DE4119552A1 - Epoxidharzmassen und damit eingekapselte halbleiterbauteile - Google Patents

Epoxidharzmassen und damit eingekapselte halbleiterbauteile

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Description

Gegenstand der Erfindung sind Epoxidharzmassen mit verbesserten Fließeigenschaften, die zu Produkten aushärten mit niedrigem Ausdehnungskoeffizienten, einer hohen Glasumwandlungstemperatur und einer geringen Feuchtigkeitsabsorption sowie in diese gehärteten Epoxidharzmassen eingebettete Halbleiterbauteile.
Die Hauptentwicklung der modernen Halbleitertechnik umfaßt in Harz eingekapselte Dioden, Transistoren, integrierte Schaltkreise, stark integrierte Schaltkreise (LSI) und superintegrierte Schaltkreise (Super LSI). Von den verschiedenen Harzmassen zum Einkapseln von Halbleiterbauteilen werden in größtem Umfang Epoxidharzmassen eingesetzt, welche härtbare Epoxidharze enthalten, die mit Härtern und verschiedenen Zusätzen vermischt worden sind, da sie im allgemeinen eine verbesserte Formbarkeit, Haftung, gute elektrische und mechanische Eigenschaften und eine gute Feuchtigkeitsbeständigkeit gegenüber den sonst bekannten hitzehärtbaren Harzen aufweisen. Die derzeitige Entwicklung bezüglich solcher Halbleiterbauteile geht in Richtung auf einen zunehmend größeren Integrationsgrad und einer größeren Chip-Größe. Andererseits sollen diese Bauteile in ihren Außenabmessungen immer dünner und kleiner sein, um die Anforderungen an die Kompaktheit und das geringe Gewicht der elektronischen Geräte zu erfüllen. Bezüglich der Montage von Halbleiterbauteilen auf Leiterplatten wird derzeit häufig die Oberflächenmontage von Halbleiterbauteilen angewandt aus Gründen der erhöhten Bauteildichte auf den Leiterplatten und der verminderten Leiterplattendicke.
Eine übliche Technik bei der Oberflächenmontage von Halbleiterbauteilen besteht darin, die vollständigen Halbleiterbauteile in ein Lotbad einzutauchen oder sie durch die heiße Zone des geschmolzenen Lots hindurchzuführen. Die bei diesen Verfahren auftretenden thermischen Schocks haben zur Folge, daß die zur Verkapselung eingesetzten Harzschichten Risse bekommen oder sich an den Grenzflächen zwischen den Leitungsbändern und den Chips und dem einkapselnden Harz trennen. Solche Risse und Ablösungen werden um so gravierender, je mehr Feuchtigkeit die das Halbleiterbauteil einkapselnden Harzschichten vor dem Auftreten der thermischen Schocks an der Oberfläche absorbiert haben. Da die einkapselnden Harzschichten bei den Herstellungsmaßnahmen in der Praxis unvermeidbar Feuchtigkeit absorbieren, zeigen die in Harz eingekapselten Halbleiterbauteile nach dem Verpacken häufig Fehler und besitzen eine ungenügende Zuverlässigkeit.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es nun, eine neue und verbesserte Epoxidharzmasse anzugeben, die verbesserte Fließeigenschaften aufweist und zu Produkten ausgehärtet werden kann, die einen niedrigen Ausdehnungskoeffizienten aufweisen, geringe Spannungen besitzen, eine hohe Glasübergangstemperatur oder Glasumwandlungstemperatur und eine geringe Feuchtigkeitsabsorption zeigen. Ein weiterer Gegenstand der Erfindung besteht in der Schaffung von Halbleiterbauteilen, die in eine solche ausgehärtete Epoxidharzmasse eingebettet sind und während der Oberflächenpackung nach thermischen Schocks vollständig zuverlässig bleiben.
