DE69609557T2 - Epoxyharzmassen zur Einkapselung von Halbleitern, deren Herstellung und Verwendung, sowie damit eingekapselte Halbleiterbauteile - Google Patents
Epoxyharzmassen zur Einkapselung von Halbleitern, deren Herstellung und Verwendung, sowie damit eingekapselte HalbleiterbauteileInfo
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 title claims abstract description 56
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 30
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 claims abstract description 18
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 5
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 claims description 13
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 8
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 8
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 8
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- TUJKJAMUKRIRHC-UHFFFAOYSA-N hydroxyl Chemical compound [OH] TUJKJAMUKRIRHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000003017 phosphorus Chemical class 0.000 claims 1
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 21
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 2
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 13
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 13
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 7
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- -1 glycidoxy group Chemical group 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- NXXYKOUNUYWIHA-UHFFFAOYSA-N 2,6-Dimethylphenol Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1O NXXYKOUNUYWIHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JZODKRWQWUWGCD-UHFFFAOYSA-N 2,5-di-tert-butylbenzene-1,4-diol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(O)=C(C(C)(C)C)C=C1O JZODKRWQWUWGCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N Bisphenol F Natural products C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N phenylphosphine Chemical compound PC1=CC=CC=C1 RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N phosphorus trichloride Chemical compound ClP(Cl)Cl FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001676573 Minium Species 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPYHHZQJCSQRJY-UHFFFAOYSA-N Phloroglucinol Natural products CCC=CCC=CCC=CCC=CCCCCC(=O)C1=C(O)C=C(O)C=C1O JPYHHZQJCSQRJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000004203 carnauba wax Substances 0.000 description 1
- 235000013869 carnauba wax Nutrition 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910021488 crystalline silicon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical group C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVURNMLGDQYNAF-UHFFFAOYSA-N dimethyl(1-phenylethyl)amine Chemical compound CN(C)C(C)C1=CC=CC=C1 BVURNMLGDQYNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 1
- PHCFYDPKGMRICL-UHFFFAOYSA-N phenylphosphane triphenyl borate Chemical compound C1(=CC=CC=C1)OB(OC1=CC=CC=C1)OC1=CC=CC=C1.C1(=CC=CC=C1)P PHCFYDPKGMRICL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N phloroglucinol Chemical compound OC1=CC(O)=CC(O)=C1 QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 239000012260 resinous material Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUOZNINQGUNWOV-UHFFFAOYSA-N triphenyl borate;triphenylphosphane Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1OB(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 AUOZNINQGUNWOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQEKTSMTEYLBLJ-UHFFFAOYSA-N tris(4-ethoxyphenyl)phosphane Chemical compound C1=CC(OCC)=CC=C1P(C=1C=CC(OCC)=CC=1)C1=CC=C(OCC)C=C1 LQEKTSMTEYLBLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYUUAUOYLFIRJG-UHFFFAOYSA-N tris(4-methoxyphenyl)phosphane Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1P(C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 UYUUAUOYLFIRJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXAZIUYTQHYBFW-UHFFFAOYSA-N tris(4-methylphenyl)phosphane Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1P(C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 WXAZIUYTQHYBFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
- C08G59/22—Di-epoxy compounds
- C08G59/30—Di-epoxy compounds containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen and nitrogen
- C08G59/304—Di-epoxy compounds containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen and nitrogen containing phosphorus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
- C08G59/32—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups
- C08G59/3254—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen or nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/0008—Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
- C08K5/0025—Crosslinking or vulcanising agents; including accelerators
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/49—Phosphorus-containing compounds
- C08K5/51—Phosphorus bound to oxygen
- C08K5/52—Phosphorus bound to oxygen only
- C08K5/521—Esters of phosphoric acids, e.g. of H3PO4
- C08K5/523—Esters of phosphoric acids, e.g. of H3PO4 with hydroxyaryl compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft Epoxyharz-Zusammensetzungen, die sich zum Einkapseln bzw. Vergießen von Halbleitervorrichtungen- eignen, sowie ihre Herstellung und Verwendung.
- Bevorzugte Aspekte betreffen Epoxyharz-Zusammensetzungen zum Einkapseln von Halbleitern, die frei von Antimontrioxid und bromierten Verbindungen sein können oder geringe oder verringerte Mengen solcher Substanzen enthalten, sowie Zusammensetzungen, die zu Produkten mit guter Hochtemperaturbeständigkeit, gutem Flammhemmvermögen und Reflow-Reißfestigkeit gehärtet werden können. Sie betrifft auch Halbleiter-Vorrichtungen, die mit solchen Zusammensetzungen eingekapselt sind.
- Aufgrund des aktuellen Trends zum hochdichten Packen von Halbleitervorrichtungen wird bei der Halbleitervorrichtungspackung hauptsächlich das Packen von Oberflächenmontierten Bauteilen (SMDs) eingesetzt. Bei der Herstellung solcher SMD-Packungen gibt es Probleme mit der Zuverlässigkeit. Während der Herstellung sind Packungen, die mit herkömmlichen Einkapselungsmaterialien eingeschlossen werden, hohen Temperaturen von etwa 215 bis 260ºC ausgesetzt, bei denen es zur Ablösung an der den Chip einkapselnden Grenzfläche und Reißen des Einkapselungsabschnitts kommen kann. Dann ist die Zuverlässigkeit nach dem Packen nicht gewährleistet.
- In Anbetracht dieser Umstände kommen für die SMD-Packungen weitverbreitet Einkapselungsmaterialien zum Einsatz, bei denen ein Epoxyharz vom Biphenyltyp verwendet wird, das durch geringe Wasser-Absorption und Reflow-Reißfestigkeit gekennzeichnet ist. Obwohl das Epoxyharz vom Biphenyltyp aufgrund geringer Wasserabsorption und eines niedrigen Moduls bei hohen Temperaturen eine bessere Reflow-Reißfestigkeit als herkömmliche Einkapselungsmaterialien aufweist, ist es anderen Einkapselungsmaterialien bei einem Zuverlässigkeitstest zur Untersuchung des Beständigkeit gegen das Einwirken hoher Temperaturen oder dergleichen unterlegen, was ein ernsthaftes Problem darstellt.
- Bei integrierten Schaltungen (ICs) treten Fehler auf, wenn sie hohen Temperaturen ausgesetzt bleiben, weil sich an der Verbindungsstelle zwischen einer Aluminiumelektrode und einem Golddraht eine intermetallische Verbindung bilden kann, die den Widerstandswert erhöht, wodurch der Draht schlussendlich beschädigt wird. Es ist bekannt, dass die Bildung dieser intermetallischen Verbindung durch die Gegenwart von BR&supmin; oder Sb³&supmin; gefördert wird, die in der Harzzusammensetzung als Flammhemmer enthalten sind. Der am häufigsten verwendete Flammhemmer ist eine Kombination aus bromiertem Epoxyharz und Antimontrioxid. Daher bewirkt eine Reduktion der Menge des eingemischten Flammhemmers wirksam die Hochtemperaturbeständigkeit.
- Unerwünschterweise verbessert das Reduzieren der Menge des eingemischten Flammhemmers die Hochtemperaturbeständigkeit bis zu einem gewissen Grad auf Kosten des Flammhemmvermögens, so dass die Bewertung V-0 der Flammhemm-Norm UL-945 nicht mehr erreicht wird.
- Antimontrioxid (Sb&sub2;O&sub3;) und bromierte Verbindungen, die als Flammhemmer verwendet werden, sind toxische Materialien. Vom Standpunkt ihres Einflusses auf den menschlichen Körper und die Umwelt ist es wünschenswert, dass die Harzzusammensetzung kein Antimontrioxid und keine bromierten Verbindungen enthält oder eine minimale Menge an Antimontrioxid enthält.
- Das allgemeine Ziel besteht darin, neue und nützliche Epoxyharz-Zusammensetzungen, Verfahren zur ihrer Herstellung, ihre Verwendung zum Einkapseln von Halbleitern sowie auf diese Weise hergestellte eingekapselte Halbleiterprodukte bereitzustellen.
- Ein bevorzugtes Ziel im Hinblick darauf ist die Bereitstellung von Epoxyharz-Zusammensetzungen, bei denen Antimontrioxid und bromierte Verbindungen weggelassen werden können oder ihre Menge verringert werden kann, während sie zu einem Produkt härten, das zufriedenstellende Hochtemperaturbeständigkeit, Flammhemmvermögen und Reflow-Reißfestigkeit aufweist.
- Die Erfinder des vorliegenden Anmeldungsgegenstandes haben festgestellt, dass Epoxyharz-Zusammensetzungen zum Einkapseln von Halbleitern, die unter Verwendung einer Verbindung der Formel (1), wie nachstehend definiert, als Flammhemmer hergestellt werden, auch ohne Antimontrioxid und bromierte Verbindungen zu einem Produkt mit guter Flammhemmung härten. Eine mit dem gehärteten Produkt eingekapselte Halbleitervorrichtung kann daher gute Zuverlässigkeit bei hohen Temperaturen aufweisen. Formel (1):
- In der Formel sind R¹ und R² jeweils ein Alkylrest mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen. R³ und R&sup4; sind jeweils ein Wasserstoffatom oder Alkylrest mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen. R&sup5; ist ein Wasserstoffatom, ein Hydroxylrest oder ein Glycidoxyrest. R&sup6; und R&sup7; sind jeweils ein Wasserstoffatom, ein Hydroxylrest oder ein Rest, der durch
- dargestellt ist.
- R&sup8; und R&sup9; sind jeweils ein Wasserstoffatom oder ein Methylrest.
- Der Buchstabe n ist eine ganze Zahl von 0 bis 10.
- Ein typische resultierende Epoxyharz-Zusammensetzung zum Einkapseln von Halbleitern umfasst:
- (A) 20 bis 80 Gewichtsteile Epoxyharz,
- (B) 20 bis 80 Gewichtsteile Härter, wobei die Summe von (A) und (B) 100 Gewichtsteile ausmacht,
- (C) 0,1 bis 50 Gewichtsteile einer Verbindung der Formel (1) pro 100 Gewichtsteile von (A + B) und
- (D) 200 bis 1.200 Gewichtsteile an anorganischem Füllstoff pro 100 Gewichtsteile von (A + B).
- Die vorliegende Erfindung betrifft auch eine Halbleitervorrichtung, die mit einem gehärteten Produkt aus der Zusammensetzung eingekapselt ist.
- Bei der Epoxyharz-Zusammensetzung wird eine Phosphorverbindung mit einer spezifischen Struktur eingesetzt, wie durch Formel (1) definiert, durch die bromiertes Epoxyharz und Antimontrioxid ersetzt werden können, die herkömmlicherweise als Flammhemmer eingesetzt werden. Da die Zusammensetzung keine Quelle von Br&supmin; und Sb³&spplus; enthalten muss, die während des Einwirkens hoher Temperaturen die Bildung einer intermetallischen Verbindung fördern können, weisen gehärtete Produkte aus der Zusammensetzung eine Zuverlässigkeit bei hohen Temperaturen auf, die mit der von Epoxyharz-Zusammensetzungen ohne Flammhemmer vergleichbar ist. Die erfindungsgemäße Zusammensetzung weist auch gute Flammhemmung und Reflow-Reißfestigkeit auf.
- Außerdem stellt die Erfindung eine Epoxyharzzusammensetzung bereit, die in der Industrie nützlich ist, da Antimontrioxid und bromierte Verbindungen, die, für den menschlichen Körper schädlich sind und die Umwelt belasten, weggelassen werden können.
- Eine erste Komponente oder Komponente (A) der Epoxyharz-Zusammensetzung zum Einkaspeln von Halbleitern gemäß vorliegender Erfindung ist ein Epoxyharz. Dazu zählen Epoxyharze vom Biphenyltyp, Epoxyharze vom Novolaktyp, polyfunktionelle Epoxyharze, alizyklische Epoxyharze, heterozyklische Epoxyharze, Bisphenol A-Epoxyharze, Naphthalinring-enthaltende Epoxyharze und halogenierte Epoxyharze. Bevorzugt werden unter anderem Epoxyharze vom Biphenyltyp, da sie der Anforderung der Reflow- Reißfestigkeit am besten entsprechen. Falls erforderlich können in Kombination mit dem Epoxyharz vom Biphenyltyp ein oder mehrere weitere Epoxyharze eingesetzt werden.
- Ein geeignetes Epoxyharz vom Biphenyltyp ist üblicherweise durch die folgende allgemeine Formel (6) darstellbar.
- Die Gruppen R sind unabhängig voneinander aus H, Halogenen und Alkylresten mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen ausgewählt, und der Buchstabe q ist eine ganze Zahl von 0 bis 5.
- Für das Epoxyharz kann jeder gewünschte Härter (B) eingesetzt werden, solange es sich dabei um eine Verbindung mit zumindest zwei funktionellen Gruppen handelt, die in der Lage sind, mit dem Epoxyharz zu reagieren. Der Härter unterliegt keinen speziellen Einschränkungen, was die Molekülstruktur und das Molekulargewicht betrifft. Beispiele für Härter sind Phenolharze, darunter Phenolharze vom Bisphenol A- und. F-Typ, Phenol-Novolak-Harze, Phenolharze vom Triphenolalkan-Typ und Polymere davon, Phenolharze vom Biphenyltyp, Dicyclopentadien-Phenol-Novolak-Harze, Phenolharze vom Phenolaralkyltyp, Naphthalinring-enthaltende Phenolharze, alizyklische Phenolharze und heterozyklische Phenolharze. Amine und Säureanyhdride sind ebenfalls nützliche Härter. Sie können allein oder als Gemische eingesetzt werden.
- Das Epoxyharz (A) und der Härter (B) werden in solchen Anteilen eingesetzt, dass 20 bis 80 Gewichtsteile an Epoxyharz (A) und 80 bis 20 Gewichtsteile an Härter (B) vorhanden sind, mit der Maßgabe, dass die Summe von (A + B) 100 Gewichtsteile beträgt. Insbesondere, wenn ein Phenolharz als Härter verwendet wird, wird es vorzugsweise in solchen Mengen eingemischt, dass das Molverhältnis zwischen den Epoxygruppen im Epoxyharz und den phenolischen Hydroxylgruppen im Phenolharz im Bereich von 112 bis 2/l, mehr bevorzugt von 1/2 bis 3/2, am meisten bevorzugt von 4/5 bis 3/2, liegt.
