JPS6023976Y2 - 混成集積回路装置 - Google Patents

混成集積回路装置

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JPS6023976Y2
JPS6023976Y2 JP1979170434U JP17043479U JPS6023976Y2 JP S6023976 Y2 JPS6023976 Y2 JP S6023976Y2 JP 1979170434 U JP1979170434 U JP 1979170434U JP 17043479 U JP17043479 U JP 17043479U JP S6023976 Y2 JPS6023976 Y2 JP S6023976Y2
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JP
Japan
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integrated circuit
oxide film
hybrid integrated
power
circuit device
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JP1979170434U
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JPS5689258U (ja
Inventor
俊夫 箕輪
Original Assignee
東北金属工業株式会社
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は面上に酸化膜層、その上に絶縁薄層更にその上
に導体パタンを施したアルミニュームのような熱伝導の
よい金属基板上にボンデング用電極小片とパワー半導体
ペレットを実装固着した混成集積回路装置である。
電子計算機の端末装置または通信機器などの大電力用ス
イッチング型電源にはパワートランジスタなど大電力用
部品が組込まれる。
従来この種の大電力用電源には電流、耐圧、周波数など
の特性の点からパワートランジスタを使用する場合が多
い。
しかしパワートランジスタは大型でありスイッチング型
の電源ではトランジスタが２個以上必要であり、またキ
ャンモールド型はコスト高となる。
従来この種半導体集積回路を実装固着するには、セラミ
ック基板上に薄膜又は厚膜技術により配線電極及び受動
部品を形成して混成集積回路基板を作成した後、この基
板上に集積回路素子を固定して前記配線電極と接続して
いた。
しかしセラミック基板では低熱伝導で放熱には限度があ
る。
即ちスイッチング電源では高周波化、大電力化が要望さ
れており、さらには半導体集積回路素子も高密度化、大
規模化されており、消費電力が大きく発熱量も大きいも
のとなって来ている。
本考案の目的は、集積回路素子特にスイッチング電源を
含む装置の放熱効果を助長し大電力化、高密度化を計ら
んとするものである。
このため本考案は熱伝導のよいアルミ金属を基板とし、
その上にアルミ酸化膜層、ガラスコーテングによる絶縁
薄層および導体パタンを施して、受動部品、能動部品お
よびペレット化したトランジスタを実装した混成集積回
路を提供するものである。
本考案の混成集積回路はまず第１図に示すように放熱フ
ィンを取り付けるための孔２を設けたアルミニュームな
ど熱伝導性のよい金属基板１の面上に酸化膜層３を、更
にその上にガラスコーテングによる絶縁薄層４を施す。
酸化膜層３はガラス製の絶縁薄層４との結合をよくし、
ガラスに小さなひび割れが生ずることを防ぎ、また絶縁
薄層４は４０ミクロン前後の厚さがよい。
次に第２図に示すように絶縁薄層４の上に回路構成に基
いた導体パタン５と抵抗６およびパワー半導体ペレット
８のボンデング用リード線９を接続するＮｉまたはＣｕ
、 ＦｅにＮｉ鍍金を施した小片７を設ける。
また第３図に示すように導体パターン５の上に回路に従
ってパワー半導体ペレット８を固着し、その電極のそれ
ぞれと小片７とをアルミニューム線からなるリード線９
で接続する。
さらに第４図に示すように半導体ペレット８、リード線
９を樹脂１０で被覆して固定し、外部から加わる振動な
どに対してリード線９が断線あるいは短絡、または半導
体ペレット８の脱落などを防止することができる。
以上述べたように、本考案によれば従来のセラミック基
板を用いたものよりは熱伝導性のよいアルミ金属基板を
用いることにより放熱効果を挙げ且つ、アルミ酸化膜層
の上にこの酸化皮膜とよく結合し絶縁性の高いガラス絶
縁物を塗布したものであるから、アルミ金属基板とガラ
ス絶縁層との間の強度を高め、ひび割れ事故を防止する
効果もある。
また本考案によれば、パワー半導体ペレットを混成集積
回路に組み込んで大電力用スイッチング電源を極めて小
型化することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は酸化膜層、絶縁薄層を施した基板の断面図、第
２図は第１図の基板の上に導体パターン、抵抗などを設
けた回路装置断面図、第３図は第２図の装置の上にパワ
ー半導体ペレット、リード線を設けた回路装置の断面図
、第４図は第３図において樹脂にて被覆、固着した回路
装置の断面図である。 図において、１：金属基板、２：取付孔、３：酸化膜層
、４：絶縁薄層、５：導体バタン、６：抵抗、７：小片
、８：パワー半導体ペレット、９：リード線、１０：樹
脂。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 熱伝導性の良いアルミ金属基板１の面上に酸化膜層３を
    形成し、その上にガラスコーテングによるガラス絶縁薄
    層４を形成し、さらにこの絶縁薄層の上に導体パタン５
    を施し、この導体パタン５の上に複数個の半導体集積回
    路素子６．訃・・と、この集積回路素子間を接続するリ
    ード線９を固定するための金属製小片７とを設けてなる
    混成集積回路。
JP1979170434U 1979-12-11 1979-12-11 混成集積回路装置 Expired JPS6023976Y2 (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53117743A (en) * 1977-03-24 1978-10-14 Tokyo Shibaura Electric Co Electric device board

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS53117743A (en) * 1977-03-24 1978-10-14 Tokyo Shibaura Electric Co Electric device board

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JPS5689258U (ja) 1981-07-16

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