JPH07111343A - 光電装置 - Google Patents

光電装置

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JPH07111343A
JPH07111343A JP25550393A JP25550393A JPH07111343A JP H07111343 A JPH07111343 A JP H07111343A JP 25550393 A JP25550393 A JP 25550393A JP 25550393 A JP25550393 A JP 25550393A JP H07111343 A JPH07111343 A JP H07111343A
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transparent resin
insulating case
photoelectric
light emitting
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JP25550393A
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Kazunori Seno
和徳 瀬野
Hiroshi Takenoshita
浩 竹ノ下
Shizuo Tsuru
静夫 鶴
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Matsushita Electronics Corp
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    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Abstract

(57)【要約】 【目的】 低温時、高温高湿時およびハンダ付け時等の
別なく安定した特性を示す高信頼性の光電装置を得る。 【構成】 遮光性絶縁ケース8の筒状部8aを貫通して
絶縁ケース8内に入り込んだ複数のリード線10,11
の内端部10a,11aに発光素子または光電変換素子
からなる光電素子12が接続される。光電素子12を覆
うシリコーン系の第1の透明樹脂層13に対し、エポキ
シ系の第2の透明樹脂層14が積層される。絶縁ケース
8の筒状部8aの内面に設けられたテラス状段差9が、
第1の透明樹脂層13の這い上がりを防ぐので、第2の
透明樹脂層14と絶縁ケース8との接着性が良好とな
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ビデオカメラ、ヘッド
ホンステレオ、FDドライバなどに用いられる発光装
置、光電変換装置またはホトリフレクタ等の面実装型光
電装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3に示す従来の面実装型光電装置は、
遮光性の絶縁ケース1と、絶縁ケース1の筒状部1aを
貫通して絶縁ケース1の底板部1b上に内端部2a,3
aを置く複数のリード線2,3と、内端部2a,3aに
接続された発光素子または光電変換素子からなる光電素
子4と、絶縁ケース1内に設けられて光電素子4を覆う
封止用樹脂層5とかなる。
【0003】樹脂層5としては、絶縁ケース1に対して
接着性のよい透明エポキシ樹脂が用いられる。硬質のエ
ポキシ樹脂は低温時に収縮してGa−Al−As等から
なる光電素子4に収縮応力を与えるので、可撓性のエポ
キシ樹脂が用いられる。しかし、可撓性のエポキシ樹脂
は吸水性を有するので、高温高湿時に水分を含みやす
く、装置の信頼性を低下させる。
【0004】そこで図4に示すように、光電素子4を可
撓性のエポキシ樹脂層6で封止したのち、硬質のエポキ
シ樹脂層7でさらに封止すると、低温時および高温高湿
時のいずれにも耐える信頼性の高い光電装置を得ること
ができる。
【0005】しかし、可撓性のエポキシ樹脂層6はその
形成時に絶縁ケース1の開口部付近まで這い上がりやす
いので、硬質のエポキシ樹脂層7と絶縁ケース1との界
面で強い接着力が得られず、絶縁ケース1内に水分が浸
入しやすくなる。
【0006】そこで、光電素子4のパッシベーション膜
で防湿し、収縮率の低い可撓性のエポキシ樹脂層のみで
封止するのが一般的な構成となっている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、可撓性のエポ
キシ樹脂層のみで封止した面実装型の光電装置は、リフ
ローハンダ付け時の温度上昇に伴い、可撓性のエポキシ
樹脂層と光電素子とがその界面で剥離しやすく、装置の
特性がハンダ付けの前後で変化するという課題があっ
た。とくにこの課題は、可撓性のエポキシ樹脂層が水分
を吸着することによって顕著となるので、面実装の方法
や用途に大きな制約を受けることになる。
【0008】したがって本発明の目的は、低温時、高温
高湿時およびハンダ付け時等の別なく安定した特性を示
す信頼性の高い光電装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明によると上述した
目的を達成するために、筒状部および底板部を有する遮
光性の絶縁ケースと、前記筒状部を貫通して前記絶縁ケ
ース内に入り込み、前記底板部上に内端部を置く複数の
リード線と、前記内端部に接続された発光素子または光
電変換素子と、前記絶縁ケース内に設けられて前記発光
素子または光電変換素子を覆う第1の透明樹脂層と、前
記絶縁ケース内に前記第1の透明樹脂層に重ねて設けら
れた第2の透明樹脂層とを備え、前記絶縁ケースはその
筒状部の内面に前記第1の透明樹脂層の這い上がりを防
ぐテラス状段差を有していることを特徴とする光電装置
が提供される。
【0010】また、筒状部および底板部を有し、前記筒
状部に沿った隔壁部によって第1および第2の室に仕切
られている遮光性の絶縁ケースと、前記筒状部を貫通し
て前記第1の室内に入り込み、前記底板部上に内端部を
置く複数のリード線と、前記内端部に接続された発光素
子と、前記筒状部を貫通して前記第2の室内に入り込
み、前記底板部上に内端部を置く複数のリード線と、前
記第2の室内の前記内端部に接続された光電変換素子
と、前記第1および第2の室内にそれぞれ設けられて前
記発光素子または光電変換素子を覆う第1の透明樹脂層
と、前記第1および第2の室内に前記第1の透明樹脂層
に重ねて設けられた第2の透明樹脂層とを備え、前記絶
縁ケースはその筒状部の内面および隔壁部に前記第1の
透明樹脂層の這い上がりを防ぐテラス状段差を有してい
ることを特徴とする光電装置が提供される。
【0011】第1の透明樹脂層がシリコーン系の、そし
て、第2の透明樹脂層がエポキシ系の各合成樹脂からな
り、第1の透明樹脂層と発光素子または光電変換素子と
の界面、第1の透明樹脂層と絶縁ケースとの界面および
第1の透明樹脂層と第2の透明樹脂層との界面がそれぞ
れ半固着状態にある構成となすことができる。
【0012】
【作用】本発明によると、絶縁ケースの筒状部の内面ま
たは隔壁部に設けたテラス状段差が、第1の透明樹脂層
の這い上がりを抑止するので、第1の透明樹脂層上に第
2の透明樹脂層を積層する構成をとりながら、第2の透
明樹脂層を絶縁ケースに強固に接着させることができ
る。
【0013】第1の透明樹脂層をシリコーン系樹脂等の
可撓性合成樹脂で形成し、これに積層される第2の透明
樹脂層を硬質のエポキシ系合成樹脂で形成すると、低温
時に樹脂層が収縮しても、その応力で光電素子の特性を
損なうことがない。また、高温高湿時に水分を吸着する
恐れがないので、装置の信頼性を高めることができる。
【0014】第1の透明樹脂層をシリコーン系等の合成
樹脂で形成すると、第1の透明樹脂層と光電素子との界
面や、第1の透明樹脂層と第2の透明樹脂層との界面で
化学的に接着されず、物理的に半固定の状態に保たれ
る。このため、第1の透明樹脂層と光電素子との界面が
リフロー等のハンダ付け時における温度上昇に伴って新
たに剥離することがなく、光電装置の特性を常に安定に
維持することができる。
【0015】
【実施例】つぎに、本発明の実施例を図面の参照により
説明する。
【0016】図1に示す光電装置における遮光性絶縁ケ
ース8は、ポリフェニレンサルファイド(PPS)また
は液晶ポリマー(LCP)等の高耐熱性・熱可塑性合成
樹脂を素材として形成され、筒状部8aおよび底板部8
bを有し、筒状部8aはその内周面にテラス状段差9を
有している。筒状部8aを貫通した複数のリード線1
0,11は、底板部8b上に内端部10a,11aを置
いている。リード線10,11はリードフレームとして
形成されたもので、射出成型される絶縁ケース8と一体
化されている。そして、リード線10,11の内端部1
0a,11aに発光素子または光電変換素子からなる光
電素子12が接続されている。
【0017】絶縁ケース8内には光電素子12を覆う第
1の透明樹脂層13が設けられている。この透明樹脂層
13はシリコーン系合成樹脂をテラス状段差9の高さま
で注入したのち、高温に加熱して硬化させたものであ
る。第1の透明樹脂層13上に、硬質のエポキシ樹脂か
らなる封止用の第2の透明樹脂層14が積層形成されて
いる。
【0018】シリコーン系合成樹脂からなる第1の透明
樹脂層13は硬質エポキシ樹脂からなる第2の透明樹脂
層14に比べて低温時の収縮率が低いので、光電素子1
2に収縮応力を与えてその特性を損なうことがない。ま
た、絶縁ケース8内に注入したシリコーン系合成樹脂に
対してテラス状段差9がストッパの作用をなすので、第
1の透明樹脂層13がテラス状段差9を越えて這い上が
り形成されることがなく、第2の透明樹脂層14は絶縁
ケース8に広い面積で強固に接着される。
【0019】さらに、第1の透明樹脂層13と光電素子
12との界面、第1の透明樹脂層13と絶縁ケース8と
の界面および第1の透明樹脂層13と第2の透明樹脂層
14との界面では化学的に強固に接着されず半固着状態
に保たれるので、リフローその他のハンダ付け時の温度
上昇に伴って新たな界面剥離を生じることがない。この
ため、ハンダ付けの前後で装置の特性に変化をきたすこ
とがない。
【0020】本発明をホトリフレクタに適用した実施例
を図2に示す。この場合、遮光性の絶縁ケース8は筒状
部8aおよび底板部8bを有するほか、筒状部8bに沿
って設けられた遮光用隔壁部8cを有し、この隔壁部8
cによって第1および第2の室15a,15bに仕切ら
れている。そして、筒状部8aを貫通して第1の室15
a内に入り込んだ複数のリード線16,17(リード線
17はリード線16の背面側にある)の内端部に発光ダ
イオード等からなる発光素子18が接続されている。ま
た、筒状部8aを貫通して第2の室15b内に入り込ん
だ複数のリード線19,20(リード線20はリード線
19の背面側にある)の内端部にホトダイオードまたは
ホトトランジスタ等からなる光電変換素子21が接続さ
れている。そして、第1および第2の室15a,15b
内のそれぞれに、シリコーン系合成樹脂からなる第1の
透明樹脂層13と、硬質のエポキシ樹脂からなる第2の
透明樹脂層14との積層体が設けられている。絶縁ケー
ス8はその筒状部8aの内周面および隔壁部8cにテラ
ス状段差9を有し、第1の透明樹脂層13は段差9によ
ってその這い上がりが抑止されている。
【0021】この場合、第1の室15a内の発光素子1
8から発せられた光が装置外の物体で反射し、この反射
光が第2の室15b内の光電変換素子21で検出される
ことになるが、第1および第2の室15a,15b内に
設けられた第1および第2の透明樹脂層13,14なら
びにテラス状段差9が前述した実施例におけると同様の
作用をなすので、低温時、高温高湿時およびハンダ付け
時等の別なく安定した特性を維持することができる。
【0022】第1の室15a内に設けられた第1および
第2の透明樹脂層13,14と、第2の室15b内に設
けられた第1および第2の透明樹脂層13,14とはそ
れぞれ異質のものであってもよい。一般に、シリコンを
素材とする光電変換素子21はイオン性不純物によって
特性に影響を受けやすいので、光電変換素子21を覆う
側の第1の透明樹脂層13にイオン性不純物の少ない合
成樹脂(ジャンクションコーティングレジン)を用いる
のが好ましい。
【0023】なお、第1および第2の透明樹脂層13,
14は光学的に透明な合成樹脂で、可視光をカットして
紫外線または赤外線を透過するものであってもよい。
【0024】
【発明の効果】以上のように本発明によると、遮光性絶
縁ケース内に2層構造の透明樹脂層を設け、絶縁ケース
の筒状部の内面に設けたテラス状段差によって第1の透
明樹脂層の這い上がりを防ぐので、低温時、高温高湿時
およびハンダ付け時等の別なく安定した特性を示す信頼
性の高い光電装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の光電装置の側断面図
【図2】本発明の他の実施例の光電装置の側断面図
【図3】従来の光電装置の側断面図
【図4】従来の光電装置の側断面図
【符号の説明】
8 絶縁ケース 9 テラス状段差 12 光電素子 13 第1の透明樹脂層 14 第2の透明樹脂層 18 発光素子 21 光電変換素子

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】筒状部および底板部を有する遮光性の絶縁
    ケースと、前記筒状部を貫通して前記絶縁ケース内に入
    り込み、前記底板部上に内端部を置く複数のリード線
    と、前記内端部に接続された発光素子または光電変換素
    子と、前記絶縁ケース内に設けられて前記発光素子また
    は光電変換素子を覆う第1の透明樹脂層と、前記絶縁ケ
    ース内に前記第1の透明樹脂層に重ねて設けられた第2
    の透明樹脂層とを備え、前記絶縁ケースはその筒状部の
    内面に前記第1の透明樹脂層の這い上がりを防ぐテラス
    状段差を有していることを特徴とする光電装置。
  2. 【請求項2】筒状部および底板部を有し、前記筒状部に
    沿った隔壁部によって第1および第2の室に仕切られて
    いる遮光性の絶縁ケースと、前記筒状部を貫通して前記
    第1の室内に入り込み、前記底板部上に内端部を置く複
    数のリード線と、前記内端部に接続された発光素子と、
    前記筒状部を貫通して前記第2の室内に入り込み、前記
    底板部上に内端部を置く複数のリード線と、前記第2の
    室内の前記内端部に接続された光電変換素子と、前記第
    1および第2の室内にそれぞれ設けられて前記発光素子
    または光電変換素子を覆う第1の透明樹脂層と、前記第
    1および第2の室内に前記第1の透明樹脂層に重ねて設
    けられた第2の透明樹脂層とを備え、前記絶縁ケースは
    その筒状部の内面および隔壁部に前記第1の透明樹脂層
    の這い上がりを防ぐテラス状段差を有していることを特
    徴とする光電装置。
  3. 【請求項3】第1の透明樹脂層がシリコーン系の、そし
    て、第2の透明樹脂層がエポキシ系の各合成樹脂からな
    り、第1の透明樹脂層と発光素子または光電変換素子と
    の界面、第1の透明樹脂層と絶縁ケースとの界面および
    第1の透明樹脂層と第2の透明樹脂層との界面がそれぞ
    れ半固着状態にあることを特徴とする請求項1または2
    記載の光電装置。
JP25550393A 1993-10-13 1993-10-13 光電装置 Pending JPH07111343A (ja)

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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002314139A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
EP1267423A2 (en) * 2001-06-15 2002-12-18 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting device sealing
JP2005033194A (ja) * 2003-06-20 2005-02-03 Nichia Chem Ind Ltd パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
WO2005043636A1 (ja) * 2003-11-04 2005-05-12 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 発光素子
JP2005244259A (ja) * 2005-05-23 2005-09-08 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JP2005294484A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置及び製造方法
JP2006066786A (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光ダイオード
JP2007012792A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージ、光源および発光装置
EP1794808A1 (en) * 2004-09-10 2007-06-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having multiple molding resins
JP2007524243A (ja) * 2004-02-27 2007-08-23 ヘプタゴン・オサケ・ユキチュア オプトエレクトロニクスによるマイクロ光学機器
JP2008130836A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Sharp Corp 発光装置
JP2008166782A (ja) * 2006-12-26 2008-07-17 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光素子
JP2009043836A (ja) * 2007-08-07 2009-02-26 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
US7748873B2 (en) 2004-10-07 2010-07-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Side illumination lens and luminescent device using the same

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002314139A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
EP1267423A2 (en) * 2001-06-15 2002-12-18 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting device sealing
EP1267423A3 (en) * 2001-06-15 2004-06-23 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting device sealing
JP4645071B2 (ja) * 2003-06-20 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
JP2005033194A (ja) * 2003-06-20 2005-02-03 Nichia Chem Ind Ltd パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
WO2005043636A1 (ja) * 2003-11-04 2005-05-12 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 発光素子
US7589352B2 (en) 2003-11-04 2009-09-15 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Light emitting device
JP4903685B2 (ja) * 2004-02-27 2012-03-28 ヘプタゴン・オサケ・ユキチュア 集積光学システムを製造する方法
JP2007524243A (ja) * 2004-02-27 2007-08-23 ヘプタゴン・オサケ・ユキチュア オプトエレクトロニクスによるマイクロ光学機器
JP2005294484A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置及び製造方法
JP2006066786A (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光ダイオード
EP1794808A1 (en) * 2004-09-10 2007-06-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having multiple molding resins
JP2008512867A (ja) * 2004-09-10 2008-04-24 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ
JP2012134564A (ja) * 2004-09-10 2012-07-12 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光素子及びその製造方法
US7855395B2 (en) 2004-09-10 2010-12-21 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having multiple molding resins on a light emitting diode die
US7737463B2 (en) 2004-09-10 2010-06-15 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package with a heat sink support ring and having multiple molding resins, wherein secondary molding resin with higher hardness than primary molding resin and which covers primary molding resin that covers LED die
EP1794808A4 (en) * 2004-09-10 2009-09-23 Seoul Semiconductor Co Ltd ELECTROLUMINESCENT DIODE HOUSING CONTAINING MULTIPLE MOLDING RESINS
US7748873B2 (en) 2004-10-07 2010-07-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Side illumination lens and luminescent device using the same
US7901113B2 (en) 2004-10-07 2011-03-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Side illumination lens and luminescent device using the same
JP2005244259A (ja) * 2005-05-23 2005-09-08 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JP2007012792A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージ、光源および発光装置
JP2008130836A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Sharp Corp 発光装置
JP2008166782A (ja) * 2006-12-26 2008-07-17 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光素子
US8405304B2 (en) 2006-12-26 2013-03-26 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emtting device
US8569944B2 (en) 2006-12-26 2013-10-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
JP2009043836A (ja) * 2007-08-07 2009-02-26 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置

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