DE60102282T2 - Verfahren zur Herstellung von Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung von Fotohalbleitervorrichtung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung von Fotohalbleitervorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE60102282T2
DE60102282T2 DE60102282T DE60102282T DE60102282T2 DE 60102282 T2 DE60102282 T2 DE 60102282T2 DE 60102282 T DE60102282 T DE 60102282T DE 60102282 T DE60102282 T DE 60102282T DE 60102282 T2 DE60102282 T2 DE 60102282T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
epoxy resin
semiconductor device
resin composition
photo semiconductor
encapsulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60102282T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60102282D1 (de
Inventor
Katsumi Ibaraki-shi SHIMADA
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE60102282D1 publication Critical patent/DE60102282D1/de
Publication of DE60102282T2 publication Critical patent/DE60102282T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Epoxidharz-Zusammensetzung zur Verwendung in der Einkapselung von Fotohalbleitervorrichtungen.
  • Epoxidharz-Zusammensetzungen wurden konventionellerweise ausgiebig als Harzzusammensetzungen zur Verwendung in der Einkapselung von Fotohalbleitervorrichtungen wie LEDs (Licht-emittierende Dioden) verwendet. Solch eine Epoxidharz-Zusammensetzung für die Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung umfasst normalerweise einen Epoxidharz, einen Härter und einen Härtungsbeschleuniger. Diese Zusammensetzung wird im Allgemeinen in der folgenden Weise verwendet. Diese Inhaltsstoffe werden zuerst schmelzvermischt, um halbgehärtete (B-Stadium) Tabletten zu erhalten. Beim Formen, z. B. Transferformen, werden die Tabletten thermisch geschmolzen, in eine Form geladen, in die eine Fotohalbleitervorrichtung gegeben wird, und dann gehärtet, um die Fotohalbleitervorrichtung einzukapseln.
  • Wenn jedoch die Schmelze einer Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung eine zu geringe Viskosität während des Formens aufweist, gibt es Fälle, bei denen das daraus erhaltene gehärtete Harz Formfehler wie Blasen und Grate aufweist.
  • Auf der anderen Seite ist eine Technik zur Verhinderung solcher Formfehler bekannt, bei der die Viskosität einer einer zur Formgebung zu verwendenden Harzzusammensetzung erhöht wird, z. B. durch die Aufnahme eines Füllmittels oder Ähnlichem darin.
  • Jedoch wird von Epoxidharz-Zusammensetzungen zur Einkapselung von Fotohalbleitervorrichtungen erwartet, dass sie transparente gehärtete Harze ergeben, da es notwendig ist, eine zufrieden stellende Lumineszenz der eingekapselten Fotohalbleitervorrichtungen sicherzustellen. Es ist daher nicht wünschenswert, ein Füllmittel oder Ähnliches einzubringen, um die Viskosität zu erhöhen.
  • EP-A-1090942 betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Epoxidharz-Zusammensetzung, die einen Epoxidharz, ein Säureanhydrid-basierendes Härtungsmittel und einen Härtungsbeschleuniger umfasst. In einem ersten Schritt werden die Inhaltsstoffe zusammen schmelzvermischt; in einem zweiten Schritt wird die Fluidität der Harzzusammensetzung durch die Zugabe eines organischen Lösungsmittels angepasst.
  • EP-A-1004630 betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Epoxidharz-Zusammensetzung, die einen Epoxidharz, einen phenolischen Harz und einen Härtungsbeschleuniger umfasst. In einem ersten Schritt werden die Inhaltsstoffe zusammen schmelzvermischt; in einem zweiten Schritt kann eine befriedigende Fließfähigkeit durch Verwendung von einem oder mehreren anorganischen Füllstoffen erhalten werden.
  • Es ist die Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung einer Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung zur Verfügung zu stellen, welche sogar, wenn ein Füller oder Ähnliches nicht daran enthalten ist, eine Viskosität aufweisen kann, die zum Formen notwenig ist und somit befriedigend geformt werden kann, um ein gehärtetes Harz zu ergeben, das weniger anfällig für Grate oder Blasen ist.
  • Um diese Aufgabe zu erfüllen, stellt die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung zur Verfügung, die einen Epoxidharz, einen Härter und einen Härtungsbeschleuniger als konstituierende Inhaltsstoffe umfasst, wobei das Verfahren: einen ersten Schritt des Schmelzknetens der Inhaltsstoffe; und einen zweiten Schritt der Regulierung der Viskosität der in dem ersten Schritt erhalten geschmolzenen Mischung bei einer gegebenen Temperatur und worin die geschmolzene Mischung in einer Folienform ausgebreitet wird und in diesem Zustand bei einer gegebenen Temperatur stehen gelassen wird, umfasst.
  • Da gemäß diesem Verfahren die in dem ersten Schritt erhaltene geschmolzene Mischung, die einen Epoxidharz, einen Härter und einen Härtungsbeschleuniger umfasst, in ihrer Viskosität bei einer gegebenen Temperatur in einem zweiten Schritt reguliert wird, kann die resultierende Epoxidharz-Zusammensetzung eine Viskosität aufweisen, die zur Formgebung, z. B. Transferformen, notwendig ist, wenn die Mischung thermisch in dem Formvorgang geschmolzen wird.
  • Durch das Erlauben, dass die folienförmig ausgebreitete Mischung bei einer gegebenen Temperatur steht, kann die Viskositätsregulierung einheitlich und effizient erfolgen.
  • Der Begriff "gegebene Temperatur", wie er hierin verwendet wird, bedeutet im Allgemeinen eine Temperatur von ungefähr 35 bis 80°C.
  • Die Epoxidharz-Zusammensetzung für die Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung durch die Erfindung umfasst einen Epoxidharz, einen Härter und einen Härtungsbeschleuniger.
  • Beispiele des Epoxidharzes umfassen Bisphenol A Epoxidharze; Bisphenol F Epoxidharze; Novolac-Epoxidharze wie phenolische Novolac-Epoxidharze und Cresol-Novolac-Epoxidharze; alicyclische Epoxidharze; Stickstoff-haltige Epoxidharze wie Triglycidylisocyanurat und Hydantoin-Epoxidharze; hydrogenierte Bisphenol A Epoxidharze; aliphatische Epoxidharze; Glycidylether-Epoxidharze; Bisphenol S Epoxidharze; und Biphenylepoxidharze, Dicycloepoxidharze und Naphthalinepoxidharze, welche hauptsächlich als Epoxidharze des Typs verwendet werden, der gehärtete Harze mit geringer Wasserabsorption ergibt. Diese Epoxidharze können allein oder in Kombination von zwei oder mehreren davon verwendet werden. Bevorzugte dieser Epoxidharze sind Bisphenol A Epoxidharze, Bisphenol F Epoxidharze, Novolac-Epoxidharze, alicyclische Epoxidharze und Triglycidylisocyanurat, welche exzellent in der Transparenz und der Widerstandskraft gegen Verfärbung sind.
  • Obwohl solche Epoxidharze bei Raumtemperatur flüssig sein können, (z. B. ungefähr 15 –35°C) wird vorzugsweise ein Epoxidharz verwendet, der bei Raumtemperatur fest ist. Im Allgemeinen werden bevorzugte Epoxidharze mit einem durchschnittlichen Epoxidäquivalent von 90 bis 1000 verwendet. Des Weiteren werden vorzugsweise Epoxidharze mit einem Schmelzpunkt von 160°C oder weniger verwendet. Wenn ein Epoxidharz mit einem Epoxidäquivalent von weniger als 90 verwendet wird, gibt es Fälle, in denen die Epoxidharz-Zusammensetzung für die Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung, das einen solchen Epoxidharz enthält, einen spröden gehärteten Harz ergibt. Auf der anderen Seite, wenn ein Epoxidharz mit einem Epoxidäquivalent von über 1000 verwendet wird, gibt es Fälle, in denen die Zusammensetzung, die einen sol chen Epoxidharz enthält, ein gehärtetes Harz mit einer verringerten Glasübergangstemperatur ergibt (T9).
  • Beispiele des in der Erfindung verwendeten Härters umfassen Säureanhydridhärter und phenolische Härter. Beispiele der Säureanhydridhärter umfassen Phthalsäureanhydrid, Maleinsäureanhydrid, trimellitisches Anhydrid, pyromellitisches Anhydrid, Hexahydrophthalsäureanhydrid, Tetrahydrophthalsäureanhydrid, Methylnadisches Anhydrid, nadisches Anhydrid, Glutarsäureanhydrid, Methylhexahydrophthalsäureanhydrid und Methyltetrahydrophthalsäureanhydrid. Diese können allein oder in Kombination von zweien oder mehreren davon verwendet werden. Bevorzugte dieser Säureanhydridhärter sind Phthalsäureanhydrid, Hexahydrophthalsäureanhydrid, Tetrahydrophthalsäureanhydrid und Methylhexahydrophthalsäureanhydrid. Bevorzugte Säureanhydridhärter sind solche mit einem Molekulargewicht von ungefähr 140 bis 200. Auch bevorzugt sind solche Säureanhydride, die farblos oder leicht gelb sind.
  • Beispiele der phenolischen Härter umfassen phenolische Novolac-Harzhärter.
  • Ein Epoxidharz und ein Härter werden zusammen miteinander in einem solchen Verhältnis vermischt, dass die Menge der aktiven Gruppen in dem Härter (Säureanhydridgruppen oder Hydroxylgruppen), die mit den Epoxidgruppen reaktiv sind, vorzugsweise bei 0,5 bis 1,5 Äquivalenten, vorzugsweise von 0,7 bis 1,2 Äquivalenten, pro Äquivalent der Epoxidharzgruppe des Epoxidharzes liegen. Wenn die Menge der aktiven Gruppen des Härters geringer als 0,5 Äquivalente ist, gibt es Fälle, in denen die Epoxidharz-Zusammensetzung für die Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung eine geringere Härtungsgeschwindigkeit aufweist und einen gehärteten Harz ergibt, der eine geringere Glasübergangstemperatur aufweist. Auf der anderen Hand gibt es Fälle, bei denen die Menge davon 1,5 Äquivalente übersteigt, bei denen die Feuchtigkeitswiderstandsfähigkeit eines gehärteten Harzes beeinträchtigt ist.
  • Neben den Säureanhydridhärtern und phenolischen Härtern können konventionelle Härter für Epoxidharze gemäß der vorgesehenen Verwendung der Zusammensetzung verwendet werden. Beispiele konventioneller Härter umfassen Aminhärter, Härter, die durch teilweise Esterifizierung von Säureanhydridhärtern mit einem Alkohol erhalten werden und Carbonsäurehärter wie Hexahydrophthalsäure, Tetrahydrophthalsäure und Methylhexahydrophthalsäure. Solche Härter können allein oder in Kombination mit einem oder mehreren der Säureanhydridhärter und phenolischen Härter verwendet werden. Zum Beispiel ist die Verwendung eines Carbonsäurehärters in Kombination mit einem Säureanhydrid oder phenolischen Härter in der Erhöhung der Geschwindigkeit der Härtung wirksam und somit in einer verbesserten Produktivität. Auch in dem Fall der Verwendung solcher Härter, kann der Anteil davon (das Äquivalenzverhältnis) der gleiche sein wie in dem Fall der Verwendung von Säureanhydridhärtern und phenolischen Härtern.
  • Der Härtungsbeschleuniger ist nicht sonderlich eingeschränkt. Beispiele davon umfassen 1,8-Diazabicyclo[5,4,0]undecen-7, Triethylendiamin, tertiäre Amine wie Tri-2,4,6-dimethylaminomethylphenol, Imidazolderivate wie 2-Ethyl-4-methylimidazol und 2-Methylimidazol, Phosphorverbindungen wie Triphenylphosphin, Tetraphenylphosphoniumtetraphenylborat und Tetra-n-butylphosphoniumo, O,O-Diethylphosphordithioat, quaternäre Ammoniumsalze, organische Metallsalze und Derivate von diesen. Solche Härtungsbeschleuniger können alleine oder in Kombination von zwei oder mehreren davon verwendet werden. Bevorzugt von diesen Härthärtungsbeschleunigern sind die tertiären Amine, Imidazolderivate und Phosphorverbindung.
  • Der Anteil des Härtungsbeschleunigers liegt vorteilhafter Weise bei 0,01 bis 8,0 Gew.-%, mehr bevorzugt bei 0,1 bis 3,0 Gew.-%, basierend auf dem Gewicht des Epoxidharzes. Wenn der Anteil des Härtungsbeschleunigers geringer als 0,1 Gew.-% ist, gibt es Fälle, in denen eine ausreichende härtungsbeschleunigende Wirkung nicht erreicht wird. Auf der anderen Seite, wenn der Inhalt davon 8,0 Gew.-% übersteigt, gibt es Fälle, in denen die Zusammensetzung einen verfärbten gehärteten Harz ergibt.
  • Es können verschiedene bekannte Zusatzstoffe, die konventionell verwendet werden, in geeigneter Weise in die Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung der Erfindung eingebracht werden, wenn diese benötigt werden oder notwendig sind. Beispiele der Zusatzstoffe umfassen Zersetzungsinhibitoren, Modifizierer, Kopplungsagenzien, Entschäumer, anorganische Pulver, Nivillierungsmittel, Freisetzungsmittel, Farbstoffe und Pigmente.
  • Beispiele von Zersetzungsinhibitoren umfassen konventionelle Zersetzungsinhibitoren wie Phenolverbindungen, Aminverbindungen, Organoschwefelverbindungen und Phosphinverbindungen. Beispiele von Modifizierern umfassen konventionelle Modifizierer wie Glykole, Silikone und Alkohole. Beispiele von Kopplungsagenzien umfassen konventionelle Kopplungsagenzien wie die des Silan-Typs und Titanat-Typs. Beispiele von Entschäumern umfassen konventionelle Entschäumer wie Silikonverbindungen. Beispiele der anorganischen Pulver umfassen konventionelle anorganische Pulver wie Siliziumpulver und Glaspulver.
  • In dem Verfahren zur Herstellung einer Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung gemäß der Erfindung werden die oben beschriebenen Inhaltsstoffe zusammen in dem ersten Schritt schmelzvermischt. In dem zweiten Schritt wird die Viskosität der in dem ersten Schritt erhaltenen geschmolzenen Mischung bei einer gegebenen Temperatur reguliert.
  • Genauer gesagt, in dem ersten Schritt wird ein Epoxidharz mit einem Härter und einem Härtungsbeschleuniger und optional mit verschiedenen Zusatzstoffen schmelzvermischt. Dieses Schmelzvermischen kann durch ein konventionelles Verfahren durchgeführt werden. Zum Beispiel kann das folgende Verfahren eingesetzt werden: ein Verfahren, das die Einführung der Inhaltsstoffe in ein Gefäß und das Schmelzvermischen dieser Kesselweise umfasst oder ein Verfahren, das das Einfüllen der Inhaltsstoffe in eine Knetmaschine (Kneter oder erhitzte Rollmühle) und das kontinuierliche Schmelzvermischen von diesen umfasst. Es ist jedoch bevorzugt, die Inhaltsstoffe in eine Knetmaschine einzufüllen, um diese kontinuierlich zu schmelzvermischen. Dieses kontinuierliche Verfahren der Schmelzvermischung ermöglicht eine effiziente Herstellung.
  • Diese Schmelzvermischungsoperation in dem ersten Schritt wird vorzugsweise in der folgenden Weise durchgeführt. Zuerst wird ein Epoxidharz mit einem Härter und optional mit verschiedenen Zusatzstoffen vermischt. Nachdem der Epoxidharz und der Härter einheitlich und ausreichend miteinander vermischt wurden, werden ein Härtungsbeschleuniger und verschiedene optionale Zusatzstoffe hinzugefügt und mit der resultierenden Schmelzmischung vermischt. In diesem Verfahren der Schmelzvermischung wird ein Härtungsbeschleuniger zu der geschmolzenen Mischung hinzugefügt, in der der Epoxidharz und der Härter ausreichend und einheitlichmiteinander vermischt wurden.
  • Dadurch bedingt kann wirksam verhindert werden, dass der Epoxidharz und der Härter lokal miteinander reagieren bevor sie ausreichend miteinander vermischt wurden.
  • Die oben beschriebene Mischoperation wird vorzugsweise in einer solchen Weise durchgeführt, dass ein Epoxidharz mit einem Härter und verschiedenen optionalen Zusatzstoffen unter Erhitzen vermischt werden und die resultierende geschmolzene Mischung wird mit einem Härtungsbeschleuniger und verschiedenen optionalen Zusatzstoffen unter Kühlen vermischt. Durch das Durchführen des Mischens des Epoxidharzes mit dem Härter und verschiedenen optionalen Zusatzstoffen unter Erhitzen können diese Inhaltsstoffe ausreichend und einheitlich schmelzvermischt werden. Des Weiteren kann durch das Durchführen des Mischens der resultierenden Schmelzmischung mit dem Härtungsbeschleuniger und verschiedenen optionalen Zusatzstoffen unter Kühlen der Härtungsbeschleuniger ausreichend und einheitlich mit der geschmolzenen Mischung vermischt werden, während die Reaktion des Epoxidharzes mit dem Härter verhindert wird. Zur Vermischung unter Erhitzen können die Inhaltsstoffe auf ungefähr 100 bis 160°C mit einer Erhitzungsvorrichtung wie einem Heizer erhitzt werden. Zur Mischung unter Kühlung können die Inhaltsstoffe durch Zirkulieren eines Kühlmediums wie Kühlwasser mit einer Kühlvorrichtung wie einer Jacke gekühlt werden.
  • Die im ersten Schritt erhaltene geschmolzene Mischung wird dann in einem halbgehärteten Zustand (B-Zustand) erhalten. Diese geschmolzene Mischung wird dann auf eine normale Temperatur durch Luftblasen oder andere Mittel gekühlt. Anschließend wird in einem zweiten Schritt die in dem ersten Schritt erhaltene geschmolzene Mischung einer Viskositätsregulierung bei einer gegebenen Temperatur ausgesetzt.
  • Die Viskositätsregulierung kann durch das Altern der in dem ersten Schritt erhaltenen geschmolzenen Mischung bei einer gegebenen Temperatur erreicht werden. Genauer gesagt, wird die geschmolzene Mischung bei einer Temperatur von, z. B. 30 bis 80°C, vorzugsweise 40°C bis 60°C, für 1 bis 70 Stunden, vorzugsweise für 5 bis 40 Stunden, gealtert, obwohl solche Bedingungen abhängig von der Zusammensetzung der Mischung variieren.
  • Durch dieses Altern wird die geschmolzene Mischung derart reguliert, dass sie eine minimale Schmelzviskosität, wie sie bei 150°C gemessen wird, von im Allgemeinen 2 bis 50 Pa·s aufweist, vorzugsweise 8 bis 25 Pa·s, mehr vorzugsweise 8 bis 20 Pa·s, am meisten bevorzugt 9 bis 12 Pa·s aufweist. Wenn die Viskosität der geschmolzenen Mischung geringer ist als die untere Grenze, dann gibt es Fälle, in denen Formfehler wie Grate oder Blasen resultieren. Wenn die Viskosität davon höher als die obere Grenze ist, dann gibt es Fälle, in denen Formfehler wie nicht gefüllte Bereiche oder Gratreißen resultiert. Die Viskosität kann mit einem KOUKA-Flusstester (hergestellt durch die Shimadzu Corp.) gemessen werden.
  • Dieses Altern wird vorzugsweise unter Aufrechterhalten der geschmolzenen Mischung in einem folienförmigen ausgebreiteten Zustand durchgeführt. Der folienförmige ausgebreitete Zustand ermöglicht es der geschmolzenen Mischung einheitlich und effizient in ihrer Viskosität reguliert zu werden. Obwohl die geschmolzene Mischung in der Form einer Masse gealtert werden kann, tendiert diese Alterung, Gelatine in einen zentralen Teil davon auszubilden.
  • Um die in dem ersten Schritt erhaltene Mischung in eine folienförmigen ausgebreiteten Zustand zu bringen, kann die geschmolzene Mischung z. B. auf einer Streichplatte oder Ähnlichem ausgebreitet werden. Die Dicke der ausgebreiteten Folie wird vorzugsweise auf 3 bis 70 mm, mehr bevorzugt 2 bis 40 mm, am meisten bevorzugt 6 bis 25 mm durch das Regulieren der Menge der geschmolzenen auszubreitenden Mischung reguliert. Wenn die Dicke davon kleiner als die untere Grenze ist, hat die geschmolzene Mischung eine zu große Oberfläche, so dass es Fälle gibt, in denen die Zusammensetzung Wasser nach Temperaturänderung vor und nach dem Altern absorbiert, um ein gehärtetes Harz zu ergeben, das eine geringere Glasübergangstemperatur (T9) aufweist. Wenn die Dicke davon größer als der obere Grenzbereich ist, gibt es Fälle, in denen die Zusammensetzung bedingt durch den Hitzeaufbau geliert. Des Weiteren sind Dicken von 2 bis 40 mm, insbesondere von 6 bis 25 mm dahingehend vorteilhaft, dass sie in stabilen Viskositäten resultieren.
  • Nachdem diese die Alterung durchlaufen hat, wird die Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung wiederum auf normale Temperatur durch Luftblasen oder andere Mittel abgekühlt. Danach kann die Zusammensetzung in Tabletten in konventioneller Weise durch Pulverisierung und Tablettierung geformt werden.
  • Die Epoxidharzzusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung, die so erhalten wird, wird zur Verkapselung von Fotohalbleitervorrichtungen wie LEDs und CCDs verwendet. Zum Beispiel wird zur Verwendung dieser Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung durch Formen, z. B. Transferformen, die Zusammensetzung thermisch geschmolzen, in eine Form geladen, in die das Fotohalbleiterelement eingebracht wird und dann gehärtet und dadurch die Fotohalbleitervorrichtung eingekapselt.
  • Wenn die Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung, die durch das oben beschriebene Verfahren hergestellt wird, zum Formen thermisch geschmolzen wird, z. B. Transverformen, dann kann eine Viskosität, die zum Formen notwendig ist, sichergestellt werden, weil die in dem ersten Schritt erhaltene geschmolzene Mischung, die einen Epoxidharz, einen Härter und einen Härtungsbeschleunigerumfasst, in ihrer Viskosität bei einer gegebenen Temperatur in dem zweiten Schritt reguliert werden. Als Ergebnis kann befriedigendes Formen, bei welchem Formfehler wie Grate oder Blasen verringert werden, ohne die Notwendigkeit des Einbringen eines Füllmaterials oder Ähnlichem durchgeführt werden.
  • Die Erfindung wird unten in mehr Details durch Bezugnahme auf die folgenden Beispiele beschrieben, aber die Erfindung sollte nicht als auf diese Beispiele eingeschränkt ausgelegt werden.
  • Beispiel 1
  • Eine Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung wurde gemäß der unten gezeigten Formulierung hergestellt.
  • Das bedeutet, Epoxidharze wurden mit einem Härter bei 120°C mit einer Knetmaschine schmelzvermischt. Ein Härtungsbeschleuniger wurde zu der resultierenden geschmolzenen Mischung der Epoxidharze und des Härters hinzugefügt und diese Inhaltsstoffe wurden vermischt während sie abgekühlt wurden. Formulierung für eine Epoxidharz-Zusammensetzung für die Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung Epoxidharze:
    Bisphenol A Epoxidharz (Epoxidäquivalent: 650) 80 Gewichtsanteile
    Triglycidylisocyanurat 20 Gewichtsanteile
    Härter:
    4-Methylhexahydrophthalsäureanhydrid/ Hexahydrophthalsäureanhydrid Mischung 50 Gewichtsanteile
    Härtungsbeschleuniger:
    2-Ethyl-4-methylimidazol 0,4 Gewichtsanteile
  • Die so erhaltene geschmolzene Mischung wurde auf eine normale Temperatur durch Luftblasen abgekühlt. Diese geschmolzene Mischung wurde auf eine Streichplatte in eine Folienform mit einer Dicke von 0,5 mm ausgebreitet und dann bei 50°C für 20 Stunden gealtert, um dadurch die resultierende Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung zu regulieren, so dass sie eine minimale Schmelzviskosität von 7 Pa·s, die bei 150°C gemessen wurde, aufweist.
  • Nach dem Altern wurde die Folie wiederum auf normale Temperatur durch Luftblasen abgekühlt und dann pulverisiert und tablettiert. Somit wurde eine Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung als Tabletten erhalten.
  • Beispiel 2
  • Eine Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung wurde als Tabletten in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 erhalten, außer dass die geschmolzene Mischung in einer 2 mm-dicken Folienform auf einer Streichplatte ausgebreitet und gealtert wurde. Nach dem Altern hatte die Epoxidharzzusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung eine minimale Schmelzviskosität von 8 Pa·s, die bei 150°C gemessen wurde.
  • Beispiel 3
  • Eine Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung wurde als Tabletten in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 beschrieben erhalten, außer dass die geschmolzene Mischung in einer 6 mm-dicken Folienform auf einer Streichplatte ausgebreitet und gealtert wurde. Nach dem Altern hatte die Epoxidharz-Zusammen-setzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung eine minimale Schmelzviskosität von 9 Pa·s, die bei 150°C gemessen wurde.
  • Beispiel 4
  • Eine Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung wurde als Tabletten in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 beschrieben erhalten, außer dass die geschmolzene Mischung in einer 10 mm-dicken Folienform auf einer Streichplatte ausgebreitet und gealtert wurde. Nach dem Altern hatte die Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung eine minimale Schmelzviskosität von 10 Pa·s, die bei 150°C gemessen wurde.
  • Beispiel 5
  • Eine Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung wurde als Tabletten in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 beschrieben erhalten; außer dass die geschmolzene Mischung in einer 25 mm-dicken Folienform auf einer Streichplatte ausgebreitet und gealtert wurde. Nach dem Altern hatte die Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung eine minimale Schmelzviskosität von 12 Pa·s, die bei 150°C gemessen wurde.
  • Beispiel 6
  • Eine Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung wurde als Tabletten in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 beschrieben erhalten, außer dass die geschmolzene Mischung in einer 40 mm-dicken Folienform auf einer Streichplatte ausgebreitet und gealtert wurde. Nach dem Altern hatte die Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung eine minimale Schmelzviskosität von 20 Pa·s, die bei 150°C gemessen wurde.
  • Beispiel 7
  • Eine Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung wurde als Tabletten in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 beschrieben erhalten, außer dass die geschmolzene Mischung in einer 70 mm-dicken Folienform auf einer Streichplatte ausgebreitet und gealtert wurde. Nach dem Altern hatte die Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung eine minimale Schmelzviskosität von 25 Pa·s, die bei 150°C gemessen wurde.
  • Beispiel 8
  • Eine Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung wurde als Tabletten in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 beschrieben erhalten, außer dass die geschmolzene Mischung in einer 80 mm-dicken Folienform auf einer Streichplatte ausgebreitet und gealtert wurde. Nach dem Altern hatte die Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung eine minimale Schmelzviskosität von 30 Pa·s, die bei 150°C gemessen wurde.
  • Vergleichendes Beispiel
  • Eine Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung wurde als Tabletten in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 erhalten, außer dass die Mischung, die durch Schmelzvermischen der Inhaltsstoffe mit der Knetmaschine erhalten wurde, direkt ohne Alterung pulverisiert und tablettiert wurde. Nach dem Schmelzvermischen hatte die Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung eine minimale Schmelzviskosität von 0,2 Pa·s, die bei 150°C gemessen wurde.
  • Beurteilung
  • Tabletten der Epoxidharz-Zusammensetzung für die Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung, wie sie in den Beispielen 1 bis 8 und dem vergleichenden Beispiel erhalten wurden, wurden verwendet, um ein LED durch Transferformen (150°C × 3 min; nach Härten, 150°C × 3 Stunden) zur Untersuchung auf ein Vorkommen von Graten und Blasen in der Form einzukapseln. Die erhaltenen Ergebnisse werden in der Tabelle unten gezeigt.
  • Der Glasübergangspunkt (Tg) von jedem der gehärteten Harze, die aus den Zusammensetzungen der Beispiele 1 bis 8 und dem vergleichenden Beispiel geformt wurden, wurde mit einem Differenzialmesskalorimeter (DSC, differential scanning calorimeter) (Typ Pyris-1, hergestellt durch Perkin-Elmer Corp.) gemessen. Die so erhaltenen Ergebnisse werden in der Tabelle unten gezeigt.
  • Tabelle
    Figure 00130001
  • Die oben gezeigte Tabelle zeigt das Folgende. Die aus den Zusammensetzungen der Beispiele 2 bis 7 erhaltenen gehärteten Harze hatten keine Grat- oder Blasenbildung in dem Formen und hatten zudem eine hohe Tg. Der aus der Zusammensetzung von Beispiel 1 erhaltene gehärtete Harz hatte eine geringe Tg, obwohl er frei von Grat- oder Blasenbildung in der Form war. Des Weiteren unterlag die Zusammensetzung von Beispiel 8 einer leichten Blasenbildung in der Form. Es wird angenommen, dass dies auf die verringerte Fließfähigkeit beim Formen, bedingt durch eine teilweise Gelierung beim Altern zurückzuführen ist. Im Gegensatz zu diesen wurden in der Zusammensetzung des vergleichenden Beispiels viele Grate und Blasen in der Form ausgebildet.
  • Gemäß dem Verfahren der Erfindung zur Herstellung einer Epoxidharz-Zusammensetzung für die Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung kann, wenn die Epoxidharz-Zusammensetzung, die durch das Verfahren hergestellt wird, thermisch geschmolzen geformt wird, z. B. Transferformen, eine Viskosität, die zum Formen notwendig ist, sichergestellt werden, weil die in dem ersten Schritt erhaltene geschmolzene Mischung, die einen Epoxidharz, einen Härter und einen Härtungsbeschleuniger umfasst, in ihrer Viskosität bei einer gegebenen Temperatur in den zweiten Schritt reguliert wird. Als Ergebnis kann eine befriedigende Formgebung, in welcher Formfehler wie Grate oder Blasen reduziert sind, ohne die Notwendigkeit des Einbringens eines Füllers oder Ähnlichem durchgeführt werden.

Claims (2)

  1. Ein Verfahren zur Herstellung einer Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung einer Fotohalbleitervorrichtung, die einen Epoxidharz, einen Härter und einen Härtungsbeschleuniger als konstituierende Inhaltsstoffe umfasst, wobei besagtes Verfahren: einen ersten Schritt der Schmelzvermischung der Inhaltsstoffe; und einen zweiten Schritt der Regulierung der Viskosität der in dem ersten Schritt erhaltenen geschmolzenen Mischung bei einer gegebenen Temperatur und worin die geschmolzene Mischung in einer Folienform ausgebreitet wird und in diesem Zustand bei einer gegebenen Temperatur stehen gelassen wird; umfasst.
  2. Das Verfahren von Anspruch 1, worin die ausgebreitete Folie eine Dicke von 2 bis 70 mm aufweist.
DE60102282T 2000-12-18 2001-12-18 Verfahren zur Herstellung von Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung von Fotohalbleitervorrichtung Expired - Lifetime DE60102282T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000383269A JP3430150B2 (ja) 2000-12-18 2000-12-18 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法
JP2000383269 2000-12-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60102282D1 DE60102282D1 (de) 2004-04-15
DE60102282T2 true DE60102282T2 (de) 2004-07-22

Family

ID=18850954

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60102282T Expired - Lifetime DE60102282T2 (de) 2000-12-18 2001-12-18 Verfahren zur Herstellung von Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung von Fotohalbleitervorrichtung

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6713571B2 (de)
EP (1) EP1215723B1 (de)
JP (1) JP3430150B2 (de)
CN (1) CN1186387C (de)
DE (1) DE60102282T2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005009066A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6881571B1 (en) * 1998-03-11 2005-04-19 Exonhit Therapeutics S.A. Qualitative differential screening
US7519558B2 (en) * 1997-08-27 2009-04-14 Ballard Claudio R Biometrically enabled private secure information repository
US6989412B2 (en) 2001-06-06 2006-01-24 Henkel Corporation Epoxy molding compounds containing phosphor and process for preparing such compositions
US6841888B2 (en) * 2003-06-04 2005-01-11 Yazaki Corporation Encapsulant for opto-electronic devices and method for making it
US9387608B2 (en) 2006-11-15 2016-07-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Thermosetting resin composition for light reflection, method for manufacturing the resin composition and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition
JP5207658B2 (ja) * 2007-05-17 2013-06-12 日東電工株式会社 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびその硬化体ならびにそれを用いた光半導体装置
KR101056690B1 (ko) * 2007-06-28 2011-08-12 주식회사 엘지화학 투명 플라스틱 필름의 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명플라스틱 필름
DE202008005987U1 (de) * 2008-04-30 2009-09-03 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit kalottenförmiger Farbkonversionsschicht
TW201011936A (en) * 2008-09-05 2010-03-16 Advanced Optoelectronic Tech Light emitting device and fabrication thereof
JP5107886B2 (ja) * 2008-12-24 2012-12-26 日東電工株式会社 光半導体装置の製造方法
CN106633668A (zh) * 2016-12-30 2017-05-10 铜陵华科电子材料有限公司 一种覆铜板用异氰尿酸三缩水甘油酯增强的耐候型环氧树脂复合材料及其制备方法
WO2022149594A1 (ja) * 2021-01-08 2022-07-14 昭和電工マテリアルズ株式会社 熱硬化性樹脂組成物の製造方法、熱硬化性樹脂組成物、及び電子部品装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01172420A (ja) * 1987-12-27 1989-07-07 Narumi China Corp 半導体封止用樹脂組成体
US5198479A (en) * 1990-08-24 1993-03-30 Shin-Etsu Chemical Company Limited Light transmissive epoxy resin compositions and optical semiconductor devices encapsulated therewith
JPH0578445A (ja) * 1991-09-25 1993-03-30 Sumitomo Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物
JPH06128546A (ja) * 1992-10-15 1994-05-10 Sekisui Chem Co Ltd 接着剤組成物
US5338782A (en) * 1993-05-27 1994-08-16 Shell Oil Company Dialkylidenecyclobutane/bisimide/epoxy compositions
US5458929A (en) * 1994-02-15 1995-10-17 The Dow Chemical Company Cure controlled catalyzed mixtures of epoxy resins and curing agents containing mesogenic moieties, B-staged and cured products therefrom
JPH09208805A (ja) * 1994-11-09 1997-08-12 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物
JPH09255764A (ja) 1996-03-26 1997-09-30 Nitto Denko Corp 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物硬化体およびそれを用いた光半導体装置
JPH11111741A (ja) * 1997-10-08 1999-04-23 Hitachi Chem Co Ltd 光半導体素子封止用エポキシ樹脂タブレット及び該タブレットを用いて封止された光半導体装置
JP3481452B2 (ja) 1998-03-23 2003-12-22 日東電工株式会社 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置
JP3851441B2 (ja) * 1998-04-23 2006-11-29 日東電工株式会社 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
CN1113083C (zh) 1998-06-09 2003-07-02 日东电工株式会社 半导体封装用环氧树脂组合物及使用了该组合物的半导体器件
KR100563509B1 (ko) * 1998-09-25 2006-03-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 에폭시 수지 조성물 및 이 에폭시 수지 조성물을 사용한 적층 필름 및 반도체 장치
DE60011199T2 (de) * 1999-10-06 2004-09-30 Nitto Denko Corp., Ibaraki Harzzusammensetzung zur Einkapselung von Halbleitern, Halbleiteranordnungen die diese enthalten und Verfahren für die Herstellung von diesen Halbleiteranordnungen

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005009066A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement
US8247263B2 (en) 2005-02-28 2012-08-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an optical, radiation-emitting component and optical, radiation-emitting component

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002179807A (ja) 2002-06-26
EP1215723B1 (de) 2004-03-10
DE60102282D1 (de) 2004-04-15
US20020117774A1 (en) 2002-08-29
EP1215723A1 (de) 2002-06-19
CN1359975A (zh) 2002-07-24
JP3430150B2 (ja) 2003-07-28
US6713571B2 (en) 2004-03-30
CN1186387C (zh) 2005-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3889950T2 (de) Epoxyharzzusammensetzung.
DE60102282T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung von Fotohalbleitervorrichtung
DE4006153C2 (de) Epoxidharzmassen und deren Verwendung zum Einkapseln von Halbleiterbauelementen
DE602004007892T2 (de) Quaternäre organophosphoniumsalze enthaltende formmassen
DE4003842C2 (de) Epoxidharzmassen zum Einkapseln von Halbleitern, enthaltend kugelförmiges Siliciumdioxid
DE60306554T2 (de) Flammhemmende formbare zusammensetzungen
DE3689022T2 (de) Epoxyharzzusammensetzung.
DE112010005303B4 (de) Wärmehärtende Kunstharzzusammensetzung, B-Stufen Wärmeleitfähigkeitsschicht und Leistungsmodul
DE2247779C3 (de) Pulverförmige Masse zur Herstellung matter Überzüge
DE60011199T2 (de) Harzzusammensetzung zur Einkapselung von Halbleitern, Halbleiteranordnungen die diese enthalten und Verfahren für die Herstellung von diesen Halbleiteranordnungen
DE60104784T2 (de) Harzzusammensetzung zum Abdichten einer Halbleiteranordnung, Gerät die diese Halbleiteranordnung verwendet und Montierungsstruktur dieser Halbleiteranordnung
DE69915161T2 (de) Flammhemmende Epoxidharzmischung zur Halbleitereinkapselung
DE69922868T2 (de) Epoxidharzzusammensetzungen zur Einkapselung von Halbleitern und damit eingekapselte Halbleiterbauteile
DE69501771T2 (de) Epoxidharzformmasse zur Einkapselung elektronischer Bauelemente und eingekapselte Halbleiteranordnung unter Verwendung dieser Formmasse
DE69922577T2 (de) Epoxydharzzusammensetzungen und damit eingekapselte Halbleiteranordnungen
DE60308545T2 (de) Verstärktes epoxid / polyanhydrid zusammensetzung für unterfüllung ohne durchfluss
DE69531191T2 (de) Epoxidharzzusammensetzung für die versiegelung von halbleiteranordnungen
DE3013470A1 (de) Verfahren zur einkapselung einer halbleitereinrichtung und epoxyformmasse zur durchfuehrung des verfahrens
DE1800675B2 (de) Neue Phosphitestermasse
EP3255103B1 (de) Zusammensetzung enthaltend ein polymer auf der basis von epoxidverbindungen
DE102019101631B4 (de) Korrosionsgeschützte Formmasse, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
EP0717073B1 (de) Core/Shell-Zähigkeitsvermittler enthaltende härtbare Epoxidharz-Giessmassen
EP0039017B1 (de) Verfahren zur Herstellung transparenter Giessharze
DE3921985A1 (de) Epoxidharzmasse und deren verwendung zum einkapseln von halbleiterbauteilen
DE4210127A1 (de) Epoxyharzzusammensetzung und gehaertetes produkt hiervon

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition