DE4210127A1 - Epoxyharzzusammensetzung und gehaertetes produkt hiervon - Google Patents

Epoxyharzzusammensetzung und gehaertetes produkt hiervon

Info

Publication number
DE4210127A1
DE4210127A1 DE19924210127 DE4210127A DE4210127A1 DE 4210127 A1 DE4210127 A1 DE 4210127A1 DE 19924210127 DE19924210127 DE 19924210127 DE 4210127 A DE4210127 A DE 4210127A DE 4210127 A1 DE4210127 A1 DE 4210127A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
epoxy resin
agent
resin
epoxy
resin composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19924210127
Other languages
English (en)
Other versions
DE4210127C2 (de
Inventor
Akira Shintai
Hiroshi Shibata
Toshio Shiobara
Koji Futatsumori
Seizi Katayama
Yasutaka Yoshida
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp Kariya Aichi Jp Shin-Etsu Chemical
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
NipponDenso Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP6335191A external-priority patent/JP2921800B2/ja
Priority claimed from JP3273100A external-priority patent/JP2817474B2/ja
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd, NipponDenso Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Publication of DE4210127A1 publication Critical patent/DE4210127A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4210127C2 publication Critical patent/DE4210127C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/188—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing using encapsulated compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/22—Di-epoxy compounds
    • C08G59/30—Di-epoxy compounds containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen and nitrogen
    • C08G59/306—Di-epoxy compounds containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen and nitrogen containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/4007—Curing agents not provided for by the groups C08G59/42 - C08G59/66
    • C08G59/4071—Curing agents not provided for by the groups C08G59/42 - C08G59/66 phosphorus containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C08G59/621—Phenols
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

Hintergrund der Erfindung 1. Gebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft eine Epoxyharzzusammensetzung, die geeignet ist für die Verwendung beispielsweise bei der Abdichtung einer Halbleitervorrichtung, sowie ein gehärtetes Produkt derselben.
2. Beschreibung des verwandten Standes der Technik
Für Packungen von Halbleitervorrichtungen wurde in großem Umfang vom Epoxyharzzusammensetzungen Gebrauch gemacht, die ein gehärtetes Produkt mit ausgezeichneten elektrischen Merkmalen, mechanischen Merkmalen, chemischer Beständigkeit, Feuchtigkeitsbeständigkeit und anderen Eigenschaften ergeben. Unter diesen sind Harzzusammensetzungen beinhaltet von Epoxyharzen vom Novolak-Typ, in die Phenolharze als Härtungsmittel eingemischt werden und ein anorganischer Füllstoff zugegeben wird, gegenwärtig die Hauptquelle für beispielsweise die Harzabdichtung von Halbleitervorrichtungen.
In den letzten Jahren jedoch wurden mit der zunehmenden Größe der Chips und ihrer verbesserten Leistungsfähigkeit die Anforderungen an Abdichtungsmaterialien strenger, und man sucht nun nach einem Abdichtungsmaterial, das sowohl eine hohe Wärmeleitung als auch geringe Beanspruchung bzw. Spannungscharakteristiken besitzt.
Früher wurde in einem Halbleiterbauelement mit einem Harz abgedichteten Leistungsbauelement die Wärme des Leistungsbauelements durch das Preßharz ausgestrahlt oder das Preßharz wurde verwendet, um die Bauelemente direkt zu schützen. Daher hatte die Wärmeleitfähigkeit und die Feuchtigkeitsbeständigkeit des Preßharzes eine Wirkung auf die Betriebssicherheit des Bauelements als Ganzem. Das Preßharz war eine Mischung eines Epoxyharzes und eines Füllstoffs. Im allgemeinen bestand der verwendete Füllstoff aus Quarzglas oder kristallinem Siliciumdioxid, jedoch führen Epoxyharzzusammensetzungen unter Verwendung von kristallinem Siliciumdioxid zu höheren Koeffizienten der Wärmeausdehnung, und es ist schwierig, niedrige Spannungscharakteristiken zu erzielen. Zusätzlich ist es, um die von den Bauelementen abgestrahlte Wärme zu erhöhen, notwendig, einen Füllstoff mit einer hohen Wärmeleitung zu verwenden. Als derartige Füllstoffe sind Aluminiumoxid, Siliciumnitrid und Magnesiumoxid bekannt, wobei Nitride (Siliciumnitride, etc.) und Magnesiumoxid zum Abdichten von Halbleitern nicht geeignet sind, da sie mit Wasserdampf aufgelöst werden und die Geschwindigkeit der Verschlechterung des Harzes erhöhen. Aluminiumoxid ist ausreichend stabil im Hinblick auf Wasserdampf und ist als Halbleiterabdichtungsmaterial geeignet [z. B. ungeprüfte japanische Patentpublikation (Kokai) Nr. 63-160254 und ungeprüfte japanische Patentpublikation (Kokai)Nr. 62- 24 031].
Andererseits ist es für die Verbesserung der Feuchtigkeitsbeständigkeit wichtig, die Verunreinigungsionen in dem Harz, insbesondere Chlorionen, welche die Korrosion von Aluminium fördern, zu vermindern. Chlor wird in dem Harz als Nebenreaktion gekuppelt, wenn die Epoxygruppe an das Harz bei der Synthesestufe des Epoxyharzes addiert wird. Diese reagiert bei der Formung des Harzes mit dem zur Erhöhung der Härtungsgeschwindigkeit des Harzes zugegebenen Katalysator und ist in Form freier Chlorionen vorhanden. Daher ist es notwendig, den Typ des Härtungskatalysators im Hinblick auf die Verminderung der Chlorionen auszuwählen. Insbesondere kann ein organischer Phosphorkatalysator [Triphenylphosphin (TPP), etc.] die Chlorionen stärker als ein Imidazolkatalysator vermindern [z. B. ungeprüfte japanische Patentpublikation (Kokai) Nr. 62-223 218].
Somit ist es bei der Verwendung von Aluminiumoxid als anorganischer Füllstoff möglich, eine Epoxyharzzusammensetzung zu erhalten, die sowohl den Erfordernissen einer hohen Wärmeleitung als auch niedriger Spannungscharakteristiken genügt. Andererseits ist es bekannt, daß bei Verwendung einer organischen Phosphorverbindung als Härtungsbeschleuniger eine Epoxyharzzusammensetzung erhalten werden kann, die überlegene Härtungscharakteristiken, Lagerung, Wärmebeständigkeit, elektrische Charakteristiken, Feuchtigkeitsbeständigkeit, etc. besitzt. Daher ist es bei einem Halbleiterbauelement, bei dem das Leistungselement durch ein Harz abgedichtet wird, um gleichzeitig eine zufriedenstellende Wärmezerstreuung und Feuchtigkeitsbeständigkeit zu erzielen, notwendig, Aluminiumoxid als Füllstoff und einen organischen Phosphorkatalysator als Katalysator zu verwenden.
Aus den Experimenten der vorliegenden Erfindung konnte jedoch folgendes gelernt werden. Das heißt, Vergleichsbeispiel 1 in Tabelle 1 betraf eine Kombination eines Aluminiumoxidfüllstoffs und eines organischen Phosphorkatalysators (TPP). Wie in Fig. 4 gezeigt, fiel, wenn das Harz nach der Herstellung (nach Mischen von Harz und Füllstoff) aufbewahrt und für die Abdichtung des Leistungsbauelements verwendet wurde, der Härtungsgrad des Harzes mit der Aufbewahrungsdauer, wobei insbesondere ein merklicher Abfall der Härtungscharakteristiken in Kauf genommen werden mußte, wenn die Zusammensetzung Feuchtigkeit absorbiert.
Tabelle 1
Weiterhin empfahlen die vorliegenden Erfinder früher in der geprüften japanischen Patentpublikation (Kokoku) Nr. 63-25 010 eine Epoxyharzzusammensetzung, enthaltend ein Epoxyharz, ein Phenolharz als Härtungsmittel, einen Härtungsbeschleuniger und einen anorganischen Füllstoff, die dadurch gekennzeichnet ist, daß als Epoxyharz von einem Kresolnovolak-Epoxyharz mit einem Gehalt an organischen Säuren von 100 ppm oder weniger, einem Gehalt an Chlorionen von 2 ppm oder weniger, einem Gehalt an hydrolysierendem Chlor von 500 ppm oder weniger und einem Epoxyäquivalent von 180 bis 230 Gebrauch gemacht wurde, als Phenolharz von einem Phenolharz des Novolak-Typs mit einem Erweichungspunkt von 80 bis 120°C, einem Gehalt an organischen Säuren von 100 ppm oder weniger, an freiem Na und Cl von 2 ppm oder weniger und an freiem Phenol von 1% oder weniger Gebrauch gemacht wurde, das Molverhältnis (a/b) der Epoxygruppen (a) des Epoxyharzes und der phenolischen Hydroxylgruppen (b) des Phenolharzes auf den Bereich von 0,8 bis 1,5 eingestellt wurde, und als Härtungsbeschleuniger von einer tertiären, organischen Phosphinverbindung mit zumindest einer funktionellen Gruppe in dem Molekül, ausgewählt unter einer Carboxylgruppe, Methylolgruppe, Alkoxygruppe und Hydroxylgruppe, spezifischer von 0,4 bis 5 Gew.-Teilen der durch die folgende Formel (I) gezeigten Verbindung je 100 Gew.- Teile des gesamten Epoxyharzes und des Phenolharzes, Gebrauch gemacht wurde,
worin R¹ bis R⁵ unabhängig ein Wasserstoffatom, eine Carboxylgruppe, eine Methylolgruppe, eine Alkoxygruppe und eine Hydroxylgruppe bedeuten und zumindest eine der Gruppen R¹ bis R⁵ ausgewählt ist unter einer Carboxylgruppe, Methylolgruppe, Alkoxygruppe und Hydroxylgruppe und n für eine ganze Zahl von 1 bis 3 steht.
Die Epoxyharzzusammensetzung besitzt überlegene Härtungseigenschaften, elektrischer Charakteristika bei hoher Temperatur, Wärmebeständigkeit (d. h. hohe Glasübergangstemperatur Tg) und Feuchtigkeitsbeständigkeit, und als Ergebnis verhindert sie, daß der Aluminiumdraht korrodiert oder bricht, selbst wenn ein Bauelement unter Bedingungen hoher Temperatur und Feuchtigkeit während einer langen Zeitdauer belassen wird und eine überlegene Verformbarkeit zeigt und eine langanhaltende Lagerungsstabilität aufweist.
Der vorliegende Erfinder fand jedoch, befaßt mit weiteren Studien hinsichtlich der von der geprüften japanischen Patentpublikation (Kokoku) Nr. 63-25 010 empfohlenen Epoxyharzzusammensetzung und als Ergebnis, daß bei Stehenlassen eines unter Verwendung der Epoxyharzzusammensetzung gebildeten, integrierten Schaltkreises (IC) unter Bedingungen hoher Temperatur und Feuchtigkeit in einem Zustand an diesen angelegter Spannung die Aluminiumverdrahtung häufig bricht. Es war daher erwünscht, dieses Problem zu lösen.
3. Zusammenfassung der Erfindung
Demzufolge ist es Ziel der vorliegenden Erfindung, die vorstehenden Probleme zu beseitigen und eine Epoxyharzzusammensetzung bereitzustellen, die hinsichtlich Lagerungsstabilität überlegen ist, in der Lage ist, während des Warmpressens rasch zu härten, überlegen ist hinsichtlich hoher Wärmeleitung und niedriger Spannungscharakteristiken, ein gehärtetes Produkt mit ausgezeichneten thermischen, elektrischen, mechanischen und chemischen Charakteriken ergibt, überlegen ist hinsichtlich Feuchtigkeitsbeständigkeit in einem Zustand angelegter Spannung und verwendbar ist für das Abdichten von Halbleitern, sowie ein gehärtetes Produkt derselben zu schaffen.
Andere Ziele und Vorteile der vorliegenden Erfindung gehen aus der folgenden Beschreibung hervor.
Erfindungsgemäß wird eine Epoxyharzzusammensetzung bereitgestellt, die (i) ein Epoxyharz, (ii) ein phenolisches Härtungsmittel, (iii) einen Organophosphor-Härtungsbeschleuniger, (iv) Aluminiumoxid und (v) Trennmittel zur Trennung des Organosphophor-Härtungsmittels und des Aluminiumoxids umfaßt.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung können die vorstehend genannten Trennmittel ein Überzug eines Überzugsmittels (z. B. Epoxy-modifiziertes Silan-Kupplungsmittel, Siliconharz, Keramikmaterial) über der Oberfläche des Aluminiumoxids oder eines komplexierten Organophosphor-Härtungsbeschleunigers sein.
4. Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Die vorliegende Erfindung läßt sich besser anhand der nachstehenden Beschreibung der beigefügten Zeichnungen verstehen, worin:
Fig. 1 ist eine Schnittansicht des Halbleiterbauelements vom harzversiegelten Typ einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der Anzahl der Tage der Lagerung nach der Herstellung und der Heißhärte zeigt;
Fig. 3 ist eine Schnittansicht eines anderen Halbleiterbauelements vom harzversiegelten Typ; und
Fig. 4 ist ein weiteres Diagramm, das die Beziehung zwischen der Anzahl der Tage der Lagerung nach der Herstellung und der Heißhärte zeigt.
Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
Die Härte des Harzes fällt aufgrund unzureichender Härtung des Harzes ab. Man nimmt an, daß dies zurückzuführen ist auf die unzureichende Wirkung des Katalysators bei der Beschleunigung der Härtung des Harzes. Im Fall von Aluminiumoxid und einem Imidazolkatalysator und im Fall von kristallinem Siliciumdioxid und einem organischen Phosphorkatalysator (TPP), wie in den Vergleichsausführungsformen 2 und 3 der Tabelle 1, tritt dieses Phänomen nicht auf. Im Hinblick hierauf nimmt man an, daß dieses Phänomen zurückzuführen ist auf den Aktivitätsverlust des Aluminiumoxids und des organischen Phosphorkatalysator. Es gibt zahlreiche aktive Stellen an der Oberfläche des Aluminiumoxids, und man nimmt an, daß die aktiven Stellen den Katalysator ändern.
Daher betrifft die erste Ausführungsform ein Halbleiterbauelement vom Harzversiegelungstyp, worin ein Harz, das hauptsächlich ein Epoxyharz umfaßt, ein Aluminiumoxid und einen organischen Phosphor-Härtungskatalysator eingemischt enthält und verwendet wird, um ein Halbleiterchip abzudichten, wobei das Halbleiterbauelement vom Harzversiegelungstyp dadurch gekennzeichnet ist, daß das Aluminiumoxid mit einem Überzug versehen ist, der die oberflächenaktiven Stellen des Aluminiumoxids bedeckt.
Bei der ersten Ausführungsform bedeckt das Überzugsmittel die reaktionsaktiven Stellen des Aluminiumoxids, wird die Reaktion mit dem Katalysator unterdrückt und somit wird das Harz gehärtet.
Nachstehend werden detailliertere Ausführungsformen der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erklärt.
Wie in Fig. 1 gezeigt, besitzt ein Rahmen 1 auf ihm angeordnet ein einen Transistor bildendes Siliciumchip (Leistungsbauelement) und ein eine Kontrollschaltung bildendes Siliciumchip (Kontrollbauelement) 3. Die Bauelemente der Siliciumchips 2 und 3 sind elektrisch über die aus Aluminium hergestellte Verdrahtung 4 verbunden, während die Siliciumchips 2 nd 3 und der Rahmen 1 elektrisch durch die Verdrahtung 5 verbunden sind. Weiterhin sind die Siliciumchips 2 und 3 durch das Versiegelungsharz 6 integrierend gemacht. Wie in Tabelle 2 gezeigt, ist das Versiegelungsharz 6 eine Mischung des organischen Phosphorkatalysators Triphenylphosphin (TPP) und von Aluminiumoxid in einem Epoxyharz und Phenolharz umfassenden Basismaterial.
Tabelle 2
Weiterhin ist das Aluminiumoxid mit einem Epoxy-modifizierten Silankupplungsmittel überzogen, um eine Inhibierung der Härtung zu verhindern. Dieser Überzug wird gebildet, indem man Aluminiumoxidpulver in einer Lösung des Epoxy-modifizierten Silankupplungsmittels dispergiert und hiernach eine Wärmebehandlung zur Trocknung desselben durchführt. Jede Methode zum Überziehen des Aluminiumoxids kann verwendet werden, solange mit dieser die oberflächenaktiven Stellen bedeckt werden, z. B. wird Gebrauch gemacht von einem Überziehen mit Silicon- oder anderen Harzen, einem Überziehen mit Siliciumdioxid oder anderen keramischen Materialien, etc.
Fig. 2 zeigt die Beziehung zwischen der Lagerungsdauer und der Heißhärte, wenn das Harz nach der Herstellung (nach Mischen des Harzes und Füllstoffs) aufbewahrt und zur Versiegelung der Siliciumchips 2 und 3 verwendet wird. Aus dem Diagramm läßt sich ersehen, daß das Halbleiterbauelement der Ausführungsform gegenüber einer Inhibierung der Härtung wirksam ist. Als Grund hierfür nimmt man an, daß das Härtungsmittel mit den reaktionsaktiven Stellen des Aluminiumoxids kuppelt und die Reaktion mit dem Katalysator unterdrückt.
Weiterhin ist in Tabellen 1 und 2 und Fig. 2 und 4 der Härtungsgrad der Härtewert des Harzes, der mit einem ASTM Shore D-Härtemeßgerät gemessen wird, unmittelbar nachdem die Preßform nach 3minütigem Härten bei 175°C geöffnet wird.
Auf diese Weise wird bei dieser Ausführungsform das Aluminiumoxid mit einer Beschichtung versehen, die die oberfläçhenaktiven Stellen des Aluminiumoxids bedeckt. Als Ergebnis hiervon ist es möglich, Aluminiumoxid mit einem Film zur Unterdrückung der Reaktion mit dem Härtungskatalysator zu verwenden, Aluminiumoxid - einen Füllstoff mit einer hohen Wärmeleitung, und einen organischen Phosphorkatalysator - einen im Hinblick auf die Feuchtigkeitsbeständigkeit überlegenen Katalysator, zu verwenden. Aufgrund dieser Tatsache besitzen die Siliciumchips 2 und 3 eine gute Wärmezerstreuung aus den Bauelementen und zeichnen sich weiterhin durch ihre überlegene Feuchtigkeitsbeständigkeit aus. Auch ist es möglich, eine Herabsetzung des Härtungsgrades des Harzes nach Mischen des Harzes und des Füllstoffs zu vermeiden. Insbesondere ist, wie in Fig. 1 gezeigt, wenn das Leistungsbauelement und das dieses kontrollierende Bauelement durch eine feine Aluminiumverdrahtung (Verdrahtung 4) verbunden sind, dieses Harz wirksam, da eine solch feine Aluminiumverdrahtung leicht korrodiert. Weiterhin wird, wie in Fig. 3 in einer Struktur gezeigt, in der eben ein ein Leistungsbauelement bildendes Siliciumchip 7 getragen wird, ein solches Harz vorzugsweise verwendet, um eine Korrosion der Aluminiumverdrahtung auf der Oberfläche des Bauelements zu verhindern.
Die zweite Ausführungsform beruht in einem Halbleiterbauelement vom Harzversiegelungs-Typ, worin ein hauptsächlich ein Epoxyharz enthaltendes Harz Aluminiumoxid und einen organischen Phosphor-Härtungskatalysator eingemischt enthält und zur Versiegelung eines Halbleiterchips verwendet wird, wobei das Halbleiterbauelement vom Harzversiegelungs-Typ dadurch gekennzeichnet ist, daß ein komplexierter organischer Phosphorkatalysator als der vorstehende Härtungskatalysator eingesetzt wird.
Bei der zweiten Ausführungsform wird die Reaktion zwischen dem Katalysator und dem Aluminiumoxid durch die Komplexierung des Katalysators unterdrückt, und es wird daher die Inhibierung der Härtung verhindert.
Als nächstes wird die zweite Ausführungsform erläutert.
Bei der ersten Ausführungsform nimmt, wie in Fig. 2 gezeigt, die Härtung ab, wenn das Harz Feuchtigkeit absorbiert. Dies bedeutet, wie Fig. 2 zeigt, daß, wenn man das Harz 10 Tage nach der Herstellung 0,1 Gew.-% Wasser absorbieren läßt, die Heißhärte von "86" auf "76" abfällt.
Daher wurde bei der zweiten Ausführungsform zusätzlich zu der Überzugsbehandlung der ersten Ausführungsform, wie in Tabelle 2 gezeigt, von Tetraphenylphosphoniumtetraphenylborat als komplexierter Härtungskatalysator Gebrauch gemacht. Als Ergebnis hiervon tritt, wie in Fig. 2 gezeigt, keine Inhibierung der Härtung und keine Verminderung der Härtung infolge von Feuchtigkeitsabsorption auf.
Als Grund hierfür nimmt man an, daß, wenn der Katalysator komplexiert ist, die Reaktion des Katalysators und des Aluminiumoxids durch die Liganden unterdrückt wird, so daß keine Inhibierung der Härtung stattfindet.
Weiterhin kann der Härtungskatalysator ein organisches Phosphorkomplexsalz sein, jedoch ist es notwendig, eines auszuwählen, bei dem keine Verminderung der Härtungscharakteristiken während der Formung stattfindet.
Auf diese Weise wurde bei der Ausführungsform von einem komplexierten organischen Phosphorkatalysator als Härtungskatalysator des Epoxyharzes Gebrauch gemacht. Als Ergebnis aufgrund der Verwendung des komplexierten organischen Phosphorhärtungsmittels ist es möglich, gleichzeitig eine zufriedenstellende Wärmezerstreuung und Feuchtigkeitsbeständigkeit ohne eine katalytische Vergiftungswirkung des Aluminiumoxids zu erzielen und eine Verminderung des Härtungsgrades des Harzes nach dem Mischen des Harzes mit dem Füllstoff zu vermeiden.
Die Tabellen 1 und 2 zeigen die Ergebnisse unter Verwendung der Harze des Standes der Technik und der vorliegenden Erfindung für die Bewertung von Produkten der Struktur von Fig. 1. Die Wärmezerstreuung aus dem Leistungsbauelement wurde durch thermischen Widerstand gemessen. Weiterhin wurde die Feuchtigkeitsbeständigkeit durch die Versuchsdauer bis zur Korrosion und zum Bruch der feinen Aluminiumverdrahtung (⌀ 50 µm), die das Leistungsbauelement und das Kontrollbauelement verbindet, in einem Druckkocher-Elektrifizierungstest (121°C, 100%, 20 V) gemessen. Im Gegensatz zu den Vergleichsbeispielen der Tabelle 1 war es bei den erfindungsgemäßen Beispielen in Tabelle 2 möglich, gleichzeitig hin hohem Ausmaß die geringe Wärmebeständigkeit (Wärmeabfluß) und Feuchtigkeitsbeständigkeit zu verbessern und eine größere Betriebssicherheit des Produkts dieser Struktur sicherzustellen.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die vorstehenden Ausführungsformen beschränkt. Beispielsweise ist es möglich, in anderen Materialien außer Aluminiumoxid, wie Quarzglas, kristallinem Siliciumdioxid, etc., zu mischen. Insbesondere ist es erwünscht, in Quarzglas zu mischen, um die Spannung herabzusetzen.
Weiterhin wird als Epoxyharz von irgendeinem o-Kresol­ novolak-Epoxyharz, Bisphenol-Epoxyharz oder anderem Epoxyharz Gebrauch gemacht. Auch ist es, um die Spannung zu erniedrigen, wünschenswert, das Siliconharz etc. in dem Epoxyharz zu dispergieren.
Die dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besteht in einer Epoxyharzzusammensetzung, die die Formulierung als Härtungsbeschleuniger einer Organophosphorverbindung der nachstehenden Formel (1) zu einer Epoxyzusammensetzung umfaßt, welche ein Epoxyharz, ein Phenolharz- Härtungsmittel und als anorganischen Füllstoff Aluminiumoxid enthält,
worin X für ein Wasserstoffatom oder eine Methoxygruppe steht.
Dies bedeutet, daß der Erfinder auffand, daß selbst bei Verwendung von Aluminiumoxid als anorganischer Füllstoff die beispielsweise durch die vorstehende Formel (1) dargestellte, spezifische organische Organophosphorverbindung im Gegensatz zu Triphenylphosphin keinen Abfall bei den Härtungscharakteristiken nach Absorption von Feuchtigkeit herbeiführt und weiterhin eine ausreichende katalytische Wirkung lediglich bei der während des Pressens erreichten Erhitzungstemperatur zeigt, so daß keine Härtung während des Heißmischens mit dem Epoxyharz, Härtungsmittel und anderen Komponenten und während der sich anschließenden Lagerung stattfindet, gleichbedeutend mit einer überlegenen Lagerungsstabilität, und weiterhin eine rasche Härtung während des Heißpressens erlaubt und ein gehärtetes Produkt mit merklich verbesserter Feuchtigkeitsbeständigkeit in einem Zustand angelegter Spannung ergibt. Daher zeigt die Epoxyharzzusammensetzung, die Aluminiumoxid und die durch die Formel (1) dargestellte organische Phosphorverbindung verwendet, effektiv die Vorteile sowohl des Aluminiumoxids als auch der organischen Phosphorverbindung, ist hinsichtlich der hohen Wärmeleitung und der geringen Spannungscharakteristiken überlegen und ergibt ein gehärtetes Produkt mit ausgezeichneten thermischen, elektrischen, mechanischen und chemischen Charakteristiken, insbesondere mit dem bemerkenswerten Effekt, daß eine mit der Epoxyharzzusammensetzung versiegelte, integrierte Schaltung (IC) gegenüber einem Bruch der Aluminumverdrahtung selbst unter Bedingungen hoher Temperatur und Feuchtigkeit in einem Zustand angelegter Spannung beständig ist.
Weiterhin wurde gefunden, daß durch Mischen in einem siliconmodifizierten Epoxyharz oder einem siliconmodifizierten Phenolharz von Polymeren, bei denen eine SiH- Gruppe einer Organosiliciumverbindung der folgenden, allgemeinen Formel (2)
HaR¹bSiO₂-(a+b)/2 (2)
worin R¹ für eine substituierte oder unsubstituierte, einwertige Kohlenwasserstoffgruppe steht, a und b positive ganze Zahlen sind, die der Beziehung von 0,01 a1, 1b3, 1a+b<4 genügen, die Anzahl der Siliciumatome in einem Molekül eine ganze Zahl von 20 bis 400 ist und die Anzahl der direkt an die Siliciumatome gekuppelten Wasserstoffatome in einem Molekül eine ganze Zahl von 1 oder mehr ist, an die Alkenylgruppe eines eine Alkenylgruppe enthaltenden Epoxyharzes oder eine Alkenylgruppe enthaltenden Phenolharzes addiert wird, es möglich ist, ausgezeichnete Spannungscharakteristiken zu erhalten, während der vorstehende Effekt, auf den hin die vorliegende Erfindung fertiggestellt wurde, erreicht wird.
Daher schafft die vorliegende Erfindung eine Epoxyharzzusammensetzung, gekennzeichnet durch Mischen als wesentliche Komponenten die folgenden:
  • (1) ein Epoxyharz,
  • (2) ein phenolisches Härtungsmittel,
  • (3) einen Härtungsbeschleuniger der Formel (1) und
  • (4) Aluminiumoxid,
insbesondere eine Epoxyharzzusammensetzung, die das vorstehend erwähnte, siliconmodifizierte Epoxyharz oder siliconmodifizierte Phenolharz als die vorstehend erwähnten Komponenten (1) und (2) eingemischt enthält, und gehärtete Produkte hiervon.
Nachstehend, wo die vorliegende Erfindung eingehender erläutert wird, unterliegt das Epoxyharz der ersten wesentlichen Komponente, das für die Epoxyharzzusammensetzung der vorliegenden Erfindung verwendet wird, keiner besonderen Einschränkung, solange es zumindest eine, insbesondere zwei oder mehr, Epoxygruppen in einem Molekül aufweist. Beispielsweise können erwähnt werden: ein Epoxyharz vom Bisphenol-Typ, ein alicyclisches Epoxyharz, ein Epoxyharz vom Phenolnovolak-Typ, ein Epoxyharz vom Kresolnovolak-Typ, ein Epoxyharz vom Triphenolmethan- Typ, ein einen Naphthalinring enthaltendes Epoxyharz, ein eine Aralkylgruppe enthaltendes Epoxyharz, etc. Diese können allein oder in Mischung von zwei oder mehreren eingesetzt werden.
Es ist bevorzugt, als bei der vorliegenden Erfindung verwendetes Epoxyharz eines mit einem Gehalt an in diesem eingeschlossenen organischen Säuren von 100 ppm oder weniger, vorzugsweise 20 ppm oder weniger, Chlorionen von 2 ppm oder weniger, insbesondere 1 ppm oder weniger, und einem Gehalt an hydrolysierendem Chlor von 500 ppm oder weniger, insbesondere 300 ppm oder weniger, zu verwenden. Selbst wenn eine dieser Bedingungen nicht erfüllt ist, verschlechtert sich zuweilen die Feuchtigkeitsbeständigkeit.
Als nächstes unterliegt das phenolische Härtungsmittel (Phenolharz) der zweiten wesentlichen Komponente hinsichtlich der Struktur keiner speziellen Einschränkung, solange es zumindest zwei phenolische Hydroxylgruppen in dem Molekül aufweist. Beispielsweise können zweckmäßig ein Phenolnovolakharz, Kresolnovolakharz, Naphthalharz, Aralkylphenolharz, Triphenolharz, etc. verwendet werden. Ebenso wie bei dem vorstehenden Epoxyharz ist es bevorzugt, daß das freie Na und Cl in dem Phenolharz geringer als 2 ppm im Hinblick auf die Feuchtigkeitsbeständigkeit des Halbleiters gehalten werden. Weiterhin tritt, wenn die Menge an Phenol des Monomeren, das in diesem enthalten ist, d. h. das freie Phenol, mehr als 1% beträgt, trägt, eine schädliche Wirkung hinsichtlich der vorstehend genannten Feuchtigkeitsbeständigkeit auf, und es neigen bei Herstellung eines geformten Produkts mit Hilfe der Zusammensetzung Lücken, nichtfüllende Einsackstellen und andere Effekte in dem geformten Produkt aufzutreten, so daß die Menge an freiem Phenol vorzugsweise geringer als 1% gehalten wird. Weiterhin ist es vom Standpunkt der Feuchtigkeitsbeständigkeit des Halbleiters her, effektiv, wenn die Menge der Ameisensäure oder anderen organischen Säure, die durch die Cannizzaro-Reaktion einer geringfügigen Menge an zum Zeitpunkt der Herstellung des Phenolharzes verbliebenem Formaldehyd gebildet wird, geringer als 100 ppm ist.
Ferner besitzt das Phenolharz eine niedrigere Glasübergangstemperatur (Tg), wenn der Erweichungspunkt geringer als 80°C wird, so daß die Wärmebeständigkeit zuweilen schlechter wird. Ist der Erweichungspunkt höher als 120°C, wird die Schmelzviskosität der Epoxyharzzusammensetzung hoch und in einigen Fällen verschlechtert sich die Verarbeitbarkeit. In beiden Fällen neigt die Feuchtigkeitsbeständigkeit zu einer Verschlechterung, so daß der Erweichungspunkt des Phenolharzes vorzugsweise in einem Bereich von 80 bis 120°C gehalten wird.
Es sei bemerkt, daß der bevorzugtere Bereich des freien Phenols in dem Phenolharz 0,3% oder weniger ist, der bevorzugtere Bereich der Menge der organischen Säuren 30 ppm oder weniger beträgt und der bevorzugtere Bereich des Erweichungspunkts des Phenolharzes 90 bis 110°C beträgt. Durch Einstellung dieses Bereichs ist es möglich, zuverlässiger das Ziel der vorliegenden Erfindung zu erreichen.
Weiterhin enthält die erfindungsgemäße Zusammensetzung vorzugsweise in ihr eingemischt ein siliconmodifziertes Phenolharz und/oder siliconmodifziertes Epoxyharz, wodurch die Feuchtigkeitsbeständigkeit in einem Zustand unter angewandter Spannung sich stärker erhöht, und es kann eine ein gehärtetes Produkt mit einem niedrigen, linearen Expansionskoeffizienten und einem niedrigen Elastizitätsmodul ergebende Zusammensetzung erhalten werden.
Das siliconmodifizierte Phenolharz oder das siliconmodifizierte Epoxyharz ist ein Polymeres, bei dem eine SiH- Gruppe einer Organosiliciumverbindung der folgenden allgemeinen Formel (2)
HaR¹bSiO₂2-(a+b)/2 (2)
worin R¹ eine substituierte oder unsubstituierte, einwertige Kohlenwasserstoffgruppe, vorzugsweise eine Methylgruppe, Ethylgruppe oder andere Alkylgruppe mit 1 bis 3 Kohlenstoffatomen, eine Phenylgruppe oder andere Arylgruppe mit 6 bis 10 Kohlenstoffatomen,
andere Gruppen, bei denen ein oder mehrere Wasserstoffatome dieser Gruppen substituiert sind mit einem Halogenatom, und C₂H₄Si(OCH₃)₃, -C₃H₆Si(OCH₃)₃, -C₂H₄Si(OC₂H₅)₃, -C₂H₄Ci(CH₃)(OCH₃)₂ oder eine andere Gruppe, bei der einige der Wasserstoffatome mit einer Alkoxygruppe substituiert sind, bedeutet, a und b positive Zahlen sind, die den Beziehungen 0,01a1, vorzugsweise 0,03 a0,5, 1,1b3, vorzugsweise 1,95b2,05, 1 a+b<4, vorzugsweise 1,8a+b2,4, genügen, die Anzahl der Siliciumatome in einem Molekül eine ganze Zahl von 20 bis 400 ist und die Anzahl der direkt an die Siliciumatome in einem Molekül geknüpften Wasserstoffatome eine ganze Zahl von 1 oder mehr, vorzugsweise 1 bis 5, ist, an die Alkenylgruppe eines Alkenylgruppen-haltigen Epoxyharzes oder an Alkenylgruppen-haltigen Phenolharzes addiert ist.
In diesem Fall wird als Alkenylgruppen-haltiges Epoxyharz oder Alkenylgruppen-haltiges Phenolharz zweckmäßiger Gebrauch gemacht von dem Alkenylgruppen-haltigen Epoxyharz oder Phenolharz der folgenden Formel (3). Das Additionspolymere hiervon mit der Organosiliciumverbindung der vorstehenden Formel (2) ist wirksam.
worin R² für -OCH₂CH-CH₂ oder eine Hydroxygruppe steht, p und q ganze Zahlen der Beziehung 0p10, 1q 3 sind und R³ ein Wasserstoffatom oder eine Methylgruppe bedeutet.
In diesem Fall besitzt das vorstehende, siliconmodifzierte Epoxyharz oder Phenolharz vorzugsweise einen Gehalt an hydrolysierendem Chlor von 500 ppm oder weniger, freie Na- und Cl-ionen von jeweils 2 ppm oder weniger und einen Gehalt an organischen Säuren von 100 ppm oder weniger. Überschreitet der Gehalt an hydrolysierendem Chlor, freien Na- und Cl-ionen und organischen Säuren die vorstehenden Werte, verschlechtert sich die Wärmebeständigkeit des versiegelten Halbleiterbauelements.
Das vorstehende siliconmodifizierte Epoxyharz oder Phenolharz kann allein oder in einer Mischung eingemischt sein, vorzugsweise 5 bis 70 Teile (Gew.-Teile, das gleiche gilt nachstehend), insbesondere 8 bis 50 Teile je 100 Teile der Gesamtheit des in die Zusammensetzung eingemischten Epoxyharzes und Härtungsmittels. Ist die Menge des siliconmodifizierten Epoxyharzes oder Phenolharzes geringer als 5 Teile, ist es schwierig, ausreichend niedrige Spannungscharakteristiken zu erzielen, und über 70 Teilen fällt in einigen Fällen die mechanische Festigkeit des geformten Produkts ab.
Bei der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, die Epoxyharze und Phenolharze einschließlich der siliconmodifizierten Epoxyharze oder Phenolharze so einzustellen, daß das Molverhältnis (a/b) zwischen den Epoxygruppen (a) der Epoxyharze und den phenolischen Hydroxylgruppen (b) der Phenolharze im Bereich von 0,8 bis 1,5, vorzugsweise 0,9 bis 1,5, liegt. Wird das Molverhältnis der beiden Gruppen geringer als 0,8, verschlechtern sich die Härtungscharakteristiken der Zusammensetzung, und die Glasübergangstemperatur (Tg) des geformten Produkts und die Wärmebeständigkeit fällt, während bei einem Wert von höher als 1,5 sich die Glasübergangstemperatur des geformten Produkts und die elektrischen Eigenschaften verschlechtern.
Als nächstes verwendet die erfindungsgemäße Zusammensetzung als Härtungsbeschleuniger die organische Phosphorverbindung der folgenden allgemeinen Formel (1), insbesondere (1a) und (1b):
worin X für ein Wasserstoffatom oder eine Methoxygruppe steht,
Dies bedeutet, daß von einer tertiären organischen Phosphinverbindung mit in 2-Stellung und in 6-Stellung des Triphenylphosphins eingeführten Methoxygruppen oder einer tertiären organischen Phosphinverbindung mit einer in der 4-Stellung zusätzlich zu der 2- und der 6-Stellung eingeführten Methoxygruppe Gebrauch gemacht wird. Mit anderen Verbindungen, z. B. Triphenylphosphin mit keiner eingeführten Methoxygruppe oder Triphenylphosphin mit einer lediglich in der 4-Stellung eingeführten Methoxygruppe, kann das Ziel der vorliegenden Erfindung nicht erreicht werden.
Ferner kann bei der vorliegenden Erfindung die Verbindung der Formel (1) allein als Härtungsbeschleuniger eingesetzt werden, jedoch ist es auch möglich, sie mit einem anderen Härtungsbeschleuniger zu verwenden. Als anderer Härtungsbeschleuniger wird insbesondere vom Standpunkt der Feuchtigkeitsbeständigkeit der Zusammensetzung her insbesondere 1,8-Diazabicyclo-7-undecen verwendet.
Die Menge der eingemischten Verbindung der Formel (1) beträgt vorzugsweise 1 bis 10 Teile, insbesondere 0,3 bis 5 Teile, bezogen auf 100 Teile der Gesamtheit des als erste Komponente verwendeten Epoxyharzes und des als zweite Komponente verwendeten phenolischen Härtungsmittels (z. B. Phenolharz). Ist die Menge geringer als 0,1 Teil, verschlechtern sich die Härtungscharakteristiken in einigen Fällen, während oberhalb 10 Teile die Lagerungsstabilität und die Feuchtigkeitsbeständigkeit in einigen Fällen schlechter werden. Es sei bemerkt, daß auch bei Verwendung von 1,8-Diazabicyclo-7-undecen es bevorzugt ist, 0,02 bis 2 Teile 1,8-Diazabicyclo-7- undecen, bezogen auf 1 Teil der Verbindung der Formel (1), einzusetzen.
Als nächstes wird bei der vorliegenden Erfindung Aluminiumoxid als anorganischer Füllstoff eingemischt, um niedrige Expansionscharakteristiken und eine hohe Wärmeleitung zu verleihen. Die Form des Aluminiumoxids unterliegt keiner speziellen Einschränkung, jedoch ist diejenige einer sphärischen bzw. kugelförmigen oder nahezu sphärischen Gestalt bevorzugt. Die durchschnittliche Teilchengröße beträgt vorzugsweise 5 bis 75 µm, jedoch kann auch von Aluminiumoxid mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von 0,1 bis 5 µm in einem Bereich, der 30% der Gesamtheit des anorganischen Füllstoffs nicht überschreitet, Gebrauch gemacht werden.
Weiterhin ist als Aluminiumoxid ein solches mit einem Natrium-, Chlor- oder anderen Verunreinigungsgehalt von 10 ppm oder geringer, insbesondere von 5 ppm oder geringer, bevorzugt. Es sei bemerkt, daß entsprechend den Erfordernissen Gebrauch gemacht werden kann, zusammen mit Aluminiumoxid, von einem anderen anorganischen Füllstoff, wie Aluminiumnitrid. Auch in diesem Fall ist es notwendig, den Gehalt an Aluminiumoxid in dem gesamten anorganischen Füllstoff bei zumindest 30 Gew.-% zu halten, um das Ziel der vorliegenden Erfindung zu erreichen.
Weiterhin unterliegt die Menge des in der Zusammensetzung enthaltenen anorganischen Füllstoffs keiner speziellen Einschränkung, jedoch ist es bevorzugt, wenn dieser zumindest 60% der Zusammensetzung als Ganzes beträgt.
Es sei bemerkt, daß der anorganische Füllstoff zuvor mit einem Silankupplungsmittel behandelt werden kann. In diesem Fall kann als für die Behandlung verwendetes Silankupplungsmittel ein eine hydrolysierende Restgruppe enthaltendes Silan, wie durch die folgende Strukturformel (4) gezeigt:
R⁴4-cSi(OR⁵)c (4)
eingesetzt werden. In der vorstehenden Formel kann als R⁴ ein Wasserstoffatom, eine Methylgruppe, Ethylgruppe, Propylgruppe, Phenylgruppe oder andere nicht-funktionelle Alkylgruppen, Alkenylgruppen, Arylgruppen und weiterhin die folgenden mit Epoxy-, Amino-, Acryl-, Alkenyl- und Acylfunktionen
worin R⁶, R⁷=H, CdH₂d+1 oder C₆H₅CH₂ und d=ganze Zahl von 1 bis 6,
CH₂=C(R⁸)COO(CH₂)n-
worin R⁸=H oder CH₃, n=ganze Zahl von 1 bis 3,
CH₂=CH(CH₂)m-
worin m=ganze Zahl von 0 bis 4,
HOCC(CH₂)₁-
worin 1=ganze Zahl von 2 bis 18,
genannt werden.
Andererseits kann als R⁵ eine Alkylgruppe, Alkenylgruppe, Arylgruppe, Carbonylgruppe, etc. erwähnt werden. Die Methylgruppe, Ethylgruppe, Isopropylgruppe, etc. ist unter diesen am häufigsten. Weiterhin beträgt c 1 bis 4, jedoch ist c vorzugsweise 3 oder 4.
Als Methode zur Behandlung des anorganischen Füllstoffs durch ein Silankupplungsmittel kann entweder von der Trockenmethode oder der Naßmethode Gebrauch gemacht werden. Die Trockenmethode bedeutet eine Kugelmühle, einen Henschel-Mischer, etc., während die Naßmethode das Mischen des Silankupplungsmittels in dem anorganischen Füllstoff in einem Lösungsmittel und Rühren desselben bedeutet. Die Menge an Silankupplungsmittel beträgt 0,001 bis 8 Teile/100 Teile des anorganischen Füllstoffs, vorzugsweise 0,01 bis 5 Teile. Ist die Menge an Silankupplungsmittel zu gering, tritt der Effekt der Behandlung, nämlich die Verbesserung der Feuchtigkeitsbeständigkeit, nicht auf, und ist sie zu hoch, führen umgekehrt die Grateigenschaften etc. in einigen Fällen zu einer Verschlechterung. Diese Silankupplungsmittel können in Mischungen von zwei oder mehreren verwendet werden. Weiterhin können solche eingesetzt werden, die zuvor partiell hydrolysiert worden sind. Als für die Naßmethode verwendetes Lösungsmittel können Toluol, Xylol und andere Kohlenwasserstoffe, Methanol, Ethanol, Isopropylalkohol und andere Alkohole, Aceton, 2-Butanon und andere Ketone, Isopropylether, Tetrahydrofuran und andere Ether, etc. genannt werden. Verwendet werden können gleichzeitig auch Wasser und Zinn, Titan oder Aminverbindungen als Hydrolysebeschleuniger. Nach einer Behandlung in dieser Weise kann die Mischung in einem Heizofen bei einer Temperatur von 400 bis 1200°C oder ähnlich gesintert werden.
Die erfindungsgemäße Zusammensetzung kann weiterhin verschiedene Additivtypen, wie sie entsprechend dem Ziel ihres Einsatzes, ihrer Anwendung, etc. erforderlich sind, eingemischt enthalten. Beispielsweise besteht kein Problem, Wachse, Stearinsäure und andere Fettsäuren und Metallsalze hiervon und andere Farbstoff freigebende Mittel, Ruß und andere Pigmente, Farbstoffe, Flammverzögerungsmittel, Oberflächenbehandlungsmittel (γ- Glycidoxypropyltrimethoxysilan etc.), Anti-Alterungsmittel und andere Additive einzumischen.
Die erfindungsgemäße Zusammensetzung kann durch gleichförmiges Rühren und Mischen vorherbestimmter Mengen der vorstehend genannten Komponenten, Kneten des Entstandenen mit einer Walze, Kneter, etc., zuvor erhitzt auf 60 bis 95°C, Kühlen und anschließende Pulverisierung erhalten werden. Es sei bemerkt, daß die Reihenfolge des Mischens der Komponenten keiner speziellen Einschränkung unterliegt.
Die Epoxyharzzusammensetzung gemäß der vorliegenden Erfindung wird geeigneterweise zum Abdichten bzw. Versiegeln von IC′s, LSI′s, Transistoren, Thyristoren, Dioden und anderen Halbleiterbauelementen, der Herstellung von Leiterplatten, etc. eingesetzt. Es sei angemerkt, daß es bei der Versiegelung eines Halbleiterbauelements möglich ist, von üblicherweise angewandten Preß- bzw. Formmethoden Gebrauch zu machen, wie dem Transferpressen, Spritzguß, Gießen, etc. In diesem Fall wird die Epoxyharzzusammensetzung vorzugsweise bei einer Temperatur von 150 bis 180°C geformt bzw. gepreßt und bei 150 bis 180°C während 2 bis 16 Stunden nachgehärtet.
Beispiele
Die vorliegende Erfindung wird nun im einzelnen unter Bezugnahme auf die folgenden Beispiele und Vergleichsbeispiele erläutert, jedoch ist sie nicht auf diese Beispiele beschränkt. In den Beispielen und Vergleichsbeispielen bedeuten die "Teile" "Gewichtsteile".
Beispiele 1 bis 4 und Vergleichsbeispiele 1 bis 4
50 Teile eines siliconmodifizierten Epoxyharzes, ein Additionsreaktionsprodukt des Alkenylgruppen-haltigen Epoxyharzes der folgenden Formel (5) und der durch die folgende Formel (6) dargestellten Organosiliciumverbindung, 13 Teile Epoxyharz vom Kresolnovolak-Typ mit einem Epoxyäquivalent von 230, 5 Teile bromidiertes Epoxyharz mit einem Epoxyäquivalent von 280, 32 Teile Phenolnovolakharz mit einem Phenoläquivalent von 100, 1,5 Teile Carnaubauwachs, 1,5 Teile γ-Glycidoxypropyltrimethoxysilan, 1,2 Teile Ruß und die anorganischen Füllstoffe und Härtungsbeschleuniger, wie sie in Tabelle 3 angegeben sind, wurden mit Hilfe einer Warmwalze von 70 bis 80°C geknetet, und das entstandene Produkt wurde abgekühlt und pulverisiert, um die Epoxyharzzusammensetzung zu ergeben.
worin Zahlen in der Formel Durchschnittswerte sind.
Härte, Glasübergangstemperatur, linearer Expansionkoeffizient, Wärmeleitfähigkeit und Korrosionsrate der Aluminiumverdrahtung (Feuchtigkeitsbeständigkeit der Leitstungs- IC) dieser Epoxyharzzusammensetzungen wurden nach den folgenden Methoden ermittelt. Die Ergebnisse finden sich in Tabelle 1.
Härte
Die Warmhärte nach 2minütigem Pressen bei 175°C/70 kg · cm² unter Verwendung einer Transferpreßmaschine wurde mit Hilfe eines Bacall Härtemessers 935 gemessen.
Es sei bemerkt, daß der direkt nach der Herstellung der Epoxyharzzusammensetzung gemessene Wert als Anfangshärte verwendet wurde, und die Härte der Zusammensetzung, die zu einer Feuchtigkeitsabsorption nach der Herstellung gezwungen wurde und einen Feuchtigkeitsgehalt von 0,15 Gew.-% aufwies, wurde als Feuchtigkeitsabsorptionshärte verwendet.
Linearer Expansionskoeffizient und Glasübergangstemperatur
Der Wert wurde unter Verwendung eines 4 mm⌀×15 mm Teststücks unter Temperaturerhöhung mit einer Geschwindigkeit von 5°C/min mit Hilfe eines Dilatometers gemessen.
Wärmeleitfähigkeit
Ein 50 mm⌀×6 mm Teststück wurde zwischen eine obere Heizvorrichtung und Kalorimeter und eine untere Heizvorrichtung in einer Sandwichanordnung eingebracht, hiermit bei einem konstanten Druck durch Luftdruck gebracht, und die Temperaturdifferenz zwischen den beiden Seiten des Teststücks nach Erreichen eines beständigen Zustands bei 50°C und der Output des Kalorimeters wurden verwendet, um automatisch die Wärmeleitfähigkeit zu berechnen. Die Wärmeleitfähigkeit ergab sich aus dem Produkt der Wärmeleitung und der Dicke des Teststücks.
Aluminiumkorrosionstest
Einhundert 14-Stift IC′s mit einer Aluminiumverdrahtung auf dem Chip wurden mit Hilfe einer Transferpreßmaschine gebildet. Die Preßlinge wurde 4 Stunden bei 180°C nachgehärtet, wonach eine Spannung von 20 V angelegt wurde. Die IC′s ließ man in diesem Zustand in einem Testtank von 130°C und 85%iger relativer Feuchtigkeit während 1000 Stunden stehen, wonach man das Brechen der Aluminiumverdrahtung untersuchte, um eine Bewertung des Anschlusses (n=20) vorzunehmen.
Tabelle 3
Aus den Ergebnissen der Tabelle 3 läßt sich entnehmen, daß bei Verwendung von Triphenylphosphin als Härtungsbeschleuniger und auch bei Verwendung von Aluminiumoxid (Vergleichsbeispiel 1) die Feuchtigkeitsabsorptionshärte schlecht ist, die Glasübergangstemperatur niedrig ist und eine schlechte Aluminiumkorrosion besteht. Wird ein Imidazol als Härtungsbeschleuniger (Vergleichsbeispiel 2) verwendet, ist die Korrosion des Aluminiums extrem schlecht. Weiterhin ist bei Verwendung von Quarzglas als anorganischem Füllstoff (Vergleichsbeispiel 3) der lineare Expansionskoeffizient niedrig, jedoch ist die Wärmeleitfähigkeit schlecht und die Korrosion des Aluminiums ist auch schlecht. Weiterhin ist bei Verwendung von kristallinem Siliciumdioxid als anorganischem Füllstoff (Vergleichsbeispiel 4) der lineare Expansionskoeffizient groß und als Ergebnis die Korrosion des Aluminiums schlecht.
Im Gegensatz hierzu besitzen die Zusammensetzungen (Beispiele) der vorliegenden Erfindung unter Verwendung von Aluminiumoxid als anorganischem Füllstoff und unter Verwendung der organischen Phosphorverbindung der Formel (1) als Härtungsbeschleuniger eine gute Feuchtigkeitsabsorptionshärte, eine hohe Glasübergangstemperatur und einen niedrigen linearen Expansionskoeffizienten und weiterhin eine hohe Wärmeleitfähigkeit, ist so hinsichtlich niedriger Spannungscharakteristiken und im Hinblick auf die Aluminiumkorrosion überlegen, wie gezeigt wurde.
Wie vorstehend erklärt, besitzt die erfindungsgemäße Epoxyharzzusammensetzung ausgezeichnete Lagerungsstabilität und ist versehen sowohl mit niedrigen Spannungscharakteristiken als auch mit einer hohen Wärmeleitung, weist ausgezeichnete thermische, elektrische, mechanische und chemische Charakteristiken auf, ergibt insbesondere ein gehärtetes Produkt, das hinsichtlich Feuchtigkeitsbeständigkeit in einem Zustand angelegter Spannung überlegen ist und ist geeignet zum Versiegeln von Halbleiterbauelementen.

Claims (12)

1. Epoxyharzzusammensetzung, umfassend (1) ein Epoxyharz, (ii) ein phenolisches Härtungsmittel, (iii) einen Organophosphor-Härtungsbeschleuniger, (iv) Aluminiumoxid und (v) Trennmittel zur Trennung des Organophosphor- Härtungsmittels und des Aluminiumoxids.
2. Epoxyharzzusammensetzung, umfassend (1) ein Epoxyharz, (ii) ein phenolisches Härtungsmittel, (iii) einen Organophosphor-Härtungsbeschleuniger, (iv) Aluminiumoxid, wobei die Oberfläche des Aluminiumoxids mit einem Überzugsmittel überzogen ist.
3. Epoxyharzzusammensetzung gemäß Anspruch 2, worin das Überzugsmittel ein Epoxy-modifiziertes Silankupplungsmittel ist.
4. Epoxyharzzusammensetzung gemäß Anspruch 2, worin das Überzugsmittel ein Siliconharz ist.
5. Epoxyharzzusammensetzung gemäß Anspruch 2, worin das Überzugsmittel ein Keramikmaterial ist.
6. Epoxyharzzusammensetzung, umfassend (1) ein Epoxyharz, (ii) ein phenolisches Härtungsmittel, (iii) einen komplexierten Organophosphor-Härtungsbeschleuniger und (iv) Aluminiumoxid.
7. Epoxyharzzusammensetzung, umfassend
  • (i) ein Epoxyharz,
  • (ii) ein phenolisches Härtungsmittel,
  • (iii) einen Härtungsbeschleuniger der Formel (1) worin X für ein Wasserstoffatom oder eine Methoxygruppe steht, und
  • (iv) Aluminiumoxid.
8. Epoxyharzzusammensetzung gemäß Anspruch 7, worin der Härtungsbeschleuniger Tris-(2,6-dimethoxyphenyl)- phosphin ist.
9. Epoxyharzzusammensetzung gemäß Anspruch 7, worin der Härtungsbeschleuniger Tris-(2,4,6-dimethoxyphenyl)- phosphin ist.
10. Epoxyharzzusammensetzung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, worin das Epoxyharz ein Silicon-modifiziertes Epoxyharz ist, bei dem eine SiH-Gruppe einer Organosiliciumverbindung der Formel (2) HaR¹bSiO2-(a+b)/2 (2)worin R¹ eine substituierte oder unsubstituierte, einwertige Kohlenwasserstoffgruppe, bedeutet, a und b positive Zahlen sind, die den Beziehungen 0,01a1, 1b3, 1a+b<4 genügen, die Anzahl der Siliciumatome in einem Molekül eine ganze Zahl von 20 bis 400 ist und die Anzahl der direkt an die Siliciumatome geknüpften Wasserstoffatome in einem Molekül eine ganze Zahl von 1 oder mehr ist, an die Alkenylgruppe eines Alkenylgruppen-haltigen Epoxyharzes addiert ist.
11. Epoxyharzzusammensetzung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, worin das Phenol-Härtungsmittel ein Silicon-modifiziertes Phenolharz ist, in dem eine SiH-Gruppe einer Organosiliciumverbindung der Formel (2) HaR¹bSiO2-(a+b)/2 (2)worin R¹ eine substituierte oder unsubstituierte, einwertige Kohlenwasserstoffgruppe, bedeutet, a und b positive Zahlen sind, die den Beziehungen 0,01a1, 1b3, 1a+b<4 genügen, die Anzahl der Siliciumatome in einem Molekül eine ganze Zahl von 20 bis 400 ist und die Anzahl der direkt an die Siliciumatome geknüpften Wasserstoffatome in einem Molekül eine ganze Zahl von 1 oder mehr ist, an die Alkenylgruppe eines Alkenylgruppen-haltigen Epoxyharzes addiert ist.
12. Gehärtetes Produkt, erhalten durch Härten der Epoxyharzzusammensetzung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11.
DE19924210127 1991-03-27 1992-03-27 Epoxyharzzusammensetzung und gehärtetes Produkt hiervon Expired - Lifetime DE4210127C2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6335191A JP2921800B2 (ja) 1991-03-27 1991-03-27 樹脂封止型半導体装置
JP3273100A JP2817474B2 (ja) 1991-09-25 1991-09-25 エポキシ樹脂組成物及び硬化物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4210127A1 true DE4210127A1 (de) 1992-10-01
DE4210127C2 DE4210127C2 (de) 2001-09-13

Family

ID=26404457

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19924210127 Expired - Lifetime DE4210127C2 (de) 1991-03-27 1992-03-27 Epoxyharzzusammensetzung und gehärtetes Produkt hiervon

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5362775A (de)
DE (1) DE4210127C2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004039693A1 (de) * 2004-08-16 2006-02-23 Infineon Technologies Ag Chipmodul

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5491185A (en) * 1993-05-14 1996-02-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Epoxy self-priming topcoats
US5854316A (en) * 1995-07-10 1998-12-29 Toray Industries, Inc. Epoxy resin composition
JP3516789B2 (ja) * 1995-11-15 2004-04-05 三菱電機株式会社 半導体パワーモジュール
DE60019046T2 (de) 1999-01-29 2006-02-02 Arakawa Chemical Industries, Ltd. Härter für epoxidharze, epoxidharzzusammensetzung und verfahren zur herstellung von silan-modifiziertem phenolharz
US6376923B1 (en) * 1999-06-08 2002-04-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Flip-chip type semiconductor device sealing material and flip-chip type semiconductor device
US6500891B1 (en) 2000-05-19 2002-12-31 Loctite Corporation Low viscosity thermally conductive compositions containing spherical thermally conductive particles
TWI314153B (en) * 2002-07-12 2009-09-01 Mitsui Chemicals Inc Process for production of oxyalkylene derivative
US6822341B1 (en) * 2002-12-19 2004-11-23 Henkel Corporation Latent catalysts for molding compounds
JP4250996B2 (ja) * 2003-03-28 2009-04-08 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
KR100671129B1 (ko) 2004-12-24 2007-01-17 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
DE102005019860B4 (de) * 2005-04-28 2010-11-18 Siemens Ag Steuerbare Halbleiterdiode, elektronisches Bauteil und Spannungszwischenkreisumrichter
JP5388409B2 (ja) * 2006-09-28 2014-01-15 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物およびその硬化物
KR20100028384A (ko) * 2008-09-04 2010-03-12 삼성전기주식회사 복합체 및 그의 제조방법
JP5891375B2 (ja) * 2011-07-29 2016-03-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光起電力モジュール
JP6300744B2 (ja) * 2015-02-27 2018-03-28 信越化学工業株式会社 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
EP3499560B1 (de) * 2017-12-15 2021-08-18 Infineon Technologies AG Halbleitermodul und verfahren zu dessen herstellung

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6253325A (ja) * 1985-08-30 1987-03-09 Shin Etsu Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物
US4732702A (en) * 1986-02-13 1988-03-22 Hitachi Chemical Company, Ltd. Electroconductive resin paste
JPS62223218A (ja) * 1986-03-25 1987-10-01 Toshiba Corp エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置
JPS62240313A (ja) * 1986-04-09 1987-10-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体封止用樹脂
JPS6370446A (ja) * 1986-09-11 1988-03-30 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JPS63160254A (ja) * 1986-12-23 1988-07-04 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2811784B2 (ja) * 1988-09-09 1998-10-15 三菱化学株式会社 樹脂組成物
US5001174A (en) * 1988-12-08 1991-03-19 Sumitomo Bakelite Company Limited Epoxy resin composition for semiconductor sealing employing triphenylmethane based novolac epoxy resin
US5137940A (en) * 1989-02-09 1992-08-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Semiconductor encapsulating epoxy resin compositions
JPH02294354A (ja) * 1989-05-08 1990-12-05 Toagosei Chem Ind Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
MY107113A (en) * 1989-11-22 1995-09-30 Sumitomo Bakelite Co Epoxy resin composition for semiconductor sealing.
JP2767310B2 (ja) * 1990-02-16 1998-06-18 油化シエルエポキシ株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP2918328B2 (ja) * 1990-11-26 1999-07-12 株式会社デンソー 樹脂の選定方法及びこの選定方法により選定された樹脂を有する樹脂封止型半導体装置
JPH06325010A (ja) * 1993-05-10 1994-11-25 Ricoh Co Ltd パルス密度型ニューラルネットワークの学習方法及びその装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004039693A1 (de) * 2004-08-16 2006-02-23 Infineon Technologies Ag Chipmodul
US7397140B2 (en) 2004-08-16 2008-07-08 Infineon Technologies Ag Chip module
DE102004039693B4 (de) * 2004-08-16 2009-06-10 Infineon Technologies Ag Vergussmasse, Chipmodul und Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls

Also Published As

Publication number Publication date
US5362775A (en) 1994-11-08
DE4210127C2 (de) 2001-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3889950T2 (de) Epoxyharzzusammensetzung.
DE4210127C2 (de) Epoxyharzzusammensetzung und gehärtetes Produkt hiervon
DE3854031T2 (de) Härtbare Harzzusammensetzung, die Siloxankautschuk in Form von Mikropartikeln enthält.
DE4006153C2 (de) Epoxidharzmassen und deren Verwendung zum Einkapseln von Halbleiterbauelementen
DE3689022T2 (de) Epoxyharzzusammensetzung.
DE602004007892T2 (de) Quaternäre organophosphoniumsalze enthaltende formmassen
DE69309144T2 (de) Härtbare Harzzusammensetzung
DE69533393T2 (de) Epoxyharzzusammensetzung
DE69412528T2 (de) Epoxygruppen enthaltendes Siliconharz und Massen auf seiner Basis
DE69222670T2 (de) Epoxyharzzusammensetzung zur Verkapselung einer Halbleiteranordnung
DE69609557T2 (de) Epoxyharzmassen zur Einkapselung von Halbleitern, deren Herstellung und Verwendung, sowie damit eingekapselte Halbleiterbauteile
DE3884648T2 (de) Epoxyharz-Zusammensetzung und eine harzumhüllte Halbleiteranordnung.
DE69531191T2 (de) Epoxidharzzusammensetzung für die versiegelung von halbleiteranordnungen
DE3687998T2 (de) Wärmehärtbare Harzzusammensetzung.
DE2916954A1 (de) In kunststoff eingebettete halbleitervorrichtung
DE60222424T2 (de) Härtbare epoxidharzzusammensetzung
DE68928583T2 (de) Epoxydharzzusammensetzung für die Versiegelung von Halbleitern
DE69922577T2 (de) Epoxydharzzusammensetzungen und damit eingekapselte Halbleiteranordnungen
CH628915A5 (de) Organosiloxan- und epoxy-verbindungen enthaltende zusammensetzungen, verfahren zu deren herstellung und deren verwendung.
DE3013470A1 (de) Verfahren zur einkapselung einer halbleitereinrichtung und epoxyformmasse zur durchfuehrung des verfahrens
DE3921985A1 (de) Epoxidharzmasse und deren verwendung zum einkapseln von halbleiterbauteilen
DE69202608T2 (de) Epoxydharzzusammensetzungen und damit eingekapselte Halbleiteranordnungen.
DE69610690T2 (de) Epoxidharzzusammensetzung
DE69032151T2 (de) Epoxydharzzusammensetzungen für die Versiegelung von Halbleitern
DE2412882A1 (de) Epoxyharz-zusammensetzung

Legal Events

Date Code Title Description
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: DENSO CORP., KARIYA, AICHI, JP SHIN-ETSU CHEMICAL

8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: PFENNING MEINIG & PARTNER GBR, 80339 MUENCHEN

8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: MAIWALD PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH, 80335 MUENC

R071 Expiry of right
R071 Expiry of right