- Bei der praktischen Durchführung der Erfindung wird vorzugsweise ein Härtungskatalysator eingesetzt, um die Härtungsreaktion zwischen dem Epoxyharz und dem Härter zu fördern. Es kann jeder gewünschte Härtungskatalysator verwendet werden, solange er die Härtungsreaktion fördern kann. Beispiele für Härtungskatalysatoren sind Phosphorverbindungen, wie z. B. Triphenylphosphin, Tri butylphosphin, Tri(p-methylphenyl)phosphin, Tri(p-methoxyphenyl)phosphin, Tri(p-ethoxyphenyl)phosphin, Triphenylphosphintriphenylborat und Tetraphenylphosphin-tetraphenylborat; tertiäre Amine, wie z. B. Triethylamin, Benzyldimethylamin, α-Methylbenzyldimethylamin und 1,8-Diazabicyclo- (5.4.0)-undecen-7; sowie fmidazole, wie z. B. 2-Methylimidazol, 2-Phenylimidazol und 2-Phenyl-4-methylimidazol.
- Der Härtungskatalysator wird vorzugsweise in einer Menge von 0,01 bis 20 Gewichtsteilen, insbesondere 0,1 bis 10 Gewichtsteilen, pro 100 Gewichtsteile der Kombination aus Epoxyharz und Härter eingemischt.
- In der Zusammensetzung wird eine Verbindung der Formel (1) als Flammhemmer verwendet. Formel (1):
- In der Formel sind R¹ und R² jeweils ein Alkylrest mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen. R³ und R&sup4; sind jeweils ein Wasserstoffatom oder ein Alkylrest mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen. R¹ ist jeweils ein H-Atom, ein Hydroxylrest oder ein Glycidoxy-Rest (... Einfügung S. 7).
- R&sup6; und R&sup7; sind jeweils ein Wasserstoffatom, ein Hydroxylrest oder ein Rest, der durch
- dargestellt ist.
- R&sup8; und R&sup9; sind jeweils ein Wasserstoffatom oder ein Methylrest.
- Der Buchstabe n steht für eine ganze Zahl von 0 bis 10.
- Zu den Alkylresten mit 1 bis 4 Kohlenstoffen zählen Methyl-, Ethyl-, n-Propyl-, i-Propyl-, n-Butyl-, sec-Butyl- und tert-Butylreste. R¹ bis R¹ sind zwar wie oben definiert, sind aber beide vorzugsweise die gleichen Alkylreste, am meisten bevorzugt tert-Butylreste. Sowohl R³ als auch R&sup4; sind vorzugsweise Methylreste. R¹ ist vorzugsweise ein Wasserstoffatom. Zumindest eines von R&sup6; und R&sup7; ist vorzugsweise ein Hydroxylrest oder Glycidyletherrest, weil diese Verbindungen mit der Epoxyharzkomponente reagieren können, um einen Teil des Harzskeletts zu bilden.
- Bevorzugt werden unter den Verbindungen der Formel (1) Verbindungen der folgenden Formeln (2) und (3).
- In diesen Formeln ist der Buchstabe m eine ganze Zahl von 1 bis 11.
- Es ist anzumerken, dass die Verbindungen der Formel (1) wünschenswerterweise weniger als 50 ppm, insbesondere weniger als 10 ppm, Chloridionen und Alkalimetallionen in Kombination, wie bei 120ºC und 100% r. L. extrahiert, enthalten sollten. Mehr als 50 ppm Chloridionen und Alkalimetallionen in Kombination können die Beständigkeit beim Einwirken hoher Temperatur und die Feuchtigkeitsbeständigkeit der Zusammensetzung beeinträchtigen.
- Der Flammhemmer der Formel (1) wird der Zusammensetzung in einer Menge von 0,1 bis 50 Gewichtsteilen pro 100 Gewichtsteile des Epoxyharzes und Härters (typischerweise Phenolharz) in Kombination zugegeben. Die Flammhemmung ist bei weniger als 0,1 Teilen des Flammhemmers unzureichend, während mehr als 50 Teile des Flammhemmers die Viskosität der Zusammensetzung während des Formens erhöhen würden, wodurch das Formen beeinträchtigt werden würde.
- Bei der praktischen Durchführung der Erfindung wird eine Phosphor-hältige Verbindung der folgenden Formel (4) oder (5) vorzugsweise als Flammhemmhilfe gemeinsam mit der Verbindung der Formel (1) eingemischt. Die kombinierte Verwendung der Verbindung der Formel (1) und einer Verbindung der Formel (4) oder (5) macht es einfacher, die Flammhemm-Norm (UL-94, Bewertung V-0) zu erfüllen als der Einsatz der Verbindung der Formel (1) allein.
- Die zugesetzte Menge an Flammhemmhilfe der Formel (4) oder (5) beträgt vorzugsweise 0,1 bis 50 Gewichtsteile pro 100 Gewichtsteile an Epoxyharz und Härter (typischerweise Phenolharz) in Kombination. Mit weniger als 0,1 Teilen der Hilfe kann deren Zweck nicht erreicht werden, während mehr als 50 Teile der Hilfe die Viskosität der Zusammensetzung erhöhen können, wodurch das Formen behindert wird. Das Mischungsverhältnis der Verbindung der Formel (4) oder (5) und der Verbindung der Formel (1) beträgt vorzugsweise von 0,2 : 1 bis 2 : 1.
- Die Epoxyharzzusammensetzung der Erfindung enthält weiters (D) einen anorganischen Füllstoff, der aus jenen ausgewählt ist, die üblicherweise bei herkömmlichen Epoxyharz- Zusammensetzungen verwendet werden. Beispiele für Füllstoffe sind Silica-Füllstoffe, wie z. B. Quarzglas und kristallines Siliziumdioxid, Aluminiumoxid, Siliziumnitrid, Alu miniumnitrid, Bornitrid, Titanoxid und Glasfasern. Der anorganische Füllstoff unterliegt keinen speziellen Einschränkungen, was seine mittlere Teilchengröße oder Form betriftt. Aus Gründen der Formbarkeit und Fließfähigkeit werden jedoch Füllstoffe mit einer mittleren Teilchengröße von etwa 5 bis 40 um bevorzugt. Die Beladung mit anorganischem Füllstoff beträgt 200 bis 1.200 Gewichtsteile pro 100 Gewichtsteile an Epoxyharz und Härter (typischerweise Phenolharz) in Kombination. Zusammensetzungen, die weniger als 200 Teile des Füllstoffs enthalten, weisen einen höheren Ausdehnungskoeffizienten auf, so dass auf die Halbleitervorrichtungen höhere Spannungen wirken, was ihre Eigenschaften beeinträchtigt, und in Hinblick auf die Hochtemperaturbeständigkeit werden durch Einwirken hoher Temperaturen gebildete intermetallische Verbindungen höheren Spannungen ausgesetzt, was zu Beeinträchtigungen der Eigenschaften führt. Zusammensetzungen, die mehr als 1.200 Teile des Füllstoffs enthalten, weisen eine höhere Viskosität auf, was das Formen negativ beeinflusst. Es wird empfohlen, anorganische Füllstoffe zu verwenden, die mit Silan-Haftvermittlern oberflächenbehandelt worden sind, um die Haftfestigkeit zwischen dem Harz und der Füllstoffoberfläche zu erhöhen.
- Falls gewünscht kann die Epoxyharzzusammesentzung gemäß vorliegender Erfindung weiters verschiedene Additive enthalten. Beispiele für Additive sind spannungssenkende Mittel, wie z. B. thermoplastische Harze, thermoplastische Elastomere, organische Synthesekautschuke und Silikone, Wachse, wie z. B. Carnaubawachs, Fettsäuren und Metallsalze, wie z. B. Stearinsäure, Pigmente, wie z. B. Ruß, Kobalt-Blau und rotes Eisenoxid, Silan-Haftvermittler, wie z. B. Glycidoxypropyltrimethoxysilan, Oberflächenbehandlungsmittel, wie z. B. Alkyltitanate, Oxidationshemmer und Halogenfänger.
- Die Epoxyharzzusammensetzung gemäß vorliegender Erfindung wird hergestellt, indem beispielsweise vorbestimmte Mengen der obengenannten grundlegenden und optionalen Komponenten gleichmäßig gerührt und vermischt werden und das Gemisch mit einem Kneter, einer Heißwalzenmühle oder einem auf 70 bis 95ºC vorgeheizten Extruder geknetet, abgekühlt und zu Chips zerkleinert wird.
- Derartige Harzzusammensetzungen erweisen sich als nützlich, um verschiedene Halbleitervorrichtungen damit einzukapseln. Die Zusammensetzung kann nach jeder herkömmlichen Technik, wie z. B. Presspritzen, Spritzguss und Gießen geformt werden. Niederdruck-Spritzpressen ist für die Epoxyharzzusammensetzung gemäß vorliegender Erfindung wirksam. VVünschenswerterweise wird die Epoxyharzzusammensetzung bei einer Temperatur von 150 bis 180ºC für 30 bis 180 s geformt und bei einer Temperatur von 150 bis 180ºC für 2 bis 16 h nachgehärtet.
- Beispiele für die vorliegende Erfindung werden nachstehend zur Veranschaulichung, nicht jedoch zur Einschränkung angeführt. Alle Teile sind Gewichtsteile.
- Epoxyharzzusammensetzungen wurden durch gleichförmiges Schmelzmischen der in Tabelle 1 gezeigten Komponenten in einer Doppelheißwalzenmühle, gefolgt von Abkühlen und Zerkleinerung, hergestellt. Tabelle 1
- 1 hergestellt von Nihon Kayaku K.K., EOCN-4400, Epoxyäquivalent 190
- 2 hergestellt von Yuka Sheil Epoxy K.K, YX-4000f-IK, Epoxyäquivalent 190
- 3 Meiwa Kasei K.K., DL-92 Phenol-Novolak-Harz, Phenoläquivalent 110
- 4 hergestellt von Nihon Kayaku K.K., BREN-105, Epoxyäquivalent 280, Bromgehalt 35%
- 5 hergestellt von Shin-Etsu Chemical Co., Itd., KBM-403
- Diese Zusammensetzungen wurden mit den folgenden Tests untersucht. Die Ergebnisse werden in Tabelle 2 gezeigt.
- Unter Einsatz einer Form, wie von der EMMI-Norm vorgeschrieben, wurde die Spiralfluss unter folgenden Bedingungen gemessen: 175ºC, 70 kg/cm² und Formzeit 120 s.
- Die Gelierzeit der Zusammensetzung wurde auf einer heißen Platte bei 175ºC gemessen.
- Ein Stab mit 10 · 4 · 100 mm wurde bei 175ºC und 10 kg/cm² für 120 s gemäß JIS K- 6911 geformt. Die Härte des Stabs wurde in heißem Zustand mit einem Barcol-Härtetester gemessen.
- Eine flache Packung mit 14 · 20 · 2,1 mm wurde bei 175ºC und 70 kg/cm² für 120 s geformt und bei 180ºC für 4 h nachgehärtet. Sie wurde zur Wasserabsorption in einem Behälter mit konstanter Temperatur und Luftfeuchtigkeit von 85ºC bzw. 85% r.L. 75 h lang stehengelassen und dann für 30 s in ein Lötmittelbad mit 240ºC getaucht.
- Eine 1,6 mm (1/16 Zoll) dicke Platte wurde geformt und nach der UL-94-Norm auf Flammhemmung untersucht.
- Ein Simulationselement mit einer Aluminiumverdrahtung auf einem Siliziumchip und einem teilweise goldplattierten 42-Legierungs-Leiterrahmen vurde mit einem Golddraht mit 30 um Durchmesser verbunden. Die Anordnung wurde mit einer Eppoxyharz-Zu sammensetzung vergossen, indem sie bei 175ºC und 70 kg/cm² 120 s lang geformt wurde, wobei ein 14 Pin-DIL-Gehäuse erhalten wurde. Die Packung wurde bei 180ºC 4 h lang nachgehärtet und in einem Trockner bei 200ºC für eine vorbestimmte Zeit (0, 96 und 168 h) stehengelassen. Nachdem das gehärtete Harz in rauchender Salpetersäure weggelöst vorden war, wurden die verbundenen Abschnitte an der Chipseite auf ihre Scherfestigkeit gemessen. Tabelle 2
- Wie aus den Ergebnissen aus Tabelle 2 zu entnehmen ist, ergeben die Epoxyharz-Zusammensetzungen, die einen phosphorhältigen Flammhemmer im Schutzumfang der Erfindung enthalten, gehärtete Produkte mit verbesserter Hochtemperaturbeständigkeit, Flammhemmung und Reflow-Reißfestigkeit.
- In einem Reaktor, der mit einem Rückflusskühler und einer Abgas-Abfuhreinheit ausgestattet war, wurden 3,78 kg (17 Mol) 2,5-Di-tert-butylhydrochinon, 3 kg Ethylacetat und 0,170 kg Pyridin durch Rühren unter trockenem Stickstoff sorgfältig vermischt. Nachdem der Reaktor auf eine Innentemperatur von 60ºC erhitzt worden war, wurden dem Gemisch innerhalb von 30 min 4,67 kg (34 Mol) Phosphortrichlorid mit 60ºC zugegeben. Das resultierende Gemisch wurde für etwa eine Stunde bei einer Innentemperatur von etwa 74ºC am Rückfluss gehalten. Dann wurde eine Lösung von 4,15 kg (34 Mol) 2,6-Dimethylphenol in 3 kg Ethylacetat dem Gemisch innerhalb einer Stunde bei einer Innentemperatur von 75 bis 77ºC zugegeben. Die resultierende braune Lösung wurde für 1-1/2 h rückflusserhitzt und dann auf etwa 25ºC abgekühlt. Eine Lösung von 3,74 kg (34 Mol) Hydrochinon in 9 kg Ethylacetat und 2,7 kg Aceton bei 25ºC wurde der Reaktionslösung innerhalb von etwa 2 min zugetropft, 4,66 kg (46 Mol) Triethylamin wurden zugegeben, und das resultierende Gemisch wurde für weitere 30 min gerührt. Dem Gemisch wurden innerhalb etwa einer Stunde 3,86 kg 30%iges H&sub2;O&sub2; zugegeben. Das Gemisch wurde für weitere 2 h gerührt, während der Reaktor auf einer Temperatur von 30 bis 35ºC gehalten wurde. Das resultierende Gemisch wurde zweimal mit 1 N HCl und einmal mit 0,1 N HCl gewaschen. Die organische Phase wurde abgetrennt, über Natriumsulfat getrocknet und im Vakuum das Lösungsmittel abgestrippt. Schließlich wurde der feste Rückstand für weitere 30 min im Hochvakuum getrocknet, was 8,33 kg (theoretische Ausbeute: 71%) des Endproduktes ergab. Laut GPC-Analyse besaß es ein Mn = 700 und ein Mw = 2.947. Die Ergebnisse der Elementaranalyse werden nachstehend gezeigt: Der Chlor-Gehalt lag unter 0,3%.
- In einem Reaktor, der mit einem Rückflusskühler und einer Abgas-Abfuhreinheit ausgestattet war, wurden 22,22 g (0,1 Mol) 2,5-Di-tert-butylhydrochinon, 17,5 g Ethylacetat und 1,05 g Pyridin durch Rühren unter trockenem Argon sorgfältig vermischt. Dem Gemisch wurden 27,5 g (0,2 Mol) Phosphortrichlorid zugegeben. Das resultierende Gemisch wurde langsam erhitzt und für etwa 1 h am Rückfluss gehalten. Dann wurde dem Gemisch innerhalb von etwa 10 min eine Lösung von 24,4 g (0,2 Mol) 2,6-Dimethylphenol in 17,5 g Ethylacetat zugegeben. Die resultierende braune Lösung wurde unter Rückfluss 1-1/2 h lang gerührt und dann auf etwa 25ºC abgekühlt. Der Reaktionslösung wurde eine Lösung von 25,22 g (0,2 Mol) 1,3,5-Trihydroxybenzol in 52 g Ethylacetat und 15,5 g Aceton unter Eiskühlung innerhalb von etwa 15 min zugetropft, 27,35 g (0,27 Mol) Triethylamin wurden innerhalb von 30 min unter Eiskühlung zugegeben, und das resultierende Gemisch wurde für weitere 30 min gerührt. Dem Gemisch wurden 2,67 g 30%iges H&sub2;O&sub2; langsam zugegeben. Das Gemisch wurde für weitere 2 h gerührt. Daraufhin wurde, wie in Bezugsbeispiel 1, die Endverbindung isoliert und getrocknet.
- Das resultierende braune harzartige Material hatte einen Erweichungspunkt von 156,6 bis 171,2ºC. Die Ergebnisse der Elementaranalyse werden nachstehend gezeigt. Der Hydroxylgehalt betrug 5,65 mÄqu./g.
- Es sind zwar einige bevorzugte Ausführungsformen beschrieben worden, es können aber im Lichte der obigen Lehren viele Modifikationen und Variationen daran vorgenommen werden. Es versteht sich daher, dass die Erfindung auf andere Weise praktisch durchgeführt werden kann, als spezifisch in den Ausführungsformen beschrieben.
Claims (7)
1. Epoxyharz-Zusammensetzung zum Einkapseln von Halbleitern, umfassend:
(A) 20 bis 80 Gewichtsteile Epoxyharz,
(B) 20 bis 80 Gewichtsteile Härter,
wobei die Summe aus (A) und (B) 100 Gewichtsteile beträgt,
(C) 0,1 bis SO Gewichtsteile einer Verbindung der allgemeinen Formel (1), pro
100 Gewichtsteile an (A+B), und
(D) 200 bis 1.200 Gewichtsteile anorganischer Füllstoff, pro 100 Gewichtsteile
an (A+ B),
wobei die allgemeine Formel (1) lautet:
worin
die Gruppen R¹ und R² aus C&sub1;&submin;&sub4;-Alkylresten ausgewählt sind;
die Gruppen R³ und R&sup4; aus H und C&sub1;&submin;&sub4;-Alkylresten ausgewählt sind;
jedes R&sup5; ein Wasserstoffatom, ein Hydroxylrest oder ein Rest
R&sup6; und R&sup7; aus H, dem Hydroxylrest und Resten ausgewählt sind, die durch
dargestellt sind,
R&sup8; und R&sup9; jeweils ein Wasserstoffatom oder Methylrest sind, und
n eine ganze Zahl von 0 bis 10 ist.
2. Zusammensetzung nach Anspruch 1, worin die Verbindung der Formel (1) eine
Verbindung der folgenden Formel (2) oder (3) ist:
worin m eine ganze Zahl von 1 bis 11 ist.
3. Zusammensetzung nach Anspruch 1 oder 2, die weiter umfasst:
(E) eine Flammhemmhilfe in Form eines phosphorhältigen Verbindung der
folgenden Formel (4) oder (5):
4. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, worin Epoxyharz (A) ein
Epoxyharz vom Biphenyltyp ist.
5. Halbleitervorrichtung, die mit einer gehärteten Epoxyharzzusammensetzung zum
Einkapseln von Halbleitern nach einem der Ansprüche 1 bis 4 eingekapselt ist.
6. Verfahren, umfassend die Herstellung einer Epoxyharzzusammensetzung nach
einem der Ansprüche 1 bis 4.
7. Verwendung einer Verbindung der Formel (1), wie in Anspruch 1 definiert, um
einer Epoxyharzzusammensetzung Flammhemm-Eigenschatten zu verleihen.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10905995 | 1995-04-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69609557D1 DE69609557D1 (de) | 2000-09-07 |
DE69609557T2 true DE69609557T2 (de) | 2001-04-19 |
Family
ID=14500565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69609557T Expired - Fee Related DE69609557T2 (de) | 1995-04-10 | 1996-03-08 | Epoxyharzmassen zur Einkapselung von Halbleitern, deren Herstellung und Verwendung, sowie damit eingekapselte Halbleiterbauteile |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5739187A (de) |
EP (1) | EP0742261B1 (de) |
KR (1) | KR100243708B1 (de) |
CN (1) | CN1077121C (de) |
AT (1) | ATE195138T1 (de) |
CA (1) | CA2173681A1 (de) |
DE (1) | DE69609557T2 (de) |
HK (1) | HK1019011A1 (de) |
SG (1) | SG65576A1 (de) |
TW (1) | TW436509B (de) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6099783A (en) * | 1995-06-06 | 2000-08-08 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Photopolymerizable compositions for encapsulating microelectronic devices |
WO1997024402A1 (fr) * | 1995-12-28 | 1997-07-10 | Toray Industries, Inc. | Composition de resine epoxy |
JPH10330596A (ja) | 1997-05-30 | 1998-12-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 難燃性樹脂組成物およびこれを用いた半導体封止材料 |
US6297332B1 (en) * | 1998-04-28 | 2001-10-02 | Mitsui Chemicals, Inc. | Epoxy-resin composition and use thereof |
DE69922577T2 (de) * | 1998-05-07 | 2005-12-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Epoxydharzzusammensetzungen und damit eingekapselte Halbleiteranordnungen |
US6645631B2 (en) | 1999-12-13 | 2003-11-11 | Dow Global Technologies Inc. | Flame retardant phosphorus element-containing epoxy resin compositions |
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JP3723483B2 (ja) * | 2001-10-16 | 2005-12-07 | 日本電気株式会社 | 電子部品装置 |
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US7541415B2 (en) | 2004-08-31 | 2009-06-02 | Supresta Llc | Process for preparing diaryl alkylphosphonates and oligomeric/polymeric derivatives thereof |
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DE102007041988A1 (de) | 2007-09-05 | 2009-03-12 | Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh | Flammhemmende Additive |
TWI367900B (en) * | 2007-10-09 | 2012-07-11 | Ind Tech Res Inst | Encapsulant composition for a light-emitting diode |
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EP2358805B1 (de) | 2008-12-08 | 2016-09-21 | 3M Innovative Properties Company | Halogenfreie flammschutzmittel für epoxidharzsysteme |
US8853855B2 (en) * | 2012-03-16 | 2014-10-07 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit packaging system with conductive pillars and molded cavities and method of manufacture thereof |
DK3037426T3 (da) | 2013-08-22 | 2021-07-19 | Adeka Corp | Phosphor-indeholdende forbindelse, og hærdbar epoxy-resin-sammensætning indeholdende samme |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3056806A (en) * | 1960-02-03 | 1962-10-02 | Union Carbide Corp | Epoxyalkyl acyl phosphates |
GB1564708A (en) * | 1976-01-16 | 1980-04-10 | Ici Ltd | Linear polyester compositions and products which contain phenol phosphates as flame retardant additives |
US4199534A (en) * | 1978-04-20 | 1980-04-22 | Stauffer Chemical Company | Poly (oxyorganophosphate/phosphonate) and process for preparing |
US4820854A (en) * | 1985-05-23 | 1989-04-11 | Akzo America Inc. | Phosphate-containing and phosphonate-containing phosphate esters |
JP2622110B2 (ja) * | 1986-07-07 | 1997-06-18 | 日東電工株式会社 | 半導体装置 |
ATE107676T1 (de) * | 1989-03-03 | 1994-07-15 | Siemens Ag | Epoxidharz-formmassen. |
JPH0314818A (ja) * | 1989-06-13 | 1991-01-23 | Yuka Shell Epoxy Kk | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
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-
1996
- 1996-03-08 EP EP96301611A patent/EP0742261B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-03-08 AT AT96301611T patent/ATE195138T1/de not_active IP Right Cessation
- 1996-03-08 DE DE69609557T patent/DE69609557T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-13 TW TW085103016A patent/TW436509B/zh active
- 1996-03-14 US US08/615,145 patent/US5739187A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-16 SG SG1996006467A patent/SG65576A1/en unknown
- 1996-04-09 CA CA002173681A patent/CA2173681A1/en not_active Abandoned
- 1996-04-09 CN CN96104534A patent/CN1077121C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-04-10 KR KR1019960010722A patent/KR100243708B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-12-24 HK HK98115442A patent/HK1019011A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69609557D1 (de) | 2000-09-07 |
KR100243708B1 (ko) | 2000-03-02 |
CN1077121C (zh) | 2002-01-02 |
EP0742261A3 (de) | 1999-01-07 |
SG65576A1 (en) | 2000-08-22 |
CN1138602A (zh) | 1996-12-25 |
TW436509B (en) | 2001-05-28 |
EP0742261B1 (de) | 2000-08-02 |
ATE195138T1 (de) | 2000-08-15 |
KR960037767A (ko) | 1996-11-19 |
CA2173681A1 (en) | 1996-10-11 |
HK1019011A1 (en) | 2000-01-14 |
US5739187A (en) | 1998-04-14 |
EP0742261A2 (de) | 1996-11-13 |
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8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |