JPH0714859A - 半導体チップ用ダイボンディング樹脂及びそれを用いた半導体装置。 - Google Patents
半導体チップ用ダイボンディング樹脂及びそれを用いた半導体装置。Info
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- JPH0714859A JPH0714859A JP17370793A JP17370793A JPH0714859A JP H0714859 A JPH0714859 A JP H0714859A JP 17370793 A JP17370793 A JP 17370793A JP 17370793 A JP17370793 A JP 17370793A JP H0714859 A JPH0714859 A JP H0714859A
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- resin
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- H01L2224/29099—Material
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、基板のコストを抑え、かつ小型化
を実現するためになされたものである。 【構成】 絶縁粒子の径を、５０〜１００μにコントロ
ールし、それを少なくとも５ｗｔ％含有させたダイボン
ディング樹脂４を用いることにより、基板２上の半導体
チップ１搭載部に、絶縁層なしで配線導体３を設けるこ
とができるよにした。これにより、半導体チップ搭載部
が有効活用でき、かつ絶縁層不要のため基板コストが低
減できる。
を実現するためになされたものである。 【構成】 絶縁粒子の径を、５０〜１００μにコントロ
ールし、それを少なくとも５ｗｔ％含有させたダイボン
ディング樹脂４を用いることにより、基板２上の半導体
チップ１搭載部に、絶縁層なしで配線導体３を設けるこ
とができるよにした。これにより、半導体チップ搭載部
が有効活用でき、かつ絶縁層不要のため基板コストが低
減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを配線基
板あるいは金属板上にダイボンディングする半導体チッ
プ用ダイボンディング樹脂及びそれを用いた半導体装置
に関して、特に、基板上の配線や金属板との電気的な接
続を必要としないものに関するものである。
板あるいは金属板上にダイボンディングする半導体チッ
プ用ダイボンディング樹脂及びそれを用いた半導体装置
に関して、特に、基板上の配線や金属板との電気的な接
続を必要としないものに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体チップ用ダイボンディング
樹脂及びそれを用いた半導体装置について、図２，３及
び４で説明する。この従来のダイボンディング樹脂に
は、一般に、ＳｉＯ2 をフィラーとしたエポキシ樹脂が
用いられていた。ここで用いられるフィラー５は、基板
２上の配線３と半導体チップ１あるいは金属板と半導体
チップ１の絶縁性を保証することを前提に製造されてい
ないため、特に、図４の場合のような、膜厚が７〜４０
μｔの配線導体３を有する基板２にダイボンディングす
ると、フィラー５の径小およびフィラー５の径不均一の
ため、絶縁性を確保するための十分な間隔を得られない
という欠点があった。このため図２のように、半導体チ
ップ１をダイボンディングする部分に導体配線を設けな
いようにするか、または図３のように、導体配線３上に
絶縁層７を設けることにより絶縁性を確保する対策が採
られていた。
樹脂及びそれを用いた半導体装置について、図２，３及
び４で説明する。この従来のダイボンディング樹脂に
は、一般に、ＳｉＯ2 をフィラーとしたエポキシ樹脂が
用いられていた。ここで用いられるフィラー５は、基板
２上の配線３と半導体チップ１あるいは金属板と半導体
チップ１の絶縁性を保証することを前提に製造されてい
ないため、特に、図４の場合のような、膜厚が７〜４０
μｔの配線導体３を有する基板２にダイボンディングす
ると、フィラー５の径小およびフィラー５の径不均一の
ため、絶縁性を確保するための十分な間隔を得られない
という欠点があった。このため図２のように、半導体チ
ップ１をダイボンディングする部分に導体配線を設けな
いようにするか、または図３のように、導体配線３上に
絶縁層７を設けることにより絶縁性を確保する対策が採
られていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
では、例えば図２の場合、ダイボンディングエリアを導
体配線用に有効活用できないため、半導体装置の小型化
に制約があった。また、図３の場合では、ダイボンディ
ングエリアが有効に活用できるものの、導体配線を絶縁
層により保護しなくてはならないため、基板が比較的高
価なものとなっていた。
では、例えば図２の場合、ダイボンディングエリアを導
体配線用に有効活用できないため、半導体装置の小型化
に制約があった。また、図３の場合では、ダイボンディ
ングエリアが有効に活用できるものの、導体配線を絶縁
層により保護しなくてはならないため、基板が比較的高
価なものとなっていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、５０〜１００
μサイズの金属酸化物、金属窒化物、ガラス等の無機絶
縁物の１種あるいは２種以上を少なくとも５ｗｔ％絶縁
粒子として含有した半導体チップ用ダイボンディング樹
脂であり、また５０〜１００μサイズの金属酸化物、金
属窒化物、ガラス等の無機絶縁物の１種あるいは２種以
上を少なくとも５ｗｔ％絶縁粒子として含有した半導体
チップ用ダイボンディング樹脂を用いて半導体チップを
基板上に搭載した半導体装置である。
μサイズの金属酸化物、金属窒化物、ガラス等の無機絶
縁物の１種あるいは２種以上を少なくとも５ｗｔ％絶縁
粒子として含有した半導体チップ用ダイボンディング樹
脂であり、また５０〜１００μサイズの金属酸化物、金
属窒化物、ガラス等の無機絶縁物の１種あるいは２種以
上を少なくとも５ｗｔ％絶縁粒子として含有した半導体
チップ用ダイボンディング樹脂を用いて半導体チップを
基板上に搭載した半導体装置である。
【０００５】
【作用】本発明においては、５０〜１００μサイズの金
属酸化物、金属窒化物、ガラス等の無機絶縁物の１種あ
るいは２種以上を少なくとも５ｗｔ％絶縁粒子として含
有しているダイボンディング樹脂を用いることにより、
絶縁に必要な樹脂層を得ることができるものであり、小
型化を実現することができるものである。本発明で絶縁
粒子を５０〜１００μとしたのは、配線膜厚の７〜４０
μに対し絶縁に必要な樹脂層を確保するためであり、ま
た、それを少なくとも５ｗｔ％としたのは、絶縁粒子を
ダイボンディング樹脂内に均一に分散混合するための必
要量のためである。
属酸化物、金属窒化物、ガラス等の無機絶縁物の１種あ
るいは２種以上を少なくとも５ｗｔ％絶縁粒子として含
有しているダイボンディング樹脂を用いることにより、
絶縁に必要な樹脂層を得ることができるものであり、小
型化を実現することができるものである。本発明で絶縁
粒子を５０〜１００μとしたのは、配線膜厚の７〜４０
μに対し絶縁に必要な樹脂層を確保するためであり、ま
た、それを少なくとも５ｗｔ％としたのは、絶縁粒子を
ダイボンディング樹脂内に均一に分散混合するための必
要量のためである。
【０００６】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。図１は、本発明による半導体装置の構造の一
実施例である。基板２には、主にセラミックが用いられ
るが、プリント基板や金属板などを用いても良い。基板
２の一平面あるいは両面には、Ａｇ−ＰｄやＣｕなどの
導電性が良好な金属による導体配線３が施されている。
また、基板２が金属板の場合は、導体配線３を施さない
ものもある。ダイボンディング樹脂４には絶縁粒子であ
る金属酸化物としてＳｉＯ2 を用い、この例では、樹脂
対ＳｉＯ2 が６：４の混合比のものである。この場合、
５０〜７０μにコントロールされたＳｉＯ2 ５が少なく
とも１０ｗｔ％以上均一に分散混合されていることにな
る。ここで使用しているＳｉＯ2 の粒度分布は図５の通
りで、これを含有し、ダイボンディングに使用した場
合、基板２と半導体チップ１との間隔は７５μ確保でき
た。導体配線３の膜厚は、材質によって異なるが、最大
４０μであるから導体配線３と半導体チップ１との間隔
は３５μ程度であり、少なくとも３５μのダイボンディ
ング樹脂による絶縁層が得られる。
説明する。図１は、本発明による半導体装置の構造の一
実施例である。基板２には、主にセラミックが用いられ
るが、プリント基板や金属板などを用いても良い。基板
２の一平面あるいは両面には、Ａｇ−ＰｄやＣｕなどの
導電性が良好な金属による導体配線３が施されている。
また、基板２が金属板の場合は、導体配線３を施さない
ものもある。ダイボンディング樹脂４には絶縁粒子であ
る金属酸化物としてＳｉＯ2 を用い、この例では、樹脂
対ＳｉＯ2 が６：４の混合比のものである。この場合、
５０〜７０μにコントロールされたＳｉＯ2 ５が少なく
とも１０ｗｔ％以上均一に分散混合されていることにな
る。ここで使用しているＳｉＯ2 の粒度分布は図５の通
りで、これを含有し、ダイボンディングに使用した場
合、基板２と半導体チップ１との間隔は７５μ確保でき
た。導体配線３の膜厚は、材質によって異なるが、最大
４０μであるから導体配線３と半導体チップ１との間隔
は３５μ程度であり、少なくとも３５μのダイボンディ
ング樹脂による絶縁層が得られる。
【０００７】このダイボンディング樹脂がエポキシ樹脂
の場合、絶縁抵抗値が、１０8 ＭΩcm以上なので、この
例の場合３５×１０5 ＭΩ以上の絶縁抵抗値が確保でき
る。本発明で用いるダイボンディング樹脂４の主成分
は、この実施例ではエポキシ樹脂であるが、ポリイミド
やシリコーンなどの、絶縁性の良好な樹脂であればいず
れでもよい。また、絶縁粒子（フィラー）としての酸化
物にはＳｉＯ2 を用いる。ダイボンディング樹脂と絶縁
粒子（フィラー）との混合比についても、６：４に限ら
ず、この目的が達成される５ｗｔ％以上の範囲であれば
任意に設定できる。
の場合、絶縁抵抗値が、１０8 ＭΩcm以上なので、この
例の場合３５×１０5 ＭΩ以上の絶縁抵抗値が確保でき
る。本発明で用いるダイボンディング樹脂４の主成分
は、この実施例ではエポキシ樹脂であるが、ポリイミド
やシリコーンなどの、絶縁性の良好な樹脂であればいず
れでもよい。また、絶縁粒子（フィラー）としての酸化
物にはＳｉＯ2 を用いる。ダイボンディング樹脂と絶縁
粒子（フィラー）との混合比についても、６：４に限ら
ず、この目的が達成される５ｗｔ％以上の範囲であれば
任意に設定できる。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明のダイボンデ
ィング樹脂を、半導体チップのダイボンディングに用い
ることにより、ダイボンディング樹脂単独で十分な絶縁
性を確保できるため、半導体チップ搭載部の導体配線に
特別な配慮が不要となり、スペースの有効活用ができ
る。同時に、半導体チップ搭載部の導体配線上の絶縁躁
も不要となるため、基板コストを抑えることが可能とな
る。また、半導体チップと基板間の、ダイボンディング
樹脂層の厚さを任意にコントロールできるという効果を
奏するものである。
ィング樹脂を、半導体チップのダイボンディングに用い
ることにより、ダイボンディング樹脂単独で十分な絶縁
性を確保できるため、半導体チップ搭載部の導体配線に
特別な配慮が不要となり、スペースの有効活用ができ
る。同時に、半導体チップ搭載部の導体配線上の絶縁躁
も不要となるため、基板コストを抑えることが可能とな
る。また、半導体チップと基板間の、ダイボンディング
樹脂層の厚さを任意にコントロールできるという効果を
奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による一実施例を示す図。
【図２】従来の技術を示す図。
【図３】従来の技術を示す図。
【図４】従来の技術を示す図。
【図５】本発明による一実施例のＳｉＯ2 粒度分布を示
す図。
す図。
１ 半導体チップ ２ 基板 ３ 配線導体 ４ ダイボンディング樹脂 ５ 絶縁粒子（フィラー） ７ 絶縁層
Claims (4)
- 【請求項１】 ５０〜１００μサイズの金属酸化物、金
属窒化物、ガラス等の無機絶縁物の１種あるいは２種以
上を少なくとも５ｗｔ％絶縁粒子として含有したことを
特徴とする半導体チップ用ダイボンディング樹脂。 - 【請求項２】 絶縁粒子がＳｉＯ2 であることを特徴と
する請求項１記載の半導体チップ用ダイボンディング樹
脂。 - 【請求項３】 樹脂の主成分が、エポキシ樹脂、ポリイ
ミド、シリコーン樹脂のいずれかであることを特徴とす
る請求項１または２記載の半導体チップ用ダイボンディ
ング樹脂。 - 【請求項４】 ５０〜１００μサイズの金属酸化物、金
属窒化物、ガラス等の無機絶縁物の１種あるいは２種以
上を少なくとも５ｗｔ％絶縁粒子として含有した半導体
チップ用ダイボンディング樹脂を用いて半導体チップを
基板上に搭載したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5173707A JP2605970B2 (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 半導体チップ用ダイボンディング樹脂及びそれを用いた半導体装置。 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5173707A JP2605970B2 (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 半導体チップ用ダイボンディング樹脂及びそれを用いた半導体装置。 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0714859A true JPH0714859A (ja) | 1995-01-17 |
| JP2605970B2 JP2605970B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=15965647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5173707A Expired - Fee Related JP2605970B2 (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 半導体チップ用ダイボンディング樹脂及びそれを用いた半導体装置。 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2605970B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6410642B1 (en) | 1999-07-08 | 2002-06-25 | Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. | Adhesive and semiconductor devices |
| JP2002280615A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-09-27 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
| US6750550B1 (en) | 1999-07-08 | 2004-06-15 | Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. | Adhesive and semiconductor devices |
| US6784555B2 (en) * | 2001-09-17 | 2004-08-31 | Dow Corning Corporation | Die attach adhesives for semiconductor applications utilizing a polymeric base material with inorganic insulator particles of various sizes |
| JP2007245670A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Sony Corp | サーマルヘッド及びプリンタ装置 |
| CN100361301C (zh) * | 2002-06-28 | 2008-01-09 | 矽品精密工业股份有限公司 | 多芯片半导体封装件及其制法 |
| US7843476B2 (en) | 2006-03-17 | 2010-11-30 | Sony Corporation | Thermal head and printer |
| US7897717B2 (en) | 2005-08-29 | 2011-03-01 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Insulating liquid die-bonding agent and semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04152642A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-26 | Fujitsu Ltd | 接着用ペースト |
-
1993
- 1993-06-21 JP JP5173707A patent/JP2605970B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04152642A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-26 | Fujitsu Ltd | 接着用ペースト |
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| JP4709405B2 (ja) * | 2001-03-15 | 2011-06-22 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオード |
| US6784555B2 (en) * | 2001-09-17 | 2004-08-31 | Dow Corning Corporation | Die attach adhesives for semiconductor applications utilizing a polymeric base material with inorganic insulator particles of various sizes |
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| US7843476B2 (en) | 2006-03-17 | 2010-11-30 | Sony Corporation | Thermal head and printer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2605970B2 (ja) | 1997-04-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |