DE102005009066A1 - Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement Download PDFInfo
- Publication number
- DE102005009066A1 DE102005009066A1 DE102005009066A DE102005009066A DE102005009066A1 DE 102005009066 A1 DE102005009066 A1 DE 102005009066A1 DE 102005009066 A DE102005009066 A DE 102005009066A DE 102005009066 A DE102005009066 A DE 102005009066A DE 102005009066 A1 DE102005009066 A1 DE 102005009066A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- radiation
- component according
- emitting semiconductor
- optical component
- emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
- C08G59/42—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof
- C08G59/4215—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof cycloaliphatic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/0001—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor characterised by the choice of material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
- C08G59/32—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups
- C08G59/3236—Heterocylic compounds
- C08G59/3245—Heterocylic compounds containing only nitrogen as a heteroatom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2083/00—Use of polymers having silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only, in the main chain, as moulding material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2105/00—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped
- B29K2105/0005—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped containing compounding ingredients
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2011/00—Optical elements, e.g. lenses, prisms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/06—Preparatory processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/42—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/42—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences
- C08G77/452—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences containing nitrogen-containing sequences
- C08G77/455—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences containing nitrogen-containing sequences containing polyamide, polyesteramide or polyimide sequences
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelements mittels eines Molding-Prozesses und ein optisches sowie ein strahlungsemittierendes Bauelement mit definierter Viskosität.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelements mittels eines Molding-Prozesses und ein optisches sowie ein strahlungsemittierendes Bauelement.
- In der
GB 1 423 013 - In der
US 4,198,131 wird die Herstellung von optischen Elementen aus Silikonharzen für Kontaktlinsen beschrieben. Dort wird der erhöhte Tragekomfort durch die Verwendung von Silikonharzen hervorgehoben. - In der
EP 1 424 363 A1 wird die Verwendung verschiedener Silikonharze mit einer Viskosität unterhalb von einer Pascal-Sekunde in Verbindung mit Leuchtdioden beschrieben. - In der WO 01/50540 A1 ist eine oberflächenmontierbare Leuchtdiodenquelle beschrieben, bei der ein strahlungsemittierender Halbleiterchip auf einem Leiterrahmen (Lead-Frame) durch einen Transfer-Molding-Prozeß mit einem Kunstharz umspritzt ist. Die Kunstharzmasse bildet dabei das Gehäuse der Leuchtdiodenlichtquelle.
- Bisher wurden bei der Herstellung von strahlungsemittierenden Bauelementen bzw. optischen Bauelementen transparente Thermoplaste, Harze oder Glas verwendet.
- Thermoplaste zeichnen sich durch kostengünstige und einfache Verarbeitung aus. Allerdings weisen sie eine geringe Strahlungsbeständigkeit für kurzwellige Strahlung auf und haben eine eingeschränkte Betriebstemperatur.
- Duroplaste hingegen zeichnen sich durch relativ hohe Temperaturbeständigkeit und gute Abformeigenschaften sowie Formtreue aus. Die Duroplaste weisen aber ebenso eine geringe Strahlungsbeständigkeit für kurzwellige Strahlung auf. Der Verarbeitungsprozess ist teuer, und es fallen vergleichsweise hohe Materialkosten an.
- Glas zeichnet sich durch gute Alterungs- sowie gute Temperaturstabilität aus, jedoch entstehen hohe Kosten für das Material und die Bearbeitungsprozesse.
- Die Verwendung von Silikonharzen ist bisher nur eingeschränkt möglich. Silikonharze sind zwar strahlungs- beziehungsweise alterungsstabil, allerdings sind die Formungs-Prozesse (Spritzgussprozesse bzw. Molding) für Silikonharze vergleichsweise zeit- und kostenaufwendig. Die nach bekannten bisherigen Verfahren hergestellten Bauelemente weisen eine für die praktische Nutzung zu geringe Formstabilität auf.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein optisches Bauelement sowie ein strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu deren Herstellung anzugeben, bei denen unter der Verwendung von Silikonharz und eines Moldingprozesses eine Verbesserung entsteht.
- Diese Aufgabe löst die Erfindung durch die unabhängigen Ansprüche.
- Erfindungsgemäß sind die verwendeten Silikonharze an den Formgebungsprozess angepasst, damit durch kurze Maschinenzykluszeiten effektive und kostengünstige Herstellungsverfahren für alterungsstabile Optiken bereit gestellt sind. Als besonders vorteilhaft haben sich dabei Viskositäten für das Spritzgussverfahren (Injection-molding) von 4,5 bis 20 Pascal-Sekunden herausgestellt. Verwendet werden können klare Silikonharze, wie zum Beispiel Dow-Corning-Silicone. Ein typischer Wert für die Viskosität bei einem Injection-molding-Prozeß liegt bei zehn Pascal-Sekunden. Höhere Viskositäten verringern ebenfalls die Bildung von sogenanntem Flash. Flash ist ein unerwünschter Effekt, bei welchem die Formmasse in einem Kriechprozeß nicht dafür vorgesehene Bereiche benetzt.
- Bei einem vorteilhaften Ausführungsbeispiel des Verfahrens werden Prozesstemperaturen für das Injection-molding zwischen 130 Grad und 180 Grad Celsius angewendet. Bevorzugt wird eine Prozesstemperatur von 150 Grad Celsius.
- Bei einem weiteren vorteilhaften Ausführungsbeispiel des Verfahrens werden Spritzdrücke zwischen 50 und 100 Tonnen aufgewendet.
- Bei einem weiteren vorteilhaften Ausführungsbeispiel des Verfahrens kann die Formmasse Beimischungen zur Entformung oder Trennung enthalten. Geeignet hierfür sind Materialien auf Wachsbasis oder Metallseifen mit langkettigen Karbonsäuren.
- Eine weitere vorteilhafte Ausführungsform des Verfahrens ist dadurch gegeben, dass die verwendete Formmasse einen Konversionstoff enthält. Der in der Formmasse dispergierte Konversionsstoff kann ein anorganisches Leuchtstoffpigmentpulver sein, das Leuchtstoffe mit der allgemeinen Formel A3B5X12:M enthält. Insbesondere können als Leuchtstoffpigmente Partikel aus der Gruppe der Ce-dotierten Granate verwendet werden, wobei insbesondere Ce-dotiertes Yttriumaluminiumgranat (Y3Al5O12:Ce) zu nennen ist. Weitere mögliche Leuchtstoffe sind Wirtsgitter auf Sulfid- und Oxysulfidbasis, Aluminate, Borate, etc. mit entsprechend im kurzwelligen Bereich anregbaren Metallzentren. Auch metallorganische Leuchtstoffsysteme sind verwendbar. Die Leuchtstoffpigmente können dabei auch eine Mehrzahl verschiedener Leuchtstoffe und der Konversionsstoff kann eine Mehrzahl verschiedener Leuchtstoffpigmente enthalten.
- Der Leuchtstoff kann ebenso durch lösliche und schwer lösliche organische Farbstoffe und Leuchtstoffmischungen gebildet werden.
- Weiterhin kann dem vorzugsweise vorgetrockneten Konversionsstoff ein Haftvermittler vorzugsweise in flüssiger Form beigemengt werden, um die Haftfähigkeit des Konversionsstoffes mit der Kunststoff-Preßmasse zu verbessern. Insbesondere bei der Verwendung von anorganischen Leuchtstoffpigmenten können als Haftvermittler 3-Glycidoxypropyltrimethoxysilan oder weitere Derivate auf Trialkoxysilan-Basis verwendet werden.
- Zur Modifizierung der Leuchtstoffoberflächen können einfach- und mehrfachfunktionelle polare Agentien mit Carbonsäure-, Carbonsäureester-, Ether- und Alkoholgruppen, wie beispielsweise Diethylenglykolmonomethylether eingesetzt werden. Damit wird die Benetzbarkeit der hochenergetischen Leuchtstoffober flächen und damit die Verträglichkeit und Dispergierung bei der Verarbeitung mit der Formmasse verbessert.
- Eine weitere vorteilhafte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens entsteht, wenn der Formmasse Füllstoffe zur Erhöhung des Brechungsindex beigemengt werden. Füllstoffe können insbesondere Glaspartikel, TiO2, ZrO2, αAl2O3, oder andere Metalloxide enthalten.
- Eine weitere vorteilhafte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens entsteht, wenn die Zykluszeiten des Molding-Prozesses zwischen 30 Sekunden und zwei Minuten so liegen, dass sogenannter Wire-Sweep (in etwa „Fäden ziehen"), wie er bei einer zu hohen Transfergeschwindigkeit oder großer Viskosität auftritt, vermieden wird.
- Die Erfindung betrifft insbesondere optische Bauelemente, welche nach den vorgenannten Verfahren hergestellt werden.
- Ein weiteres erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen ist gegeben, wenn in einem Transfer-molding-Prozeß Epoxydharze mit einer Viskosität zwischen 4 und 35 Pas (typisch 10 Pas) oder Hybridmaterialien wie Silikonharze mit einer Beimischung von Epoxydharzen zwischen 30 und 80 Prozent verwendet werden, wobei die Silikonharze mit Epoxydharzbeimischung eine Viskosität zwischen 0,9 und 12 Pascal-Sekunden aufweisen. Ein Tranfer-molding-Prozeß ist ein Spritzgussverfahren, bei dem vorgefertigte Elemente in einem Spritzgussprozess zummindest in Teilbereichen mit einer Formmasse versehen werden. Eine typische Mischung für Hybridmaterialien sind Silikonharze mit einer 50%igen Beimischung von Epoxidharzen (z.B. von Shin Etsu/Transfer Molding). Bei der Verwendung einer klaren Form masse (Moldcompound) auf Epoxidbasis (z.B. Nitte NT 300 Compound) tritt ab einer Viskosität von 50 Pas ein sogenannter Wire-Sweep auf.
- Ein weiteres erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen ist gegeben, wenn die Prozesstemperatur bei dem Tranfer-molding-Prozeß vorteilhaft zwischen 130 und 180 Grad Celsius liegt.
- Eine andere vorteilhafte Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen ist gegeben, wenn beim Transfer-molding-Prozeß Spritzdrücke zwischen 50 und 100 Tonnen aufgewendet werden.
- Eine besonders vorteilhafte Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen ist gegeben, wenn die verwendete Formmasse eine Beimischung zur Entformung oder Trennung wie Materialien auf Wachsbasis oder Metallseifen mit langkettigen Karbonsäuren enthält.
- Eine weitere vorteilhafte Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen ist gegeben, wenn die verwendete Formmasse einen Konversionstoff enthält. Der in der Formmasse dispergierte Konversionsstoff kann ein anorganisches Leuchtstoffpigmentpulver sein, das Leuchtstoffe mit der allgemeinen Formel A3B5X12:M enthält. Insbesondere können als Leuchtstoffpigmente Partikel aus der Gruppe der Ce-dotierten Granate verwendet werden, wobei insbesondere Ce-dotiertes Yttriumaluminiumgranat (Y3Al5O12:Ce) zu nennen ist. Weitere mögliche Leuchtstoffe sind Wirtsgitter auf Sulfid- und Oxysulfidbasis, Aluminate, Borate, etc. mit entsprechend im kurzwelligen Bereich anreg baren Metallzentren. Auch metallorganische Leuchtstoffsysteme sind verwendbar. Die Leuchtstoffpigmente können dabei auch eine Mehrzahl verschiedener Leuchtstoffe und der Konversionsstoff kann eine Mehrzahl verschiedener Leuchtstoffpigmente enthalten.
- Der Leuchtstoff kann ebenso durch lösliche und schwer lösliche organische Farbstoffe und Leuchtstoffabmischungen gebildet werden.
- Weiterhin kann dem vorzugsweise vorgetrockneten Konversionsstoff ein Haftvermittler vorzugsweise in flüssiger Form beigemengt werden, um die Haftfähigkeit des Konversionsstoffes mit der Kunststoff-Preßmasse zu verbessern. Insbesondere bei der Verwendung von anorganischen Leuchtstoffpigmenten kann als Haftvermittler 3-Glycidoxypropyltrimethoxysilan oder weitere Derivate auf Trialkoxysilan-Basis verwendet werden.
- Zur Modifizierung der Leuchtstoffoberflächen können einfach- und mehrfachfunktionelle polare Agentien mit Carbonsäure-, Carbonsäureester-, Ether- und Alkoholgruppen, wie beispielsweise Diethylenglykolmonomethylether eingesetzt werden. Damit wird die Benetzbarkeit der hochenergetischen Leuchtstoffoberflächen und damit die Verträglichkeit und Dispergierung bei der Verarbeitung mit der Formmasse verbessert.
- Eine besonders vorteilhafte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen ist gegeben, wenn die Formmasse Füllstoffe zur Erhöhung des Brechungsindex enthält. Füllstoffe können insbesondere Glaspartikel, TiO2, ZrO2, αAl2O3, oder andere Metalloxide enthalten.
- Eine andere vorteilhafte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen ist gegeben, wenn der Transfermolding-Prozeß Zykluszeiten zwischen zwei und acht Minuten aufweist. Eine vorteilhafte Ausführungsform des Verfahrens weist eine Zykluszeit von fünf Minuten auf. Längere Zykluszeiten vermindern generell die Wirtschaftlichkeit des Verfahrens.
- Eine weitere vorteilhafte Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen ist gegeben, wenn im Transfer-molding-Prozess Aushärtzeiten zwischen drei und fünf Minuten angewendet werden. Die Anpassung der Silikonharze an den automatisierten Verarbeitungsprozeß mit kurzen Verweil- bzw. Aushärtzeiten im formgebenden Werkzeug ermöglicht ein wirtschaftliches Verfahren. Die Ausbringungsmenge darf nicht zu gering sein, damit die Herstellungskosten der Bauelemente im Rahmen der Wirtschaftlichkeit bleiben.
- Die Erfindung betrifft ebenfalls ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement, welches nach einem der erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt ist.
- Ebenfalls betrifft die Erfindung strahlungsemittierende Halbleiterbauelemente, welche ein optisches Bauelement enthalten das nach einem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt ist.
- Die Erfindung betrifft auch strahlungsemittierende Halbleiterbauelemente, denen ein nach einem erfindungsgemäßen Verfahren hergestelltes optisches Bauelement nachgeordnet ist.
- Die Erfindung betrifft insbesondere strahlungsemittierende Halbleiterbauelemente, bei denen innerhalb eines vorgeformten Gehäuses (Premolded-Package) eine Umspritzung des Halbleiterchips nach einem der erfindungsgemäßen Verfahren erfolgt.
- Eine weitere vorteilhafte Ausführungsformen von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen sieht vor, dass der Halbleiterchip innerhalb eines vorgeformten Gehäuses nach einem erfindungsgemäßen Verfahren umspritzt wurde und ihm ein optisches Bauelement nachgeordnet ist.
- Erfindungsgemäße strahlungsemittierende Halbleiterbauelemente können in einer vorteilhaften Ausführungsform dadurch gebildet werden, dass ein Halbleiterchip auf einem Grundkörper (Basis-Package) mit einer Silikonharzmischung nach einem erfindungsgemäßen Verfahren umspritzt wird.
- Erfindungsgemäße, vorteilhafte Ausführungsformen von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen sehen vor, dass einem umspritzten Halbleiterchip in Abstrahlrichtung ein optisches Bauelement nachgeordnet ist, wobei das optische Bauelement nach einem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt wurde.
- Eine weitere vorteilhafte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen, strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements ist gegeben, wenn die Silikonmischung der Umspritzung des Halbleiterbauelements eine geringere Formstabilität aufweist, als jene Silikonmischung des nachgeordneten optischen Bauelements. Diese Ausführungsform ist insbesondere für Leistungsbauformen vorteilhaft.
- Weitere Vorteile, bevorzugte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich im Folgenden in Verbindung mit den in den
1 bis5 erläuterten Ausführungsbeispielen. - Es zeigen:
-
1 die Darstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements mit einem erfindungsgemäßen optischen Bauelement, -
2 eine weitere schematische Darstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements erfindungsgemäßen optischen Bauelement, -
3 schematische Darstellungen von erfindungsgemäßen strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen, -
4 weitere schematische Darstellungen von erfindungsgemäßen strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen, -
5 eine Darstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements. -
1 zeigt die schematische Darstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements. Dabei ist auf einem Substrat3 ein Halbleiterchip2 angeordnet, dem ein erfindungsgemäßes optisches Bauelement1 nachgeordnet ist. Bei dem optischen Bauelement1 handelt es sich um eine sogenannte CPC-Optik (parabolischer Koncentrator). CPC steht für compound-parabolic-concentrator. - Erfindungsgemäße Ausführungsformen schließen allerdings auch optische Bauelemente wie Linsen, diffraktive Optiken, Reflektoren oder generell alle Arten von optischen Bauelementen ein.
- Durch die Herstellung der optischen Bauelemente in einem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, Silikonharze für die Herstellung aller üblichen optischen Bauelemente zu verwenden. Das erfindungsgemäße Verfahren bietet die Möglichkeit, optische Bauelemente herzustellen, welche die Vorteile der Alterungsstabilität von Silikonharzen mit einer deutlich verbesserten Formstabilität verbinden.
- Bei dem in
1 dargestellten Ausführungsbeispiel eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements handelt es sich um eine sogenannte COB, eine Chip on board Montage. - Der Halbleiterchip
2 kann hierbei ein konventioneller Leuchtdiodenchip sein oder auch ein Dünnfilmleuchtdiodenchip. Das optische Bauelement1 kann mehrere Funktionen übernehmen. Es kann zur Strahlformung dienen, aber auch zur Umwandlung des Emissionsspektrums des Halbleiterchips. Dazu wird der Formmasse des optischen Bauelements1 ein sogenannter Konversionsstoff beigemischt. Der Konversionsstoff kann ein Leuchtstoffpigmentpulver sein, welches zum Beispiel kurzwelliges Licht in langerwelligere Strahlung überführt, damit der Eindruck einer mehrfarbigen Lichtquelle, insbesondere einer Weißlichtquelle entsteht. - Weitere optische Bauelemente können elliptische-(CEC = compound-elliptic-concentrator)- oder hyperbolische Konzentratoren (CHC = compound-hyperbolic-concentrator) sein. Diese Bauelemente können mit reflektierenden Seitenwänden versehen sein. Die Lichteintritts- und Lichtaustrittsflächen der Konzentratoren können dabei beliebige geometrische Figuren aufweisen, unter anderen Ellipsen, Kreise, Quadrate, Vielecke regelmäßiger und unregelmäßiger Art.
- Bevorzugt ist der Konzentrator dem Halbleiterchip und dessen Hauptabstrahlrichtung nachgeordnet, d.h. er befindet sich im optischen Strahlengang.
- Der Halbleiterchip
2 kann beispielhafterweise von einem Rahmen umgeben sein, an oder in dem das optische Bauelement1 angebracht ist. Der Rahmen kann das optische Bauelement1 fixieren und/oder dieses relativ zur Chipauskoppelfläche justieren. -
2 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements. Bei dem Halbleiterbauelement ist ein Halbleiterchip2 auf einem Substrat3 angeordnet. Dem Halbleiterchip2 ist ein erfindungsgemäßes optisches Bauelement12 nachgeordnet. Bei dem optischen Bauelement12 handelt es sich hierbei um eine Optik, welche in ihrer Wirkung einer CPC-Optik ähnlich ist. - Sie weist eine vergleichbare Effizienz auf und zeichnet sich durch eine vereinfachte Herstellung aus. Die gewünschten optischen Eigenschaften werden durch gerade Seitenflächen in Kombination mit einer gewölbten Austrittsfläche erreicht. Das Ausführungsbeispiel in
2 bezieht sich ebenfalls wie das Ausführungsbeispiel in1 auf eine sogenannte Chip on board Einheit. -
3 zeigt in den beiden Bildteilen a und b schematische Darstellungen zweier erfindungsgemäßer Ausführungsformen von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen. Den beiden Bildteilen a und b ist gemeinsam, dass ein Halbleiterchip2 innerhalb eines vorgeformten Gehäuses4 angeordnet und von einem umspritzten Bereich5 umgeben ist. Das Umspritzen des Bereiches5 kann nach einem erfindungsgemäßen Verfahren durchgeführt werden. Oberhalb des umspritzten Bereiches5 ist eine Optik8 bzw.81 angeordnet. Die Optik8 bzw.81 kann in einem erfindungsgemäßen Verfahrensschritt gemeinsam mit dem umspritzten Bereich5 hergestellt werden oder getrennt nach einem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt und danach auf dem umspritzten Bereich5 angeordnet werden. Mögliche Beispiele für Optiken8 bzw.81 sind Fresnellinsen, sphärische-, asphärische Linsen oder diffraktive Optiken. -
4 zeigt in den Bildteilen a und b zwei weitere bevorzugte Ausführungsformen erfindungsgemäßer strahlungsemittierender Halbleiterbauelemente. Bei der Herstellung wird ein Halbleiterchip2 , der auf einem Lead-Frame6 angeordnet ist, in einen Transfer-molding-Prozeß mit Spritzmasse umgossen und es entsteht ein Spritzgussgehäuse (Molded-Package)7 . Diese Technik ist bereits bekannt, beispielsweise vertreibt die Firma Osram Produkte nach dieser Technik unter den Handelsnamen SmartLED oder Firefly. Bisher konnte dieses Herstellungsverfahren auf silikonfreie Harze angewendet werden. Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht die Verwendung von Silikonharzen in diesen Bereich. Auf der Molded-Package7 kann eine Optik82 bzw.83 angeordnet sein. Diese Optik82 bzw.83 kann entweder zusammen mit der Molded-Package7 in einem Transfer molding-Prozess hergestellt werden, oder aber auch getrennt in einem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt und danach auf dem Spritzgussgehäuse7 angeordnet werden. Die Mischung der Silikonharze mit Epoxydharzen zu Hybridmaterialien ermöglicht eine hohe Formstabilität und eine gute Haftung der Formmasse am lead frame6 oder am Substrat. Der freie Anschluss des lead frame6 ist mittels der Kontaktierung13 mit dem Chip2 elektrisch verbunden. Der andere elektrische Kontakt ist an der Chipunterseite. - Sowohl das Spritzgussgehäuse
7 als auch die Optik82 bzw.83 können Konversions- oder Leuchtstoffe enthalten. - Der Leiterrahmen (lead frame)
6 kann eine S-förmige Biegung aufweisen, damit ein oberflächenmontierbares, strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement entsteht. Bildteil a zeigt eine Ausführungsform mit einer diffraktiven Optik und Bildteil b eine Ausführungsform mit einer sphärischen Linse. - In
5 ist eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement dargestellt. Bei diesem Ausführungsbeispiel handelt es sich um eine sogenannte Leistungsbauform, dabei wird ein Halbleiterchip2 auf einer Basis-Package9 angeordnet. Der Halbleiterchip2 wird mit einer Umspritzung10 versehen und der Umspritzung10 selbst eine Optik11 nachgeordnet. Bei einer Leistungsbauform ist die Umspritzung10 des Halbleiterchips2 einer hohen Strahlungsintensität ausgesetzt. Daher ist es wichtig für die Umspritzung10 , ein alterungsstabiles, beziehungsweise strahlungsbeständiges Material zu verwenden. Deshalb kann die Umspritzung10 vorteilhafterweise aus einer Formmasse mit einem hohen Silikonharzanteil bestehen. Silikonharz erfüllt die Anforderungen an Alterung und Strahlungsstabilität. Der Mangel an Formstabilität des Silikonharzes wird in dieser Ausführungsform durch Nachordnung einer formstabilen Optik11 kompensiert. Die Optik11 umschließt daher die Umspritzung10 und gewährleistet deren Formstabilität. Da die Optik11 selbst einen Anteil an Silikonharzen aufweist, ist deren Alterungsstabilität und Strahlungsbeständigkeit ebenfalls erhöht und es entsteht eine gute Verbindung zwischen der Optik11 und der Umspritzung10 . - Da die Umspritzung
10 aus Silikonharz und die Optik11 aus dem Silikon/Epoxydharz-Hybridmaterial gebildet werden kann, ist in dieser Ausführungsform der Unterschied der Brechungsindices der Umspritzung und der Optik verringert.
