DE102011100028A1 - Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements - Google Patents

Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements Download PDF

Info

Publication number
DE102011100028A1
DE102011100028A1 DE102011100028A DE102011100028A DE102011100028A1 DE 102011100028 A1 DE102011100028 A1 DE 102011100028A1 DE 102011100028 A DE102011100028 A DE 102011100028A DE 102011100028 A DE102011100028 A DE 102011100028A DE 102011100028 A1 DE102011100028 A1 DE 102011100028A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
shaped body
semiconductor chip
optoelectronic semiconductor
carrier
molded body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102011100028A
Other languages
English (en)
Inventor
Thomas Kippes
Stephan Haslbeck
Annaniah Luruthudass
Ee Lian Lee
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102011100028A priority Critical patent/DE102011100028A1/de
Priority to US14/114,502 priority patent/US9252344B2/en
Priority to PCT/EP2012/056695 priority patent/WO2012146490A1/de
Priority to TW101114085A priority patent/TWI469400B/zh
Publication of DE102011100028A1 publication Critical patent/DE102011100028A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating

Abstract

Es wird ein Bauelement angegeben, mit – einem Träger (1), – einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) aufweisend zumindest eine Seitenfläche (2a), – einem Verbindungsmittel (3), – einem ersten Formkörper (4), und – einem zweiten Formkörper (5), wobei – der optoelektronische Halbleiterchip (2) mittels dem Verbindungsmittel (3) mechanisch mit dem Träger (1) verbunden ist, – der erste Formkörper (4) eine freiliegende Außenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips (2) bedeckt, – der erste Formkörper (4) eine freiliegende Außenfläche des Verbindungsmittels (3) bedeckt, – der zweite Formkörper (5) eine freiliegende Außenfläche des ersten Formkörpers bedeckt, und – der zweite Formkörper (5) ein bei Raumtemperatur größeres Elastizitätsmodul als der erste Formkörper aufweist.

Description

  • Es wird ein Bauelement angegeben.
  • Die Druckschrift US 6,624,491 beschreibt ein Bauelement.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Bauelement anzugeben, das insbesondere hinsichtlich von Temperaturänderungen mechanisch besonders stabil ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements umfasst das Bauelement einen Träger. Bei dem Träger kann es sich beispielsweise um einen Anschlussträger handeln, auf dem Komponenten des Bauelements mechanisch befestigt und elektrisch angeschlossen werden können. Zum Beispiel handelt es sich bei dem Träger dann um eine Leiterplatte, wie etwa eine bedruckte Leiterplatte. Ferner kann es sich bei dem Träger um ein Gehäuse handeln, das beispielsweise einen Leiterrahmen (englisch: Leadframe) umfasst, auf dem Komponenten des Bauelements mechanisch befestigt und elektrisch angeschlossen werden können.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements umfasst das Bauelement einen optoelektronischen Halbleiterchip. Bei dem optoelektronischen Halbleiterchip handelt es sich beispielsweise um einen Leuchtdiodenchip, der im Betrieb elektromagnetische Strahlung aus dem Spektralbereich zwischen UV-Strahlung und Infrarotstrahlung emittiert. Insbesondere ist es möglich, dass der optoelektronische Halbleiterchip im Betrieb Licht erzeugt.
  • Der optoelektronische Halbleiterchip umfasst zumindest eine Seitenfläche, beispielsweise vier Seitenflächen, die den optoelektronischen Halbleiterchip in einer lateralen Richtung abschließen und begrenzen. Ferner umfasst der optoelektronische Halbleiterchip eine Strahlungsaustrittsfläche, die beispielsweise durch eine zu den Seitenflächen quer verlaufende Hauptfläche des optoelektronischen Halbleiterchips gebildet sein kann. Darüber hinaus ist es möglich, dass die Strahlungsaustrittsfläche auch die Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips zumindest teilweise umfasst. Das heißt, ein Teil der erzeugten Strahlung kann auch durch die Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips aus diesen austreten.
  • Es ist beim hier beschriebenen Bauelement insbesondere auch möglich, dass das Bauelement zwei oder mehr optoelektronische Halbleiterchips umfasst, die gleichartig oder unterschiedlich ausgeprägt sein können. Beispielsweise kann das Bauelement zumindest einen rotes Licht, zumindest einen blaues Licht und zumindest einen grünes Licht und/oder einen andersfarbiges Licht emittierenden optoelektronischen Halbleiterchip umfassen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements umfasst das Bauelement ein Verbindungsmittel. Mittels dem Verbindungsmittel können Komponenten des Bauelements beispielsweise am Träger befestigt und gegebenenfalls elektrisch mit dem Träger verbunden werden. Bei dem Verbindungsmittel kann es sich um ein Lotmaterial, einen Klebstoff oder einen leitfähigen Klebstoff handeln.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements umfasst das Bauelement einen ersten Formkörper und einen zweiten Formkörper. Bei den Formkörpern handelt es sich insbesondere um strahlungsdurchlässige Körper, die mit einem elektrisch isolierenden Material gebildet sein können. Die Formkörper werden beispielsweise durch Verfahren wie vergießen, Spritzen, Dispensen, Kaltverformung, Prägung, Ätztechniken und gegebenenfalls anschließendes Aushärten hergestellt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements ist der optoelektronische Halbleiterchip mittels dem Verbindungsmittel mechanisch mit dem Träger verbunden. Das heißt, das Verbindungsmittel befindet sich beispielsweise in direktem Kontakt mit dem Halbleiterchip und dem Träger und vermittelt auf diese Weise eine mechanisch feste Verbindung zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip und dem Träger. Ein Lösen der mechanischen Verbindung, die durch das Verbindungsmittel zwischen Halbleiterchip und Träger erzeugt ist, führt in der Regel zu einer Zerstörung des Bauelements. Das Verbindungsmittel kann neben der mechanischen Verbindung auch eine elektrische Verbindung zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip und dem Träger herstellen. Dazu kann das Verbindungsmittel insbesondere elektrisch leitfähig ausgebildet sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements bedeckt der erste Formkörper eine freiliegende Außenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips. Insbesondere ist es möglich, dass der erste Formkörper die freiliegende Außenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips vollständig bedeckt. Bei der freiliegenden Außenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips handelt es sich um diejenige Außenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips, die beispielsweise nicht vom Verbindungsmittel und/oder vom Träger bedeckt ist. Das heißt, diejenigen Stellen der Außenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips, die vor dem Aufbringen des ersten Formkörpers von anderen Komponenten des Bauelements unbedeckt sind, werden vom ersten Formkörper bedeckt. Der erste Formkörper kann sich an diesen Stellen in direktem Kontakt mit dem optoelektronischen Halbleiterchip befinden. Das heißt, der erste Formkörper befindet sich beispielsweise dann in direktem Kontakt mit einer Passivierung des Halbleiterchips und/oder einer Kontaktschicht des optoelektronischen Halbleiterchips.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements bedeckt der erste Formkörper eine freiliegende Außenfläche des Verbindungsmittels. Dabei ist es insbesondere möglich, dass der erste Formkörper die freiliegende Außenfläche des Verbindungsmittels vollständig bedeckt. Bei der freiliegenden Außenfläche des Verbindungsmittels handelt es sich um diejenige Außenfläche, die nicht von anderen Komponenten des Bauelements vor Aufbringen des ersten Formkörpers abgedeckt ist. Zum Beispiel handelt es sich um diejenige Außenfläche des Verbindungsmittels, die nicht vom Träger und/oder vom optoelektronischen Halbleiterchip bedeckt ist oder direkt an diese grenzt. Dabei ist es möglich, dass der erste Formkörper auch andere Komponenten des Bauelements zumindest stellenweise bedeckt. Beispielsweise kann der erste Formkörper auch den Träger in einem Bereich um den optoelektronischen Halbleiterchip herum bedecken und sich dort in direktem Kontakt mit dem Träger befinden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements bedeckt der zweite Formkörper eine freiliegende Außenfläche des ersten Formkörpers. Insbesondere ist es möglich, dass der zweite Hauptkörper die freiliegende Außenfläche des ersten Formkörpers vollständig bedeckt. Das heißt, dort wo der erste Formkörper vor dem Aufbringen des zweiten Formkörpers freiliegt und von anderen Komponenten des Bauelements unbedeckt ist, ist dann der zweite Formkörper angeordnet und befindet sich beispielsweise in direktem Kontakt mit dem ersten Formkörper.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist der zweite Formkörper ein größeres Elastizitätsmodul als der erste Formkörper auf. Beispielsweise weist der zweite Formkörper ein Elastizitätsmodul von wenigstens 2 GPa auf und der erste Formkörper weist ein Elastizitätsmodul von höchstens 1 GPa, insbesondere von höchstens 200 kPa auf. Dazu sind der erste und der zweite Formkörper insbesondere mit unterschiedlichen Materialien gebildet. Die unterschiedlichen Elastizitätsmodule ergeben sich zum Beispiel in einem Temperaturbereich von wenigstens 0°C bis höchstens 100°C, insbesondere bei Raumtemperatur, die zum Beispiel 23°C beträgt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements umfasst das Bauelement einen Träger, einen optoelektronischen Halbleiterchip mit zumindest einer Seitenfläche und ein Verbindungsmittel. Weiter umfasst das Bauelement einen ersten Formkörper und einen zweiten Formkörper. Der optoelektronische Halbleiterchip ist mittels des Verbindungsmittels mechanisch mit dem Träger verbunden, der erste Formkörper bedeckt eine freiliegende Außenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips, der erste Formkörper bedeckt eine freiliegende Außenfläche des Verbindungsmittels und der zweite Formkörper bedeckt eine freiliegende Außenfläche des ersten Formkörpers. Dabei weist der zweite Formkörper ein größeres Elastizitätsmodul als der erste Formkörper auf.
  • Dem hier beschriebenen Bauelement liegt dabei unter anderem die folgende Erkenntnis zugrunde: Bei herkömmlichen Bauelementen, wie sie beispielsweise in der oben genannten Druckschrift beschrieben sind, sind optoelektronische Halbleiterchips oft mit einem relativ unelastischen Material wie einem Epoxidharz vergossen. Es hat sich nun gezeigt, dass ein solches unelastisches Material eine große mechanische Beanspruchung auf den optoelektronischen Halbleiterchip und die durch ein Verbindungsmittel vermittelte Verbindung zwischen optoelektronischem Halbleiterchip und Träger ausübt. Diese mechanische Belastung kann insbesondere zur Beschädigung oder Zerstörung der durch das Verbindungsmittel vermittelten Verbindung führen. Beispielsweise tritt diese hohe Belastung bei Temperaturänderungen, wie bei einem Auflöten des Bauelements an seinem Bestimmungsort, auf.
  • Vorliegend sind der optoelektronische Halbleiterchip und das Verbindungsmittel von einem ersten Formkörper bedeckt, der ein kleineres Elastizitätsmodul aufweist, als ein zweiter Formkörper, der den ersten Formkörper bedeckt. Durch den ersten Formkörper, der Verbindungsmittel und optoelektronischen Halbleiterchip insbesondere vollständig bedeckt, kann vom zweiten Formkörper übertragene mechanische Beanspruchung abgefedert und gedämpft werden. Auf diese Weise wird die mechanische Belastung insbesondere auf die Verbindung zwischen optoelektronischem Halbleiterchip und Träger reduziert. Es resultiert ein Bauelement, das mechanisch stabiler und damit beständiger ist. Insbesondere die Gefahr, dass sich das Verbindungsmittel vom Träger und/oder vom optoelektronischen Halbleiterchip löst, ist beim beschriebenen Bauelement stark reduziert.
  • Darüber hinaus ermöglicht die Verwendung eines zweiten Formkörpers, der ein größeres Elastizitätsmodul als der erste Formkörper aufweist, beispielsweise ein direktes Aufkleben von optischen Komponenten, wie Linsen, die mit einem relativ starren Material gebildet sind, auf den zweiten Formkörper.
  • Das heißt, eine starke mechanische Belastung insbesondere bei Temperaturänderung zwischen dem zweiten Formkörper und dem optischen Element kann im Vergleich zu einem Bauelement, das lediglich einen ersten Formkörper aus relativ flexiblem Material aufweist, reduziert werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist der zweite Formkörper eine größere Härte als der erste Formkörper auf. Das heißt, der erste und der zweite Formkörper können sich zusätzlich zu ihrem Unterschied hinsichtlich des Elastizitätsmoduls auch hinsichtlich ihrer Härte voneinander unterscheiden. Auch eine geringere Harte des ersten Formkörpers im Vergleich zum zweiten Formkörper verbessert die mechanische Entkoppelung zwischen dem zweiten Formkörper und der Verbindung zwischen optoelektronischem Halbleiterchip und Träger. Beispielsweise weist der erste Formkörper eine Härte zwischen Shore A0 und Shore A38 bei Raumtemperatur auf. Der zweite Formkörper weist dann eine größere Härte auf.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements ist der erste Formkörper überwiegend oder vollständig mit einem Silikon gebildet und der zweite Formkörper ist überwiegend oder vollständig mit einem Epoxidharz gebildet.
  • Beispielsweise kann der erste Formkörper mit einem Silikon gebildet sein, dessen Brechungsindex an den Brechungsindex des zweiten Formkörpers angepasst ist. In diesem Fall kann für den ersten Formkörper ein hochbrechendes Silikon mit einem Brechungsindex von wenigstens 1,53 Verwendung finden. Beispielsweise liegt der Brechungsindex des Silikons zwischen 1,53 und 1,55. Der Brechungsindex des zweiten Formkörpers, der beispielsweise mit Epoxidharz gebildet ist, liegt dann ebenfalls in diesem Bereich und beträgt wenigstens 1,53. Der Brechungsindex des zweiten Formkörpers kann dann beispielsweise ebenfalls zwischen 1,53 und 1,55 liegen. Auf diese Weise sind Verluste, beispielsweise durch Totalreflexion, zwischen dem ersten Formkörper und dem zweiten Formkörper reduziert, so dass sich die mechanische Stabilität des Bauelements durch die Verwendung des ersten Formkörpers erhöht, ohne dass sich dessen optische Effizienz signifikant verringert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements bedeckt das Verbindungsmittel die Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips und eine dem optoelektronischen Halbleiterchip zugewandte Oberfläche des Trägers stellenweise. Das heißt, das Verbindungsmittel vermittelt eine mechanische Verbindung zwischen dem Träger und dem optoelektronischen Halbleiterchip und greift dabei stellenweise an einer Seitenfläche oder den Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips an. Die Teile der Seitenfläche oder der Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips, die vom Verbindungsmittel stellenweise bedeckt sind, sind dann frei vom ersten Formkörper.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements ist der erste Formkörper frei von Fremdpartikeln. Das heißt, in den ersten Formkörper sind insbesondere dann keine Partikel eines Lumineszenzkonversionsmaterials eingebracht, welche das Elastizitätsmodul und die Härte des ersten Formkörpers negativ beeinflussen können. Der erste Formkörper kann in diesem Fall transparent und insbesondere klarsichtig ausgebildet sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements sind in den ersten Formkörper Fremdpartikel wie zum Beispiel Partikel eines Lumineszenzkonversionsmaterials eingebracht. In diesem Fall kann zum Beispiel eine Konversion von elektromagnetischer Strahlung chipnah erfolgen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist der erste Formkörper im Wesentlichen den gleichen optischen Brechungsindex wie der zweite Formkörper auf. „Im Wesentlichen gleicher optischer Brechungsindex” heißt dabei, dass die Brechungsindices der beiden Formkörper um höchstens 10%, insbesondere um höchstens 5%, beispielsweise um höchstens 2,5% voneinander abweichen. Auf diese Weise können optische Verluste an der Grenzfläche zwischen den beiden Formkörpern reduziert werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements umfasst das Bauelement einen Kontaktierungsdraht, der mit dem optoelektronischen Halbleiterchip an seiner dem Träger abgewandten Seite verbunden ist. Der Kontaktierungsdraht verbindet den optoelektronischen Halbleiterchip elektrisch leitend mit einem Teil des Trägers. Beispielsweise befindet sich der Kontaktierungsdraht an der n-Seite des optoelektronischen Halbleiterchips.
  • Der Kontaktierungsdraht ist dabei insbesondere frei oder größtenteils frei vom ersten Formkörper, Das heißt, der erste Formkörper überformt den Kontaktierungsdraht nicht und bedeckt den Kontaktierungsdraht nur stellenweise. „Größtenteils frei” bedeutet insbesondere, dass der Kontaktierungsdraht über eine Länge von höchstens 49% seiner Gesamtlänge mit Material des ersten Formkörpers bedeckt ist. Insbesondere ist der Kontaktierungsdraht höchstens zu 20%, bevorzugt höchstens zu 10% mit Material des ersten Formkörpers bedeckt, Es hat sich gezeigt, dass eine Bedeckung des optoelektronischen Halbleiterchips mit dem ersten Formkörper auch an seiner dem Träger abgewandten Seite vorteilhaft ist. Um jedoch die mechanische Stabilität des Kontaktierungsdrahts nicht zu gefährden, erweist es sich als vorteilhaft, wenn insbesondere der Teil des Kontaktierungsdrahtes, der am weitesten vom Träger entfernt ist, vom ersten Formkörper unbedeckt ist. Das heißt, insbesondere die Drahtschleife des Kontaktierungsdrahtes sollte vom ersten Formkörper unbedeckt sein. Dieser Teil des Kontaktierungsdrahtes ist dann bevorzugt vom zweiten Formkörper bedeckt und in diesen eingebettet. Aufgrund der Tatsache, dass der zweite Formkörper mechanisch starrer ist als der erste Formkörper, wird der Kontaktierungsdraht durch ein Einbetten im zweiten Formkörper ebenfalls mechanisch stabilisiert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist der erste Formkörper an der dem Träger abgewandten Seite des optoelektronischen Halbleiterchips eine Dicke von höchstens 500 μm, zum Beispiel höchstens 300 μm, insbesondere höchstens 100 μm über dem optoelektronischen Halbleiterchip auf. Das heißt, der erste Formkörper ist lediglich in einer dünnen Schicht über die dem Träger abgewandte Oberseite des Halbleiterchips geführt. Es hat sich dabei gezeigt, dass ein solch dünner Bereich des ersten Formkörpers über dem Halbleiterchip ausreichend zur mechanischen Entkopplung der Verbindung zwischen Halbleiterchip und Träger vom zweiten Formkörper ist. Ist der erste Formkörper über dem optoelektronischen Halbleiterchip möglichst dünn ausgebildet, so ergibt sich vorteilhaft, dass der zweite Formkörper direkt über dem Halbleiterchip relativ dick ausgebildet werden kann, was die mechanische Stabilität des Bauelements insgesamt erhöht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist der Träger eine Vertiefung an seiner dem optoelektronischen Halbleiterchip zugewandten Seite auf, wobei der optoelektronische Halbleiterchip in der Vertiefung angeordnet ist und der erste Formkörper eine Seitenwand der Vertiefung überragt. Das heißt, die Vertiefung ist mit dem optoelektronischen Halbleiterchip und dem ersten Formkörper befüllt, wobei der erste Formkörper eine Seitenwand der Vertiefung überragen kann. Der erste Formkörper weist beispielsweise an seiner dem Träger abgewandten Seite eine konvexe Krümmung auf, die den optoelektronischen Halbleiterchip kuppelartig überspannt, wobei der Scheitelpunkt der Kuppel höher liegt als der höchste Punkt der Seitenwand der Vertiefung.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements ist das Verbindungsmittel mit einem Klebstoff gebildet. Insbesondere kann es sich bei dem Klebstoff um einen elektrisch leitfähigen Klebstoff handeln. Vor allem für Verbindungsmittel, die auf Klebstoffbasis gebildet sind, erweist sich ein hier beschriebenes Bauelement als besonders vorteilhaft, da solche Verbindungsmittel oft mechanische Verbindungen vermitteln, die schwächer sind als beispielsweise durch Lot vermittelte Verbindungen. Die durch einen Klebstoff vermittelte Verbindung zwischen Halbleiterchip und Träger wird daher vorliegend besonders effizient geschützt.
  • Es wird darüber hinaus ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben. Beispielsweise kann mittels des Verfahrens ein hier beschriebenes Bauelement hergestellt werden. Das heißt, sämtliche für das Bauelement offenbarten Merkmale sind auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt.
  • Bei dem Verfahren wird in einer Ausführungsform zunächst ein Träger bereitgestellt, auf dem ein optoelektronischer Halbleiterchip, der zumindest eine Seitenfläche aufweist, mittels eines Verbindungsmittels befestigt wird. Neben der mechanischen Verbindung kann dabei auch eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterchips am Träger erfolgen.
  • Nachfolgend wird ein erster Formkörper auf eine freiliegende Außenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips und eine freiliegende Außenfläche des Verbindungsmittels aufgebracht, insbesondere werden sämtliche freiliegenden Außenflächen von Halbleiterchip und Verbindungsmittel vom ersten Formkörper bedeckt.
  • Nachfolgend erfolgt ein Anhärten des ersten Formkörpers. Das Anhärten erfolgt dabei unmittelbar nach dem Aufbringen des ersten Formkörpers. Das heißt, das Anhärten erfolgt zum Beispiel insbesondere innerhalb von höchstens einer Minute nach dem Aufbringen des ersten Formkörpers. Zum Anhärten wird der erste Formkörper zum Beispiel auf eine erste Temperatur erwärmt. Nachfolgend erfolgt ein Aushärten des ersten Formkörpers bei einer zweiten Temperatur, die von der ersten Temperatur verschieden sein kann. Zusätzlich oder alternativ kann das Anhärten chemisch oder durch Strahlungsvernetzen erfolgen.
  • In einem nächsten Schritt wird ein zweiter Formkörper auf eine freiliegende Außenfläche des ersten Formkörpers aufgebracht, insbesondere wird der zweite Formkörper auf sämtliche freiliegenden Außenflächen des ersten Formkörpers aufgebracht. Der zweite Formkörper weist dabei ein größeres Elastizitätsmodul als der erste Formkörper auf. Ferner ist die erste Temperatur, bei der der erste Formkörper angehärtet wird, größer als die zweite Temperatur, bei der ein Aushärten des Formkörpers erfolgt.
  • Das hier beschriebene Verfahren beruht dabei unter anderem auf der Erkenntnis, dass Materialien für erste Formkörper, die ein relativ kleines Elastizitätsmodul aufweisen, beim Aufbringen schnell verlaufen können. Es erweist sich daher als vorteilhaft, wenn ein Anhärten des ersten Formkörpers schnell und bei relativ hohen Temperaturen erfolgt. Handelt es sich bei dem ersten Formkörper beispielsweise um einen Formkörper, der mit einem Silikon gebildet ist, so erfolgt das Anhärten vorzugsweise bei Temperaturen größer 150°C. Alternativ oder zusätzlich kann ein chemische Anhärten oder ein Anhärten durch Strahlungsvernetzen erfolgen. Das Aushärten erfolgt dann zum Beispiel bei einer Temperatur von kleiner gleich 150°C. Beispielsweise wird der erste Formkörper für eine Zeitspanne von höchstens 15 Minuten angehärtet und für eine Zeitspanne von wenigstens 30 Minuten ausgehärtet. Anhärten und Aushärten kann dabei im gleichen Ofen erfolgen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Träger mit dem auf dem Träger befestigten Halbleiterchip vor dem Aufbringen des ersten Formkörpers erwärmt, so dass der Träger beim Aufbringen des ersten Formkörpers eine dritte Temperatur aufweist, die größer als die Raumtemperatur ist. Die Raumtemperatur beträgt dabei 23°C. Die dritte Temperatur beträgt beispielsweise gleich oder weniger als die erste Temperatur. Beispielsweise ist die dritte Temperatur für einen ersten Formkörper, der mit Silikon gebildet ist, zwischen wenigstens 100°C und höchstens 150°C gewählt. Es hat sich dabei gezeigt, dass ein derartiges Vorwärmen des Trägers ein Verlaufen des ersten Formkörpers beim Aufbringen unterbinden kann, da das Material des ersten Formkörpers, wenn es auf den aufgewärmten Träger trifft, sofort anhärtet und damit besonders passgenau am Halbleiterchip und in der Umgebung des Halbleiterchips am Träger befestigt werden kann.
  • Im Folgenden werden das hier beschriebene Bauelement sowie das hier beschriebene Verfahren anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert.
  • Die schematischen Ansichten der 1A, 1B und 2 zeigen Ausführungsbeispiele von hier beschriebenen Bauelementen.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
  • In der schematischen Schnittdarstellung der 1A ist ein erstes Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Bauelements näher erläutert. Das Bauelement umfasst einen Träger 1, der vorliegend als Bauelementgehäuse mit Leiterrahmen 1a, 1b, die beispielsweise als Metallstreifen ausgeführt sind, gebildet ist.
  • Vorliegend ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 2, zum Beispiel ein Leuchtdiodenchip oder ein Photodiodenchip, mittels des Verbindungsmittels 3 am Träger 1 befestigt. Bei einem Verbindungsmittel 3 handelt es sich beispielsweise um einen Klebstoff, zum Beispiel einen elektrisch leitfähigen Klebstoff. Freiliegende Außenflächen des Halbleiterchips 2 und dabei insbesondere die dem Träger 1 abgewandte Oberfläche des Halbleiterchips 2 sind vom ersten Formkörper 4 bedeckt, der beispielsweise mit einem hochbrechenden Silikon gebildet ist.
  • Der Halbleiterchip 2 ist mittels eines Kontaktierungsdrahtes (auch: Bonddraht) 6 mit dem Träger 1 verbunden und auf diese Weise beispielsweise n-seitig elektrisch kontaktiert. Insbesondere der Teil des Kontaktierungsdrahtes 6, der sich am weitesten vom Träger 1 entfernt befindet, bleibt vom ersten Formkörper 1 unbedeckt.
  • An die freiliegende Außenfläche des ersten Formkörpers 4 grenzt der zweite Formkörper 5 direkt an, der beispielsweise mit einem Epoxidharz gebildet ist. Die Brechungsindices von erstem Fremdkörper 4 und zweitem Fremdkörper 5 sind dabei aneinander angepasst, so dass kaum optische Verluste beim Übertritt vom im optoelektronischen Halbleiterchip 2 erzeugte Strahlung vom ersten Formkörper 4 in den zweiten Formkörper 5 auftreten.
  • Der erste Formkörper 4 weist dabei beispielsweise eine Dicke d von höchstens 300 μm bis 500 μm über der dem Träger 1 abgewandten Oberfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 2 auf.
  • Die thermische Ausdehnung des ersten Formkörpers und des zweiten Formkörpers 5 ist proportional zum Temperaturunterschied und zum Elastizitätsmodul der beiden Formkörper. Je kleiner das Elastizitätsmodul, desto kleiner ist die thermische Ausdehnung und desto kleiner ist daher die mechanische Belastung der von den Formkörpern 4, 5 bedeckten Bereiche und Komponenten. Durch die Verwendung eines ersten Formkörpers 4 mit kleinem Elastizitätsmodul kann daher eine Reduzierung der mechanischen Belastung aufgrund einer Reduzierung der thermischen Ausdehnung insbesondere im Bereich der Verbindung zwischen optoelektronischem Halbleiterchip 2 und Träger 1 erfolgen. Gleichzeitig werden die Komponenten des Bauelements durch den relativ starren und harten zweiten Formkörper 5 vor mechanischen Einflüssen von außerhalb des Bauelements geschützt. Der erste Formkörper 4 wirkt dabei als Absorber für mechanische Belastung, so dass eine erhöhte mechanische Stabilität, insbesondere eine erhöhte thermische Stabilität der Verbindung zwischen Halbleiterchip 2 und Träger 1, resultiert.
  • Die 1B zeigt die zur 1A entsprechende Draufsicht auf das Bauelement. Insbesondere ist ersichtlich, dass der erste Formkörper 4 sowohl freiliegende Außenflächen des Verbindungsmittels 3 als auch des optoelektronischen Halbleiterchips 2 vollständig bedeckt. Das heißt, auch freiliegende Seitenflächen 2a des Halbleiterchips 2 werden vom ersten Formkörper 1 bedeckt.
  • Im Unterschied zu dem in Verbindung mit den 1A, 1B beschriebenem Ausführungsbeispiel ist beim Ausführungsbeispiel der 2 der optoelektronische Halbleiterchip in einer Vertiefung 7 angeordnet. Die Vertiefung 7 bildet dabei durch ihre Seitenwände 7a einen Schutz für das Material des ersten Formkörpers 4 vor Verlaufen. Bei der Verwendung einer Vertiefung 7 kann beispielsweise auf ein Vorwärmen des Trägers 1 vor Aufbringen des ersten Formkörpers 4 verzichtet werden. Weiter ergibt sich vorteilhaft, dass der Kontaktierungsdraht 6 fast vollständig vom ersten Formkörper 4 unbedeckt bleibt und größtenteils vom zweiten Formkörper 5 umschlossen ist. Dies erhöht die mechanische Stabilität des Bauelements weiter.
  • Die in Verbindung mit den 1 und 2 dargestellten Bauelemente können beispielsweise wie folgt hergestellt werden: Zunächst wird der Träger 1 bereitgestellt. Anschließend wird der optoelektronische Halbleiterchip auf den Träger 1 mittels des Verbindungsmittels 3 befestigt. Dies kann beispielsweise durch Aufkleben erfolgen. In einem nächsten Verfahrensschritt wird der erste Formkörper 4 auf die freiliegenden Außenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips und die freiliegenden Außenflächen des Verbindungsmittels 3 aufgebracht, dies geschieht beispielsweise durch Dispensen des Formkörpers. Der erste Formkörper wird dann bei einer ersten Temperatur angehärtet und bei einer zweiten Temperatur, die niedriger als die erste Temperatur sein kann, ausgehärtet.
  • Anschließend wird der zweite Formkörper 5 auf die freiliegenden Außenflächen des ersten Formkörpers 4 aufgebracht. Dies geschieht beispielsweise durch Vergießen oder Spritzpressen.
  • insbesondere beim Ausführungsbeispiel der 1A, 1B, der Träger ist hier frei von einer Vertiefung, in der der Halbleiterchip 2 angeordnet werden kann, kann es vorteilhaft sein, wenn der Träger mit dem auf dem Träger 1 befestigten Halbleiterchip 2 vor dem Aufbringen des ersten Formkörpers 4 erwärmt wird auf eine dritte Temperatur, die kleiner gleich der ersten Temperatur ist. Auch auf diese Weise kann ein unerwünschtes Verlaufen des Formkörpers 4 oder ein Benetzen von Teilen des Trägers 1 und/oder des Kontaktierungsdrahtes 6 effizient unterbunden werden.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 6624491 [0002]

Claims (15)

  1. Bauelement mit – einem Träger (1), – einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) aufweisend zumindest eine Seitenfläche (2a), – einem Verbindungsmittel (3), – einem ersten Formkörper (4), und – einem zweiten Formkörper (5), wobei – der optoelektronische Halbleiterchip (2) mittels dem Verbindungsmittel (3) mechanisch mit dem Träger (1) verbunden ist, – der erste Formkörper (4) eine freiliegende Außenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips (2) bedeckt, – der erste Formkörper (4) eine freiliegende Außenfläche des Verbindungsmittels (3) bedeckt, – der zweite Formkörper (5) eine freiliegende Außenfläche des ersten Formkörpers bedeckt, und – der zweite Formkörper (5) ein bei Raumtemperatur größeres Elastizitätsmodul als der erste Formkörper aufweist.
  2. Bauelement nach dem vorherigen Anspruch, bei dem der zweite Formkörper (5) eine größere Härte als der erste Formkörper (4) aufweist.
  3. Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der erste Formkörper (4) überwiegend oder vollständig mit einem Silikon gebildet ist und der zweite Formkörper (5) überwiegend oder vollständig mit einem Epoxidharz gebildet ist.
  4. Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem das Verbindungsmittel (3) die Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips (2) und eine dem optoelektronischen Halbleiterchip (2) zugewandte Oberfläche des Trägers (1) stellenweise bedeckt.
  5. Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der erste Formkörper (4) den optoelektronischen Halbleiterchip (2) an seiner dem Träger (1) abgewandten Seite bedeckt.
  6. Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der erste Formkörper (4) frei von Fremdpartikeln ist.
  7. Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der erste Formkörper (4) im Wesentlichen den gleichen optischen Brechungsindex wie der zweite Formkörper (5) aufweist.
  8. Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche mit einem Kontaktierungsdraht, der mit dem optoelektronischen Halbleiterchip (2) an seiner dem Träger (1) abgewandten Seite verbunden ist, wobei der Kontaktierungsdraht (6) frei oder größtenteils frei vom ersten Formkörper (4) ist.
  9. Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der erste Formkörper (4) an der dem Träger (1) abgewandten Seite des optoelektronischen Halbleiterchips (2) eine Dicke von höchstens 100 μm über dem optoelektronischen Halbleiterchip (2) aufweist.
  10. Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche mit einer Vertiefung im Träger, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (2) in der Vertiefung (7) angeordnet ist und der erste Formköper (4) eine Seitenwand (7a) der Vertiefung (7) überragt.
  11. Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem das Verbindungsmittel (3) mit einem Klebstoff gebildet ist.
  12. Verfahren zur Herstellung eines Bauelements mit den folgenden Schritten – Bereitstellen eines Trägers (1), – Befestigen eines optoelektronischen Halbleiterchip (2) aufweisend zumindest eine Seitenfläche auf den Träger (1) mittels eines Verbindungsmittels (3), – Aufbringen eines ersten Formkörpers (4) auf eine freiliegende Außenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips (2) und eine freiliegende Außenfläche des Verbindungsmittels (3), – Anhärten des ersten Formkörpers (4), – Aushärten des ersten Formkörpers (4), – Aufbringen eines zweiten Formkörpers (5) auf eine freiliegende Außenfläche des ausgehärteten ersten Formkörpers (4), wobei – der zweite Formkörper (5) bei Raumtemperatur ein größeres Elastizitätsmodul als der erste Formkörper (4) aufweist.
  13. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei – das Anhärten bei einer ersten Temperatur erfolgt, – das Aushärten bei einer zweiten Temperatur erfolgt, – der Träger (1) mit dem auf dem Träger (1) befestigten Halbleiterchip (2) vor dem Aufbringen des ersten Formkörpers (4) erwärmt wird, so dass der Träger (1) beim Aufbringen des ersten Formkörpers (4) eine dritte Temperatur aufweist, – die dritte Temperatur größer als die Raumtemperatur ist, und – die zweite Temperatur kleiner als die erste Temperatur ist.
  14. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei die dritte Temperatur kleiner gleich der ersten Temperatur ist.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei ein Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 11 hergestellt wird.
DE102011100028A 2011-04-29 2011-04-29 Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements Ceased DE102011100028A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011100028A DE102011100028A1 (de) 2011-04-29 2011-04-29 Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
US14/114,502 US9252344B2 (en) 2011-04-29 2012-04-12 Structural component and method for producing a structural component
PCT/EP2012/056695 WO2012146490A1 (de) 2011-04-29 2012-04-12 Bauelement und verfahren zur herstellung eines bauelements
TW101114085A TWI469400B (zh) 2011-04-29 2012-04-20 組件及製造組件之方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011100028A DE102011100028A1 (de) 2011-04-29 2011-04-29 Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102011100028A1 true DE102011100028A1 (de) 2012-10-31

Family

ID=45937385

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102011100028A Ceased DE102011100028A1 (de) 2011-04-29 2011-04-29 Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9252344B2 (de)
DE (1) DE102011100028A1 (de)
TW (1) TWI469400B (de)
WO (1) WO2012146490A1 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013213073A1 (de) * 2013-07-04 2015-01-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
JP6679306B2 (ja) * 2015-12-28 2020-04-15 シャープ株式会社 発光素子の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1249875A2 (de) * 2001-04-09 2002-10-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Lichtemittierende Vorrichtung
US6624491B2 (en) 1998-06-30 2003-09-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Diode housing
EP1437776A1 (de) * 2001-10-12 2004-07-14 Nichia Corporation Lichtemittierendes bauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE102004029507A1 (de) * 2003-06-20 2005-03-03 Nichia Corporation, Anan Kunststoffgehäuse und Halbleiterbaustein mit Verwendung eines Kunststoffgehäuses
US20090065792A1 (en) * 2007-09-07 2009-03-12 3M Innovative Properties Company Method of making an led device having a dome lens
DE102008014122A1 (de) * 2007-11-29 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3127195B2 (ja) * 1994-12-06 2001-01-22 シャープ株式会社 発光デバイスおよびその製造方法
JPH10150223A (ja) * 1996-11-15 1998-06-02 Rohm Co Ltd チップ型発光素子
TW414924B (en) 1998-05-29 2000-12-11 Rohm Co Ltd Semiconductor device of resin package
JP4545956B2 (ja) 2001-01-12 2010-09-15 ローム株式会社 半導体装置、およびその製造方法
JP2004342870A (ja) * 2003-05-16 2004-12-02 Stanley Electric Co Ltd 大電流駆動用発光ダイオード
DE102004063978B4 (de) * 2003-07-17 2019-01-24 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung
TWI286393B (en) 2004-03-24 2007-09-01 Toshiba Lighting & Technology Lighting apparatus
US7456499B2 (en) * 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
TW200614548A (en) * 2004-07-09 2006-05-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-emitting device
EP1794808B1 (de) 2004-09-10 2017-08-09 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Leuchtdiodenkapselung mit mehreren formharzen
JP4634810B2 (ja) * 2005-01-20 2011-02-16 信越化学工業株式会社 シリコーン封止型ｌｅｄ
EP1693904B1 (de) 2005-02-18 2020-03-25 Nichia Corporation Llichtemittierende Vorrichtung versehen mit Linse für Lichtstärkeverteilungskontrolle
DE102005009066A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement
JP4013077B2 (ja) 2005-11-21 2007-11-28 松下電工株式会社 発光装置およびその製造方法
US7655486B2 (en) 2006-05-17 2010-02-02 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with multilayer silicon-containing encapsulant
US20090166665A1 (en) * 2007-12-31 2009-07-02 Lumination Llc Encapsulated optoelectronic device
DE102008016487A1 (de) 2008-03-31 2009-10-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
TW201022327A (en) * 2008-10-30 2010-06-16 Solvay Advanced Polymers Llc Hydroquinone-containing polyesters having improved whiteness

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6624491B2 (en) 1998-06-30 2003-09-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Diode housing
EP1249875A2 (de) * 2001-04-09 2002-10-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Lichtemittierende Vorrichtung
EP1437776A1 (de) * 2001-10-12 2004-07-14 Nichia Corporation Lichtemittierendes bauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE102004029507A1 (de) * 2003-06-20 2005-03-03 Nichia Corporation, Anan Kunststoffgehäuse und Halbleiterbaustein mit Verwendung eines Kunststoffgehäuses
US20090065792A1 (en) * 2007-09-07 2009-03-12 3M Innovative Properties Company Method of making an led device having a dome lens
DE102008014122A1 (de) * 2007-11-29 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement

Also Published As

Publication number Publication date
TW201306330A (zh) 2013-02-01
US9252344B2 (en) 2016-02-02
US20140159101A1 (en) 2014-06-12
WO2012146490A1 (de) 2012-11-01
TWI469400B (zh) 2015-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102010009456A1 (de) Strahlungsemittierendes Bauelement mit einem Halbleiterchip und einem Konversionselement und Verfahren zu dessen Herstellung
EP2215657B1 (de) Anordnung mit mindestens zwei lichtemittierenden halbleiterbauelementen und herstellungsverfahren dafür
DE102007029369A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE102008008057A1 (de) Verfahren zur Herstellung von in Kompaktgehäusen untergebrachten Lichtemissionsvorrichtungen mit mehreren optischen Elementen durch Formpressen
DE102012109905A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauteilen
EP2583319B1 (de) Optoelektronisches bauteil
WO2015071109A1 (de) Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauelementen und optoelektronisches halbleiterbauelement
DE102010026343A1 (de) Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
EP2396832A1 (de) Verkapselte optoeleketronische halbleiteranordnung mit lötstoppschicht und entsprechendes verfahren
WO2010145893A2 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil
DE102012212963A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102013212247B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102009033287A1 (de) Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode
DE102019104986A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
EP1627455B1 (de) Gehäuse für ein laserdiodenbauelement und laserdiodenbauelement
EP1929544B1 (de) Strahlungsemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauelements
WO2010025701A1 (de) Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
DE102011100028A1 (de) Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
DE10234978A1 (de) Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2020052973A1 (de) Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
DE102008044847A1 (de) Optoelektronisches Bauelement
EP2619810B1 (de) Elektronisches bauelement
DE102014112818A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE112014002703B4 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE112017005653B4 (de) Leiterrahmen, optoelektronisches Bauelement mit einem Leiterrahmen und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R012 Request for examination validly filed
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final