JP2605970B2 - 半導体チップ用ダイボンディング樹脂及びそれを用いた半導体装置。 - Google Patents
半導体チップ用ダイボンディング樹脂及びそれを用いた半導体装置。Info
- Publication number
- JP2605970B2 JP2605970B2 JP5173707A JP17370793A JP2605970B2 JP 2605970 B2 JP2605970 B2 JP 2605970B2 JP 5173707 A JP5173707 A JP 5173707A JP 17370793 A JP17370793 A JP 17370793A JP 2605970 B2 JP2605970 B2 JP 2605970B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die bonding
- bonding resin
- semiconductor chip
- resin
- die
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを配線基
板あるいは金属板上にダイボンディングする半導体チッ
プ用ダイボンディング樹脂及びそれを用いた半導体装置
に関して、特に、基板上の配線や金属板との電気的な接
続を必要としないものに関するものである。
板あるいは金属板上にダイボンディングする半導体チッ
プ用ダイボンディング樹脂及びそれを用いた半導体装置
に関して、特に、基板上の配線や金属板との電気的な接
続を必要としないものに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体チップ用ダイボンディング
樹脂及びそれを用いた半導体装置について、図２，３及
び４で説明する。この従来のダイボンディング樹脂に
は、一般に、ＳｉＯ2 をフィラーとしたエポキシ樹脂が
用いられていた。ここで用いられるフィラー５は、基板
２上の配線３と半導体チップ１あるいは金属板と半導体
チップ１の絶縁性を保証することを前提に製造されてい
ないため、特に、図４の場合のような、膜厚が７〜４０
μｔの配線導体３を有する基板２にダイボンディングす
ると、フィラー５の径小およびフィラー５の径不均一の
ため、絶縁性を確保するための十分な間隔を得られない
という欠点があった。このため図２のように、半導体チ
ップ１をダイボンディングする部分に導体配線を設けな
いようにするか、または図３のように、導体配線３上に
絶縁層７を設けることにより絶縁性を確保する対策が採
られていた。
樹脂及びそれを用いた半導体装置について、図２，３及
び４で説明する。この従来のダイボンディング樹脂に
は、一般に、ＳｉＯ2 をフィラーとしたエポキシ樹脂が
用いられていた。ここで用いられるフィラー５は、基板
２上の配線３と半導体チップ１あるいは金属板と半導体
チップ１の絶縁性を保証することを前提に製造されてい
ないため、特に、図４の場合のような、膜厚が７〜４０
μｔの配線導体３を有する基板２にダイボンディングす
ると、フィラー５の径小およびフィラー５の径不均一の
ため、絶縁性を確保するための十分な間隔を得られない
という欠点があった。このため図２のように、半導体チ
ップ１をダイボンディングする部分に導体配線を設けな
いようにするか、または図３のように、導体配線３上に
絶縁層７を設けることにより絶縁性を確保する対策が採
られていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
では、例えば図２の場合、ダイボンディングエリアを導
体配線用に有効活用できないため、半導体装置の小型化
に制約があった。また、図３の場合では、ダイボンディ
ングエリアが有効に活用できるものの、導体配線を絶縁
層により保護しなくてはならないため、基板が比較的高
価なものとなっていた。
では、例えば図２の場合、ダイボンディングエリアを導
体配線用に有効活用できないため、半導体装置の小型化
に制約があった。また、図３の場合では、ダイボンディ
ングエリアが有効に活用できるものの、導体配線を絶縁
層により保護しなくてはならないため、基板が比較的高
価なものとなっていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、１０μ以上の
径を有する種々のサイズの絶縁粒子を含有するダイボン
ディング樹脂であって、５０〜１００μサイズの金属酸
化物、金属窒化物、ガラス等の無機絶縁物の１種あるい
は２種以上を少なくとも５ｗｔ％絶縁粒子として含有し
た半導体チップ用ダイボンディング樹脂であり、また１
０μ以上の径を有する種々のサイズの絶縁粒子を含有す
るダイボンディング樹脂であって、５０〜１００μサイ
ズの金属酸化物、金属窒化物、ガラス等の無機絶縁物の
１種あるいは２種以上を少なくとも５ｗｔ％絶縁粒子と
して含有した半導体チップ用ダイボンディング樹脂を用
いて半導体チップを基板上に搭載した半導体装置であ
る。
径を有する種々のサイズの絶縁粒子を含有するダイボン
ディング樹脂であって、５０〜１００μサイズの金属酸
化物、金属窒化物、ガラス等の無機絶縁物の１種あるい
は２種以上を少なくとも５ｗｔ％絶縁粒子として含有し
た半導体チップ用ダイボンディング樹脂であり、また１
０μ以上の径を有する種々のサイズの絶縁粒子を含有す
るダイボンディング樹脂であって、５０〜１００μサイ
ズの金属酸化物、金属窒化物、ガラス等の無機絶縁物の
１種あるいは２種以上を少なくとも５ｗｔ％絶縁粒子と
して含有した半導体チップ用ダイボンディング樹脂を用
いて半導体チップを基板上に搭載した半導体装置であ
る。
【０００５】
【作用】本発明においては、１０μ以上の径を有する種
々のサイズの絶縁粒子を含有するダイボンディング樹脂
であって５０〜１００μサイズの金属酸化物、金属窒化
物、ガラス等の無機絶縁物の１種あるいは２種以上を少
なくとも５ｗｔ％絶縁粒子として含有しているダイボン
ディング樹脂を用いることにより、絶縁に必要な樹脂層
を得ることができるものであり、小型化を実現すること
ができるものである。本発明で絶縁粒子を５０〜１００
μとしたのは、配線膜厚の７〜４０μに対し絶縁に必要
な樹脂層を確保するためであり、また、それを少なくと
も５ｗｔ％としたのは、絶縁粒子をダイボンディング樹
脂内に均一に分散混合するための必要量のためである。
々のサイズの絶縁粒子を含有するダイボンディング樹脂
であって５０〜１００μサイズの金属酸化物、金属窒化
物、ガラス等の無機絶縁物の１種あるいは２種以上を少
なくとも５ｗｔ％絶縁粒子として含有しているダイボン
ディング樹脂を用いることにより、絶縁に必要な樹脂層
を得ることができるものであり、小型化を実現すること
ができるものである。本発明で絶縁粒子を５０〜１００
μとしたのは、配線膜厚の７〜４０μに対し絶縁に必要
な樹脂層を確保するためであり、また、それを少なくと
も５ｗｔ％としたのは、絶縁粒子をダイボンディング樹
脂内に均一に分散混合するための必要量のためである。
【０００６】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。図１は、本発明による半導体装置の構造の一
実施例である。基板２には、主にセラミックが用いられ
るが、プリント基板や金属板などを用いても良い。基板
２の一平面あるいは両面には、Ａｇ−ＰｄやＣｕなどの
導電性が良好な金属による導体配線３が施されている。
また、基板２が金属板の場合は、導体配線３を施さない
ものもある。ダイボンディング樹脂４には絶縁粒子であ
る金属酸化物としてＳｉＯ2 を用い、この例では、樹脂
対ＳｉＯ2 が６：４の混合比のものである。この場合、
５０〜７０μにコントロールされたＳｉＯ2 ５が少なく
とも１０ｗｔ％以上均一に分散混合されていることにな
る。ここで使用しているＳｉＯ2 の粒度分布は図５の通
りで、これを含有し、ダイボンディングに使用した場
合、基板２と半導体チップ１との間隔は７５μ確保でき
た。導体配線３の膜厚は、材質によって異なるが、最大
４０μであるから導体配線３と半導体チップ１との間隔
は３５μ程度であり、少なくとも３５μのダイボンディ
ング樹脂による絶縁層が得られる。
説明する。図１は、本発明による半導体装置の構造の一
実施例である。基板２には、主にセラミックが用いられ
るが、プリント基板や金属板などを用いても良い。基板
２の一平面あるいは両面には、Ａｇ−ＰｄやＣｕなどの
導電性が良好な金属による導体配線３が施されている。
また、基板２が金属板の場合は、導体配線３を施さない
ものもある。ダイボンディング樹脂４には絶縁粒子であ
る金属酸化物としてＳｉＯ2 を用い、この例では、樹脂
対ＳｉＯ2 が６：４の混合比のものである。この場合、
５０〜７０μにコントロールされたＳｉＯ2 ５が少なく
とも１０ｗｔ％以上均一に分散混合されていることにな
る。ここで使用しているＳｉＯ2 の粒度分布は図５の通
りで、これを含有し、ダイボンディングに使用した場
合、基板２と半導体チップ１との間隔は７５μ確保でき
た。導体配線３の膜厚は、材質によって異なるが、最大
４０μであるから導体配線３と半導体チップ１との間隔
は３５μ程度であり、少なくとも３５μのダイボンディ
ング樹脂による絶縁層が得られる。
【０００７】このダイボンディング樹脂がエポキシ樹脂
の場合、絶縁抵抗値が、１０8 ＭΩcm以上なので、この
例の場合３５×１０5 ＭΩ以上の絶縁抵抗値が確保でき
る。本発明で用いるダイボンディング樹脂４の主成分
は、この実施例ではエポキシ樹脂であるが、ポリイミド
やシリコーンなどの、絶縁性の良好な樹脂であればいず
れでもよい。また、絶縁粒子（フィラー）としての酸化
物にはＳｉＯ2 を用いる。ダイボンディング樹脂と絶縁
粒子（フィラー）との混合比についても、６：４に限ら
ず、この目的が達成される５ｗｔ％以上の範囲であれば
任意に設定できる。
の場合、絶縁抵抗値が、１０8 ＭΩcm以上なので、この
例の場合３５×１０5 ＭΩ以上の絶縁抵抗値が確保でき
る。本発明で用いるダイボンディング樹脂４の主成分
は、この実施例ではエポキシ樹脂であるが、ポリイミド
やシリコーンなどの、絶縁性の良好な樹脂であればいず
れでもよい。また、絶縁粒子（フィラー）としての酸化
物にはＳｉＯ2 を用いる。ダイボンディング樹脂と絶縁
粒子（フィラー）との混合比についても、６：４に限ら
ず、この目的が達成される５ｗｔ％以上の範囲であれば
任意に設定できる。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明のダイボンデ
ィング樹脂を、半導体チップのダイボンディングに用い
ることにより、ダイボンディング樹脂単独で十分な絶縁
性を確保できるため、半導体チップ搭載部の導体配線に
特別な配慮が不要となり、スペースの有効活用ができ
る。同時に、半導体チップ搭載部の導体配線上の絶縁躁
も不要となるため、基板コストを抑えることが可能とな
る。また、半導体チップと基板間の、ダイボンディング
樹脂層の厚さを任意にコントロールできるという効果を
奏するものである。
ィング樹脂を、半導体チップのダイボンディングに用い
ることにより、ダイボンディング樹脂単独で十分な絶縁
性を確保できるため、半導体チップ搭載部の導体配線に
特別な配慮が不要となり、スペースの有効活用ができ
る。同時に、半導体チップ搭載部の導体配線上の絶縁躁
も不要となるため、基板コストを抑えることが可能とな
る。また、半導体チップと基板間の、ダイボンディング
樹脂層の厚さを任意にコントロールできるという効果を
奏するものである。
【図１】本発明による一実施例を示す図。
【図２】従来の技術を示す図。
【図３】従来の技術を示す図。
【図４】従来の技術を示す図。
【図５】本発明による一実施例のＳｉＯ2 粒度分布を示
す図。
す図。
【符号の説明】 １ 半導体チップ ２ 基板 ３ 配線導体 ４ ダイボンディング樹脂 ５ 絶縁粒子（フィラー） ７ 絶縁層
Claims (4)
- 【請求項１】 １０μ以上の径を有する種々のサイズの
絶縁粒子を含有するダイボンディング樹脂であって、５
０〜１００μサイズの金属酸化物、金属窒化物、ガラス
等の無機絶縁物の１種あるいは２種以上を少なくとも５
ｗｔ％絶縁粒子として含有したことを特徴とする半導体
チップ用ダイボンディング樹脂。 - 【請求項２】 絶縁粒子がＳｉＯ２であることを特徴と
する請求項１記載の半導体チップ用ダイボンディング樹
脂。 - 【請求項３】 樹脂の主成分が、エポキシ樹脂、ポリイ
ミド、シリコーン樹脂のいずれかであることを特徴とす
る請求項１または２記載の半導体チップ用ダイボンディ
ング樹脂。 - 【請求項４】 １０μ以上の径を有する種々のサイズの
絶縁粒子を含有するダイボンディング樹脂であって、５
０〜１００μサイズの金属酸化物、金属窒化物、ガラス
等の無機絶縁物の１種あるいは２種以上を少なくとも５
ｗｔ％絶縁粒子として含有した半導体チップ用ダイボン
ディング樹脂を用いて半導体チップを基板上に搭載した
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5173707A JP2605970B2 (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 半導体チップ用ダイボンディング樹脂及びそれを用いた半導体装置。 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5173707A JP2605970B2 (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 半導体チップ用ダイボンディング樹脂及びそれを用いた半導体装置。 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0714859A JPH0714859A (ja) | 1995-01-17 |
| JP2605970B2 true JP2605970B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=15965647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5173707A Expired - Fee Related JP2605970B2 (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 半導体チップ用ダイボンディング樹脂及びそれを用いた半導体装置。 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2605970B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001019936A (ja) | 1999-07-08 | 2001-01-23 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | 接着剤、および半導体装置 |
| JP2001019928A (ja) | 1999-07-08 | 2001-01-23 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | 接着剤、および半導体装置 |
| JP4709405B2 (ja) * | 2001-03-15 | 2011-06-22 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオード |
| US6784555B2 (en) * | 2001-09-17 | 2004-08-31 | Dow Corning Corporation | Die attach adhesives for semiconductor applications utilizing a polymeric base material with inorganic insulator particles of various sizes |
| CN100361301C (zh) * | 2002-06-28 | 2008-01-09 | 矽品精密工业股份有限公司 | 多芯片半导体封装件及其制法 |
| JP4839041B2 (ja) | 2005-08-29 | 2011-12-14 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 絶縁性液状ダイボンディング剤および半導体装置 |
| JP4506696B2 (ja) * | 2006-03-17 | 2010-07-21 | ソニー株式会社 | サーマルヘッド及びプリンタ装置 |
| US7843476B2 (en) | 2006-03-17 | 2010-11-30 | Sony Corporation | Thermal head and printer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04152642A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-26 | Fujitsu Ltd | 接着用ペースト |
-
1993
- 1993-06-21 JP JP5173707A patent/JP2605970B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04152642A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-26 | Fujitsu Ltd | 接着用ペースト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0714859A (ja) | 1995-01-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7923844B2 (en) | Semiconductor devices including voltage switchable materials for over-voltage protection | |
| US7759805B2 (en) | Semiconductor device encapsulated by an electrically conductive plastic housing composition with conductive particles | |
| US5436203A (en) | Shielded liquid encapsulated semiconductor device and method for making the same | |
| EP0788161A3 (en) | Microelectronic device with thin film electrostatic discharge protection structure | |
| JP2605970B2 (ja) | 半導体チップ用ダイボンディング樹脂及びそれを用いた半導体装置。 | |
| US11094619B2 (en) | Package with component connected with carrier via spacer particles | |
| US7078795B2 (en) | High voltage module and method for producing same | |
| JPH064595Y2 (ja) | ハイブリッドｉｃ | |
| JPS6094744A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2869964B2 (ja) | 回路基板装置 | |
| US8134073B2 (en) | Method and system for composite bond wires | |
| JPH0645504A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06204355A (ja) | 半導体装置用パッケージ及び半導体装置 | |
| JP3255814B2 (ja) | 金属ベース回路基板及びそれを用いたモジュール | |
| JPH06120626A (ja) | 電子部品搭載用基板のための基材材料 | |
| JP4097054B2 (ja) | 半導体装置の実装体及び半導体装置の実装方法 | |
| JPS6280907A (ja) | 導電ペ−スト | |
| JPS6046824B2 (ja) | 半導体装置における電極配線の形成法 | |
| JP2674073B2 (ja) | 集積回路装置 | |
| JPS6023976Y2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH0636592Y2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2000188208A (ja) | ポリマｐｔｃサ―ミスタ | |
| JPH10308480A (ja) | 半導体デバイス用封止樹脂材料及び半導体デバイス | |
| JPH0330456A (ja) | 放熱構造形ハイブリッドｉｃ | |
| JPH05267500A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |