WO2019124417A1 - シリコーン系接着シート、それを含む積層体、半導体装置の製造方法 - Google Patents

シリコーン系接着シート、それを含む積層体、半導体装置の製造方法 Download PDF

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adhesive sheet
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semiconductor
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能乃 戸田
須藤　学
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ダウ・東レ株式会社
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Definitions

  • the surface is slightly tacky, it is possible to easily temporarily fix a diced semiconductor chip or the like on a semiconductor substrate, and silicone which exhibits permanent adhesion to an adherend by post curing.
  • the present invention relates to a system adhesive sheet, a laminate including the same, and a method of manufacturing a semiconductor device (particularly, including a MEMS device) using the same.
  • a semiconductor wafer such as silicon is processed by forming a plurality of electronic circuits on its surface, polishing the back surface of the semiconductor wafer on which the electronic circuits are formed, and cutting (dicing) the semiconductor wafer fixed to a base film.
  • a semiconductor device is obtained through a process of dividing into IC chips having individual electronic circuits, a process of fixing the IC chips to a die pad (die bonding), and a process of optionally resin-sealing the chips.
  • the step of fixing an IC chip obtained by cutting a semiconductor wafer to a die pad the chip is fixed to the die pad (mounting portion) via an adhesive.
  • the adhesive When the adhesive is liquid, the adhesive is dropped and applied to the surface of the chip mounting portion or the chip itself, but it is difficult to accurately control the amount of adhesive when such a liquid adhesive is dropped. If the chip is small, the adhesive may stick out of the chip, and if the chip is large, the adhesive may run short, so a dry type sheet adhesive with a uniform thickness may be used in advance. Methods for securing the chip to the die pad have been implemented.
  • the present applicant has proposed the thing of patent document 1 and patent document 2 as a silicone type adhesive sheet.
  • seat for dicing die bonding of patent document 3 is proposed for the purpose of the improvement of the manufacturing effort and cost of a semiconductor device.
  • These silicone adhesive sheets are suitable for the purpose of bonding (permanently bonding for the purpose of fixing) the semiconductor chip or the semiconductor wafer to the mounting portion by heating, and in the dicing step prior to the die bonding step,
  • the adhesive layer can be supplied in advance to the surface of the semiconductor wafer at the stage of fixing the wafer on the base film, and a chip having an adhesive layer precisely corresponding to the shape of the chip surface can be formed. And the production efficiency of the semiconductor device.
  • MEMS devices such as compact and highly integrated sensors are in widespread use by using micro electro mechanical systems (MEMS) technology, and the semiconductor package is miniaturized as compared with the prior art.
  • MEMS micro electro mechanical systems
  • the die pad is generated by the vibration generated during the die bonding process after the semiconductor chip provided with the adhesive sheet layer is disposed on the die pad. Misalignment of the semiconductor chip at the top may occur.
  • a MEMS device since a large number of semiconductor chips are sequentially arranged in the same package, it is difficult to completely suppress such vibration, and confirmation and readjustment of arrangement after chip arrangement, etc. There is a problem that the yield and the production efficiency decrease.
  • An object of the present invention is to provide a silicone-based adhesive sheet which is suitable for use in the manufacture of a small semiconductor device including a MEMS device, and whose production efficiency and yield can be improved.
  • the present invention also provides a laminate including the silicone-based adhesive sheet, its use as a die attach film for semiconductor chips or wafers for semiconductors, and its use as a semiconductor device precursor.
  • a semiconductor device in particular, a MEMS device
  • having a structure in which a semiconductor chip or a semiconductor wafer is fixed on a substrate by a cured product of the silicone-based adhesive sheet, and a method for manufacturing the same are provided.
  • the present inventors are able to solve the above-mentioned problems with a silicone adhesive sheet whose surface has an appropriate degree of slight adhesiveness before it exhibits permanent adhesion to an adherend by heating or the like. It has been found that the present invention has been achieved. Specifically, before heating, the peeling mode from the other non-adhesive substrate on the adhesive surface is interfacial peeling, and after heating the adhesive surface in the range of 50 to 200 ° C.
  • the above problems can be solved by the silicone-based adhesive sheet in which the peeling mode from the non-adhesive substrate is changed to cohesive failure and exhibits permanent adhesiveness.
  • the adherend is preferably a semiconductor member such as a chip, a wafer, a lead frame, a resin substrate, a ceramic substrate, and a stacked chip.
  • the sheet surface is slightly adhesive and the chip is Etc. are meant to be suitable for temporary holding and temporary fixing on a substrate such as
  • the maximum value of the adhesive strength of the silicone-based adhesive sheet of the present invention may be 10 gf or more or 15 gf or more.
  • the thickness of the sheet is preferably in the range of 5 to 1000 ⁇ m.
  • the silicone adhesive sheet is characterized in that it is sandwiched between substrates having releasability with respect to the sheet, and at least one of the substrates has an oxygen atom or a sulfur atom at the contact surface with the sheet. It is preferred that Such a silicone-based adhesive sheet is a crosslinked product of a crosslinkable silicone composition, and is obtained by crosslinking the composition between substrates having releasability with respect to the crosslinked product, and at least one of the substrates is It is preferable to have an oxygen atom or a sulfur atom at the interface with the composition.
  • the substrate is a sheet-like substrate made of an organic resin
  • an oxygen atom is an atom constituting a group selected from the group consisting of a carbonyl group, an alkoxy group, an ester group, and an ether group
  • the sulfur atom is preferably an atom constituting a group selected from the group consisting of a sulfone group and a thioether group.
  • These adhesive sheets are (A) organopolysiloxanes having at least two silicon-bonded alkenyl groups in one molecule, (B) organopolysiloxanes having at least two silicon-bonded hydrogen atoms in one molecule, It is preferable that it is a crosslinked product of a crosslinkable silicone composition containing (C) at least one adhesion promoter, and (D) a catalyst for hydrosilylation reaction. In addition, it is preferable that at least one surface of the sheet exhibits permanent adhesion to an adherend in contact by heating in the range of 100 to 200 ° C. for 3 hours.
  • These adhesive sheets are preferably used for the purpose of adhering a semiconductor chip or a semiconductor wafer to its mounting portion, and in particular, it is preferable to use a die attach film for use in a MEMS device.
  • the object of the present invention is also solved by a laminate comprising the above-mentioned silicone adhesive sheet.
  • the above-mentioned silicone-based adhesive sheet is sandwiched between substrates having releasability with respect to the sheet, and at least one of the substrates is oxygen on the contact surface with the sheet.
  • It is a sheet-like laminate characterized in having atoms or sulfur atoms, and is preferably a die attach film for a semiconductor chip or a wafer for a semiconductor.
  • Another suitable laminate is a precursor of a semiconductor device, and is a laminate having a structure in which a semiconductor chip or a semiconductor wafer is disposed on a substrate via the above-mentioned silicone-based adhesive sheet.
  • the laminate is a precursor of a semiconductor device having a structure in which a semiconductor chip (die) singulated by dicing is disposed on the die pad via the silicone adhesive sheet described above and temporarily held (temporarily fixed). It may be a body, in particular a precursor of a MEMS device.
  • the silicone type adhesive sheet of this invention is suitable for manufacture of a semiconductor device (preferably, MEMS device), and is used for the manufacturing method of the semiconductor device which has the following processes.
  • Process 1 A process of laminating the above-mentioned silicone adhesive sheet on the back surface of the semiconductor wafer
  • Step 2 A step of singulating the laminate obtained in Step 1 by dicing
  • Step 3 Step of placing the semiconductor wafer piece obtained in Step 2 on the semiconductor substrate through the silicone adhesive sheet
  • Step 4 The piece of semiconductor wafer obtained in Step 3 is silicone Bonding individual pieces of the semiconductor wafer onto the semiconductor substrate with the silicone adhesive sheet by heating the structure disposed on the semiconductor substrate with the surface of the adhesive sheet in the range of 50 to 200 ° C.
  • the silicone type adhesive sheet of this invention is used for the manufacturing method of the semiconductor device (preferably MEMS device) which has the following processes.
  • Step 1 Separating the above-mentioned silicone adhesive sheet into a size close to a semiconductor chip
  • Step 2 A step of disposing the singulated silicone adhesive sheet obtained in the above step 1 on the semiconductor substrate
  • Step 3 On the singulated silicone adhesive sheet disposed on the semiconductor substrate in the step 2
  • Step 4 Placing a semiconductor chip on the semiconductor chip: The semiconductor chip obtained in step 3 is placed on the semiconductor substrate by the silicone adhesive sheet surface, and the semiconductor is heated at a temperature of 50 to 200 ° C. Process for bonding semiconductor chip with semiconductor adhesive sheet on semiconductor substrate
  • a silicone-based adhesive sheet which is suitable for use in the manufacture of a small semiconductor device including a MEMS device, and whose production efficiency and yield can be improved.
  • a laminate including the silicone-based adhesive sheet its use as a die attach film for a semiconductor chip or a wafer for a semiconductor, and use as a semiconductor device precursor.
  • a semiconductor device in particular, a MEMS device
  • a semiconductor device having a structure in which a semiconductor chip or a semiconductor wafer is fixed on a substrate by a cured product of the silicone-based adhesive sheet, and a method of manufacturing the same.
  • the sheet itself temporarily holds a semiconductor chip or the like against vibration or the like without undergoing a process such as thermocompression bonding, and the sheet can be temporarily fixed on a substrate.
  • the adhesive property is maintained, and before the die bonding, it is possible to reposition the chip without causing permanent adhesion such as cohesive failure. Therefore, semiconductor chips (including chips singulated by dicing) provided with the adhesive sheet have problems such as positional deviation and chipping of the chips against vibration and the like when disposed on a substrate for semiconductors.
  • the production efficiency of a small semiconductor device including a MEMS device can be significantly improved because it is unlikely to occur, and if desired, it is possible to perform interfacial peeling and chip repositioning without problems of adhesive residue.
  • the silicone-based adhesive sheet according to the present invention exhibits permanent adhesiveness to the adherend by applying the adhesive to the adherend and then heating or the like.
  • the peeling mode is silicone-based adhesive sheet or the cured
  • the adhesive layer which is an object, causes cohesive failure almost all over the adhesive surface and remains on the adherend.
  • the cohesive failure of the substantially entire surface of the adhesive surface occurs in the range of at least over half (50% or more) of the whole, and the cohesive failure of the adhesive layer may occur in a so-called mottled pattern.
  • the silicone adhesive sheet of the present invention exhibits permanent adhesion when heated in the range of 100 to 200 ° C. for 3 hours, but it is also possible to select a temperature of 100 ° C. or less or a heating time of 3 hours or less.
  • a temperature of 100 ° C. or less or a heating time of 3 hours or less when the silicone-based adhesive sheet of the present invention is used for the production of a semiconductor device, heating in the range of 50 to 200 ° C. or 50 to 150 ° C. is preferable.
  • the heating time can be appropriately selected depending on the size of the semiconductor device, the size of the heating apparatus (oven, die attach press), etc., but the range of several seconds to several hours is preferable in terms of production efficiency.
  • irradiation of high energy rays such as ultraviolet rays may be combined for the purpose of bonding at low temperature and short time and reduction of bonding time.
  • high energy rays such as ultraviolet rays
  • small semiconductor devices such as MEMS may cause operation failure, which is not preferable as a condition for achieving permanent adhesion.
  • the silicone-based adhesive sheet according to the present invention is characterized in that the sheet surface has an appropriate level of slight tackiness before it exhibits permanent adhesion to the adherend by the above-mentioned heating or the like.
  • the peeling mode is interfacial peeling when arranged with respect to the adherend, meaning that the adhesive layer itself is not broken at the time of peeling, and the adhesive layer is almost completely detached except for a slight transition component.
  • the known silicone-based adhesive sheet disclosed in Patent Document 1 or the like does not have fine tackiness or is insufficient or excessive in degree, and is particularly suitable for use in the manufacture of a small semiconductor device including a MEMS device. It is not a thing.
  • silicone-based adhesive sheet does not have slight adhesion, positioning and repositioning are particularly difficult in the arrangement of semiconductor chips used for MEMS devices, and so on. It is an important feature of the silicone-based adhesive sheet of the present invention that the sheet can be permanently adhered by heating after passing through.
  • the peeling mode from the other non-adhesive substrate on the adhesive surface is interfacial peeling, and the adhesive surface is in the range of 50 to 200 ° C.
  • the non-adhesive substrate means a substrate which does not exhibit adhesiveness by itself such as a semiconductor chip, a semiconductor wafer, a lead frame, a resin substrate, a ceramic substrate, a laminated semiconductor chip, a stainless steel plate and the like.
  • Such a silicone adhesive sheet is preferably a stainless steel probe having a diameter of 8 mm for any surface of the sheet, using a texture analyzer with respect to the surface of the silicone adhesive sheet before heating.
  • the adhesive sheet is peeled off from the interface when the probe is lowered at a speed of 01 mm / sec, held for 0.5 seconds after applying a load of 50 gf, and then raised at a speed of 0.5 mm / sec.
  • the surface showing the maximum value of the adhesive strength and further showing the maximum value of the adhesive strength is heated in the range of 100 to 200 ° C. for 3 hours, peeling of the adhesive surface from the other non-adhesive base material It is characterized in that the mode changes to cohesive failure and exhibits permanent adhesion.
  • the above heating condition is a test condition for confirming the presence or absence of permanent adhesion of the silicone adhesive sheet according to the present invention, and a low temperature of 50 to 100 ° C. is selected to develop actual permanent adhesion.
  • a heating time of less than 3 hours or more than 3 hours may be selected.
  • These heating conditions can be suitably selected according to the kind of base material, and manufacturing conditions, such as a semiconductor.
  • the maximum value of the adhesive strength may be 10 gf or more or 15 gf or more, and is preferably in the range of 10 gf to 500 gf and 50 gf to 400 gf.
  • the surface of any of the above may be single-sided or double-sided, and the tensile distance or maximum value of the adhesive strength at which the maximum value of the adhesive strength is exhibited at each surface may be different.
  • the surface is preferably a surface for bonding the semiconductor chip or the semiconductor wafer to the mounting portion on the semiconductor substrate.
  • the present invention provides a silicone-based adhesive sheet with fine adhesion suitable for the production of a small semiconductor device including a MEMS device, and the silicone-based adhesive sheet satisfying the above conditions is not limited to the composition thereof.
  • the object of the present invention can be achieved. That is, using a texture analyzer, a stainless steel probe with a diameter of 8 mm is lowered relative to the sheet surface at a speed of 0.01 mm / sec, held for 50 seconds after a load of 50 gf is applied, and then 0.5 mm / sec.
  • Suitable for temporary holding and temporary fixing on a substrate such as a chip by selecting a silicone-based adhesive sheet having a maximum value of adhesion when raising the probe at a speed of Die bonding of the semiconductor device is possible without causing any problems.
  • a silicone-based adhesive sheet having no maximum value of adhesive strength is used in the above test, chips and the like may be easily displaced from a predetermined position from a base or peeled off due to vibration or the like.
  • the method for achieving the above-mentioned slight tackiness is not limited, and for the crosslinkable silicone composition forming the sheet, control of its main agent or crosslinking agent, crosslink density of the composition Control of SiH / Vi ratio), selection or addition of slightly tackifying component such as silicone resin in the composition, selection or addition of adhesion promoter to the composition, base material for curing the composition It is possible to solve by combining one or more kinds of means selected from chemical modification of the contact surface and the like.
  • the slight tackiness of the surface specified using the above-mentioned texture analyzer can be objectively measured or specified, the slight tackiness of the surface is designed in the above range by a desired method. Good.
  • the silicone-based adhesive sheet of the present invention is not particularly limited in terms of its composition or manufacturing method, except that it has a surface with a slight tackiness specified using the expression of permanent adhesiveness and the above-mentioned texture analyzer.
  • those formed of a crosslinked product of a crosslinkable silicone composition are preferred.
  • the degree of crosslinking of the crosslinked product forming the adhesive sheet is not limited, and the crosslinked silicone composition is crosslinked and completely crosslinked to such a state that the hardness of the crosslinked product is not substantially changed. Or crosslinks, swells with solvent, but does not completely dissolve, and the crosslinkable silicone composition loses its fluidity, ie, JIS K 6800 (adhesive / adhesive term)
  • a state such as B-stage (cured intermediate of thermosetting resin) as defined is exemplified.
  • the silicone-based adhesive sheet is a surface having the above-mentioned slightly adhesive property (one side or both sides), and the surface having the maximum value of the adhesive strength mentioned above is adhered to an adherend by heating in the range of 50 to 200 ° C. It is preferable to develop permanent adhesiveness, and it is preferable that the said layer is formed of the crosslinked material of a crosslinkable silicone composition.
  • the internal structure is not limited, and, for example, an organic resin support such as a silicone rubber sheet, a polyimide resin sheet, a polyester resin sheet, an epoxy resin sheet, or an inorganic material such as silica particles, glass particles, or alumina particles. Or an organic filler such as silicone rubber particles, polyimide resin particles, polyester resin particles, and epoxy resin particles.
  • the shape of such a silicone-based adhesive sheet is not limited, and the thickness thereof is not limited, but is preferably in the range of 1 to 5000 ⁇ m for practical use, particularly preferably in the range of 10 to 1000 ⁇ m, It may be in the range of 10 to 500 ⁇ m.
  • the silicone-based adhesive sheet of the present invention is preferably formed by crosslinking the composition between substrates having releasability with respect to a crosslinked product of the crosslinkable silicone composition, and the substrate It is particularly preferable that at least one of them has an oxygen atom and / or a sulfur atom on the side in contact with the composition.
  • the oxygen atom is preferably an atom constituting a group selected from the group consisting of a carbonyl group, an alkoxy group, an ester group, and an ether group.
  • this sulfur atom is preferably an atom constituting a group selected from the group consisting of a sulfone group and a thioether group.
  • the presence or absence of the oxygen atom and / or the sulfur atom of the substrate surface having such peelability, in particular, the group having the oxygen atom and / or the sulfur atom as its constituent atoms is, for example, elemental analysis, fluorescent X-ray analysis, X It can be easily confirmed by line microanalyzer analysis, infrared absorption analysis, ESCA analysis and the like.
  • the content of such an atom or group is not limited, and it is sufficient if the content can be detected by the above analysis method.
  • polyester resin As a base material having such atoms or groups and having releasability, polyester resin, polyether resin, polyether ether ketone resin, epoxy resin, having such atoms or groups in constituent molecules Phenol resin, polyoxymethylene resin, polyamide resin, polyether imide resin, polysulfone resin, polyether sulfone resin, polyphenylene sulfide resin are exemplified, and further, there is no such atom or group in the constituent molecule, Chemically bonded to the surface of polyethylene resin, polypropylene resin, fluorine resin oil, etc.
  • the base material which consists only of these organic resin may be sufficient, and the composite material which consists of these organic resin may be sufficient.
  • the substrate is preferably a substrate having a large dielectric constant and / or refractive index with respect to a crosslinkable product of the crosslinkable silicone composition.
  • a sheet-like substrate as it can be used as a protective material of the silicone adhesive sheet as it is, for example, a semiconductor chip and the like When sticking this to adherends, such as a chip
  • the silicone-based adhesive sheet after the production of the silicone-based adhesive sheet, it may be attached to another peelable substrate.
  • the peelable substrate in this case is not limited.
  • the silicone-based adhesive sheet of the present invention is a crosslinked product of a crosslinkable silicone composition and the composition is crosslinked between substrates having releasability with respect to the crosslinked product, finally What is obtained is sandwiched between substrates having releasability with respect to the sheet, and preferably, at least one of the substrates has an oxygen atom or a sulfur atom at the contact surface with the sheet. It is a silicone adhesive sheet to be used.
  • Crosslinkable silicone composition In the silicone adhesive sheet, as the crosslinkable silicone composition, it is preferable to use a hydrosilylation reaction type, and in particular, as the hydrosilylation reaction type crosslinkable silicone composition, at least 2 in one molecule of (A) Organopolysiloxanes having one silicon-bonded alkenyl group, (B) an organopolysiloxane having at least two silicon hydrogen atoms in one molecule, (C) at least one adhesion promoter, and (D) hydrosilylation It is preferable that it is a crosslinkable silicone composition which consists of at least a catalyst for reaction.
  • the component (A) is a main component of the above composition, and is composed of one or more alkenyl group-containing organopolysiloxanes.
  • the molecular structure of such alkenyl group-containing organopolysiloxane is not particularly limited, and examples thereof include linear, branched, cyclic, three-dimensional network structures, and combinations thereof.
  • the silicon-bonded alkenyl group in the component (A) is exemplified by a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, a pentenyl group and a hexenyl group, with a vinyl group being particularly preferable.
  • alkenyl group a molecular chain end and / or a molecular chain side chain is exemplified.
  • alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl and heptyl; phenyl and tolyl Aryl groups such as xylyl group and naphthyl group; aralkyl groups such as benzyl group and phenethyl group; halogenated alkyl groups such as chloromethyl group, 3-chloropropyl group and 3,3,3-trifluoropropyl group
  • a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group is exemplified, and in particular, a methyl group or a phenyl group is preferable.
  • the silicone adhesive sheet to be obtained has excellent cold resistance and the reliability of the semiconductor device manufactured using this silicone adhesive sheet is further improved, the silicon atom in the component (A) can be obtained.
  • the content of the phenyl group is 1 mol% or more, more preferably in the range of 1 to 60 mol%, particularly preferably in the range of 1 to 30 mol% with respect to the organic group bound. It is preferably inside.
  • the viscosity of the component (A) is not limited, it is preferable that the viscosity at 25 ° C. be in the range of 100 to 1,000,000 mPa ⁇ s.
  • the component (A) is a linear alkenyl group-containing organopolysiloxane, preferably containing an alkenyl group at least at both molecular chain terminals, containing an alkenyl group at only both molecular chain terminals It may be Such a component (A) is not particularly limited, and for example, dimethylpolysiloxane blocked with dimethylvinylsiloxy groups at both ends of molecular chain, dimethylvinylsiloxy copolymer blocked with dimethylvinylsiloxy groups blocked at both ends with molecular chain, both molecular chains Terminal trimethylsiloxy group-capped dimethylsiloxane / methylvinylsiloxane copolymer, molecular chain both terminal trimethylsiloxy group-capped dimethylsiloxane / methylvinylsiloxane / methylphenyl siloxane copolymer, molecular chain double-ended silanol group dimethylsiloxan
  • Component (B) is a crosslinking agent of the above composition, and is an organopolysiloxane having at least two silicon-bonded hydrogen atoms in one molecule.
  • Examples of the molecular structure of the component (B) include linear, partially branched linear, branched, cyclic, and network. Further, as the bonding position of the hydrogen atom bonded to the silicon atom in the component (B), a molecular chain end and / or a molecular chain side chain is exemplified.
  • alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl and heptyl; phenyl and tolyl Aryl groups such as xylyl group and naphthyl group; aralkyl groups such as benzyl group and phenethyl group; halogenated alkyl groups such as chloromethyl group, 3-chloropropyl group and 3,3,3-trifluoropropyl group
  • a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group is exemplified, and in particular, a methyl group or a phenyl group is preferable.
  • the viscosity of the component (B) is not limited, but the viscosity at 25 ° C. is in the range of 1 to 1,000 mPa ⁇ s, preferably in the range of 1 to 500 mPa ⁇ s. Furthermore, low molecular weight siloxane oligomers (octamethyltetrasiloxane (D4), decamethylpentasiloxane (D5)) may be reduced or removed from the viewpoint of contact failure prevention and the like.
  • the structure of component (B) and the number (average value) of silicon-bonded hydrogen atoms in the molecule may be designed.
  • a linear organo chain having at least two in the molecular side chain Hydrogen polysiloxane may be used as a chain extender, and a large number of silicon-bonded hydrogen atoms in the side chain organohydrogenpolysiloxane may be used as a crosslinking agent in order to obtain a cured product having high hardness. You may use these together.
  • the compounding amount of the component (B) is an amount sufficient to crosslink the component (A), which corresponds to the amount of silicon in this component relative to 1 mole of silicon-bonded alkenyl group in the component (A).
  • the amount is preferably such that the atomically bonded hydrogen atom is in the range of 0.5 to 10 mol, and particularly preferably in the range of 1 to 3 mol. This is because the above composition has a silicon atom-bonded hydrogen atom in this component in a mole number less than the above range per mol of silicon atom-bonded alkenyl group in component (A). It is because there is a tendency of not to crosslink, and on the other hand, if the number of moles exceeds this range, the heat resistance of the crosslinked product obtained by crosslinking the above composition tends to decrease.
  • the component (C) is a component for imparting good adhesion to the crosslinked product of the above composition, and is at least one adhesion promoter, and (i) a silicon-bonded alkenyl group or silicon in one molecule A siloxane having at least one atomically bonded hydrogen atom and at least one silicon-bonded alkoxy group, (ii) at least one silicon-bonded alkenyl group, a silicon-bonded alkoxy group and a silicon-bonded epoxy-containing monovalent organic group in one molecule (Iii) Silane or siloxane having at least one silicon-bonded alkoxy group in one molecule, and organosiloxane having at least one silicon-bonded hydroxy group and one silicon-bonded alkenyl group in one molecule Mixtures or reaction mixtures, and (iv) silicon-bonded alkoxy groups and Mixture or reaction of an organosilane or organosiloxane having at least one monovalent atom-bonded epoxy group-containing monovalent organic group and an organosiloxane
  • the molecular structure of the siloxane having at least one silicon-bonded alkenyl group or silicon-bonded hydrogen atom and at least one silicon-bonded alkoxy group in one molecule is linear or partially.
  • examples thereof include linear, branched, cyclic and network having a branch, and in particular, linear, branched and network are preferable.
  • the silicon-bonded alkenyl group in this siloxane include a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, a pentenyl group and a hexenyl group, and a vinyl group is particularly preferable.
  • a methoxy group As a silicon atom-bonded alkoxy group in this siloxane, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group and a methoxyethoxy group are exemplified, and a methoxy group is particularly preferable.
  • an alkyl group such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group and the like
  • Aryl groups such as phenyl, tolyl, xylyl and naphthyl; aralkyl such as benzyl and phenethyl; halogen such as chloromethyl, 3-chloropropyl and 3,3,3-trifluoropropyl
  • Substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group such as substituted alkyl group
  • glycidoxy alkyl group such as 3-glycidoxypropyl group, 4-glycidoxybutyl group
  • silane or siloxane having at least one silicon-bonded alkoxy group and organosiloxane having at least one silicon-bonded hydroxy group and at least one silicon-bonded alkenyl group in one molecule examples include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group and a methoxyethoxy group, and a methoxy group is particularly preferable.
  • the silicon atom of this silane is an alkyl group such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group or heptyl group; vinyl group, allyl group, butenyl group, Alkenyl groups such as pentenyl group and hexenyl group; aryl groups such as phenyl group, tolyl group, xylyl group and naphthyl group; aralkyl groups such as benzyl group and phenethyl group; chloromethyl group, 3-chloropropyl group, 3,3, Substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon groups such as halogenated alkyl groups such as 3-trifluoropropyl group; glycidoxyalkyl groups such as 3-glycidoxypropyl group, 4-glycidoxybutyl group; 2- (3,4-epoxy ring such as (3,
  • Epoxy-containing monovalent organic group such as hexyl) alkyl group; oxiranyl alkyl group such as 4-oxiranylbutyl group, 8-oxiranyloctyl group etc. It is preferable to have at least one epoxy-containing monovalent organic group in one molecule, since it can also impart good adhesion.
  • linear, partially branched linear, branched, cyclic and network are exemplified, and in particular, linear, branched and network Is preferred.
  • alkoxy group bonded to the silicon atom in the siloxane include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group and a methoxyethoxy group, and a methoxy group is particularly preferable.
  • the silicon atom of this siloxane is an alkyl group such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group or heptyl group; vinyl group, allyl group, butenyl group, Alkenyl groups such as pentenyl group and hexenyl group; aryl groups such as phenyl group, tolyl group, xylyl group and naphthyl group; aralkyl groups such as benzyl group and phenethyl group; chloromethyl group, 3-chloropropyl group, 3,3, Substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon groups such as halogenated alkyl groups such as 3-trifluoropropyl group; glycidoxyalkyl groups such as 3-glycidoxypropyl group, 4-glycidoxybutyl group; 2- (3,4-ep
  • the viscosity of such a siloxane is not limited, but is preferably in the range of 1 to 500 mPa ⁇ s at 25 ° C.
  • the molecular structure of the latter organosiloxane is exemplified by linear, partially branched linear, branched, cyclic, and network, and in particular, linear, branched, and network Is preferred.
  • Examples of the alkenyl group bonded to the silicon atom in this organosiloxane include a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, a pentenyl group and a hexenyl group, and a vinyl group is particularly preferable.
  • alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group and heptyl group; phenyl group Aryl groups such as tolyl group, xylyl group and naphthyl group; aralkyl groups such as benzyl group and phenethyl group; halogenated alkyl groups such as chloromethyl group, 3-chloropropyl group and 3,3,3-trifluoropropyl group And substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon groups such as
  • the viscosity of such an organosiloxane is not limited, but is preferably in the range of 1 to 500 mPa ⁇ s at 25 ° C.
  • the ratio of the silane or siloxane having at least one silicon-bonded alkoxy group and the organosiloxane having at least one silicon-bonded hydroxy group and at least one silicon-bonded alkenyl group in one molecule is not particularly limited. It is preferable that the weight ratio of the former silane or siloxane to the latter organosiloxane is in the range of 1/99 to 99/1 because the adhesiveness can be imparted.
  • a reaction mixture of an alkoxysilane having an amino group-containing organic group and an alkoxysilane having an epoxy group-containing organic group can be used, and the reaction ratio is a molar ratio of (1: 1 .5) to (1: 5) is preferable, and it is particularly preferable to be in the range from (1: 2) to (1: 4).
  • This component can be easily synthesized by mixing an alkoxysilane having an amino group-containing organic group as described above and an alkoxysilane having an epoxy group-containing organic group and reacting them at room temperature or under heating. .
  • R 1 is an alkyl group or an alkoxy group
  • R 2 is the same or different general formula:
  • R 4 is an alkylene group or an alkylene oxyalkylene group
  • R 5 is a monovalent hydrocarbon group
  • R 6 is an alkyl group
  • R 7 is an alkylene group
  • R 8 is an alkyl group
  • An alkenyl group or an acyl group, a is 0, 1 or 2
  • R 3 is a group selected from the group consisting of and R 3 is the same or different hydrogen atom or alkyl group.
  • the component is an organic compound having at least two alkoxysilyl groups in one molecule and containing a bond other than a silicon-oxygen bond between the silyl groups, which alone improves the initial adhesion.
  • the cured product comprising the adhesion promoter functions to improve the adhesion durability under severe conditions.
  • the compounding amount of the component (C) is an amount sufficient to impart good adhesiveness to the crosslinked product of the above composition, and for example, it is in the range of 0.01 to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the component (A). It is preferable that the amount be an internal amount, and it is particularly preferable that the amount be in the range of 0.1 to 10 parts by weight. If the content of the component (C) is less than this range, the adhesion of the cured product tends to decrease, while if it exceeds this range, the adhesion is not affected, but rather, silicone This is because the stability of the adhesive sheet tends to decrease.
  • the component (D) is a catalyst for accelerating the curing of the above composition by the hydrosilylation reaction, and exemplified by platinum based catalysts, rhodium based catalysts and palladium based catalysts, and it is possible to remarkably accelerate the curing of the present composition and thus platinum based Catalysts are preferred.
  • platinum-based catalyst platinum fine powder, platinum black, platinum-supported silica fine powder, platinum-supporting activated carbon, chloroplatinic acid, chloroplatinic acid alcohol solution, platinum-alkenyl siloxane complex, platinum-olefin complex, platinum-carbonyl complex And catalysts obtained by dispersing or encapsulating these platinum-based catalysts with thermoplastic resins such as silicone resins, polycarbonate resins and acrylic resins, and in particular, platinum-alkenyl siloxane complexes are preferable because they have a good reaction rate. .
  • alkenyl siloxane 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7-tetravinylcyclotetrasiloxane,
  • the alkenyl siloxane which substituted a part of methyl group of these alkenyl siloxanes by the ethyl group, the phenyl group, etc., and the alkenyl siloxane which substituted the vinyl group of these alkenyl siloxanes with the allyl group, the hexenyl group etc. is illustrated.
  • 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane is preferable because the stability of the platinum-alkenylsiloxane complex is good.
  • a particulate platinum-containing hydrosilylation reaction catalyst dispersed or encapsulated with a thermoplastic resin may be used.
  • a non-platinum-based metal catalyst such as iron, ruthenium or iron / cobalt may be used as a catalyst for promoting the hydrosilylation reaction.
  • the compounding amount of the component (D) is an amount sufficient to accelerate the curing of the composition, and when a platinum-based catalyst is used, the platinum metal atom is 0.01 in mass unit in the composition.
  • the amount is in the range of ⁇ 500 ppm, the amount is in the range of 0.01 to 100 ppm, or the amount is in the range of 0.01 to 50 ppm. If the amount of the component (D) incorporated is less than this range, the curing rate of the resulting composition tends to be extremely slow, while even if the amount is beyond this range, the curing rate is too low. It has no influence, but rather causes problems such as coloring.
  • the composition is obtained by uniformly mixing the components (A) to (D), and the composition is heated to a temperature range of room temperature or room temperature to 200 ° C., preferably to a temperature range of room temperature to 150 ° C.
  • the hydrosilylation reaction can be carried out to form the silicone-based adhesive sheet of the present invention which is a crosslinked product of a crosslinkable silicone composition.
  • a hydrosilylation reaction inhibitor such as 3-methyl-1-butyn-3-ol, 3,5-dimethyl-1-hexyn-3-ol, 3-phenyl-1-butyn-3-ol and the like Compounds; Enyne compounds such as 3-methyl-3-penten-1-yne and 3,5-dimethyl-3-hexen-1-yne; 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7 -Cycloalkenyl siloxanes such as -tetravinylcyclotetrasiloxane, 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7-tetrahexenyl cyclotetrasiloxane; and triazole compounds such as benzotriazole are used without particular limitation be able to.
  • inorganic fillers such as carbon black, silicon carbide, silicon nitride and boron nitride; inorganic fillers obtained by treating these fillers with organosilicon compounds such as organohalosilanes, organoalkoxysilanes and organosilazanes; silicone resins, epoxy resins Fine particles of organic resin such as fluorine resin; Filler such as conductive metal powder such as silver and copper, dye, pigment, flame retardant, solvent and the like can be blended.
  • curable epoxy resins curable epoxy-modified silicone resins, curable silicone-modified epoxy resins, curable polyimide resins, curable polyimide-modified silicone resins, curable silicone-modified polyimide resins, etc. It can be blended.
  • the above-mentioned silicone-based adhesive sheet is formed, for example, by crosslinking the composition between substrates having releasability to a crosslinked product of the crosslinkable silicone composition, and at least one of the substrates has the composition. It can be manufactured by a method characterized in that it has an oxygen atom and / or a sulfur atom on the surface in contact with an object.
  • the oxygen atom and / or the sulfur atom are as defined above.
  • a method of producing a silicone-based adhesive sheet a method of crosslinking in a state where a crosslinkable silicone composition is sandwiched between the above-mentioned substrates, a support such as a silicone rubber sheet, an organic resin sheet
  • the composition is uniformly coated on both sides and then crosslinked in a state of being sandwiched between these substrates, the composition containing a filler such as silicone rubber particles, organic resin particles, inorganic particles, etc.
  • a method of crosslinking in a state of being sandwiched between In order to prepare a silicone-based adhesive sheet by being sandwiched between these substrates, it is possible to crosslink the crosslinkable silicone composition after forming it with a two-roll or press machine or while forming it. preferable.
  • the silicone-based adhesive sheet according to the present invention is preferably used for bonding a semiconductor chip or a semiconductor wafer to its mounting portion, and in particular, is a die attach film application used for a MEMS device.
  • the MEMS device is a generic term for a semiconductor device formed by using a semiconductor microfabrication technology generally called Micro Electro Mechanical Systems, and is an inertial sensor such as an acceleration sensor or an angular velocity sensor provided with a MEMS chip.
  • the semiconductor device may be any known one without particular limitation, and examples include diodes, transistors, thyristors, monolithic ICs, hybrid ICs, LSIs, and VLSIs, and semiconductor chips of these semiconductor devices (including MEMS devices) according to the present invention It can be suitably used for applications where it is temporarily fixed to the chip mounting portion by the silicone adhesive sheet according to the above, and is permanently bonded by heating or the like.
  • the above-mentioned silicone adhesive sheet is sandwiched between substrates having releasability with respect to the sheet from the viewpoint of handling workability, and at least one of the substrates is an oxygen atom on the contact surface with the sheet.
  • it is a sheet-like laminated body characterized by having a sulfur atom, and it is preferable that it is a die attach film for semiconductor chips or wafers for semiconductors.
  • the above-mentioned silicone-based adhesive sheet may be laminated on a semiconductor member such as a semiconductor wafer or a semiconductor chip used for the above-mentioned semiconductor device (particularly, MEMS device etc.).
  • the method of the lamination is not particularly limited, the lamination may be directly laminated utilizing the slight adhesiveness which is a feature of the present silicone-based adhesive sheet, or may be pressure-bonded or heat-pressed.
  • the silicon-based adhesive of the present invention can be obtained by singulating the semiconductor wafer as a semiconductor wafer or a semiconductor chip provided with the silicone-based adhesive sheet in the state of the laminate using a known means such as dicing.
  • the semiconductor chip (die) having a sheet can be placed (mounted) on a mounting portion on a semiconductor substrate such as a die pad. Also, at that time, the surface of the silicone-based adhesive sheet of the mounting portion is provided with the above-mentioned slight adhesiveness, so that the semiconductor chip (die) can be easily semiconductor only by pressure bonding or physical installation for a very short time. It has the advantage that it can be temporarily fixed on a base material, and moreover, it is difficult for displacement and peeling to occur due to vibration and the like.
  • the semiconductor substrate is not particularly limited with respect to the material and the like, but may be a substantially flat plate, and the material is not particularly limited, but the semiconductor chip, aluminum, iron, zinc, copper, magnesium alloy And metal, ceramic, glass, epoxy resin, polyimide resin, phenol resin, Bakelite resin, melamine resin, glass fiber reinforced epoxy resin, acrylic resin, plastics such as ABS and SPS, and glass.
  • the thickness of the substrate is not particularly limited, but may be 0.1 to 10 mm. In addition, these alone do not have tackiness and are non-tacky substrates.
  • Such a laminate is a precursor of the above-mentioned semiconductor device (particularly, MEMS device etc.), and a semiconductor chip or a wafer for semiconductor is disposed on a substrate through the silicone adhesive sheet as described above. It is a laminated body which has a structure.
  • the laminate has a structure in which semiconductor chips (dies) separated by dicing are disposed on a circuit board such as a die pad via the above-mentioned silicone adhesive sheet and temporarily held (temporarily fixed). It may be a precursor of a semiconductor device, in particular it may be a precursor of a MEMS device.
  • a semiconductor device preferably having a structure in which a semiconductor chip or a semiconductor wafer is fixed on a substrate by the cured product of the above-mentioned silicone-based adhesive sheet by heating the entire laminate to, for example, 50 ° C. or higher.
  • the heating temperature and heating time for exhibiting permanent adhesion are the same as the above.
  • the semiconductor device (particularly, a MEMS device) further includes a circuit wire, a bonding wire or a bump for connecting the chip and the circuit wire, and a resin layer for sealing a part or all of the circuit wire or the chip. It can be designed appropriately according to the type or application of the semiconductor device. Further, the semiconductor device may have a horizontally arranged structure, a vertically arranged structure, or a three-dimensionally stacked structure.
  • the silicone adhesive sheet described above can be temporarily fixed or repositioned even in an arrangement other than the horizontal direction because its surface is slightly tacky. Positional displacement is unlikely to occur due to shocks and vibrations caused by wiring etc., and chips can be attached permanently by heating the semiconductor device precursor as it is, so it is flexible in various semiconductor device design and manufacturing processes. There are benefits that can be addressed.
  • the silicone-based adhesive sheet of the present invention is suitable for manufacturing a semiconductor device (preferably, a MEMS device), and is used in a method for manufacturing a semiconductor device, having the following steps.
  • Process 1 A process of laminating the above-mentioned silicone adhesive sheet on the back surface of the semiconductor wafer
  • Step 2 A step of singulating the laminate obtained in Step 1 by dicing
  • Step 3 Step of placing the semiconductor wafer piece obtained in Step 2 on the semiconductor substrate through the silicone adhesive sheet
  • Step 4 The piece of semiconductor wafer obtained in Step 3 is silicone Bonding individual pieces of the semiconductor wafer onto the semiconductor substrate with the silicone adhesive sheet by heating the structure disposed on the semiconductor substrate with the surface of the adhesive sheet in the range of 50 to 200 ° C.
  • the above step 1 is a step of laminating the above-mentioned silicone adhesive sheet on the back surface of the semiconductor wafer, and for semiconductors having a silicone adhesive sheet on at least one side by means such as pressure bonding or placement on a slightly adhesive surface. It is a process of creating a wafer. At this time, if necessary, an electrode or a protective film may be formed on the wafer in advance. In addition, after the application of the silicone adhesive sheet, an excess silicone adhesive sheet may be cut off, and the peelable sheet-like base material covering the mounting surface side of the silicone adhesive sheet to the semiconductor base material is peeled off in advance. It is also good.
  • the above-mentioned step 2 is a so-called dicing step and is a step of forming a semiconductor wafer having a silicone-based adhesive sheet on at least one side into individual pieces (die) of semiconductor chips.
  • a semiconductor chip having a length of 10 mm or less, preferably 5 mm or less, may be produced and is preferable.
  • the attachment surface side to the semiconductor base material of a silicone type adhesive sheet is covered by the peelable sheet-like base material, it is necessary to peel off the said sheet-like base before the process 3.
  • the above step 3 is a so-called mounting step, in which a semiconductor chip (die) separated by dicing is disposed on a circuit board such as a die pad through the above silicone adhesive sheet and temporarily held ( It is a process of producing the temporarily fixed semiconductor precursor. Note that after the step, processing of a semiconductor chip by sputtering, wiring processing with an electrode, or the like may be performed.
  • the above step 4 is a step of permanently bonding the adherend and the silicone-based adhesive sheet of the present invention, and the pieces of the semiconductor wafer are adhered on the semiconductor substrate by the silicone-based adhesive sheet by post curing.
  • the heating conditions and the like are as described above.
  • the individual pieces of a large number of semiconductor wafers can simultaneously process the structure disposed on the semiconductor substrate by the surface of the semiconductor adhesive sheet in the step 4, the industrial production efficiency is remarkably excellent, such as a MEMS device. Even minute and high precision semiconductor devices can be easily mass-produced.
  • high energy radiation such as ultraviolet light may be used in combination.
  • the method of manufacturing a semiconductor device comprises the above steps 1 to 4, but if desired, a step of forming a protective film on a wafer, a step of wiring processing to a semiconductor substrate, a step of connecting chips and electrodes, It goes without saying that the polishing process step or a part or all of the sealing step may be included at a desired timing.
  • the silicone adhesive sheet of the present invention may be used as a method of manufacturing a semiconductor device (preferably, a MEMS device) in a method including the following steps.
  • Step 1 Separating the above-mentioned silicone adhesive sheet into a size close to a semiconductor chip
  • Step 2 A step of disposing the singulated silicone adhesive sheet obtained in the above step 1 on the semiconductor substrate
  • Step 3 On the singulated silicone adhesive sheet disposed on the semiconductor substrate in the step 2
  • Step 4 By heating the structure obtained by Step 3 above, in which the semiconductor chip is disposed on the semiconductor substrate by the silicone adhesive sheet surface, in the range of 50 to 200 ° C.
  • the above step 1 is a step in which the above silicone adhesive sheet is separated into pieces in advance, and the size is made similar to a semiconductor chip to which the silicone adhesive sheet is adhered by means such as die cutting, laser cutting, punching and the like. It is a process. At this time, the silicone-based adhesive sheet may be in contact with the substrate on one side or both sides, and may be replaced with another substrate. In order to facilitate handling of the silicone-based adhesive sheet singulated in the above-mentioned step 2, it is preferable that a substrate singulated in the same size be in contact with one side.
  • the above-mentioned step 2 is a step of arranging the singulated adhesive sheet on the semiconductor substrate and temporarily holding (temporarily fixing) it. Pick up two layers of silicone adhesive sheet single layer or releasable sheet-like substrate by collet etc., place on semiconductor substrate and heat to increase peeling force between semiconductor substrate and silicone adhesive sheet . In addition, also in this stage, when the attachment surface side to the semiconductor base material of a silicone type adhesive sheet is covered by the peelable sheet-like base material, it is necessary to peel off the said sheet-like base before the process 3.
  • Step 3 described above is a so-called mounting step, in which semiconductor chips (die) separated by dicing are disposed on a silicone adhesive sheet disposed on a semiconductor substrate and temporarily held (temporarily fixed) ) Is a step of producing the semiconductor precursor. Note that after the step, processing of a semiconductor chip by sputtering, wiring processing with an electrode, or the like may be performed.
  • the said member has the structure where semiconductor base material / silicone type adhesive sheet / semiconductor chip was laminated
  • the above step 4 is a step of permanently bonding the adherend and the silicone-based adhesive sheet of the present invention, and the pieces of the semiconductor wafer are adhered on the semiconductor substrate by the silicone-based adhesive sheet by post curing.
  • the heating conditions and the like are as described above.
  • the individual pieces of a large number of semiconductor wafers can simultaneously process the structure disposed on the semiconductor substrate by the surface of the semiconductor adhesive sheet in the step 4, the industrial production efficiency is remarkably excellent, such as a MEMS device. Even minute and high precision semiconductor devices can be easily mass-produced.
  • high energy radiation such as ultraviolet light may be used in combination.
  • the method of manufacturing a semiconductor device comprises the above steps 1 to 4, but if desired, a step of forming a protective film on a wafer, a step of wiring processing to a semiconductor substrate, a step of connecting chips and electrodes, It goes without saying that the polishing process step or a part or all of the sealing step may be included at a desired timing.
  • the silicone-based adhesive sheet of the present invention has a certain degree of elastomer (flexibility) when used as a permanent adhesive layer, it can be formed on a semiconductor substrate as compared with synthetic resin sheets such as conventionally known epoxy-based adhesive sheets. It has the advantage of being superior in impact and stress relaxation to a mounted semiconductor chip (die). As a result, the production efficiency of a fine and high-precision semiconductor device such as a MEMS device can be improved, and the reliability and yield thereof can be improved.
  • the silicone-based adhesive sheet of the present invention will be described in detail by way of examples and comparative examples, but the present invention is not limited thereto.
  • the viscosities in the examples are values measured at 25 ° C., and the adhesion of the silicone adhesive sheet and the surface condition of the sheet are evaluated as follows using a texture analyzer (Model: TAXTplus, manufactured by Eiko Seiki) did.
  • Examples 1 to 5, Comparative Examples 1 to 4 Hereinafter, the present invention will be described by way of examples, but the present invention is not limited thereto.
  • Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2 shown below the following compounds or compositions were used as raw materials.
  • Comparative Examples 3 and 4 a commercially available silicone pressure-sensitive adhesive product was used as it was.
  • A1 Dimethylvinylsiloxy-blocked dimethylpolysiloxane having a viscosity of 2,000 mPa ⁇ s and having both chain ends (a vinyl content of 0.23% by weight)
  • (D) a complex of platinum and 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane having a platinum concentration of 0.6% by weight
  • Comparative Example 3 A silicone adhesive SD4580 FC made by Toray Dow Corning was coated on a PET film of 50 ⁇ m thickness and heat cured under the conditions of 120 ° C. for 5 minutes to obtain a silicone film of 80 ⁇ m thickness. Comparative Example 4 A silicone adhesive SD4584 FC manufactured by Toray Dow Corning was coated on a 50 ⁇ m-thick PET film and heat cured under the conditions of 120 ° C. for 5 minutes to obtain a silicone film having a thickness of 80 ⁇ m.
  • the stress applied to the probe as it rose was measured.
  • the maximum value was obtained when the maximum value was obtained at the time of measurement, the maximum value was not obtained when the maximum value was not obtained, and the maximum value of the values obtained during the measurement was taken as tackiness (gf).
  • the silicone adhesive sheet having the maximum value the adhesive sheet peeled off at the interface from the probe, and no adhesive residue or the like was caused due to the cohesive failure of the adhesive layer.
  • the silicone-based adhesive sheet in which the peeling mode exhibits interfacial peeling and the behavior of having a maximum value in the surface tackiness test was temporarily fixed to the silicon chip. It has excellent properties, and also has the property of developing permanent adhesion after heating under heating conditions of 100 to 200 ° C. within 3 hours.
  • Comparative Examples 3 to 4 although the silicone pressure-sensitive adhesive exhibits good temporary fixation, it does not exhibit permanent adhesiveness after heating as in the silicone-based adhesive sheet of the present invention, and is fine and like MEMS devices. The production efficiency of high precision semiconductor devices can not be improved. Further, in Comparative Examples 1 and 2, the surface tackiness is insufficient, and it is difficult to use for temporarily fixing or temporarily arranging a silicon chip.

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Abstract

［課題］シート表面が微粘着性であるため、ダイシングした半導体チップ等を半導体基材上に容易に仮固定することができ、かつ、ポストキュアにより被着体への永久接着性を発現するシリコーン系接着シート、それを含む積層体、それを用いた半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供する。［解決手段］加熱前は、接着面の他の非粘着性基材からの剥離モードが界面剥離であり、当該接着面を５０～２００℃の範囲で加熱した後は、当該接着面の他の非粘着性基材からの剥離モードが凝集破壊に変化し、永久接着性を示す、シリコーン系接着シート；および、その半導体用ダイアタッチフィルム等への使用；当該シリコーン系接着シートの硬化物により、基材上に半導体チップまたは半導体用ウェハが固定された構造を有する、ＭＥＭＳデバイス等の半導体装置。

Description

シリコーン系接着シート、それを含む積層体、半導体装置の製造方法
本発明は、表面が微粘着性であるため、ダイシングした半導体チップ等を半導体基材上に容易に仮固定することができ、かつ、ポストキュアにより被着体への永久接着性を発現するシリコーン系接着シート、それを含む積層体、およびそれを用いた半導体装置（特に、ＭＥＭＳデバイスを含む）の製造方法に関する。
シリコン等の半導体ウェハは、その表面に複数の電子回路を形成する工程、電子回路が形成された半導体ウェハの裏面を研磨する工程、半導体ウェハをベースフィルムに固定した状態で切断（ダイシング）して個々の電子回路を有するＩＣチップに分割する工程、前記ＩＣチップをダイパッドに固定（ダイボンディング）する工程、並びに、任意で前記チップを樹脂封止する工程を経て半導体デバイスとなる。ここで、半導体ウェハを切断して得られたＩＣチップをダイパッドに固定する工程では、当該ダイパッド（マウント部）に当該チップが接着剤を介して固定される。前記接着剤が液状の場合は、前記チップ搭載部又はチップ自体の表面に接着剤が滴下・塗布されるが、このような液状接着剤の滴下では接着剤量を正確に制御することが困難であり、チップが小さい場合にはチップから接着剤がはみ出し、また、チップが大きい場合は接着剤が不足するおそれがあるため、予め均一な厚さとされたドライタイプのシート状接着剤を用いてＩＣチップをダイパッドに固定する方法が実施されている。
たとえば、本件出願人は、シリコーン系接着シートとして特許文献１および特許文献２に記載のものを提案している。また、半導体デバイスの製造労力・コストの改善を目的として、特許文献３のダイシングダイボンディング用シートを提案している。これらのシリコーン系接着シートは、加熱により半導体チップまたは半導体用ウェハをその取付部に接着（固定を目的とした永久接着）する目的に適しており、かつ、ダイボンディング工程前のダイシング工程において、半導体ウェハをベースフィルム上に固定する段階で半導体ウェハ表面に接着剤層を予め供給でき、チップ表面の形状に正確に対応した接着剤層を有するチップを形成可能なので、ダイボンディング工程時の取扱作業性および半導体装置の生産効率等に優れるものである。
一方、半導体装置の分野では、ＭＥＭＳ（ｍicro electro ｍechanical systeｍs）技術を用いて、小型かつ高集積されたセンサー等のＭＥＭＳデバイスの普及が進んできており、従来に比較して、半導体パッケージの小型化、ダイシングにより得られた半導体チップの超小型化、軽量化が進んでおり、パッケージ内に多数の半導体チップが配置された高精密構造が求められている。
しかしながら、このように超小型化したＭＥＭＳデバイスにおいて従来のシリコーン系接着シートを用いると、接着シート層を備えた半導体チップをダイパッド上に配置してからダイボンディング工程を行う間に生じる振動により、ダイパッド上における半導体チップの位置ずれが生じる場合がある。特に、ＭＥＭＳデバイスにおいては、多数の半導体チップが同一のパッケージ内に順次配置されてゆくため、このような振動を完全に抑制することは困難であり、チップ配置後の配置の確認と再調整等が必要になり、歩留まりと生産効率が低下するという問題がある。
当該振動にともなう位置ずれの問題は、接着シートを備えた個別のチップを順次、加熱圧着（プレスヒート）等により永久接着(＝加熱圧着固定)していくことで解決することも可能である。しかし、当該工程には各チップについて、少なくとも数秒間の加熱圧着操作が必要となるので、多数の半導体チップを備えるＭＥＭＳデバイスにおいて、生産効率が著しく低下し、さらに、圧着操作はデバイスそれ自体の損傷の原因となる場合がある。加えて、一度固定された半導体チップを取り外すことが困難となってデバイスの再利用性やリペア性が悪化する場合がある。このため、公知のシリコーン系接着シートは、特にＭＥＭＳデバイスの製造における工業的利用が制限されていた。
特開平１１－１２５４６号公報（特許３４２０４７３号） 特開２０００－８０３３５号公報（特許３４２０５１０号） 特開２００５－１８３８５５号公報（特許４５３６３６７号）
本発明の目的は、ＭＥＭＳデバイスを含む小型半導体装置の製造における使用に適合しており、その生産効率および歩留まりを改善可能なシリコーン系接着シートの提供を目的とする。また、当該シリコーン系接着シートを含む積層体、その半導体チップ用または半導体用ウェハ用のダイアタッチフィルムとしての使用、半導体装置前駆体としての使用を提供する。さらに、当該シリコーン系接着シートの硬化物により基材上に半導体チップまたは半導体用ウェハが固定された構造を有する半導体装置（特に、ＭＥＭＳデバイス）およびその製造方法を提供する。
鋭意検討の結果、本発明者らは、加熱等により被着体への永久接着性を発現する前の段階でその表面が適度な微粘着性を有するシリコーン系接着シートにより上記課題を解決可能であることを見出し、本発明に到達した。具体的には、加熱前は、接着面の他の非粘着性基材からの剥離モードが界面剥離 であり、当該接着面を５０～２００℃の範囲で加熱した後は、当該接着面の他の非粘着性基材からの剥離モードが凝集破壊 に変化し、永久接着性を示す、シリコーン系接着シートにより、上記課題を解決可能である。当該シリコーン系接着シートは、テクスチャーアナライザーを用いて当該シートのいずれかの表面に対して、直径８ｍｍのステンレス製プローブをシート表面に対し０．０１ｍｍ／秒の速度で下降させ、５０ｇｆの荷重がかかってから０．５秒保持し、その後０．５ｍｍ／秒の速度でプローブを上昇させた際に、当該接着シートがプローブから界面剥離し、かつ、その接着力の極大値を示し、さらに、当該接着力の極大値を示す表面を１００～２００℃の範囲で３時間加熱した場合、当該接着面の他の非粘着性基材からの剥離モードが凝集破壊に変化し、永久接着性を示すことを特徴とすることがより好ましい。ここで、当該被着体は、チップ、ウェハ、リードフレーム、樹脂基板、セラミック基板、積層されたチップ等の半導体用部材であることが好ましい。
上記のシリコーン系接着シートにおいて、直径８ｍｍのプローブに一定の圧力を加えて、前記の定速で引き上げた場合に接着力の極大値を持つとは、当該シート表面が微粘着性であり、チップ等の基材上における一時保持性および仮固定に適することを意味する。本発明のシリコーン系接着シートの接着力の極大値は１０ｇｆ以上の値または１５ｇｆ以上の値であってよい。また、シリコーン系接着シートは、そのシートの厚みが５～１０００μｍの範囲であることが好ましい。
当該シリコーン系接着シートは、当該シートに対して剥離性を有する基材間に挟持されており、かつ、少なくとも一方の基材が当該シートとの接触面に酸素原子または硫黄原子を有することを特徴とするものが好ましい。このようなシリコーン系接着シートは、架橋性シリコーン組成物の架橋物であり、当該架橋物に対して剥離性を有する基材の間で該組成物を架橋させてなり、少なくとも一方の基材が当該組成物との接触面に酸素原子または硫黄原子を有するものであることが好ましい。また、当該基材は有機樹脂からなるシート状基材であり、酸素原子が、カルボニル基、アルコキシ基、エステル基、およびエーテル基からなる群より選択される基を構成する原子であり、また、硫黄原子が、スルホン基、およびチオエーテル基からなる群より選択される基を構成する原子であることが好ましい。
これらの接着シートは、(Ａ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、(Ｂ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、(Ｃ)少なくとも一種の接着促進剤、および(Ｄ)ヒドロシリル化反応用触媒を含む架橋性シリコーン組成物の架橋物であることが好ましい。また、当該シートのすくなくとも一方の表面が、１００～２００℃の範囲で３時間加熱することにより接触した被着体に対する永久接着性を発現することが好ましい。
これらの接着シートは、半導体チップまたは半導体用ウェハをその取付部に接着する目的で使用されるものであることが好ましく、特に、ＭＥＭＳデバイスに利用するダイアタッチフィルム用途であることが好ましい。
また、本発明の目的は、上記のシリコーン系接着シートを含む、積層体により解決される。
好適な積層体の一つは、上記のシリコーン系接着シートが当該シートに対して剥離性を有する基材間に挟持されており、かつ、少なくとも一方の基材が当該シートとの接触面に酸素原子または硫黄原子を有することを特徴とするシート状の積層体であり、半導体チップ用または半導体用ウェハ用のダイアタッチフィルムであることが好ましい。
他の好適な積層体は、半導体装置の前駆体であり、上記のシリコーン系接着シートを介して、基材上に半導体チップまたは半導体用ウェハが配置された構造を有する積層体である。当該積層体はダイパッド上に、ダイシングにより個片化された半導体チップ（ダイ）が上記のシリコーン系接着シートを介して配置され、一時的に保持（仮固定）された構造を有する半導体装置の前駆体であってよく、特に、ＭＥＭＳデバイスの前駆体であってよい。当該積層体全体を、例えば５０～２００℃の範囲で加熱することにより、上記のシリコーン系接着シートの硬化物により、基材上に半導体チップまたは半導体用ウェハが固定された構造を有する、半導体装置（好適には、ＭＥＭＳデバイス）を得ることができる。
また、本発明のシリコーン系接着シートは、半導体装置（好適には、ＭＥＭＳデバイス）の製造に適しており、以下の工程を有する、半導体装置の製造方法に用いられる。
工程１：上記のシリコーン系接着シートを半導体用ウェハの背面に積層する工程、
工程２：上記工程１で得た積層体をダイシングにより個片化する工程、
工程３：上記工程２で得た半導体用ウェハの個片を、シリコーン系接着シート面を介して半導体基材上に配置する工程
工程４：工程３で得た、半導体用ウェハの個片がシリコーン系接着シート面により半導体基材上に配置された構造体を５０～２００℃の範囲で加熱することにより、半導体用ウェハの個片をシリコーン系接着シートにより半導体基材上に接着する工程
また、本発明のシリコーン系接着シートは、以下の工程を有する、半導体装置（好適には、ＭＥＭＳデバイス）の製造方法に用いられる。
工程１：上記のシリコーン系接着シートを半導体チップに近似した大きさに個片化する工程、
工程２：上記工程１で得た個片化したシリコーン系接着シートを半導体基材上に配置する工程
工程３：上記工程２で半導体基材上に配置された個片化したシリコーン系接着シート上に半導体チップを配置する工程
工程４：工程３で得た、半導体用チップがシリコーン系接着シート面により半導体基材上に配置された構造体を５０～２００℃の範囲で加熱することにより、半導体用チップをシリコーン系接着シートにより半導体基材上に接着する工程
本発明により、ＭＥＭＳデバイスを含む小型半導体装置の製造における使用に適合しており、その生産効率および歩留まりを改善可能なシリコーン系接着シートを提供することができる。また、当該シリコーン系接着シートを含む積層体、その半導体チップ用または半導体用ウェハ用のダイアタッチフィルムとしての使用、半導体装置前駆体としての使用を提供することができる。さらに、当該シリコーン系接着シートの硬化物により基材上に半導体チップまたは半導体用ウェハが固定された構造を有する半導体装置（特に、ＭＥＭＳデバイス）およびその製造方法を提供することができる。
なお、本発明のシリコーン系接着シートは、加熱圧着等の工程を経ることなく、当該シート自体が振動等に対して半導体チップ等を一時的に保持し、基材上に仮固定可能な程度の粘着性を保持しており、かつ、ダイボンディング前であれば、凝集破壊等の永久接着を生じることなくチップを再配置することが可能である。このため、当該接着シートを備えた半導体チップ（ダイシングにより個片化したチップを含む）は、半導体用基材上に配置された場合、振動等に対して、チップの位置ずれや剥落といった問題を生じにくく、かつ、所望により糊残りの問題なく界面剥離してチップの再配置も可能であるので、ＭＥＭＳデバイスを含む小型半導体装置の生産効率を著しく改善しうる。
［シリコーン系接着シート］
本発明にかかるシリコーン系接着シートは、被着体に貼着した後、これを加熱等することにより、該被着体に対する永久接着性を発現するものである。ここで、永久接着とは、当該被着体からシリコーン系接着シートまたはその硬化物（加熱により得られたポストキュア硬化物を含む）を剥離させる場合、その剥離モードがシリコーン系接着シートまたはその硬化物である接着層が、接着面のほぼ全面において凝集破壊を起こし、被着体上に残留する接着状態である。なお、ここで、接着面のほぼ全面とは、全体の少なくとも過半（５０％以上）の範囲で凝集破壊が生じるものであり、いわゆる斑模様に接着層の凝集破壊が発生してもよい。
本発明のシリコーン系接着シートは１００～２００℃の範囲で３時間加熱した場合、永久接着性を発現するが、１００℃以下の温度または３時間以下の加熱時間を選択することも可能である。具体的には、本発明のシリコーン系接着シートを半導体装置の製造に用いる場合、５０～２００℃、または５０～１５０℃の範囲での加熱が好適である。また、加熱時間は、半導体装置の大きさや加熱装置（オーブン、ダイアタッチプレス）の規模等に応じて適宜選択可能であるが、数秒～数時間の範囲であることが、生産効率上好ましい。また、所望により、低温短時間の接着や接着時間の低減を目的として、紫外線等の高エネルギー線の照射を組み合わせてもよい。なお、２００℃以上の高温で接着させた場合、特にＭＥＭＳ等の小型半導体装置では動作不良の原因となる場合があり、永久接着性の実現条件として好ましくない。
本発明にかかるシリコーン系接着シートは、上記の加熱等により被着体への永久接着性を発現する前の段階でそのシート表面が適度な微粘着性を有することを特徴とし、具体的には、被着体に対して配置した場合に剥離モードが界面剥離であって、剥離時に接着層それ自体が破壊されず、僅かな移行成分を除いて接着層がほぼ完全に脱離することを意味する。特許文献１等に開示された公知のシリコーン系接着シートは、微粘着性を有しないか、その程度が不十分あるいは過剰であり、特に、ＭＥＭＳデバイスを含む小型半導体装置の製造における使用に適合するものではない。特に、シリコーン系接着シートが微粘着性を有しない場合、特に、ＭＥＭＳデバイスに用いる半導体チップの配置等において位置決めや再配置が困難であり、半導体の製造工程において、微粘着性が求められる配置工程を経た後、加熱により当該シートを永久接着させることが可能である点が、本発明のシリコーン系接着シートの重要な特徴である。
より具体的には、本発明にかかるシリコーン系接着シートは、加熱前は、接着面の他の非粘着性基材からの剥離モードが界面剥離であり、当該接着面を５０～２００℃の範囲で加熱した後は、当該接着面の他の非粘着性基材からの剥離モードが凝集破壊に変化し、永久接着性を示す、シリコーン系接着シートである。なお、ここで非粘着性基材とは、半導体チップ、半導体ウェハ、リードフレーム、樹脂基板、セラミック基板、積層された半導体チップ、ステンレス板など、それ自体では粘着性を示さない基材を意味する。
このようなシリコーン接着シートは、好適には、加熱前のシリコーン系接着シートについて、テクスチャーアナライザーを用いて当該シートのいずれかの表面に対して、直径８ｍｍのステンレス製プローブをシート表面に対し０．０１ｍｍ／秒の速度で下降させ、５０ｇｆの荷重がかかってから０．５秒保持し、その後０．５ｍｍ／秒の速度でプローブを上昇させた際に、当該接着シートがプローブから界面剥離し、かつ、その接着力の極大値を示し、さらに、当該接着力の極大値を示す表面を１００～２００℃の範囲で３時間加熱した場合、当該接着面の他の非粘着性基材からの剥離モードが凝集破壊に変化し、永久接着性を示すことを特徴とするものである。ここで、上記の加熱条件は本発明にかかるシリコーン接着シートの永久接着性の有無を確認するための試験条件であって、実際の永久接着性を発現させるにあたって、５０～１００℃の低温を選択してもよく、３時間未満または３時間を超える加熱時間を選択してもよい。これらの加熱条件は基材の種類や半導体等の製造条件に応じ、適宜選択することが可能である。また、前記の接着力の極大値は１０ｇｆ以上の値または１５ｇｆ以上の値であってよく、１０ｇｆ～５００ｇｆ、５０ｇｆ～４００ｇｆの範囲であることが好ましい。なお、上記のいずれかの表面は、片面であってもよく、両面であってもよく、各面で接着力の極大値を示す引っ張り距離ないし接着力の極大値が異なってもよい。本発明の目的上、当該表面は半導体チップまたは半導体ウェハを半導体基材上の取付部に接着する面であることが好ましい。当該接着面は、その後の加熱等により、半導体基材上に永久接着（＝ダイボンディング）される。
本発明は、特に、ＭＥＭＳデバイスを含む小型半導体装置の製造に適した微粘着力を備えたシリコーン系接着シートを提供するものであり、上記の条件を満たすシリコーン系接着シートは、その組成に関わらず、本発明の目的を達成可能である。すなわち、テクスチャーアナライザーを用いて、直径８ｍｍのステンレス製プローブをシート表面に対し０．０１ｍｍ／秒の速度で下降させ、５０ｇｆの荷重がかかってから０．５秒保持し、その後０．５ｍｍ／秒の速度でプローブを上昇させた際に接着力の極大値を有するシリコーン系接着シートを選択することにより、チップ等の基材上における一時保持性および仮固定に適し、振動等による位置ずれや剥落の問題を生じることなく、半導体装置のダイボンディングが可能となる。一方、上記の試験において接着力の極大値を有しないシリコーン系接着シートを用いると、振動等に伴ってチップ等が基材から用意に所定の位置からずれたり、剥落したりする場合がある。
本発明のシリコーン系接着シートについて、上記のような微粘着性を実現する方法は限定されず、シートを形成する架橋性シリコーン組成物についてその主剤ないし架橋剤の制御、同組成物の架橋密度（ＳｉＨ／Ｖｉ比）の制御、同組成物中のシリコーンレジン等の微粘着性の付与成分の選択または添加、同組成物に対する接着付与剤の選択または添加、同組成物を硬化させる際の基材接触面の化学的修飾等から選ばれる１種類または２種類以上の手段を組み合わせて解決可能である。なお、上記のテクスチャーアナライザーを用いて特定される表面の微粘着性は、客観的に測定ないし特定が可能であるから、所望の方法により、当該表面の微粘着性を、上記範囲に設計してよい。
本発明のシリコーン系接着シートは、上記の永久接着性の発現とテクスチャーアナライザーを用いて特定される微粘着性の表面を備える以外に、その組成面や製造方法において特に制限されるものではないが、好適には、架橋性シリコーン組成物の架橋物により形成されているものが好ましい。
この接着性シートを形成する架橋物の架橋度合は限定されず、架橋性シリコーン組成物を架橋させて、その架橋物の硬さが実質的に変化しなくなるような状態まで完全に架橋させた状態、あるいは不完全に架橋させ、溶剤により膨潤するものの、完全に溶解することがなく、架橋性シリコーン組成物が流動性を失ったような状態、すなわち、ＪＩＳ  Ｋ  ６８００(接着剤・接着用語)に定義されているようなＢ－ステージ(熱硬化性樹脂の硬化中間体)のような状態が例示される。
当該シリコーン系接着シートは、上記の微粘着性の表面（片面または両面）であって、上記の接着力の極大値を有する表面が、５０～２００℃の範囲における加熱により接触した被着体に対する永久接着性を発現することが好ましく、当該層が架橋性シリコーン組成物の架橋物により形成されていることが好ましい。ここで、その内部構造は限定されず、例えば、内部にシリコーンゴムシート、ポリイミド樹脂シート、ポリエステル樹脂シート、エポキシ樹脂シート等の有機樹脂支持体、またはシリカ粒子、ガラス粒子、アルミナ粒子等の無機質充填剤あるいはシリコーンゴム粒子、ポリイミド樹脂粒子、ポリエステル樹脂粒子、エポキシ樹脂粒子等の有機質充填剤を含有していてもよい。このようなシリコーン系接着性シートの形状は限定されず、その厚さは限定されないが、実用上好ましくは、１～５０００μｍの範囲内であり、特に好ましくは、１０～１０００μｍの範囲内であり、１０～５００μｍの範囲内であってもよい。
特に、本発明のシリコーン系接着性シートは、架橋性シリコーン組成物の架橋物に対して剥離性を有する基材の間で該組成物を架橋させてなるものであることが好ましく、該基材の少なくとも一方が、該組成物に接する面に酸素原子および／または硫黄原子を有するものであることが特に好ましい。
この酸素原子は、カルボニル基、アルコキシ基、エステル基、およびエーテル基からなる群より選択される基を構成する原子であることが好ましい。また、この硫黄原子は、スルホン基、およびチオエーテル基からなる群より選択される基を構成する原子であることが好ましい。このような剥離性を有する基材表面の酸素原子および／または硫黄原子、特には、酸素原子および／または硫黄原子を構成原子とする基の有無は、例えば、元素分析、蛍光Ｘ線分析、Ｘ線マイクロアナライザー分析、赤外線吸収分析、ＥＳＣＡ分析等で容易に確認することができる。また、このような原子、あるいは基の含有量は限定されず、上記の分析方法により検出できる程度の含有量があればよい。
このような原子、あるいは基を有し、剥離性を有する基材としては、構成分子中にこのような原子、あるいは基を有する、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリオキシメチレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルフォン樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂が例示され、さらには、構成分子中にこのような原子、あるいは基を有しない、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、フッ素樹脂脂等の表面をコロナ処理、グロー処理、プラズマ処理、オゾン処理、紫外線処理等、あるいはその他の物理的および／または化学的処理により、その表面に化学的に結合した酸素原子および／または硫黄原子、あるいはこのような原子を構成原子とする基を導入したものが例示される。また、これらの有機樹脂のみからなる基材であってもよく、これらの有機樹脂からなる複合材であってもよい。さらに、この基材は、架橋性シリコーン組成物の架橋物に対して、誘電率および／または屈折率が大きい基材であることが好ましい。
これらの基材の形状は限定されるものではないが、シート状基材を用いた場合には、このシリコーン系接着性シートの保護材としてそのまま用いることができるので好ましく、例えば、半導体チップおよび該チップ取付部等の被着体にこれを貼着する際に、この保護材を剥がして使用することができるので好ましい。また、このシリコーン系接着性シートの製造後に別の剥離性の基材に貼り替えてもよい。この場合の剥離性の基材は限定されない。
例えば、本発明のシリコーン系接着性シートが架橋性シリコーン組成物の架橋物であり、当該架橋物に対して剥離性を有する基材の間で該組成物を架橋させてなる場合、最終的に得られるものは、当該シートに対して剥離性を有する基材間に挟持されており、好適には、少なくとも一方の基材が当該シートとの接触面に酸素原子または硫黄原子を有することを特徴とするシリコーン系接着性シートである。
［架橋性シリコーン組成物］
このシリコーン系接着性シートにおいて、架橋性シリコーン組成物としてはヒドロシリル化反応型のものを用いることが好ましく、特に、このヒドロシリル化反応型架橋性シリコーン組成物として、(Ａ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、(Ｂ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子水素原子を有するオルガノポリシロキサン、(Ｃ)少なくとも一種の接着促進剤、および(Ｄ)ヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなる架橋性シリコーン組成物であることが好ましい。
この(Ａ)成分は上記組成物の主剤であり、１種又は２種以上のアルケニル基含有オルガノポリシロキサンで構成される。こうしたアルケニル基含有オルガノポリシロキサンの分子構造は、特に限定されず、例えば、直鎖状、分枝鎖状、環状、三次元網状構造、並びにこれらの組み合わせが挙げられる。また、(Ａ)成分中のケイ素原子結合アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示され、特に、ビニル基であることが好ましい。このアルケニル基の結合位置としては、分子鎖末端および／または分子鎖側鎖が例示される。また、(Ａ)成分中のアルケニル基以外のケイ素原子に結合した基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、３－クロロプロピル基、３，３，３－トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示され、特に、メチル基、フェニル基であることが好ましい。また、得られるシリコーン系接着性シートが優れた耐寒性を有し、このシリコーン系接着性シートを用いて作製した半導体装置の信頼性がより向上することから、(Ａ)成分中のケイ素原子に結合した有機基に対するフェニル基の含有量が１モル％以上であることが好ましく、さらには、これが１～６０モル％の範囲内であることが好ましく、特には、これが１～３０モル％の範囲内であることが好ましい。また、(Ａ)成分の粘度は限定されないが、２５℃における粘度が１００～１，０００，０００mPa・sの範囲内であることが好ましい。
特に好適には、（Ａ）成分は、直鎖状のアルケニル基含有オルガノポリシロキサンであり、少なくとも分子鎖両末端にアルケニル基を含有することが好ましく、分子鎖両末端のみにアルケニル基を含有していてもよい。こうした（Ａ）成分としては、特に限定されないが、例えば、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、これらの重合体のメチル基の一部がエチル基、プロピル基等のメチル基以外のアルキル基や３，３，３－トリフロロプロピル基等のハロゲン化アルキル基で置換された重合体、これらの重合体のビニル基がアリル基、ブテニル基、ヘキセニル基等のビニル基以外のアルケニル基で置換された重合体、およびこれらの重合体の２種以上の混合物が挙げられる。なお、これらのアルケニル基含有オルガノポリシロキサンは、接点障害防止等の見地から、低分子量のシロキサンオリゴマー（オクタメチルテトラシロキサン（Ｄ４）、デカメチルペンタシロキサン（Ｄ５））が低減ないし除去されていることが好ましい。
(Ｂ)成分は上記組成物の架橋剤であり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサンである。この(Ｂ)成分の分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示される。また、(Ｂ)成分中のケイ素原子に結合した水素原子の結合位置としては、分子鎖末端および／または分子鎖側鎖が例示される。また、(Ｂ)成分中の水素原子以外のケイ素原子に結合した基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、３－クロロプロピル基、３，３，３－トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示され、特に、メチル基、フェニル基であることが好ましい。また、この(Ｂ)成分の粘度は限定されないが、２５℃における粘度が１～１，０００mPa・sの範囲内であり、好ましくは、１～５００ｍＰａ・ｓの範囲内である。さらに、接点障害防止等の見地から、低分子量のシロキサンオリゴマー（オクタメチルテトラシロキサン（Ｄ４）、デカメチルペンタシロキサン（Ｄ５））が低減ないし除去されていてもよい。
なお、本発明組成物を硬化して得られる硬化物の柔軟性の見地から、（Ｂ）成分の構造および分子中のケイ素原子結合水素原子の個数（平均値）を設計してよい。例えば、得られるオルガノポリシロキサン硬化物の柔軟性や部材からの剥離性に優れ、修繕・再利用等のリペア性を改善する見地から、少なくとも２個を分子鎖側鎖に有する直鎖状のオルガノハイドロジェンポリシロキサンを鎖長延長剤として利用してもよく、硬度の高い硬化物を得る目的で、側鎖に多数のケイ素原子結合水素原子オルガノハイドロジェンポリシロキサンを架橋剤として用いてもよく、これらを併用してもよい。
(Ｂ)成分の配合量は、上記(Ａ)成分を架橋させるに十分な量であり、これは、上記(Ａ)成分中のケイ素原子結合アルケニル基１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.５～１０モルの範囲内となる量であることが好ましく、特に、これが１～３モルの範囲内となる量であることが好ましい。これは、上記組成物において、(Ａ)成分中のケイ素原子結合アルケニル基１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が上記の範囲未満のモル数であると、上記組成物が架橋しなくなる傾向があり、一方、この範囲をこえるモル数であると、上記組成物を架橋して得られる架橋物の耐熱性が低下する傾向があるからである。
(Ｃ)成分は、上記組成物の架橋物に良好な接着性を付与するための成分であり、少なくとも一種の接着促進剤であって、(i)一分子中にケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子とケイ素原子結合アルコキシ基を少なくとも１個ずつ有するシロキサン、(ii)一分子中にケイ素原子結合アルケニル基とケイ素原子結合アルコキシ基とケイ素原子結合エポキシ含有一価有機基を少なくとも１個ずつ有するオルガノシロキサン、(iii)一分子中にケイ素原子結合アルコキシ基を少なくとも１個有するシランもしくはシロキサンと、一分子中にケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基を少なくとも１個ずつ有するオルガノシロキサンの混合物もしくは反応混合物、および(iv)一分子中にケイ素原子結合アルコキシ基とケイ素原子結合エポキシ基含有一価有機基を少なくとも１個ずつ有するオルガノシランもしくはオルガノシロキサンと、一分子中にケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基を少なくとも１個ずつ有するオルガノシロキサンの混合物もしくは反応混合物からなる群より選択される少なくとも一種の接着促進剤が好適である。
この(Ｃ)成分のうち、一分子中に、ケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子、およびケイ素原子結合アルコキシ基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するシロキサンの分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示され、特に、直鎖状、分枝鎖状、網状であることが好ましい。このシロキサン中のケイ素原子結合アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示され、特に、ビニル基であることが好ましい。また、このシロキサン中のケイ素原子結合アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシエトキシ基が例示され、特に、メトキシ基であることが好ましい。また、このシロキサン中のアルケニル基、水素原子、およびアルコキシ基以外のケイ素原子に結合した基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、３－クロロプロピル基、３，３，３－トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基；３－グリシドキシプロピル基、４－グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基；２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチル基、３－（３，４－エポキシシクロヘキシル）プロピル基等の（３，４－エポキシシクロヘキシル）アルキル基；４－オキシラニルブチル基、８－オキシラニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基等のエポキシ含有一価有機基が例示され、各種の基材に対しても良好な接着性を付与することができることから、一分子中に、このエポキシ含有一化有機基を少なくとも１個有することが好ましい。このようなシロキサンの粘度は限定されないが、２５℃において１～５００mPa・sの範囲内であることが好ましい。
また、この(Ｃ)成分のうち、ケイ素原子結合アルコキシ基を少なくとも１個有するシランもしくはシロキサンと一分子中に、ケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するオルガノシロキサンの混合物において、前者のシラン中のケイ素原子に結合したアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシエトキシ基が例示され、特に、メトキシ基であることが好ましい。また、このシランのケイ素原子には上記のアルコキシ基以外に、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、３－クロロプロピル基、３，３，３－トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基；３－グリシドキシプロピル基、４－グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基；２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチル基、３－（３，４－エポキシシクロヘキシル）プロピル基等の（３，４－エポキシシクロヘキシル）アルキル基；４－オキシラニルブチル基、８－オキシラニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基等のエポキシ含有一価有機基を有していてもよく、各種の基材に対しても良好な接着性を付与することができることから、このエポキシ含有一価有機基を一分子中に少なくとも１個有することが好ましい。
また、前者のシロキサンの分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示され、特に、直鎖状、分枝鎖状、網状であることが好ましい。このシロキサン中のケイ素原子に結合したアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシエトキシ基が例示され、特に、メトキシ基であることが好ましい。また、このシロキサンのケイ素原子には上記のアルコキシ基以外に、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、３－クロロプロピル基、３，３，３－トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基；３－グリシドキシプロピル基、４－グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基；２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチル基、３－（３，４－エポキシシクロヘキシル）プロピル基等の（３，４－エポキシシクロヘキシル）アルキル基；４－オキシラニルブチル基、８－オキシラニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基等のエポキシ含有一価有機基を有していてもよく、各種の基材に対しても良好な接着性を付与することができることから、このエポキシ含有一価有機基を一分子中に少なくとも１個有することが好ましい。このようなシロキサンの粘度は限定されないが、２５℃において１～５００mPa・sの範囲内であることが好ましい。
また、後者のオルガノシロキサンの分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示され、特に、直鎖状、分枝鎖状、網状であることが好ましい。このオルガノシロキサン中のケイ素原子に結合したアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示され、特に、ビニル基であることが好ましい。また、このオルガノシロキサン中のヒドロキシ基およびアルケニル基以外のケイ素原子に結合した基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、３－クロロプロピル基、３，３，３－トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示される。このようなオルガノシロキサンの粘度は限定されないが、２５℃において１～５００mPa・sの範囲内であることが好ましい。
このケイ素原子結合アルコキシ基を少なくとも１個有するシランもしくはシロキサンと一分子中に、ケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するオルガノシロキサンの比率は限定されないが、特に良好な接着性を付与することができることから、前者のシランもしくはシロキサンと後者のオルガノシロキサンの重量比率が１／９９～９９／１の範囲内であることが好ましい。
本発明の接着付与剤としては、アミノ基含有有機基を有するアルコキシシランとエポキシ基含有有機基を有するアルコキシシランとの反応混合物を用いることができ、その反応比率はモル比で、（１：１.５）～（１：５）の範囲内にあることが好ましく、（１：２）～（１：４）の範囲内にあることが特に好ましい。この成分は、上記のようなアミノ基含有有機基を有するアルコキシシランとエポキシ基含有有機基を有するアルコキシシランとを混合して、室温下あるいは加熱下で反応させることによって容易に合成することができる。
特に、本発明においては、特開平１０－１９５０８５号公報に記載の方法により、アミノ基含有有機基を有するアルコキシシランとエポキシ基含有有機基を有するアルコキシシランとを反応させる際、特に、アルコール交換反応により環化させてなる、一般式：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 ｛式中、Ｒ1はアルキル基またはアルコキシ基であり、Ｒ2は同じかまたは異なる一般式：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 （式中、Ｒ4はアルキレン基またはアルキレンオキシアルキレン基であり、Ｒ5は一価炭化水素基であり、Ｒ6はアルキル基であり、Ｒ7はアルキレン基であり、Ｒ8はアルキル基、アルケニル基、またはアシル基であり、ａは０、１、または２である。）
で表される基からなる群から選択される基であり、Ｒ3は同じかまたは異なる水素原子もしくはアルキル基である。｝
で表されるカルバシラトラン誘導体を含有することが特に好ましい。このようなカルバシラトラン誘導体として、以下の構造で表される１分子中にアルケニル基およびケイ素原子結合アルコキシ基を有するシラトラン誘導体が例示される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
当該成分は一分子中に少なくとも二つのアルコキシシリル基を有し、かつそれらのシリル基の間にケイ素－酸素結合以外の結合が含まれている有機化合物であり、単独でも初期接着性を改善するほか、特に他の接着付与剤と併用することにより本接着促進剤を含んでなる硬化物に苛酷な条件下での接着耐久性を向上させる働きをする。
 (Ｃ)成分の配合量は上記組成物の架橋物に良好な接着性を付与するに十分な量であり、例えば、(Ａ)成分１００重量部に対して０.０１～２０重量部の範囲内となる量であることが好ましく、特に、これが０.１～１０重量部の範囲内となる量であることが好ましい。これは、(Ｃ)成分の配合量がこの範囲未満の量であると、硬化物の接着性が低下する傾向があり、一方、この範囲をこえても接着性に影響はなく、むしろ、シリコーン系接着性シートの安定性が低下する傾向があるからである。
(Ｄ)成分は上記組成物のヒドロシリル化反応による硬化を促進するための触媒であり、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒が例示され、本組成物の硬化を著しく促進できることから白金系触媒が好ましい。この白金系触媒としては、白金微粉末、白金黒、白金担持シリカ微粉末、白金担持活性炭、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金－アルケニルシロキサン錯体、白金－オレフィン錯体、白金－カルボニル錯体、およびこれらの白金系触媒を、シリコーン樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂等の熱可塑性樹脂で分散あるいはカプセル化した触媒が例示され、特に反応速度が良好であることから、白金－アルケニルシロキサン錯体が好ましい。このアルケニルシロキサンとしては、１,３－ジビニル－１,１,３,３－テトラメチルジシロキサン、１,３,５,７－テトラメチル－１,３,５,７－テトラビニルシクロテトラシロキサン、これらのアルケニルシロキサンのメチル基の一部をエチル基、フェニル基等で置換したアルケニルシロキサン、これらのアルケニルシロキサンのビニル基をアリル基、ヘキセニル基等で置換したアルケニルシロキサンが例示される。特に、この白金－アルケニルシロキサン錯体の安定性が良好であることから、１,３－ジビニル－１,１,３,３－テトラメチルジシロキサンであることが好ましい。加えて、取扱作業性および組成物のポットライフの改善の見地から、熱可塑性樹脂で分散あるいはカプセル化した微粒子状の白金含有ヒドロシリル化反応触媒を用いてもよい。なお、ヒドロシリル化反応を促進する触媒としては、鉄、ルテニウム、鉄／コバルトなどの非白金系金属触媒を用いてもよい。
(Ｄ)成分の配合量は上記組成物の硬化を促進するに十分な量であり、これは、白金系触媒を用いる場合には、上記組成物において、白金金属原子が質量単位で０.０１～５００ｐｐｍの範囲内となる量、０.０１～１００ｐｐｍの範囲内となる量、あるいは、０.０１～５０ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましい。(Ｄ)成分の配合量が、この範囲未満の量であると、得られる組成物の硬化速度が著しく遅くなる傾向があり、一方、この範囲をこえる量であっても、さほど硬化速度には影響がなく、むしろ、着色等の問題を生じるからである。
上記組成物は、(Ａ)成分～(Ｄ)成分を均一に混合することにより得られる、この組成物を室温もしくは室温～２００℃の温度範囲、好ましくは、室温～１５０℃の温度範囲に加熱することによりヒドロシリル化反応させて、架橋性シリコーン組成物の架橋物である本発明のシリコーン系接着性シートを形成することができる。上記組成物を加熱する際には、上記組成物が基材と完全に接着してしまい、剥離が不可能にならないように注意を要する。
上記組成物のヒドロシリル化反応速度を調整し、半硬化状物または完全硬化状物の安定性を向上させるために、上記組成物にヒドロシリル化反応抑制剤を配合することが好ましい。このヒドロシリル化反応抑制剤としては、３－メチル－１－ブチン－３－オール、３，５－ジメチル－１－ヘキシン－３－オール、３－フェニル－１－ブチン－３－オール等のアセチレン系化合物；３－メチル－３－ペンテン－１－イン、３，５－ジメチル－３－ヘキセン－１－イン等のエンイン化合物；１，３，５，７－テトラメチル－１，３，５，７－テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７－テトラメチル－１，３，５，７－テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン等のシクロアルケニルシロキサン；ベンゾトリアゾール等のトリアゾール化合物等が特に制限なく使用することができる。その配合量としては、上記組成物の硬化条件により異なるが、(Ａ)成分１００重量部に対して０．００００１～５重量部の範囲内であることが実用上好ましい。
また、上記のような架橋性シリコーン組成物には、その他任意の成分として、沈降シリカ、ヒュームドシリカ、焼成シリカ、酸化チタン、アルミナ、ガラス、石英、アルミノケイ酸、酸化鉄、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、カーボンブラック、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化ホウ素等の無機質充填剤、これらの充填剤をオルガノハロシラン、オルガノアルコキシシラン、オルガノシラザン等の有機ケイ素化合物により処理した無機質充填剤；シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂等の有機樹脂微粉末；銀、銅等の導電性金属粉末等の充填剤、染料、顔料、難燃材、溶剤等を配合することができる。さらに、本発明の目的を損なわない限り、硬化性エポキシ樹脂、硬化性エポキシ変性シリコーン樹脂、硬化性シリコーン変性エポキシ樹脂、硬化性ポリイミド樹脂、硬化性ポリイミド変性シリコーン樹脂、硬化性シリコーン変性ポリイミド樹脂等を配合することができる。
［シリコーン系接着性シートの製造方法］
上記のシリコーン系接着性シートは、例えば、架橋性シリコーン組成物の架橋物に対して剥離性を有する基材の間で該組成物を架橋させてなり、該基材の少なくとも一方が、該組成物に接する面に酸素原子および／または硫黄原子を有するものであることを特徴とする方法により製造可能である。この酸素原子および／または硫黄原子は前記同様である。
この製造方法において、シリコーン系接着性シートを製造する方法としては、架橋性シリコーン組成物を前記の基材の間に挟み込んだ状態で架橋させる方法、シリコーンゴムシート、有機樹脂シート等の支持体の両面に該組成物を均一に塗布した後、これらの基材の間に挟み込んだ状態で架橋させる方法、シリコーンゴム粒子、有機樹脂粒子、無機質系粒子等の充填剤を配合した該組成物を前記の基材の間に挟み込んだ状態で架橋させる方法が例示される。これらの基材の間に挟み込んでシリコーン系接着性シートを調製するためには、これを２本ロールやプレス機等により成形した後、もしくは成形しながら、架橋性シリコーン組成物を架橋させることが好ましい。
［用途］
本発明にかかるシリコーン系接着シートは、半導体チップまたは半導体用ウェハをその取付部に接着する目的で使用されるものであることが好ましく、特に、ＭＥＭＳデバイスに利用するダイアタッチフィルム用途であることが好ましい。ここで、ＭＥＭＳデバイスとは、一般的にMicro Electro Mechanical Systemsと呼ばれる半導体微細加工技術を用いて形成された半導体装置の総称であり、ＭＥＭＳチップを備えた加速度センサや角速度センサなどの慣性センサであってよい。また、半導体装置は公知のものが特に制限なく利用され、ダイオード、トランジスタ、サイリスタ、モノリシックＩＣ、ハイブリッドＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩが例示され、これらの半導体装置（ＭＥＭＳデバイス含む）の半導体チップを、本発明にかかるシリコーン系接着シートにより該チップ取付部に仮固定し、さらに加熱等により永久接着する用途に好適に利用できる。
［積層体］
上記のシリコーン系接着シートは、取扱作業性の見地から、当該シートに対して剥離性を有する基材間に挟持されており、かつ、少なくとも一方の基材が当該シートとの接触面に酸素原子または硫黄原子を有することを特徴とするシート状の積層体であり、半導体チップ用または半導体用ウェハ用のダイアタッチフィルムであることが好ましい。
また、上記のシリコーン系接着シートは、上記の半導体装置（特にＭＥＭＳデバイス等）に使用される半導体用ウェハまたは半導体用チップ等の半導体用部材に積層してよい。当該積層の方法は特に制限されるものではないが、本シリコーン系接着シートの特徴である微粘着性を利用して直接積層してもよく、圧着ないし加熱圧着させてもよい。当該シリコーン系接着シートを備えた半導体用ウェハまたは半導体用チップである半導体用部材は、当該積層体の状態でダイシング等の公知の手段を用いて個片化することで、本発明のシリコーン系接着シートを備えた半導体用チップ（ダイ）として、ダイパッド等の半導体基材上の取付部に配置（マウント）することができる。また、その際に、当該取付部のシリコーン系接着シートの表面が上記の微粘着性を備えることにより、ごく短時間の圧着または物理的な設置のみで容易に当該半導体用チップ（ダイ）を半導体基材上に仮固定することができ、しかも、振動等に対して位置ずれや剥落が発生し難いという利点を備える。
半導体基材は、その材質等について得に制限されるものではないが、略平坦な板状であってよく、その材質は特に限定されないが、半導体チップ、アルミニウム、鉄、亜鉛、銅、マグネシウム合金等の金属、セラミック、ガラス、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ベークライト樹脂、メラミン樹脂、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ＡＢＳ、ＳＰＳ等のプラスチック、及びガラスが挙げられる。なお、基材の厚みは特に制限されないが、０．１～１０ｍｍであってよい。なお、これらは、単独では粘着性を有さず、非粘着性の基材である。
［半導体装置の前駆体および永久接着］
このような積層体は、上記の半導体装置（特にＭＥＭＳデバイス等）の前駆体であり、端的には記のシリコーン系接着シートを介して、基材上に半導体チップまたは半導体用ウェハが配置された構造を有する積層体である。当該積層体はダイパッド等の回路基板上に、ダイシングにより個片化された半導体チップ（ダイ）が上記のシリコーン系接着シートを介して配置され、一時的に保持（仮固定）された構造を有する半導体装置の前駆体であってよく、特に、ＭＥＭＳデバイスの前駆体であってよい。当該積層体全体を、例えば５０℃以上に加熱することにより、上記のシリコーン系接着シートの硬化物により、基材上に半導体チップまたは半導体用ウェハが固定された構造を有する、半導体装置（好適には、ＭＥＭＳデバイス）を得ることができる。なお、永久接着を発現させるための加熱温度や加熱時間は、前記同様である。
当該半導体装置（特にＭＥＭＳデバイス等）は、さらに、回路配線、チップと回路配線の接続を目的としたボンディングワイヤまたはバンプ、回路配線やチップの一部又は全部を封止する樹脂層などを備えてもよく、半導体装置の種類または用途に応じて適宜設計可能である。また、当該半導体装置は水平に配置された構造であっても、垂直に配置された構造であっても、三次元的に積層された構造であってもよい。上記のシリコーン系接着シートは、その表面が微粘着性であるため、水平方向以外の配置であっても仮固定や再配置が可能であり、設計上の取付部位に仮固定した後は、その他の配線等に伴う衝撃や振動に対しても位置ずれが発生しにくく、そのまま半導体装置前駆体を加熱することでチップ等を容易に永久接着できることから、様々な半導体装置の設計および製造プロセスに柔軟に対応できる利益がある。
［半導体装置の製造方法］
本発明のシリコーン系接着シートは、半導体装置（好適には、ＭＥＭＳデバイス）の製造に適しており、以下の工程を有する、半導体装置の製造方法に用いられる。
工程１：上記のシリコーン系接着シートを半導体用ウェハの背面に積層する工程、
工程２：上記工程１で得た積層体をダイシングにより個片化する工程、
工程３：上記工程２で得た半導体用ウェハの個片を、シリコーン系接着シート面を介して半導体基材上に配置する工程
工程４：工程３で得た、半導体用ウェハの個片がシリコーン系接着シート面により半導体基材上に配置された構造体を５０～２００℃の範囲で加熱することにより、半導体用ウェハの個片をシリコーン系接着シートにより半導体基材上に接着する工程
上記の工程１は、上記のシリコーン系接着シートを半導体用ウェハの背面に積層する工程であり、圧着または微粘着表面への配置等の手段により、シリコーン系接着シートを少なくとも片面に備えた半導体用ウェハを作成する工程である。なお、この際、所望により事前にウェハに電極や保護膜を形成しておいてもよい。また、シリコーン系接着シートの貼付後に余分なシリコーン系接着シートを裁ち落としてもよく、シリコーン系接着シートの半導体基材への取付面側を覆う剥離性のシート状基材を予め剥がしておいてもよい。
上記の工程２はいわゆるダイシング工程でありシリコーン系接着シートを少なくとも片面に備えた半導体用ウェハを半導体チップに個片（ダイ）にする工程である。ＭＥＭＳデバイスの作成においては、縦横の長さが１０ｍｍ以下、好適には５ｍｍ以下の半導体チップを作成してもよく、かつ、好ましい。なお、この段階でもシリコーン系接着シートの半導体基材への取付面側が剥離性のシート状基材により覆われている場合、工程３の前に当該シート状基材を剥がしておく必要がある。
上記の工程３は、いわゆるマウント工程であり、ダイパッド等の回路基板上に、ダイシングにより個片化された半導体チップ（ダイ）が上記のシリコーン系接着シートを介して配置され、一時的に保持（仮固定）された半導体前駆体を作成する工程である。なお、当該工程の後、スパッタリングによる半導体チップの処理、電極との配線処理などを行ってよい。
上記の工程４は、被着体と本発明のシリコーン系接着シートを永久接着する工程であり、ポストキュアによって半導体用ウェハの個片をシリコーン系接着シートにより半導体基材上に接着される。このとき、加熱条件等は上記のとおりである。なお、工程４は、多数の半導体用ウェハの個片がシリコーン系接着シート面により半導体基材上に配置された構造体を同時に処理できることから、工業的生産効率に著しく優れ、ＭＥＭＳデバイスのような微細かつ高精度の半導体装置であっても、容易に大量生産することが可能である。なお、工程４において加熱処理に加えて、紫外線等の高エネルギー線照射等を併用してもよい。
本発明の半導体装置の製造方法は、上記の工程１～工程４を備えるものであるが、所望により、ウェハの保護膜形成工程や半導体基材への配線処理工程、チップと電極の接続工程、研磨処理工程や一部又は全部の封止工程などを所望のタイミングで含めてよいことはいうまでもない。
また、本発明のシリコーン系接着シートは、半導体装置（好適には、ＭＥＭＳデバイス）の製造方法として、以下の工程を有する方法に用いてもよい。
工程１：上記のシリコーン系接着シートを半導体チップに近似した大きさに個片化する工程、
工程２：上記工程１で得た個片化したシリコーン系接着シートを半導体基材上に配置する工程
工程３：上記工程２で半導体基材上に配置された個片化したシリコーン系接着シート上に半導体チップを配置する工程
工程４：上記工程３で得た、半導体用チップがシリコーン系接着シート面により半導体基材上に配置された構造体を５０～２００℃の範囲で加熱することにより、半導体用チップをシリコーン系接着シートにより半導体基材上に接着する工程
上記の工程１は、上記のシリコーン系接着シートを先立って個片化する工程であり、ダイカット、レーザーカット、打ち抜き等の手段により、シリコーン系接着シートを接着する半導体チップに近似の大きさにする工程である。その際、シリコーン系接着シートは片側あるいは両側の基材に接触していてもよく、他の基材に張り替えられていてもよい。上記の工程２において個片化されたシリコーン系接着性シートの取り扱いが容易なことから、片面は同じサイズに個片化された基材が接触していることが好ましい。
上記の工程２は個片化された接着剤シートを半導体基材に配置し、一時的に保持（仮固定）させる工程である。コレット等でシリコーン系接着シート単層あるいは剥離性シート状基材との二層をピックアップし、半導体基材に配置し、加熱することにより半導体基材とシリコーン系接着シート間の剥離力を増大させる。なお、この段階でもシリコーン系接着シートの半導体基材への取付面側が剥離性のシート状基材により覆われている場合、工程３の前に当該シート状基材を剥がしておく必要がある。
上記の工程３は、いわゆるマウント工程であり、半導体基材上に配置されたシリコーン性接着シート上に、ダイシングにより個片化された半導体チップ（ダイ）を配置し、一時的に保持（仮固定）された半導体前駆体を作成する工程である。なお、当該工程の後、スパッタリングによる半導体チップの処理、電極との配線処理などを行ってよい。なお、当該部材は、半導体基材／シリコーン系接着シート／半導体チップが積層された構造を有する。
上記の工程４は、被着体と本発明のシリコーン系接着シートを永久接着する工程であり、ポストキュアによって半導体用ウェハの個片をシリコーン系接着シートにより半導体基材上に接着される。このとき、加熱条件等は上記のとおりである。なお、工程４は、多数の半導体用ウェハの個片がシリコーン系接着シート面により半導体基材上に配置された構造体を同時に処理できることから、工業的生産効率に著しく優れ、ＭＥＭＳデバイスのような微細かつ高精度の半導体装置であっても、容易に大量生産することが可能である。なお、工程４において加熱処理に加えて、紫外線等の高エネルギー線照射等を併用してもよい。
本発明の半導体装置の製造方法は、上記の工程１～工程４を備えるものであるが、所望により、ウェハの保護膜形成工程や半導体基材への配線処理工程、チップと電極の接続工程、研磨処理工程や一部又は全部の封止工程などを所望のタイミングで含めてよいことはいうまでもない。
本発明のシリコーン系接着シートは永久接着層として用いた場合に、一定のエラストマー性（柔軟性）を持つため、従来公知のエポキシ系接着シート等の合成樹脂シートに比べて、半導体基材上にマウントした半導体チップ（ダイ）に対する衝撃および応力緩和性にすぐれるという利点を有する。これにより、ＭＥＭＳデバイスのような微細かつ高精度の半導体装置の生産効率を改善できると共に、その信頼性および歩留まりを改善できる利点がある。
本発明のシリコーン系接着性シート、その製造方法、および半導体装置を実施例および比較例により詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例中の粘度は２５℃において測定した値であり、シリコーン系接着性シートの接着性、およびシートの表面状態はテクスチャーアナライザー（英弘精機製、型番ＴＡＸＴｐｌｕｓ）を用い次のようにして評価した。
［実施例１～５，比較例１～４］
以下、本発明に関して実施例を挙げて説明するが、本発明は、これらによって限定されるものではない。以下に示す実施例１～５および比較例１、２では下記の化合物ないし組成物を原料に用いた。なお、比較例３、４では、市販のシリコーン粘着剤製品をそのまま用いた。

[硬化性オルガノポリシロキサン組成物の成分]
(Ａ１) 粘度２,０００mPa・sの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(ビニル基の含有量＝０.２３重量％)

(Ａ２) 粘度４０,０００mPa・sの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(ビニル基の含有量＝０.０８重量％)

(Ａ３) 粘度４００mPa・sの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(ビニル基の含有量＝０.４４重量％)

(Ａ４) 粘度８０mPa・sの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ビニル基の含有量＝１．５０重量％）

(Ａ５) 粘度２，０００mPa・sの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ビニル基の含有量＝０．２３重量％）７０重量％、ＳｉＯ４／２単位と（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２単位と（ＣＨ３）２（ＣＨ2＝ＣＨ）ＳｉＯ１／２単位からなるオルガノポリシロキサンレジン（ビニル基の含有量＝２．５重量％）３０重量％からなるシリコーンレジンポリシロキサン混合物

(Ａ６)粘度２０，０００mPa・sの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ビニル基の含有量＝１．７５重量％）５０重量部、ＳｉＯ４／２単位と（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２単位と（ＣＨ３）２（ＣＨ2＝ＣＨ）ＳｉＯ１／２単位からなるオルガノポリシロキサンレジン（ビニル基の含有量＝４．１重量％）５０重量％からなる、シリコーンレジンポリシロキサン混合物

(Ａ７)粘度８０mPa・sの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ビニル基の含有量＝１.５０重量％）２０重量部、ＳｉＯ４／２単位と（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２単位と（ＣＨ３）２（ＣＨ2＝ＣＨ）ＳｉＯ１／２単位からなるオルガノポリシロキサンレジン（ビニル基の含有量＝３．０重量％）８０重量％からなる、シリコーンレジンポリシロキサン混合物

(Ａ８) 粘度２,０００mPa・sの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(ビニル基の含有量＝０．２３重量％)８０重量部およびＢＥＴ法による被表面積が２００ｍ２／ｇであるフュームドシリカ２０重量部の混合物

(Ｂ１) 粘度６０mPa・sの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体(ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.７重量％)

(Ｂ２) 粘度１５mPa・sの分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.１２重量％)

(Ｂ３) 粘度２３mPa・sの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン(ケイ素原子結合水素原子の含有量＝１．５５重量％)

(Ｂ４)ＳｉＯ4/2単位とＨ（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２単位からなる粘度２５mPa・sのオルガノポリシロキサンレジン(ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０．９７重量％)

(Ｃ１)粘度３０ｍＰa・ｓの分子鎖両末端水酸基封鎖ジメチルシロキサン－メチルビニルシロキサンコポリマーと３－グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの質量比１：１の縮合反応物である接着付与剤　
(Ｄ)白金濃度が０．６重量％である白金と１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサンの錯体

反応制御剤として下記（Ｅ）成分：
(Ｅ１) エチニルシクロヘキサノール

(Ｅ２) １，３，５，７－テトラメチル－１，３，５，７－テトラビニルシクロテトラシロキサン
［硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびシリコーン系接着シートの調製］
前記の各成分を下の表１に記載の重量比（重量部）で、成分（Ｄ）以外の各成分を均一に混合し、最後に成分（Ｄ）を表１に記載の重量比（重量部）で混合した。当該組成物を真空脱泡後、厚さ５０μｍのポリエーテルサルホン樹脂フィルムの間に挟み込み、クリアランスを調整したステンレス製の２本ロールにより、該組成物の厚さが８０μｍとなるよう調整し、１００℃の熱風循環式オーブン中で３０分間加熱することにより、該組成物を架橋させてなる実施例１～５、および比較例１，２のシリコーン系接着性シートを得た。なお、表１に、組成物中のビニル基（Ｖｉ）１モルに対するケイ素原子結合原子数（SiH）のモル数をモル比で示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
(比較例３) 東レ・ダウコーニング製シリコーン粘着剤ＳＤ４５８０　ＦＣを５０μｍ厚のＰＥＴフィルムにコーティングし、１２０℃―５分間の条件で加熱硬化させ、厚さ８０μｍのシリコーンフィルムを得た。
(比較例４) 東レ・ダウコーニング製シリコーン粘着剤ＳＤ４５８４　ＦＣを５０μｍ厚のＰＥＴフィルムにコーティングし、１２０℃―５分間の条件で加熱硬化させ、厚さ８０μｍのシリコーンフィルムを得た。
実施例および比較例にかかるシリコーン系接着シートの表面特性、仮固定性、および永久接着性（＝接着性）について、以下の方法により評価し、結果を表２に示した。

［シリコーン系接着シートの表面タック性］
シリコーン系接着シート(２０ｍｍ×２０ｍｍ)を、シリコーン用両面テープ（日東電工製５３０２Ａ）を用いてガラス(２５ｍｍ×７５ｍｍ)上に貼着して試験体を作成した。テクスチャーアナライザーの直径８ｍｍのステンレス製プローブをシート表面に対し０．０１ｍｍ／秒の速度で下降させ、５０ｇｆの荷重がかかってから０．５秒保持し、その後０．５ｍｍ／秒の速度でプローブを上昇させた。上昇時にプローブに対してかかる応力を測定した。測定時に極大値が得られたものを極大値有、極大値が得られなかったものを極大値無とし、測定中に得られた値の最大値をタック性（ｇｆ）とした。なお、極大値有のシリコーン性接着シートについては、全て、当該接着シートがプローブから界面剥離し、接着層の凝集破壊に伴う糊残り等は生じなかった。
［シリコンチップの仮固定性試験］
ガラスに貼り付けたシリコーン系接着シートの上に２ｍｍ角のシリコンチップ（厚さ６２５ｕｍ）を配置し、２５℃のダイアタッチプレスで５０ｇｆの荷重を０．５秒間与えた。その後５分以内に１００ｍｍの高さから垂直に自然落下させた。シリコーン系接着シート表面からシリコンチップが剥がれたものを×、シート上に保持されていたものを○とした。また、シート上に保持されていたシリコンチップは、ステンレススチール製ピンセットで容易に界面剥離することができた。
［シリコーン系接着シートの接着性］
シリコーン系接着シート (５ｍｍ×２０ｍｍ)を、シリコンウェハ(３０ｍｍ×３０ｍｍ)上に貼着した後、これらを130℃のダイアタッチプレスにおいて３ｋｇｆで５分加熱する（＝）ことにより、このフィルムを基材に接着させてなる試験体を作成した。これらの試験体におけるシリコーン系接着シートをステンレススチール製ピンセットで剥がすことにより、基材に対するフィルムの接着性を以下の基準により評価した。
○：加熱後の接着面を剥離した場合、接着面の過半において接着層の凝集破壊に伴う糊残りが発生した。
×：加熱後の接着面を剥離した場合、その接着面において、僅かな移行成分を除き、接着層が凝集破壊を伴わずに被着体との界面で剥離した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
［総括］
実施例１～５、比較例１～２の試験結果から明らかなように、表面タック性試験で剥離モードが界面剥離かつ極大値を持つ挙動を示したシリコーン系接着シートは、シリコンチップの仮固定性に優れ、かつ１００～２００℃の範囲で３時間以内の加熱条件において、加熱後の永久接着性を発現する性質を併せ持つものであった。一方、比較例３～４のように、シリコーン粘着剤は良好な仮固定性を示すが、本願シリコーン系接着シートのように加熱後に永久接着性を示すものではなく、ＭＥＭＳデバイスのような微細かつ高精度の半導体装置の生産効率を改善することができない。また、比較例１～２においては、表面タック性が不十分であり、シリコンチップの仮固定や一時的な配置に用いることは困難である。

Claims (17)

  1. 加熱前は、接着面の他の非粘着性基材からの剥離モードが界面剥離であり、当該接着面を５０～２００℃の範囲で加熱した後は、当該接着面の他の非粘着性基材からの剥離モードが凝集破壊に変化し、永久接着性を示す、シリコーン系接着シート。
  2. 請求項１のシリコーン系接着シートであって、テクスチャーアナライザーを用いて当該シートのいずれかの表面に対して、直径８ｍｍのステンレス製プローブをシート表面に対し０．０１ｍｍ／秒の速度で下降させ、５０ｇｆの荷重がかかってから０．５秒保持し、その後０．５ｍｍ／秒の速度でプローブを上昇させた際に、当該接着シートがプローブから界面剥離し、かつ、その接着力の極大値を示し、さらに、当該接着力の極大値を示す表面を１００～２００℃の範囲で３時間加熱した場合、当該接着面の他の非粘着性基材からの剥離モードが凝集破壊に変化し、永久接着性を示すことを特徴とするもの。
  3. 上記の接着力の極大値が１０ｇｆ以上の値である、請求項１または請求項２に記載のシリコーン系接着シート。
  4. シートの厚みが５～１０００μｍの範囲である、請求項１～請求項３のいずれか１項に記載のシリコーン系接着シート
  5. 請求項１～請求項４のいずれか１項に記載のシリコーン系接着シートであって、当該シートに対して剥離性を有する基材間に挟持されており、かつ、少なくとも一方の基材が当該シートとの接触面に酸素原子または硫黄原子を有することを特徴とするもの。
  6. シリコーン系接着性シートが架橋性シリコーン組成物の架橋物であり、当該架橋物に対して剥離性を有する基材の間で該組成物を架橋させてなり、少なくとも一方の基材が当該組成物との接触面に酸素原子または硫黄原子を有することを特徴とする、請求項５のシリコーン系接着シート。
  7. 基材が有機樹脂からなるシート状基材であり、酸素原子が、カルボニル基、アルコキシ基、エステル基、およびエーテル基からなる群より選択される基を構成する原子であり、また、硫黄原子が、スルホン基、およびチオエーテル基からなる群より選択される基を構成する原子であることを特徴とする、請求項５または請求項６に記載のシリコーン系接着シート。
  8. 請求項１～請求項５のいずれか１項に記載のシリコーン系接着シートであって、以下の成分（Ａ）～成分（Ｄ）を含む架橋性シリコーン組成物の架橋物であるもの：
    (Ａ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
    (Ｂ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、
    (Ｃ)少なくとも一種の接着促進剤、および
    (Ｄ)ヒドロシリル化反応用触媒
  9. 半導体チップまたは半導体用ウェハをその取付部に接着する目的で使用される、請求項１～請求項８のいずれか１項のシリコーン系接着シート
  10. 請求項１～請求項９のシリコーン系接着シートを含む、積層体。
  11. 半導体チップ用または半導体用ウェハ用のダイアタッチフィルムである、請求項１０の積層体。
  12. シリコーン系接着シートを介して、基材上に半導体チップまたは半導体用ウェハが配置された構造を有する、請求項１０の積層体。
  13. 請求項１～請求項９のシリコーン系接着シートの硬化物により、基材上に半導体チップまたは半導体用ウェハが固定された構造を有する、半導体装置。
  14. ＭＥＭＳ（ｍicro electro ｍechanical systeｍs）デバイスである、請求項１３の半導体装置。
  15. 以下の工程を有する、半導体装置の製造方法。
    工程１：請求項１～請求項９のシリコーン系接着シートを半導体用ウェハの背面に積層する工程、
    工程２：上記工程１で得た積層体をダイシングにより個片化する工程、
    工程３：上記工程２で得た半導体用ウェハの個片を、シリコーン系接着シート面を介して半導体基材上に配置する工程
    工程４：工程３で得た、半導体用ウェハの個片がシリコーン系接着シート面により半導体基材上に配置された構造体を５０～２００℃の範囲で加熱することにより、半導体用ウェハの個片をシリコーン系接着シートにより半導体基材上に接着する工程
  16. 以下の工程を有する、半導体装置の製造方法。
    工程１：請求項１～請求項９のシリコーン系接着シートを半導体チップに近似した大きさに個片化する工程、
    工程２：上記工程１で得た個片化したシリコーン系接着シートを半導体基材上に配置する工程
    工程３：上記工程２で半導体基材上に配置された個片化したシリコーン系接着シート上に半導体チップを配置する工程
    工程４：上記工程３で得た、半導体用チップがシリコーン系接着シートにより半導体基材上に配置された構造体を５０～２００℃の範囲で加熱することにより、半導体用チップをシリコーン系接着シートにより半導体基材上に接着する工程
  17. 半導体装置がＭＥＭＳ（ｍicro electro ｍechanical systeｍs）デバイスである、請求項１５または請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
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