DE102013207111A1 - Optoelektronisches Bauelement - Google Patents
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Abstract
Ein optoelektronisches Bauelement mit einem Trägersubstrat (3) und mindestens einem lichtemittierenden Halbleiterchip (2), der auf einer Oberfläche des Trägersubstrats (3) angeordnet ist weist ferner ein Rahmenteil (5), das den lichtemittierenden Halbleiterchip (2) seitlich zumindest teilweise umgibt auf, wobei das Rahmenteil (5) einen Spritzgusskörper (8) umfasst.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einem Trägersubstrat, mindestens einem lichtemittierenden Halbleiterchip, der auf einer Oberfläche des Trägersubstrats angeordnet ist, und einem Rahmenteil, das den lichtemittierenden Halbleiterchip seitlich zumindest teilweise umgibt.
- Bei der Herstellung von oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelementen (surface mounted device, SMD), wie z.B. Leuchtdioden (light emitting diodes, LED), wird ein lichtemittierender Halbleiterchip oft in einem Blendenrahmen platziert, der eine Kavität um den lichtemittierenden Halbleiterchip ausbildet. Solche optoelektronischen Bauelemente kommen unter anderem im Automobilbereich bei der Fahrzeugbeleuchtung zum Einsatz, wobei der lichtemittierende Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelementes sich dann in der Regel aus einer Vielzahl von Leuchtdioden in Form eines LED Arrays zusammensetzt.
- Um ein homogenes Strahlungsbild zu erzeugen, wird als Material für eine Verkapselung des lichtemittierenden Halbleiterchips in der durch den Blendenrahmen gebildeten Kavität eine Vergussmasse aus mit Titandioxid versetztem Silikon verwendet. Als Blendenrahmen wird in der Regel ein Rahmenteil aus monokristallinem Silizium eingesetzt. Bei einer Verwendung als Abblendlicht-Anordnung ist nämlich neben einem homogenen Strahlungsbild ein definierter, möglichst scharf umrissener Bereich an mindestens einer Kante (Blendenkante) gefordert. Die Funktionalität als Blende kann durch das Silizium-Rahmenteil realisiert werden, da eine präzise Formgebung eines derartigen Rahmenteils möglich ist.
- Ein derartiges oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement wird beispielsweise in der
DE 10 2010 023 815 beschrieben. - Nachteil bei der Verwendung eines Rahmenteils aus monokristallinem Silizium sind die hohen Kosten sowie die Bruchgefahr bei Herstellung und Montage. Dieses Problem verschärft sich, wenn mit zunehmender Größe des lichtemittierenden Halbleiterchips eine gleichbleibende oder sogar abnehmende Dicke des Silizium-Rahmenteils gefordert wird.
- Die vorliegende Erfindung hat die Aufgabe ein optoelektronisches Bauelement mit einem verbesserten Rahmenteil, das sowohl als Begrenzung für die flüssige Vergussmasse dienen kann als auch die Funktionalität einer Blende übernehmen kann, bereitzustellen. Das verbesserte Rahmenteil soll kostengünstig und zuverlässig bei Herstellung und Montage sein.
- Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 1 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
- Ein erfindungsgemäßes optoelektronisches Bauelement umfasst ein Trägersubstrat, mindestens einen lichtemittierenden Halbleiterchip, der auf einer Oberfläche des Trägersubstrats befestigt ist, und ein Rahmenteil, das den lichtemittierenden Halbleiterchip seitlich zumindest teilweise umgibt. Das Rahmenteil weist dabei einen Spritzgusskörper auf.
- Das Herstellen des Rahmenteils in Form eines Spritzgusskörpers hat den Vorteil einer verbesserten mechanischen Stabilität. Im Vergleich zum im Stand der Technik verwendeten Silizium-Rahmenteil ist eine deutlich verbesserte Zuverlässigkeit bei Herstellung und Montage gegeben. Dies wiederum ermöglicht deutlich größere beziehungsweise längere LED Arrays. Auch ist im Vergleich zum Silizium-Rahmenteil die Herstellung und Verwendung dünnerer Rahmenteil möglich. Zudem kann ein derartiger Rahmenteil zu deutlich niedrigeren Kosten im Vergleich zum Silizium-Rahmenteil hergestellt werden.
- Gemäß einer bevorzugten Ausführung der Erfindung ist der Rahmenteil um den lichtemittierenden Halbleiterchip geschlossen und bildet eine Kavität aus, die mindestens teilweise mit einer Vergussmasse ausgefüllt ist. Die Verwendung der Vergussmasse dient der Verkapselung des lichtemittierenden Halbleiterchips. Durch die Verkapselung wird der optoelektronische Halbleiterchip geschützt und gleichzeitig kann durch einegeeignete Vergussmasse eine homogene Leuchtdichte von LED Arrays erreicht werden. Das um den lichtemittierenden Halbleiterchip geschlossene Rahmenteil kann vorteilhaft als Begrenzung für die flüssige Vergussmasse wirken.
- Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführung der Erfindung ist eine Kontaktstruktur auf der Oberfläche des Trägersubstrats angeordnet ist. Die Kontaktstruktur erstreckt sich dabei unter dem Rahmenteil in die Kavität und ist vom lichtemittierenden Halbleiterchip beabstandet, wobei die Kontaktstruktur und der lichtemittierende Halbleiterchip über eine Verbindungsleitung elektrisch verbunden sind. Das Rahmenteil weist ferner an der dem lichtemittierenden Halbleiterchip zugewandten oberen Innenkante eine Auskragung auf, die sich wenigstens teilweise über die Kontaktstruktur erstreckt. Mit dieser Ausgestaltung wird ein verbesserter Schutz der Verbindungsleitung vor mechanischen Beschädigungen, insbesondere im Rahmen des Herstellungsprozesses vor dem Verkapseln mit Vergussmasse erreicht.
- Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Rahmenteil an seiner Oberseite ein Blendenteil aufweist, der mit dem Spritzgusskörper verbunden ist. Das Blendenteil bildet dabei die obere Innenkante der Kavität. Dadurch kann der Rahmenteil vorteilhaft als Blende verwendet werden, da es möglich ist die Kanten des Blendenteils mit sehr geringen Toleranzen zu fertigen. Hierdurch kann ein scharf umrissener Bereich mit hoher Leuchtdichte realisiert werden.
- Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass das Blendenteil metallische Leitfähigkeit aufweist. Dies hat den Vorteil, dass Komponenten, die auf dem Trägersubstrat angeordnet sind, über den Blendenteil elektrisch miteinander verbunden sein können, für die sich auf der Oberfläche des Trägersubstrats die Leiterbahnen kreuzen würden. Auch ist es möglich den lichtemittierenden Halbleiterchip über den Blendenteil elektrisch zu kontaktieren.
- Die Erfindung ist in den beigefügten Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Figurenbeschreibung näher erläutert.
- Es zeigen:
-
1A und1B eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelementes in Schnittansicht (1A ) und Aufsicht (1B ); und -
2A bis2C ein Verfahren zum Herstellen eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelementes gemäß der in1A und1B gezeigten Ausführungsform anhand von in Schnittansicht dargestellten Zwischenschritten. - Die Figuren zeigen schematische Darstellungen einer möglichen Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelementes. Die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen.
- Wie
1A (Schnittansicht) und1B (Aufsicht) zeigen, weist das optoelektronische Bauelement1 einen lichtemittierenden Halbleiterchip2 auf, der auf einer Oberfläche eines Trägersubstrates3 befestigt ist. Bei dem lichtemittierenden Halbleiterchip2 kann es sich um einen Chip mit einzelnen Leuchtdiode handeln. Auch kann statt eines einzelnen lichtemittierenden Elementes ein Chip Array, z.B. ein LED Array aus einer Vielzahl einzelner Leuchtdioden vorliegen. Lichtemittierenden Halbleiterchips in Form von LED Arrays kommen unter anderem im Automobilbereich bei der Fahrzeugbeleuchtung zum Einsatz. Alternativ kann der lichtemittierende Halbleiterchip2 auch als Laserchip oder als Strahlungsdetektorchip ausgebildet sein. - Der lichtemittierende Halbleiterchip
2 weist vorzugsweise ein keramisches Substrat21 , auf dem eine Halbleiter-Lichtquelle22 fixiert ist. Das keramische Substrat21 kann zum Beispiel aus Bornitrid (BN) oder Aluminiumnitrid (AlN) bestehen. Die Befestigung kann durch Aufkleben erfolgen. Das keramische Substrat21 kann eine Leiterbahnstruktur enthalten, mit der Halbleiter-Lichtquelle22 elektrisch angeschlossen werden kann. Vorzugsweise besteht die Halbleiter-Lichtquelle22 aus einem III–V Halbleitermaterial und emittiert monochromes Licht. Auf der Halbleiter-Lichtquelle22 kann ein Konverter23 , wie in1A gezeigt, angeordnet sein, um ein gegenüber der Lichtfarbe der Halbleiter-Lichtquelle22 veränderte Lichtfarbe z.B. eine dem Tageslicht entsprechende Lichtfarbe einzustellen. - Der lichtemittierende Halbleiterchip
2 kann, wie in1A gezeigt ist, in einer Aussparung im Trägersubstrat3 angeordnet sein, wobei das keramische Substrat21 vorzugsweise aufgeklebt ist. Das Trägersubstrat3 kann dabei eine Metallkernplatine sein. Auf der Oberfläche des Trägersubstrats3 ist an die Aussparung angrenzend eine Kontaktstruktur4 , vorzugsweise in Form einer Leiterbahnschicht angeordnet. Die Kontaktstruktur4 ist vom lichtemittierenden Halbleiterchip beabstandet, wobei die Kontaktstruktur4 und der lichtemittierenden Halbleiterchip2 über Verbindungsleitungen6 , vorzugsweise gelötete oder gebondete Anschlussdrähte elektrisch verbunden sind. - Ferner ist ein Rahmenteil
5 auf der Kontaktstruktur4 angeordnet. Das Rahmenteil5 ist dabei geschlossen und so ausgelegt, dass es den lichtemittierenden Halbleiterchip2 vollständig umgibt, wie in der Aufsicht in1B gezeigt ist. Damit wird von Trägersubstrat3 und Rahmenteil5 eine Kavität9 gebildet, in der der lichtemittierende Halbleiterchip2 angeordnet ist. - Das Rahmenteil weist ferner an der dem lichtemittierenden Halbleiterchip zugewandten oberen Innenkante
12 eine Auskragung14 auf, die sich wenigstens teilweise über die Kontaktstruktur4 erstreckt. Mit dieser Ausgestaltung wird ein verbesserter Schutz der Anschlussdrähte4 vor mechanischen Beschädigungen insbesondere im Rahmen des Herstellungsprozesses erreicht. - Die Kavität
9 kann mit einer Vergussmasse10 teilweise oder ganz ausgefüllt werden, wodurch der lichtemittierende Halbleiterchip2 mit den Anschlussdrähten6 zur Kontaktstruktur4 verkapselt ist. Es ist auch möglich, dass die Vergussmasse10 eine Erhebung beispielsweise in Form einer Linse über der durch die Oberfläche6 des Rahmenteils5 definierten Ebene ausformt. Das Rahmenteil5 wirkt dabei als Begrenzung für die Vergussmasse10 . - Durch die Einkapselung in der Vergussmasse
10 werden der lichtemittierende Halbleiterchip2 sowie Anschlussdrähte6 vor äußeren Umwelteinflüssen wie Feuchtigkeit oder Staub, aber auch vor mechanischen Beschädigungen geschützt. Die Vergussmasse10 ist transparent für elektromagnetische Strahlung ausgebildet, die von der Oberfläche des lichtemittierenden Halbleiterchips2 ausgesendet wird, wenn die Vergussmasse, wie in1A gezeigt, die Halbleiter-Lichtquelle22 mit dem Konverter23 abdeckt. Die Vergussmasse10 kann zum Beispiel aus Silikon oder Epoxid, oder aus einer Mischung aus Silikon und Epoxid bestehen. In der Vergussmasse10 können weiterhin lichtstreuende oder reflektierende Partikel und/oder ein Lumineszenzkonversionsmaterial enthalten sein. Beispielsweise kann die Vergussmasse10 aus Silikon bestehen, das mit Titandioxid gefüllt ist. Durch eine derartige Vergussmasse wird eine homogene Leuchtdichte erreicht. - Es besteht aber auch die Möglichkeit, dass die Vergussmasse
10 in der Kavität den lichtemittierenden Halbleiterchip2 nur seitlich einfasst und fixiert, nicht aber, wie bei der Ausführungsform in1A gezeigt, die Halbleiter-Lichtquelle22 mit dem Konverter23 abdeckt. Die Vergussmasse muss dann nicht transparent ausgebildet sein. - Das Rahmenteil
5 ist erfindungsgemäß als Spritzgusskörper8 ausgeformt. Als Materialien können hierfür beispielsweise Epoxidharze, Silikonharze oder Epoxid-Silikon-Hybridharze verwendet werden. An der Oberseite des Rahmenteils5 ist ein Blendenteil11 angeordnet, das die obere Innenkante12 des Rahmenteils5 mit der Auskragung14 bildet (1A ). - Das Rahmenteil
5 und die Kavität9 können dabei in der Aufsicht (1B ) eine rechteckige Form haben. Es ist aber auch eine runde Form möglich. Im Fall der rechteckigen Form können die oberen Innenkanten der Kavität gerade oder gebogen sein. Auch können die Ecken abgerundet sein. Das Blendenteil11 wird mit sehr geringen Toleranzen gefertigt und kann daher die Funktion einer Blendenkante übernehmen. - Das Blendenteil
11 weist Ausbuchtungen13 auf, die als Verankerungen des Blendenteils11 in dem Spritzgusskörper8 wirken. Damit wird ein besserer Zusammenhalt des Blendenteils11 und des Spritzgusskörpers8 erreicht. Die Gefahr einer Ablösung des Blendenteils11 vom Spritzgusskörper8 kann damit weitgehend vermieden werden. - Es ist alternativ möglich, dass das Rahmenteil
5 den lichtemittierenden Halbleiterchip2 nur teilweise umschließt, so dass die Blendenkante beispielsweise nur an einer Seite, an zwei Seiten oder auch an drei Seiten ausgeformt ist. In diesem Fall wird auf die Funktionalität der Kavität9 und damit auf die Verkapselung durch die Vergussmasse10 verzichtet, so dass keine Begrenzung durch das Rahmenteil5 nötig ist. - Das Blendenteil
11 kann aus einem leitfähigen Material bestehen und metallische Leitfähigkeit aufweisen. Damit kann das Blendenteil11 im optoelektronischen Bauelement1 zum Kontaktieren von elektrischen Komponenten genutzt werden. So können weitere Komponenten, die beispielsweise auf der Kontaktstruktur4 angeordnet sind, über den Blendenteil11 elektrisch miteinander verbunden werden. Dies ermöglicht eine höhere Flexibilität bei Layout und Kontaktierung. Elektrische Verbindungen zum Blendenteil11 können durch Löten und Drahtbonden realisiert werden. Ferner kann auch lichtemittierenden Halbleiterchip2 mit dem Blendenteil11 beispielsweise über Anschlussdrähte elektrisch verbunden sein. Das Blendenteil11 wird in diesem Fall vorzugsweise aus einem Metall, beispielsweise Aluminium, Kupfer, Silber oder Gold oder aus einer metallischen Legierung, die zumindest ein solches Metall enthält, gebildet. - In einer alternativen Ausführungsform kann das Blendenteil
11 , wenn es keine Leitungsfunktion besitzt, an der Oberfläche isolierend ausgebildet sein und beispielsweise aus eloxiertem Aluminium bestehen. Es ist auch möglich das Blendenteil11 in diesem Fall aus nichtleitendem Material zu fertigen, beispielsweise aus geeigneten Kunststoffen. - Die Verwendung eines Spritzgusskörpers
8 für das Rahmenteil5 ist in mehreren Punkten vorteilhaft. So sind die Kosten für die Herstellung deutlich geringer als bei Verwendung eines Silizium-Rahmenteils. Ferner wird eine deutlich verbesserte mechanische Stabilität erreicht. Dies wiederum erleichtert die Montage und ermöglicht im Vergleich zur Verwendung von monokristallinen Silizium-Rahmenteil die Herstellung größerer und längerer Chip Arrays. - Alternativ ist es auch möglich auf das funktionale Merkmal der Blendenkante des Rahmenteils zu verzichten, wenn keine engen Toleranzen für die Blendenkante gefordert sind. In diesem Fall kann der Rahmenteil nur als Spritzgusskörper ohne Blendenteil ausgebildet sein. Weiterhin besteht die Möglichkeit, das Blendenteil statt als Blendenkante an der oberen Innenkante der Kavität als Versteifungselement auf der Unterseite des Spritzgusskörpers vorzusehen. Wenn das Versteifungselement dann aus Metall besteht, kann auch eine Lötverbindung mit dem Trägersubstrat bzw. der Kontaktstruktur auf dem Trägersubstrat ausgeführt werden, die für eine verbesserte Stabilität der Verbindung sorgt.
- Gemäß einer alternativen Ausführungsform kann das Rahmenteil auch ohne eine Auskragung an der dem lichtemittierenden Halbleiterchip zugewandten oberen Innenkante ausgebildet sein. Das Rahmenteil kann auch direkt auf dem dann vergrößerten keramischen Substrat des lichtemittierenden Halbleiterchip angeordnet sein. Die Kontaktstruktur des Tragersubstrates ist dann vom Rahmenteil beabstandet, wobei die Anschlussdrähte vom keramischen Substrat über das Rahmenteil hinweg auf die Kontaktstruktur geführt werden. Die Vergussmasse deckt dann die Anschlussdrähte und das Rahmenteil mit ab.
- Ein Verfahren zum Herstellen des erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelementes
1 gemäß der in den1A und1B gezeigten Ausführungsform wird im Folgenden anhand der schematischen Schnittansichten in den2A bis2C erläutert. - Wie in
2A gezeigt, wird das Trägersubstrat3 bereitgestellt, das die Aussparung aufweist. Auf der Oberfläche des Trägersubstrats3 an die Aussparung angrenzend ist die Leiterbahnschicht4 angeordnet. In der Aussparung ist der lichtemittierende Halbleiterchip2 eingeklebt. Ferner ist die die Leiterbahnschicht4 und der lichtemittierenden Halbleiterchip2 über gelötete oder gebondete Anschlussdrähte6 elektrisch verbunden. - Das Rahmenteil
5 wird in Spritzgusstechnik beispielsweise in QFN-Technik (QFN = quad flat no-lead) durch Umformen des Blendenteils11 hergestellt. Dadurch entsteht ein Spritzgusskörper8 , der an seiner Oberseite das Blendenteil11 aufweist und der die Ausbuchtungen13 des Blendenteils11 umschließt. - Mit Hilfe des Spritzgussverfahrens können dünnere Rahmenteil mit Dicken des Spritzgusskörpers
8 über dem Blendenteil11 von minimal 200 µm hergestellt werden. Im Vergleich dazu weisen vergleichbare Silizium-Rahmenteile eine minimale Dicke von 275 µm auf. Damit erlaubt die Verwendung eines Rahmenteils basierend auf einem Spritzgusskörper8 einen kompakteren Aufbau des optoelektronischen Bauelementes1 . - Wie in
2B dargestellt, wird Rahmenteil5 mit seiner Unterseite auf die die Leiterbahnschicht4 , die auf Trägersubstrat3 angeordnet ist, aufgeklebt. Der Rahmenteil5 wird dabei so gesetzt, dass die obere Innenkante12 des Blendenteils11 einen definierten Abstand zum lichtemittierenden Halbleiterchip2 hat. Dadurch kann die Kante des Blendenteils11 als definierte Blendenkante beispielsweise für Abblendlicht-Anordnungen wirken. Die Auskragung14 des Rahmenteils5 an der dem lichtemittierenden Halbleiterchip2 zugewandten oberen Innenkante12 erstreckt sich wenigstens teilweise über die Kontaktstruktur die Leiterbahnschicht4 und deckt die gelötete oder gebondete Anschlussdrähte6 im Bereich der Leiterbahnschicht4 ab, wodurch ein verbesserter Schutz der Anschlussdrähte vor mechanischen Beschädigungen erreicht wird. - Wie in
2C dargestellt, wird die durch das Rahmenteil5 entstandene Kavität9 mit Vergussmasse10 gefüllt. Das Rahmenteil5 wirkt dabei als Begrenzung für die flüssige Vergussmasse. - Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, und beinhaltet insbesondere jede Kombination von Merkmalen, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder den Ausführungsbeispielen angegeben ist.
- Bezugszeichenliste
-
- 1
- optoelektronisches Bauelement
- 2
- lichtemittierender Halbleiterchip
- 3
- Trägersubstrat
- 4
- Kontaktstruktur
- 5
- Rahmenteil
- 6
- Verbindungsleitung
- 8
- Spritzgusskörper
- 9
- Kavität
- 10
- Vergussmasse
- 11
- Blendenteil
- 12
- Obere Innenkante des Blendenteils
- 13
- Ausbuchtung des Blendenteils
- 14
- Auskragung
- 21
- Keramikträger
- 22
- LED-Chip
- 23
- Konverter
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- DE 102010023815 [0004]
Claims (7)
- Optoelektronisches Bauelement (
1 ) umfassend ein Trägersubstrat (3 ), mindestens einen lichtemittierenden Halbleiterchip (2 ), der auf einer Oberfläche des Trägersubstrats (3 ) angeordnet ist, und ein Rahmenteil (5 ), das den lichtemittierenden Halbleiterchip (2 ) seitlich zumindest teilweise umgibt, dadurch gekennzeichnet, dass das Rahmenteil (5 ) einen Spritzgusskörper (8 ) aufweist. - Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Rahmenteil (
5 ) den lichtemittierenden Halbleiterchip (2 ) umschließt und eine Kavität (9 ) ausbildet, wobei die Kavität (9 ) mindestens teilweise mit einer Vergussmasse (10 ) ausgefüllt ist. - Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine Kontaktstruktur (
4 ) auf der Oberfläche des Trägersubstrats (3 ) angeordnet ist, wobei die Kontaktstruktur (4 ) sich unter dem Rahmenteil (5 ) in die Kavität (9 ) erstreckt und vom lichtemittierenden Halbleiterchip (2 ) beabstandet ist, wobei die Kontaktstruktur (4 ) und der lichtemittierende Halbleiterchip (2 ) über eine Verbindungsleitung (6 ) elektrisch verbunden sind, und wobei das Rahmenteil (5 ) an der dem lichtemittierenden Halbleiterchip (2 ) zugewandten oberen Innenkante (12 ) eine Auskragung (14 ) aufweist, die sich wenigstens teilweise über die Kontaktstruktur (4 ) erstreckt. - Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Rahmenteil (
5 ) ein Blendenteil (11 ) aufweist, das die dem lichtemittierenden Halbleiterchip (2 ) zugewandte obere Innenkante (12 ) bildet und mit dem Spritzgusskörper (8 ) verbunden ist. - Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Blendenteil (
11 ) eine Ausbuchtung (13 ) aufweist, die von dem Spritzgusskörper (8 ) eingefasst ist. - Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Blendenteil (
11 ) metallische Leitfähigkeit besitzt, wobei Komponenten über das Blendenteil (11 ) elektrisch miteinander verbunden sind. - Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (
2 ) einen Keramikträger (21 ) und einen LED-Chip (22 ) aufweist.
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