Es hat sich gezeigt, daß diese Aufgabe gelöst werden kann dadurch, daß man (A) ein Epoxidharz mit mindestens zwei Epoxidgruppen im Molekül mit (B) einem Härter in Form eines Phenolharzes mit mindestens einem substituierten oder unsubstituierten Naphthalinring im Molekül und (C) einem anorganischen Füllstoff vermischt, wobei man insbesondere dann, wenn ein Teil oder die Gesamtmenge des Epoxidharzes (A) ein Epoxidharz ist, welches mindestens einen substituierten oder unsubstituierten Naphthalinring im Molekül aufweist, eine Epoxidharzmasse erhält, die ein verbessertes Fließverhalten zeigt und zu einem Produkt aushärtet, welches einen niedrigen Ausdehnungskoeffizienten und niedrige Spannung aufweist und gekennzeichnet ist durch einen verminderten Elastizitätsmodul in einem Temperaturbereich oberhalb der Glasübergangstemperatur des Materials. Im Gegensatz zu den herkömmlichen Epoxidharzmassen, die man mit Hilfe von Verfahrensweisen erhält, die so ausgelegt sind, daß man einen niedrigen Elastizitätsmodul erzielt und die an den Nachteilen einer niedrigen Glasübergangstemperatur und einem Festigkeitsverlust leiden, können die erfindungsgemäßen Epoxidharzmassen zu gehärteten Produkten ausgehärtet werden, die verbesserte Eigenschaften aufweisen, die man bei herkömmlichen Epoxidharzmassen nicht findet, d. h. zu gehärteten Produkten, die frei von einer Verminderung der Glasübergangstemperatur sind unabhängig von dem niedrigen Elastizitätsmodul, und die auch nur wenig Feuchtigkeit absorbieren.
Gegenstand der Erfindung ist daher die Epoxidharzmasse gemäß Anspruch 1. Die Unteransprüche betreffen bevorzugte Ausführungsformen dieses Erfindungsgegenstands sowie Halbleiterbauteile, die in eine solche Epoxidharzmasse eingebettet sind. Die in das gehärtete erfindungsgemäße Epoxidharz eingebetteten Halbleiterbauteile zeigen auch nach thermischen Schocks während der Oberflächenpackung oder Oberflächenmontage eine hohe Zuverlässigkeit. Daher ist die erfindungsgemäße Epoxidharzmasse zum Einbetten von Halbleiterbauteilen beliebiger Art geeignet, einschließlich Halbleiterbauteile der Typen SOP, SOJ, PLCC und Flat-Pack-Types, da diese Epoxidharzmasse als Einbettungsmasse für durch Oberflächenmontage anzuordnende Halbleiterbauteile verbesserte Eigenschaften besitzt.
Gegenstand der Erfindung ist somit eine Epoxidharzmasse enthaltend
(A) Ein Epoxidharz mit mindestens zwei Epoxygruppen im Molekül oder pro Molekül,
(B) ein Phenolharz mit mindestens einem substituierten oder unsubstituierten Naphthalinring im Molekül oder pro Molekül und
(C) einen anorganischen Füllstoff.
Die Erfindung sei im folgenden näher unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung erläutert. In der Zeichnung zeigt die einzige
Fig. 1 eine Schnittansicht einer SO-Packung für einen Rißbildungstest durch das Löten nach der Feuchtigkeitsaufnahme, welche Risse in der Packung zeigt.
Wie oben bereits erwähnt, enthält die erfindungsgemäße Epoxidharzmasse (A) ein Epoxidharz, (B) ein Phenolharz und (C) einen anorganischen Füllstoff.
Der Bestandteil (A) ist ein Epoxidharz mit mindestens zwei Epoxygruppen im Molekül. Beispiele für solche Epoxidharze sind Epoxidharze des Glycidylether- Typs, wie Epoxidharze des Bisphenol-A-Typs, Epoxidharze des Phenol-Novolak- Typs und Epoxidharze des Allylphenol-Novolak-Typs, Epoxidharze des Triphenolalkan- Typs und Polymere davon, Epoxidharze des Naphthalin-Typs, Epoxidharze des Biphenyl-Typs, Epoxidharze des Dicyclopentadien-Typs, Epoxidharze des Phenol-Aralkyl-Typs, Epoxidharze des Glycidylester-Typs, cycloaliphatische Epoxidharze, heterocyclische Epoxidharze und halogenierte Epoxidharze. Diese Epoxidharze können allein oder in Form von Mischungen aus zwei oder mehreren Produkten dieser Art eingesetzt werden. Vorzugsweise besteht ein Teil oder die Gesamtmenge des Epoxidharzes (A) aus einem Epoxidharz, welches mindestens einen substituierten oder unsubstituierten Naphthalinring im Molekül aufweist, um in dieser Weise gehärtete Produkte mit niedrigem Ausdehnungskoeffizienten und geringer Feuchtigkeitsabsorption zu ergeben.