Claims (26)
- Verfahren zur Herstellung eines optischen Bauelementes unter Einsatz eines Injection Molding Prozesses, dadurch gekennzeichnet, dass ein Silikonharz als Formmasse mit einer Viskosität von 4,5 bis 20 Pas verwendet wird.
- Verfahren zur Herstellung eines optischen Bauelementes gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine Prozesstemperatur zwischen 130 und 180° angewendet wird.
- Verfahren zur Herstellung eines optischen Bauelementes nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Spritzdrücke zwischen 50 und 100 t aufgewendet werden.
- Verfahren zur Herstellung von optischen Bauelement nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Formmasse eine Beimischung zur Entformung oder Trennung, insbesondere wie Materialien auf Wachsbasis oder Metallseifen mit langkettigen Karbonsäuren enthält.
- Verfahren zur Herstellung eines optischen Bauelementes nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Formmasse mindestens einen Konversionsstoff enthält, wobei der Konversionstoff einen organischen oder anorganischen Leuchtstoff oder eine Mischung davon enthält.
- Verfahren zur Herstellung eines optischen Bauelementes nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Formmasse mindestens einen Konversionsstoff enthält, wobei der Leuchtstoff YAG:Ce, TAG:Ce, TbYAG:Ce, GdYAG:Ce, GdTbYAG:Ce oder ein daraus gebildetes Gemisch enthält.
- Verfahren zur Herstellung eines optischen Bauelementes nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Formmasse Füllstoffe zur Erhöhung des Flächungsindex beigemengt werden, wobei die Füllstoffe, Glaspartikel TiO2, ZrO2, αAl2O3, oder andere Metalloxide enthalten.
- Verfahren zur Herstellung eines optischen Bauelementes nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass bei dem Verfahren die Zykluszeiten zwischen 30 Sekunden und 2 Minuten liegen.
- Optisches Bauelement, dadurch gekennzeichnet, dass es nach einem Verfahren der Ansprüche 1 bis 8 hergestellt wird.
- Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementesn, dadurch gekennzeichnet, dass in einem Transfermoldingprozess Epoxydharze mit einer Viskosität von 4 bis 35 Pa s oder Silikonharze mit einer Beimischung von Epoxydharzen zwischen 30 und 80 % und einer Viskosität zwischen 0,9 und 12 Pas verwendet werden.
- Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementes gemäß Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Prozesstemperatur zwischen 130 und 180° C liegt.
- Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementes gemäß Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Spritzdrücke im Verfahren zwischen 50 und 100 t liegen.
- Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementes nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Formmasse eine Beimischung zur Entformung oder Trennung wie Materialien auf Wachsbasis, Metallseife mit langkettigen Karbonsäuren beigemischt sind.
- Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementes gemäß einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Formmasse mindestens einen Konversionsstoff enthält, wobei der Konversionsstoff einen organischen oder anorganischen Leuchtstoff oder ein Gemisch daraus enthält.
- Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementes gemäß einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Formmasse mindestens einen Leuchtstoff enthält, wobei der Leuchtstoff YAG:Ce, TAG:Ce, TbYAG:Ce, GdYAG:Ce, GdTbYAG:Ce oder ein hieraus gebildetes Gemisch ist.
- Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementes gemäß einem der Ansprüche 10 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Formmasse Füllstoffe zur Erhöhung des Brechungsindex beigemengt werden, wobei die Füllstoffe Glaspartikel TiO2, ZrO2, αAl2O3, oder andere Metalloxide enthalten.
- Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementes gemäß einem der Ansprüche 10 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass bei dem Verfahren die Zykluszeiten zwischen 2 Minuten und 8 Minuten liegen.
- Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementes gemäß einem der Ansprüche 10 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Aushärtzeiten zwischen 3 Minuten und 5 Minuten liegen.
- Strahlungsemittierendes Bauelement gefertigt nach einem der Verfahren 10 bis 18.
- Strahlungsemittierendes Bauelement, dadurch gekennzeichnet, dass einem optoelektrischen Halbleiter ein optisches Bauelement gemäß Anspruch 9 nachgeordnet ist.
- Strahlungsemittierendes Bauelement, dadurch gekennzeichnet, dass einem optoelektronischen Halbleiterbauelement ein optisches Bauelement gemäß Anspruch 9 nachgeordnet ist.
- Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement, dadurch gekennzeichnet, dass in einer Premolded LED Package eine Umspritzung des Halbleiterchips nach einem der Verfahren 10 bis 18 erfolgt.
- Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement gemäß Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass der Umspritzung ein optisches Bauelement nachgeordnet ist.
- Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip auf einer Basispackage mit einer Silikonharzmischung gemäß einem der Verfahren 10 bis 18 umspritzt wird.
- Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement gemäß Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass der Umspritzung ein optisches Bauelement nach einem der Verfahren 1 bis 8 nachgeordnet ist.
- Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement gemäß Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass die Silikonmischung der Umspritzung eine höhere Viskosität als die Silikonmischung des optischen Bauelements aufweist.
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005009066A DE102005009066A1 (de) | 2005-02-28 | 2005-02-28 | Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement |
TW095106571A TWI321594B (en) | 2005-02-28 | 2006-02-27 | Method for the production of a radiation-emitting optical component and radiation-emitting optical component |
PCT/DE2006/000361 WO2006089540A2 (de) | 2005-02-28 | 2006-02-28 | Verfahren zur herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden bauelementes und optisches sowie strahlunsemittierendes bauelement |
EP06706018A EP1853943A2 (de) | 2005-02-28 | 2006-02-28 | Verfahren zur herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden bauelementes und optisches sowie strahlunsemittierendes bauelement |
KR1020077021061A KR101263041B1 (ko) | 2005-02-28 | 2006-02-28 | 광학 광선방출소자 제조방법 및 광학 광선방출소자 |
US11/885,374 US8247263B2 (en) | 2005-02-28 | 2006-02-28 | Method for producing an optical, radiation-emitting component and optical, radiation-emitting component |
CNA2006800062849A CN101128750A (zh) | 2005-02-28 | 2006-02-28 | 制造光学部件和发射辐射的部件的方法,以及光学部件和发射辐射的部件 |
CN201210418570.3A CN103009545B (zh) | 2005-02-28 | 2006-02-28 | 制造光学部件的方法,光学部件,和包括光学部件的装置 |
JP2007557321A JP4922189B2 (ja) | 2005-02-28 | 2006-02-28 | 光学素子及び放射線を発する素子の製造方法及び光学素子ならびに放射線を発する素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005009066A DE102005009066A1 (de) | 2005-02-28 | 2005-02-28 | Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102005009066A1 true DE102005009066A1 (de) | 2006-09-07 |
Family
ID=36576050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102005009066A Withdrawn DE102005009066A1 (de) | 2005-02-28 | 2005-02-28 | Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8247263B2 (de) |
EP (1) | EP1853943A2 (de) |
JP (1) | JP4922189B2 (de) |
KR (1) | KR101263041B1 (de) |
CN (2) | CN101128750A (de) |
DE (1) | DE102005009066A1 (de) |
TW (1) | TWI321594B (de) |
WO (1) | WO2006089540A2 (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE202008005987U1 (de) * | 2008-04-30 | 2009-09-03 | Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh | LED-Modul mit kalottenförmiger Farbkonversionsschicht |
DE102008016534A1 (de) * | 2008-03-31 | 2009-10-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements |
DE102008021436A1 (de) | 2008-04-29 | 2010-05-20 | Schott Ag | Optik-Konverter-System für (W)LEDs |
DE102018101291A1 (de) * | 2018-01-22 | 2019-07-25 | Hans-Erich Gubela | Elastischer Retroreflektor |
US10809425B2 (en) | 2018-01-22 | 2020-10-20 | Hans-Erich Gubela | Retroreflector element for use in road traffic |
US11029456B2 (en) | 2018-01-22 | 2021-06-08 | Imos Gubela Gmbh | Retroreflector having a curved surface |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7910822B1 (en) | 2005-10-17 | 2011-03-22 | Solaria Corporation | Fabrication process for photovoltaic cell |
US8227688B1 (en) | 2005-10-17 | 2012-07-24 | Solaria Corporation | Method and resulting structure for assembling photovoltaic regions onto lead frame members for integration on concentrating elements for solar cells |
US9084328B2 (en) | 2006-12-01 | 2015-07-14 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
US8513875B2 (en) | 2006-04-18 | 2013-08-20 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
EP1870022B1 (de) * | 2006-06-22 | 2016-05-11 | W & H Dentalwerk Bürmoos GmbH | Medizinischer Handgriff mit Beleuchtungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung |
US9441793B2 (en) | 2006-12-01 | 2016-09-13 | Cree, Inc. | High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting |
US7910392B2 (en) | 2007-04-02 | 2011-03-22 | Solaria Corporation | Method and system for assembling a solar cell package |
US20090056806A1 (en) * | 2007-09-05 | 2009-03-05 | Solaria Corporation | Solar cell structure including a plurality of concentrator elements with a notch design and predetermined radii and method |
BRPI0811561A2 (pt) * | 2007-05-08 | 2015-06-16 | Cree Led Lighting Solutions | Dispositivo de iluminação e método de iluminação |
US8119902B2 (en) | 2007-05-21 | 2012-02-21 | Solaria Corporation | Concentrating module and method of manufacture for photovoltaic strips |
US7777172B2 (en) * | 2007-06-01 | 2010-08-17 | Fairchild Semiconductor Corporation | Methods for reducing cross talk in optical sensors |
DE102007046339A1 (de) | 2007-09-27 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtquelle mit veränderlicher Abstrahlcharakteristik |
DE102007046520A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierendes Flächenelement und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Flächenelementes |
US7910035B2 (en) * | 2007-12-12 | 2011-03-22 | Solaria Corporation | Method and system for manufacturing integrated molded concentrator photovoltaic device |
US8217482B2 (en) * | 2007-12-21 | 2012-07-10 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared proximity sensor package with reduced crosstalk |
DE102008026841A1 (de) * | 2008-02-22 | 2009-08-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil |
JP5239043B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2013-07-17 | シャープ株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
DE102008052751A1 (de) * | 2008-10-22 | 2010-04-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzkonversionselements, Lumineszenzkonversionselement und optoelektronisches Bauteil |
JP5206982B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2013-06-12 | 信越化学工業株式会社 | 液状付加硬化型シリコーンゴム組成物の射出成形方法及びその成形品 |
US8420999B2 (en) * | 2009-05-08 | 2013-04-16 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Metal shield and housing for optical proximity sensor with increased resistance to mechanical deformation |
US8957380B2 (en) * | 2009-06-30 | 2015-02-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor |
US8779361B2 (en) * | 2009-06-30 | 2014-07-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Optical proximity sensor package with molded infrared light rejection barrier and infrared pass components |
US9525093B2 (en) | 2009-06-30 | 2016-12-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor |
US8716665B2 (en) * | 2009-09-10 | 2014-05-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Compact optical proximity sensor with ball grid array and windowed substrate |
US8143608B2 (en) * | 2009-09-10 | 2012-03-27 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Package-on-package (POP) optical proximity sensor |
US8350216B2 (en) * | 2009-09-10 | 2013-01-08 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Miniaturized optical proximity sensor |
US8097852B2 (en) * | 2009-09-10 | 2012-01-17 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Multiple transfer molded optical proximity sensor and corresponding method |
US9733357B2 (en) * | 2009-11-23 | 2017-08-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared proximity sensor package with improved crosstalk isolation |
JP5340191B2 (ja) * | 2010-02-02 | 2013-11-13 | 日東電工株式会社 | 光半導体装置 |
DE102010024545B4 (de) * | 2010-06-22 | 2022-01-13 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
GB2482110B (en) * | 2010-07-05 | 2014-08-27 | Cambridge Display Tech Ltd | Lighting elements |
JP5767062B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2015-08-19 | 日東電工株式会社 | 発光ダイオード封止材、および、発光ダイオード装置の製造方法 |
US8841597B2 (en) | 2010-12-27 | 2014-09-23 | Avago Technologies Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Housing for optical proximity sensor |
DE102011100028A1 (de) * | 2011-04-29 | 2012-10-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements |
WO2012155535A1 (zh) * | 2011-05-19 | 2012-11-22 | 晶能光电(江西)有限公司 | 氮化镓基薄膜芯片的生产制造方法 |
USD699176S1 (en) | 2011-06-02 | 2014-02-11 | Solaria Corporation | Fastener for solar modules |
JP5682497B2 (ja) * | 2011-07-29 | 2015-03-11 | 信越化学工業株式会社 | 表面実装型発光装置の製造方法及びリフレクター基板 |
US20130175516A1 (en) * | 2011-09-02 | 2013-07-11 | The Procter & Gamble Company | Light emitting apparatus |
WO2013119796A1 (en) * | 2012-02-09 | 2013-08-15 | Dow Corning Corporation | Gradient polymer structures and methods |
DE102012207593A1 (de) * | 2012-05-08 | 2013-11-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum herstellen von bauteilen, bauteile und formwerkzeug |
CN103682030B (zh) * | 2012-09-07 | 2017-05-31 | 深圳市龙岗区横岗光台电子厂 | Led、led装置及led制作工艺 |
NL2011512C2 (en) * | 2013-09-26 | 2015-03-30 | Besi Netherlands B V | Method for moulding and surface processing electronic components and electronic component produced with this method. |
RU2571176C1 (ru) * | 2014-07-14 | 2015-12-20 | Гиа Маргович Гвичия | Светодиодная матрица |
US20210399041A1 (en) * | 2020-06-18 | 2021-12-23 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting module having a plurality of unit pixels, method of fabricating the same, and displaying apparatus having the same |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001050540A1 (de) * | 1999-12-30 | 2001-07-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbare leuchtdioden-lichtquelle und verfahren zur herstellung einer leuchtdioden-lichtquelle |
EP1220332A2 (de) * | 2000-12-22 | 2002-07-03 | Sanken Electric Co., Ltd. | Lichtdurchlässige fluoreszente Abdeckung für Leuchtdiode |
EP1424363A1 (de) * | 2002-11-29 | 2004-06-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silikonharz Zusammensetzung für LED Bauteile |
DE60102282T2 (de) * | 2000-12-18 | 2004-07-22 | Nitto Denko Corp., Ibaraki | Verfahren zur Herstellung von Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung von Fotohalbleitervorrichtung |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1694212A1 (de) * | 1967-10-21 | 1970-10-15 | Hoechst Ag | Gleitmittel-Kombinationen fuer Polyvinylchlorid-Massen |
GB1423012A (en) | 1972-02-22 | 1976-01-28 | Northern Electric Co | Light emitting devices |
US3957713A (en) * | 1973-04-13 | 1976-05-18 | General Electric Company | High strength organopolysiloxane compositions |
US4198131A (en) * | 1978-03-23 | 1980-04-15 | Dow Corning Corporation | Silicone resin optical devices |
EP0303744A1 (de) * | 1987-08-20 | 1989-02-22 | Dow Corning Corporation | Wellenleiter und berührungsempfindlicher Bildschirm |
JPS63232378A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-28 | Nec Corp | 光結合型半導体装置 |
AU8955091A (en) * | 1990-10-11 | 1992-05-20 | Permeable Technologies Inc. | Novel silicone-containing polymers and oxygen permeable hydrophilic contact lenses therefrom |
US5371147A (en) * | 1990-10-11 | 1994-12-06 | Permeable Technologies, Inc. | Silicone-containing acrylic star polymers, block copolymers and macromonomers |
EP0622421B1 (de) | 1993-04-30 | 1999-10-27 | General Electric Company | Flüssig, spritzgiessbare Silikonzusammensetzung |
JPH0725987A (ja) | 1993-07-14 | 1995-01-27 | Nitto Denko Corp | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JP3094857B2 (ja) * | 1995-07-20 | 2000-10-03 | 信越化学工業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の封止方法 |
DE19638667C2 (de) | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
JPH11254477A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-21 | Mitsubishi Eng Plast Corp | 電気・電子部品の樹脂封止成形品の製造方法 |
JP2000235102A (ja) | 1999-02-15 | 2000-08-29 | Konica Corp | 熱可塑性シリコーン系樹脂を含有する樹脂組成物からなる光学素子及び光学用レンズ |
JP2000321442A (ja) * | 1999-05-13 | 2000-11-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光部品 |
DE10001228B4 (de) | 2000-01-13 | 2007-01-04 | 3M Espe Ag | Polymerisierbare Zubereitungen auf der Basis von siliziumhaltigen Epoxiden |
US7589150B2 (en) * | 2000-12-12 | 2009-09-15 | Baker Hughes Incorporated | Low molecular weight isotactic polypropylene polymers, copolymers and derivatives and materials prepared therewith |
TW588084B (en) * | 2000-12-27 | 2004-05-21 | Kanegafuchi Chemical Ind | Curing agents, curable compositions, compositions for optical materials, optical materials, optical materials, their production, and liquid crystal displays and LEDs made by using the materials |
MY131962A (en) * | 2001-01-24 | 2007-09-28 | Nichia Corp | Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same |
DE10131698A1 (de) * | 2001-06-29 | 2003-01-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP2003155342A (ja) | 2001-11-19 | 2003-05-27 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 脂環構造を有するポリイミド共重合体 |
CN100338141C (zh) * | 2002-04-26 | 2007-09-19 | 株式会社钟化 | 硬化性组合物、硬化物及其制造方法以及由此硬化物密封的发光二极管 |
US6800373B2 (en) | 2002-10-07 | 2004-10-05 | General Electric Company | Epoxy resin compositions, solid state devices encapsulated therewith and method |
US7034089B2 (en) * | 2002-12-20 | 2006-04-25 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Epoxy-functional hybrid copolymers |
JP4300418B2 (ja) * | 2004-04-30 | 2009-07-22 | 信越化学工業株式会社 | エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び発光半導体装置 |
US20050264194A1 (en) * | 2004-05-25 | 2005-12-01 | Ng Kee Y | Mold compound with fluorescent material and a light-emitting device made therefrom |
-
2005
- 2005-02-28 DE DE102005009066A patent/DE102005009066A1/de not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-02-27 TW TW095106571A patent/TWI321594B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-02-28 KR KR1020077021061A patent/KR101263041B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-02-28 WO PCT/DE2006/000361 patent/WO2006089540A2/de active Application Filing
- 2006-02-28 CN CNA2006800062849A patent/CN101128750A/zh active Pending
- 2006-02-28 CN CN201210418570.3A patent/CN103009545B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-02-28 EP EP06706018A patent/EP1853943A2/de not_active Withdrawn
- 2006-02-28 JP JP2007557321A patent/JP4922189B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-02-28 US US11/885,374 patent/US8247263B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001050540A1 (de) * | 1999-12-30 | 2001-07-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbare leuchtdioden-lichtquelle und verfahren zur herstellung einer leuchtdioden-lichtquelle |
DE60102282T2 (de) * | 2000-12-18 | 2004-07-22 | Nitto Denko Corp., Ibaraki | Verfahren zur Herstellung von Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung von Fotohalbleitervorrichtung |
EP1220332A2 (de) * | 2000-12-22 | 2002-07-03 | Sanken Electric Co., Ltd. | Lichtdurchlässige fluoreszente Abdeckung für Leuchtdiode |
EP1424363A1 (de) * | 2002-11-29 | 2004-06-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silikonharz Zusammensetzung für LED Bauteile |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008016534A1 (de) * | 2008-03-31 | 2009-10-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements |
DE102008021436A1 (de) | 2008-04-29 | 2010-05-20 | Schott Ag | Optik-Konverter-System für (W)LEDs |
JP2011519173A (ja) * | 2008-04-29 | 2011-06-30 | ショット アクチエンゲゼルシャフト | (w)led用光コンバータ・システム |
DE202008005987U1 (de) * | 2008-04-30 | 2009-09-03 | Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh | LED-Modul mit kalottenförmiger Farbkonversionsschicht |
DE102018101291A1 (de) * | 2018-01-22 | 2019-07-25 | Hans-Erich Gubela | Elastischer Retroreflektor |
US10809425B2 (en) | 2018-01-22 | 2020-10-20 | Hans-Erich Gubela | Retroreflector element for use in road traffic |
DE102018101291B4 (de) * | 2018-01-22 | 2020-10-29 | Hans-Erich Gubela | Verwendung und Verfahren zur Herstellung eines elastischen Retroreflektors |
US11029456B2 (en) | 2018-01-22 | 2021-06-08 | Imos Gubela Gmbh | Retroreflector having a curved surface |
US11215740B2 (en) | 2018-01-22 | 2022-01-04 | Hans-Erich Gubela | Elastic retroreflector |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006089540A2 (de) | 2006-08-31 |
TW200641169A (en) | 2006-12-01 |
WO2006089540A3 (de) | 2006-11-02 |
JP2008532795A (ja) | 2008-08-21 |
TWI321594B (en) | 2010-03-11 |
EP1853943A2 (de) | 2007-11-14 |
US20080197376A1 (en) | 2008-08-21 |
KR101263041B1 (ko) | 2013-05-09 |
CN101128750A (zh) | 2008-02-20 |
CN103009545A (zh) | 2013-04-03 |
KR20070106633A (ko) | 2007-11-02 |
US8247263B2 (en) | 2012-08-21 |
JP4922189B2 (ja) | 2012-04-25 |
CN103009545B (zh) | 2016-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102005009066A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement | |
EP1243031B9 (de) | Oberflächenmontierbare leuchtdioden-lichtquelle und verfahren zur herstellung einer leuchtdioden-lichtquelle | |
EP1501909B1 (de) | Wellenlängenkonvertierende reaktionsharzmasse und leuchtdiodenbauelement | |
EP0862794B1 (de) | Wellenlängenkonvertierende vergussmasse und verfahren zu deren herstellung, verfahren zum herstellen eines licht abstrahlenden halbleiterbauelements und licht abstrahlendes halbleiterbauelement | |
EP1897152B1 (de) | Wellenlängenkonvertierendes konvertermaterial, lichtabstrahlendes optisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung | |
EP1277242A1 (de) | Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement | |
EP1440481B1 (de) | Optoelektronisches bauelement | |
DE102010009456A1 (de) | Strahlungsemittierendes Bauelement mit einem Halbleiterchip und einem Konversionselement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE112011103158T5 (de) | Lichtemittiernde Halbleitervorrichtung mit dicht gepackter Phosphorschicht an lichtemittiernder Oberfläche | |
DE102010021791A1 (de) | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und eines Verbunds | |
DE102005052356A1 (de) | Beleuchtungseinheit mit Lumineszenzdiodenchip und Lichtleiter, Verfahren zum Herstellen einer Beleuchtungseinheit und LCD-Display | |
WO2001065613A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines lichtabstrahlenden halbleiterkörpers mit lumineszenzkonversionselement | |
DE102010028407A1 (de) | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Optoelektronischen Bauelements | |
DE102011018921B4 (de) | Träger, optoelektronisches Bauelement mit Träger und Verfahren zur Herstellung dieser | |
DE10065381B4 (de) | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement | |
DE102010054280A1 (de) | Verfahren zum Erzeugen einer Lumineszenzkonversionsstoffschicht, Zusammensetzung hierfür und Bauelement umfassend eine solche Lumineszenzkonversionsstoffschicht | |
EP1700349B1 (de) | Verfahren zum herstellen einer mehrzahl strahlungsemittierender und/oder strahlungsempfangender halbleiterbauelemente | |
DE202004005228U1 (de) | Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement | |
DE102012106984A1 (de) | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements | |
DE102011114559B4 (de) | Optoelektronisches Bauelement umfassend eine Haftschicht, Verfahren zur Herstellung einer Haftschicht in einem optoelektronischen Bauelement und Verwendung eines Klebstoffes zur Bildung von Haftschichten in optoelektronischen Bauelementen | |
WO2017140621A9 (de) | Epoxidharzsystem, verwendung eines epoxidharzsystems, optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines epoxidharzsystems | |
DE102008044847A1 (de) | Optoelektronisches Bauelement | |
DE102012208287A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines optischen elements | |
DE102013207111A1 (de) | Optoelektronisches Bauelement | |
WO2008040317A2 (de) | Optisches element, strahlungsemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines optischen elements |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |