度の上
昇を抑えるためには、球状溶融シリカを主に用いる方が
好ましい。更に球状溶融シリカの配合量を高めるために
は、球状溶融シリカの粒度分布をより広くとるよう調整
することが望ましい。本発明の溶融シリカは、総エポキ
シ樹脂組成物中に８０〜９０重量％含まれることが必要
である。８０重量％未満だと、成形温度から室温までの
冷却課程での熱収縮量が基板の熱収縮量よりも大きくな
り過ぎ、室温における半導体装置の反り量が大きくなっ
てしまい、又、半導体装置の吸湿量も大きくなるため、
吸湿後の半田処理時に半導体装置のクラックや基板／エ
ポキシ樹脂組成物の界面での剥離の発生が起こり易くな
るので好ましくない。９０重量％を越えると、エポキシ
樹脂組成物の成形時の粘度が高過ぎるため金線変形が起
こり易くなるので好ましくない。

【００３１】本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｅ）成分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、酸
化アンチモン、リン化合物等の難燃剤、シリコーンオイ
ル、シリコーンゴム等の低応力成分、天然ワックス、合
成ワックス、高級脂肪酸及びその金属塩類もしくはパラ
フィン等の離型剤、カーボンブラック等の着色剤、酸化
防止剤等の各種添加剤を配合することができる。本発明
のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成分、及びそ
の他の添加剤等をミキサーを用いて常温混合し、ロー
ル、押出機等の混練機で加熱混練し、冷却後粉砕して得
られる。本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体
素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するに
は、トランスファーモールド、コンプレッションモール
ド、インジェクションモールド等の成形方法で硬化成形
すればよい。特に、本発明のエポキシ樹脂組成物は、エ
リア実装型半導体装置用に適している。

【００３２】

【実施例】以下、本発明を実施例で具体的に説明する。
配合割合は重量部とする。 《実施例１》 式（１０）で示される構造を主成分とするビフェニル型エポキシ樹脂［融点１ ０５℃、エポキシ当量１９５］ ８．００重量部

【化１９】

【００３３】 式（１１）で示されるフェノール樹脂［軟化点１０７℃、水酸基当量９７］ ４．００重量部

【化２０】

【００３４】 トリフェニルホスフィン ０．２０重量部 式（１２）で示されるシランカップリング剤 ０．５０重量部

【化２１】 球状溶融シリカ ８６．７０重量部 カルナバワックス ０．３０重量部 カーボンブラック ０．３０重量部 をミキサーで混合した後、表面温度が９０℃と４５℃の
２本ロールを用いて混練し、冷却後粉砕して、エポキシ
樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を以下
の方法で評価した。結果を表１に示す。

【００３５】《評価方法》 ・スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパ
イラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５
℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒で測定し
た。 ・熱時弾性率：２４０℃での曲げ弾性率をＪＩＳ Ｋ
６９１１に準じて測定した。 ・ガラス転移温度（Ｔｇ）、及び線膨張係数（α１）：
金型温度１７５℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間１
２０秒でトランスファー成形したテストピースを、更に
１７５℃、８時間で後硬化し、熱機械分析装置［セイコ
ー電子（株）・製ＴＭＡ−１２０、昇温速度５℃／分）
を用いて測定した。 ・パッケージ反り量：２２５ピンＢＧＡパッケージ（基
板は０．３６ｍｍ厚のＢＴ樹脂基板、パッケージサイズ
は２４×２４ｍｍ、厚み１．１７ｍｍ、シリコンチップ
はサイズ９×９ｍｍ、厚み０．３５ｍｍ、チップと回路
基板のボンディングパッドとを２５μｍ径の金線でボン
ディングしている）を金型温度１８０℃、注入圧力７．
４ＭＰａ、硬化時間１２０秒でトランスファー成形し、
更に１７５℃、８時間で後硬化した。室温に冷却後、パ
ッケージのゲートから対角線方向に、表面粗さ計を用い
て高さ方向の変位を測定し、変異差の最も大きい値を反
り量とした。 ・耐半田性：パッケージ反り量測定に用いた２２５ピン
ＢＧＡパッケージを８５℃、相対湿度６０％の環境下で
１６８時間放置し、その後、最高温度２４０℃で１０秒
通るＩＲリフロー炉に３回連続で通した。超音波探傷機
を用いて観察し、内部クラック数、金メッキ部−エポキ
シ樹脂組成物の硬化物との界面の剥離数、及びソルダー
レジスト−エポキシ樹脂組成物の硬化物との界面の剥離
数を、それぞれ（不良発生パッケージ数）／（全パッケ
ージ数）で％表示した。 ・金線変形率：パッケージ反り量の測定に用いた２２５
ピンＢＧＡパッケージを軟Ｘ線透視装置で観察し、金線
変形率を（流れ量）／（金線長）で％表示した。

【００３６】《実施例２〜４８、比較例１〜１６》表１
〜表８の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキシ樹
脂組成物を得、実施例１と同様にして評価した。結果を
表１〜表８に示す。実施例及び比較例で使用した式（１
３）〜（１７）で示されるエポキシ樹脂、式（１８）で
示されるフェノール樹脂、式（１９）、式（２０）で示
されるシランカップリング剤の構造及び性状を以下に示
す。

【化２２】

【００３７】

【化２３】

【００３８】

【化２４】 ・式（１３）で示される構造を主成分とするエポキシ樹
脂：融点１４４℃、エポキシ当量１７５、 ・式（１４）で示される構造を主成分とするエポキシ樹
脂：融点５２℃、エポキシ当量２２５、 ・式（１５）で示される構造を主成分とするエポキシ樹
脂：融点８２℃、エポキシ当量１９０、 ・式（１６）で示されるエポキシ樹脂：融点１３３℃、
エポキシ当量１８２、 ・式（１７）で示されるエポキシ樹脂：軟化点６５℃、
エポキシ当量２００、 ・式（１８）で示されるフェノール樹脂：軟化点８０
℃、水酸基当量１０４

【００３９】

【表１】

【００４０】

【表２】

【００４１】

【表３】

【００４２】

【表４】

【００４３】

【表５】

【００４４】

【表６】

【００４５】

【表７】

【００４６】

【表８】

【００４７】

【発明の効果】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は、金メッキやソルダーレジストとの密着性に優れて
おり、又、これを用いたエリア実装型半導体装置は、室
温及び半田付け工程での反りが小さく、耐半田性や耐温
度サイクル性等の信頼性に優れるものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｋ 5/544 Ｃ０８Ｋ 5/544 5/548 5/548 5/55 5/55 Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 Ｆターム(参考） 4J002 CC03X CD04W CD05W CD06W CD17W DJ017 EN048 EU118 EW138 EX076 EX086 EY018 FD017 FD14X FD158 FD206 GQ05 4J036 AA01 AC01 AD07 AD08 AJ07 DC40 DD07 FA05 FB08 GA06 JA07 4M109 AA01 BA03 CA21 EA03 EB03 EB04 EB06 EB13 EC05

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）一般式（１）〜（５）で示され、
   かつ融点が５０〜１５０℃のエポキシ樹脂からなる群か
   ら選択される１種以上のエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂
   中に３０重量％以上含むエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式
   （６）で示されるフェノール樹脂を総フェノール樹脂中
   に３０重量％以上含むフェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）硬
   化促進剤、（Ｄ）一般式（７）〜（９）で示される化合
   物から選択される１種以上の化合物、及び（Ｅ）溶融シ
   リカを必須成分とし、かつ総エポキシ樹脂組成物中に前
   記溶融シリカを８０〜９０重量％含むことを特徴とする
   エリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （一般式（１）〜（４）中のＲ１は、水素原子又は炭素
   数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても
   異なっていてもよい。） 【化２】 （式中、Ｒ２は炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互
   いに同一であっても異なっていてもよい。ｌは平均値で
   あり、１〜７の正の数、ａは０もしくは１〜４の整数、
   ｂは０もしくは１〜３の整数、ｃは０もしくは１〜２の
   整数である。） 【化３】 （式中、Ｒ２は炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互
   いに同一であっても異なっていてもよい。ｌは平均値で
   あり、１〜１０の正の数、ａは０もしくは１〜４の整
   数、ｂは０もしくは１〜３の整数である。） 【化４】 （式中、Ｒ３は炭素数１〜１０のアルコキシ基、Ｒ４は
   炭素数１〜１０のアルキル基、Ｒ５は水素原子、フェニ
   ル基、炭素数１〜１０のアルキル基、又はアミノ基であ
   る。ｋは平均値で１〜５の正数。ｍは１〜５の整数。ｎ
   は１〜３の整数。） 【化５】 （式中、Ｒ６は炭素数１〜１０のアルコキシ基であ
   る。） 【化６】 （式中、Ｒ７は炭素数１〜１０のアルコキシ基であ
   る。）
2. 【請求項２】 基板の片面に半導体素子が搭載され、こ
   の半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみ
   が請求項１記載のエポキシ樹脂組成物を用いて封止され
   ていることを特徴とする半導体装置。