Die Erfindung nicht einschränkende Beispiele für Epoxidharze mit einem Naphthalinring im Molekül sind nachstehend angegeben:
In den obigen Formeln steht R¹ für Wasserstoff oder eine einwertige Kohlenwasserstoffgruppe mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen, wie eine Alkylgruppe, OG für eine Gruppe der Formel
m eine Zahl mit einem Wert von 1 oder 2,
k, l und n jeweils eine ganze Zahl mit einem Wert von mindestens 1 und vorzugsweise 1 bis 20.
Der Bestandteil (B) ist ein Härter für das Epoxidharz (A), bei dem es sich um ein Phenolharz mit mindestens einem substituierten oder unsubstituierten Naphthalinring im Molekül handelt. Vorzugsweise enthält das Phenolharz kein Siliciumatom im Molekül. Mischungen aus einem Epoxidharz mit einem solchen Phenolharz mit einem Naphthalinring im Molekül als Härter ergeben gehärtete Produkte mit einem niedrigen Ausdehnungskoeffizienten, einer hohen Glasumwandlungstemperatur, einem niedrigen Elastizitätsmodul bei einer Temperatur im Bereich oberhalb der Glasumwandlungstemperatur und eine niedrige Feuchtigkeitsabsorption. Durch Verwendung dieser erfindungsgemäßen Epoxidharzmasse als Einkapselungsmittel für Halbleiterbauteile erhält man eingekapselte Halbleiterbauteile mit verbesserter Rißbeständigkeit bei thermischen Schocks und größerer Zuverlässigkeit nach thermischen Schocks.
Die Erfindung nicht beschränkende Beispiele für Phenolharze mit Naphthalinring im Molekül sind nachfolgend angegeben:
In den obigen Formeln besitzen R¹, k, l und m die oben angegebenen Bedeutungen, während p für eine ganze Zahl mit einem Wert von mindestens 1 und vorzugsweise mit einem Wert von 1 bis 20 steht.
Erfindungsgemäß können diese Phenolharze allein oder in Form von Mischungen aus zwei oder mehreren Produkten dieser Art als Härter für das Epoxidharz verwendet werden. Gewünschtenfalls kann man zusätzlich einen weiteren Härter in einer Menge von 0 bis 80 Gew.-%, bezoen auf die Gesamtmenge des Bestandteils (B) einsetzen. Als weitere Härter, die neben den Phenolharzen eingesetzt werden können, können Phenolharze des Novolak-Typs, Phenolharze des Resol-Typs, Phenolaralkylharze, Triphenolalkanharze und Polymere davon; Amin-Härter, wie Diaminodiphenylmethan, Diaminodiphenylsulfon und m- Phenylendiamin; und Säureanhydrid-Härter, wie Phthalsäureanhydrid, Pyromellitsäureanhydrid und Benzophenontetracarbonsäureanhydrid, eingesetzt werden.
Der Anteil der Naphthalinringe im Epoxidharz und in dem Phenolharz-Härter beträgt vorzugsweise 5 bis 80 Gew.-%, bevorzugter 10 bis 60 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht von Epoxidharz und Phenolharz. Bei einem Naphthalinringgehalt von weniger als 5 Gew.-% zeigen die erhaltenen gehärteten Produkte eine geringere Rißbildungsbeständigkeit bei thermischen Schocks nach der Feuchtigkeitsabsorption, da die Feuchtigkeitsabsorption und der Elastizitätsmodul im Temperaturbereich oberhalb der Glasumwandlungstemperatur unzureichend zureichend erniedrigt sind. Bei einem Naphthalinringgehalt von mehr als 80 Gew.-% ergeben sich Probleme bezüglich der Dispersion des Materials bei der Herstellung und bezüglich der Formbarkeit.
Der Bestandteil (B) kann in einer Menge von 5 bis 100 Gew.-Teile pro 100 Gew.-Teile des Bestandteils (A) verwendet werden. Vorzugsweise enthalten die Bestandteile (A) und (B) Epoxygruppen und phenolische Hydroxylgruppen in solchen Mengen, daß das Mengenverhältnis (a/b) der Menge der Epoxygruppen (a Mol) zur Menge der phenolischen Hydroxylgruppen (b Mol) im Bereich von 1/2 bis 3/2 liegt. Außerhalb dieses Bereichs werden die Härtungseigenschaften beeinträchtigt und es können sich Spannungen bilden. Der Bestandteil (C) ist ein anorganischer Füllstoff, der aus den üblicherweise für Epoxidharze verwendeten ausgewählt werden kann. Beispiele hierfür sind Siliciumdioxide, wie geschmolzenes Siliciumdioxid und kristallines Siliciumdioxid, Aluminiumoxid, Ruß, Glimmer, Ton, Kaolin, Glaskügelchen, Glasfasern, Aluminiumnitrid (AlN), Zinkweiß, Antimontrioxid, Calciumcarbid, Aluminiumhydroxid, Berylliumoxid (BeO), Bornitrid (BN), Titanoxid, Siliciumcarbid (SiC), Eisenoxid und dergleichen. Diese anorganischen Füllstoffe können alleine oder in Form von Mischungen aus zwei oder mehreren Produkten dieser Art eingesetzt werden. Der Füllstoff wird vorzugsweise in einer Menge von 100 bis 1000 Gew.-Teilen, insbesondere von 200 bis 700 Gew.-Teilen pro 100 Gew.-Teile der Gesamtmenge der Bestandteile (A) und (B) eingesetzt, wenngleich der Füllstoffgehalt nicht besonders eingeschränkt ist.
Man kann einen Härtungskatalysator in die erfindungsgemäße Epoxidharzmasse einarbeiten. Als Härtungskatalysatoren kann man Imidazole, tertiäre Amine und Phosphorverbindungen verwenden. Die bevorzugten Härtungskatalysatoren sind Mischungen aus 1,8-Diazabicyclo[5.4.0]undecen-7 und Triphenylphosphin in einem Gewichtsverhältnis von 0 : 1 bis 1 : 1, insbesondere von 0,001 : 1 bis 0,5 : 1. Ein höherer Anteil von 1,8-Diazabicyclo[5.4.0]undecen-7 außerhalb dieses Bereichs kann in gewissen Fällen zu einer niedrigeren Glasumwandlungstemperatur führen. Die Gesamtmenge des zugesetzten Härtungskatalysators ist nicht besonders beschränkt, wenngleich er vorzugsweise in einer Menge von 0,2 bis 2 Gew.-Teilen, bevorzugt in einer Menge von 0,4 bis 1,2 Gew.-Teilen pro 100 Gew.-Teile der Gesamtmenge der Bestandteile (A) und (B) zugegeben wird.
Die erfindungsgemäße Masse kann gewünschtenfalls zusätzlich gut bekannte übliche Additive oder Hilfsstoffe enthalten. Beispiele für solche Zusatzstoffe sind Spannungen herabsetzende Mittel, wie thermoplastische Harze, thermoplastische Elastomere, organische synthetische Kautschuke und Silikone; Formtrennmittel, wie Wachse (beispielsweise Carnaubawachs) und Fettsäuren (beispielsweise Stearinsäure) und deren Metallsalze; Pigmente, wie Ruß, Kobaltblau und rotes Eisenoxid; Flammschutzmittel, wie Antimonoxid und Halogenide; Oberflächenbehandlungsmittel, wie γ-Glycidoxypropyltrimethoxysilan; Kupplungsmittel, wie Epoxysilane, Vinylsilane, Borverbindungen und Alkyltitanate; Antioxidantien, andere Additive und Mischungen davon.
Die erfindungsgemäßen Epoxidharzmassen können durch gleichmäßiges Vermischen der notwendigen Bestandteile und Vermahlen der Mischung in einer auf 70°C bis 95°C vorerhitzten Mahleinrichtung, beispielsweise einer Kneteinrichtung, einer Walzenmühle oder einer Strangpresse, gefolgt von einem Kühlvorgang und einem Zerkleinerungsvorgang, hergestellt werden. Die Reihenfolge des Einmischens der Bestandteile ist nicht kritisch.
Die erfindungsgemäßen Massen können mit Vorteil zum Einkapseln von verschiedenartigen Halbleiterbauteilen einschließlich Halbleiterbauteilen der Typen SOP, SOH, PLCC und Flat-Pack-Typen verwendet werden. Die Massen können mit Hilfe üblicher Verfahrensweisen geformt werden, wie Übertragungsverformen, Spritzverformen und Gießen. Am häufigsten werden die Epoxidharzmassen bei einer Temperatur von etwa 150°C bis 180°C gehärtet und dann während etwa 2 bis etwa 16 Stunden bei einer Temperatur von etwa 150°C bis etwa 180°C nachgehärtet.
Die erfindungsgemäßen Epoxidharzmassen, welche die angegebenen Bestandteile enthalten, zeigen ein gutes Fließvermögen und härten zu Produkten mit geringen Spannungen aus, die einen niedrigen Elastizitätsmodul, einen niedrigen Ausdehnungskoeffizienten, eine hohe Glasübergangstemperatur oder Glasumwandlungstemperatur (unabhängig von den geringen Spannungen) und eine niedrige Feuchtigkeitsabsorption besitzen. Daher zeigen die mit diesen Epoxidharzmassen eingekapselten Halbleiterbauteile eine hohe Zuverlässigkeit selbst nach thermischen Schocks nach dem Oberflächenpacken.
Die folgenden Beispiele dienen der weiteren Erläuterung der Erfindung.
Beispiele 1 bis 8 und Vergleichsbeispiele 1 bis 3
Man bereitet Epoxidharzmassen durch gleichmäßiges Vermischen der nachfolgend angegebenen Bestandteile in einer geheizten Zweiwalzen-Mühle, Abkühlen und Zerkleinern der Mischung. Als Bestandteile verwendet man ein Epoxidharz und ein Phenolharz, die nachfolgend angegeben sind, in den in Tabelle 1 angegebenen Mengen, 0,6 Gew.-Teile eines nachfolgend angegebenen Härtungskatalysators, 0,5 Gew.-Teile Triphenylphosphin, 250 Gew.-Teile Quarzpulver (I), 250 Gew.-Teile Quarzpulver (II), 70 Gew.-Teile Quarzpulver (III), welche nachfolgend erläutert sind, 8 Gew.-Teile Sb₂O₃, 1,5 Gew.-Teile Ruß, 1 Gew.-Teil Carnaubawachs und 3 Gew.-Teile γ-Glycidoxypropyltrimethoxysilan.
Härtungskatalysator
Man bereitet den Härtungskatalysator durch Vermischen von 1,8-Diazabicyclo[5.4.0]undecen-7 und einem Phenol-Novolakharz (TD2131 der Firma Dai- Nihon Ink K. K.) in einem Gewichtsverhältnis von 20/80, Aufschmelzen der Materialien während 30 Minuten bei 130°C und Versprühen des Materials zu einer Teilchengröße von weniger als 50 µm.
Quarzpulver
(I) Sphärisches geschmolzenes Siliciumdioxid mit einer spezifischen Oberfläche von 1,4 m²/g und einer durchschnittlichen Teilchengröße von 15 µm (wobei der Gehalt an groben Teilchen mit einer Teilchengröße von mehr als 75 µm weniger als 0,1 Gew.-% beträgt).
(II) Vermahlenes geschmolzenes Siliciumdioxid mit einer spezifischen Oberfläche von 2,5 m²/g und einer durchschnittlichen Teilchengröße von 10 µm (wobei der Gehalt an groben Teilchen mit einer Teilchengröße von mehr als 75 µm 0,1 Gew.-% beträgt).
(III) Sphärisches geschmolzenes Siliciumdioxid mit einer spezifischen Oberfläche von 10 m²/g und einer durchschnittlichen Teilchengröße von 1,0 µm.
Bezüglich dieser Massen wurden die folgenden Tests (A) bis (F) durchgeführt. Die erhaltenen Ergebnisse sind in der nachfolgenden Tabelle 1 angegeben.
(A) Spiralfluß
Unter Anwendung einer Form gemäß dem EMMI-Standard bewirkt man die Messung bei 180°C und 70 kg/cm².
(B) Biegefestigkeit und Biegemodul
Man prüft Teststäbe mit den Abmessungen 10×4×100 mm, welche während 2 Minuten bei 180°C und 70 kg/cm² geformt worden waren und während 4 Stunden bei 180°C nachgehärtet waren, bei 215°C gemäß der japanischen Industrienorm JIS K6911.
(C) Linearer Ausdehnungskoeffizient (µ) und Glasumwandlungstemperatur (Tg)
Unter Anwendung eines Dilatometers untersucht man Probestücke mit einem Durchmesser von 4 mm und einer Länge von 15 mm durch Erhitzen der Probestücke mit einer Aufheizgeschwindigkeit von 5°C/min.
(D) Rißbildungsbeständigkeit beim Löten nach der Feuchtigkeitsabsorption
Man verbindet Siliciumchips mit den Abmessungen 2×4×0,4 mm mit SO-Rahmen mit den Abmessungen 4×12×1,8 mm und kapselt die Produkte dann mit den Epoxidharzmassen ein durch Formen während 2 Minuten bei 175°C und Nachhärten während 4 Stunden bei 180°C. Die Packungen läßt mann dann bei 85°C und einer relativen Feuchtigkeit von 85% während 24 und 48 Stunden in einer heißen feuchten Atmosphäre stehen und taucht sie dann während 10 Sekunden in ein Lötbad mit einer Temperatur von 240°C. Dann werden die Packungen zerlegt, um das Auftreten von Innenrissen zu untersuchen. Angegeben ist die Anzahl der Packungen mit Rissen/Anzahl der gesamten untersuchten Packungen.
Die Fig. 1 zeigt eine bei diesem Test verwendete Packung mit einem Siliciumchip 1, einem Rahmen 2 und dem einkapselnden Harz 3. In dem Harz 3 bilden sich Risse 4.
(E) Feuchtigkeitsbeständigkeit
Man verbindet 4-M-DRAM-Chips an SOJ-Rahmen mit 20 Pins und kapselt die Produkte dann mit den Epoxidharzmassen ein durch Formen während 2 Minuten bei 180°C und Nachhärten während 4 Stunden bei 180°C. Man läßt die Packungen während 24 Stunden in einer heißen feuchten Atmosphäre von 121°C und einer relativen Feuchtigkeit von 100% stehen und taucht sie dann während 10 Sekunden in ein Lötbad mit einer Temperatur von 260°C, wonach man die Proben während weiterer 300 Stunden in einer feuchten Atmosphäre bei 121°C und einer relativen Feuchtigkeit von 100% stehen läßt. Angegeben ist die Anzahl der Packungen mit gebrochenen Aluminiumdrähten/Gesamtanzahl der untersuchten Packungen.
(F) Wasserabsorption
Man formt Scheiben mit einem Durchmesser von 50 mm und einer Dicke von 2 mm aus den Epoxidharzen bei 180°C und 70 kg/cm² während 2 Minuten und härtet sie während 4 Stunden bei 180°C nach. Dann unterwirft man die Platten einem Dampfkochertest (PCT, Pressure Cooker Test) bei 121°C und einer relativen Feuchtigkeit von 100% während 24 Stunden, bevor man die (prozentuale) Wasserabsorption mißt.
Wie aus der obigen Tabelle hervorgeht, sind die erfindungsgemäßen Epoxidharzmassen freifließend und lassen sich zu Produkten aushärten mit niedrigem Elastizitätsmodul, niedrigem Ausdehnungskoeffizienten, hoher Glasumwandlungstemperatur und minimaler Wasserabsorption. Wenn Halbleiterbauteile mit den erfindungsgemäßen Epoxidharzmassen eingekapselt werden, zeigen sie eine verbesserte Rißbildung beim Löten nach der Feuchtigkeitsabsorption und eine höhere Feuchtigkeitsbeständigkeit und zeigen eine hohe Zuverlässigkeit selbst bei thermischen Schocks nach der Oberflächenpackung.

Claims (8)

1. Epoxidharzmasse enthaltend
(A) ein Epoxidharz mit mindestens zwei Epoxygruppen im Molekül,
(B) ein Phenolharz mit mindestens einem substituierten oder unsubstituierten Naphthalinring im Molekül, und
(C) einen anorganischen Füllstoff.
2. Epoxidharzmasse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Teil des Epoxidharzes (A) ein Epoxidharz mit mindestens einem substituierten oder unsubstituierten Naphthalinring im Molekül ist.
3. Epoxidharzmasse nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Epoxidharz (A) ein Epoxidharz mit mindestens einem substituierten oder unsubstituierten Naphthalinring im Molekül ist.
4. Epoxidharzmasse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Phenolharz (B) 5 bis 80 Gew.-% Naphthalinringe enthält.
5. Epoxidharzmasse nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Naphthalinringe enthaltende Epoxidharz 5 bis 80 Gew.-% Naphthalinringe enthält.
6. Epoxidharzmasse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bestandteile (A) und (B) Epoxygruppen und phenolische Hydroxylgruppen in solchen Mengen enthalten, daß das Molverhältnis von Epoxygruppen zu phenolischen Hydroxylgruppen 1/2 bis 2/3 beträgt.
7. Epoxidharzmasse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß 100 bis 1000 Gew.-Teile des Füllstoffs (C) pro 100 Gew.-Teile der Gesamtmenge der Bestandteile (A) und (B) vorhanden sind.
8. Halbleiterbauteil eingekapselt mit der Epoxidharzmasse nach einem der Ansprüche 1 bis 7 in gehärtetem Zustand.
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