KR100191744B1 - 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 - Google Patents

에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

(A) 1분자 중에 에폭시기를 2개 이상 갖는 에폭시 수지,
(B) 1분자 중에 치환되거나 또는 비치환된 나프탈렌 고리를 1개 이상 갖는 페놀 수지,
(C) 무기질 충진제
를 함유함을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.

Description

에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치
제1도는 흡습 땜납 후의 내크랙성 시험에서 사용한 SO 팩키지에 크랙이 생긴 상태를 나타내는 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 실리콘칩 2 : 프레임
3 : 밀봉 수지 4 : 크랙
본 발명은, 유동성이 양호함과 동시에, 팽창 계수가 작고, 높은 유리 전이 온도를 가지면서 저흡수성인 경화물을 제공할 수 있는 에폭시 수지 조성물 및 이 에폭시 수지 조성물의 경화물로 밀봉된 반도체 장치에 관한 것이다.
현재, 반도체 산업에서는 수지 밀봉형의 다이오드, 트랜지스터, IC, LSI, CH LSI 가 주류를 이루고 있고, 그중에서도 경화성 에폭시 수지, 경화제 및 이에 각종 첨가제를 배합한 에폭시 수지 조성물은, 일반적으로 다른 열 경화성 수지에 비해 성형성, 접착성, 전기 특성, 기계적 특성, 내습성 등이 뛰어나기 때문에, 에폭시 수지 조성물로 반도체 장치를 밀봉하는 일이 많이 행해지고 있으나, 최근에 있어서 이들 반도체 장치는 집적도가 점점 커져서 이에 따라 칩 치수도 커지고 있다. 한편, 이에 대해서 팩키지 외형 치수는 전자 기기의 소형화, 경량화의 요구에 따라, 소형화, 박형화가 진행되고 있다. 또한, 반도체 부품을 회로 기판에 부착하는 방법도, 기판상 부품의 고밀도화나 기판의 박형화를 위해, 반도체 부품의 표면 장착이 양호하게 행하여지고 있다.
그렇지만, 반도체 장치를 표면 장착할 경우, 반도체 장치 전체를 땜납조에 침지시키거나 또는 땜납이 용융되는 고온 죤을 통과시키는 방법이 일반적이지만, 그 때의 열 충격에 의해 밀봉 수지층에 크랙(crack)이 발생하거나, 리드프레임이나 칩과 밀봉 수지와의 계면에 박리가 생기게 된다. 이와 같은 크랙이나 박리는, 표면 장착시의 열 충격 이전에 반도체 장치의 밀봉 수지층이 흡습하고 있으면 더욱 현저한 것이 되지만, 실제의 작업 공정에 있어서는, 밀봉 수지층의 흡습은 피할 수 없으며, 이로 인해 장착후 에폭시 수지로 밀봉한 반도체 장치의 신뢰성이 크게 손상되는 경우가 있다.
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 유동성이 양호함과 동시에, 저팽창계수, 저응력, 높은 유리 전이 온도를 가지며, 또한 저흡습성인 경화물을 제공할 수 있는 에폭시 수지 조성물 및 이 에폭시 수지 조성물의 경화물로 밀봉된, 표면 장착시의 열 충격 후에 있어서도 높은 신뢰성을 갖는 반도체 장치를 제공함을 목적으로 한다.
본 발명자는 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 거듭한 경과, (A) 1분자 중에 에폭시기를 2개 이상 갖는 에폭시 수지, (B) 경화제로서 1분자 중에 치환되거나 또는 비치환된 나프탈렌 고리를 1개 이상 갖는 페놀 수지, (C) 무기질 충진제를 필수 성분으로서 조합하여 배합한 경우, 더욱 바람직하기로는 (A)성분의 일부 또는 전부에 1분자 중에 치환되거나 또는 비치환된 나프탈렌 고리를 1개 이상 갖는 에폭시 수지를 사용한 경우, 얻어지는 에폭시 수지 조성물은, 유동성이 양호함과 동시에, 팽창 계수가 작고, 유리 전이 온도 이상의 온도 영역에서 탄성율이 저하하는 등의 특징을 갖는 저응력성이 우수한 경화물을 제공할 수 있고, 더구나 종래의 저탄성율화의 수법으로 얻어지는 에폭시 수지 조성물은 유리 전이 온도의 저하나 수지 강도 부족 등의 결점을 겸비하고 있는 것이었으나, 상기 에폭시 수지 조성물은 저탄성율이면서 유리 전이 온도의 저하가 없을 뿐만 아니라 저흡습성 등, 종래의 에폭시 수지 조성물로는 얻어지지 않았던 뛰어난 특성을 갖는 경화물을 제공할 수 있다는 것을 알게 되었다. 또 이러한 경화물로 밀봉된 반도체 장치는 표면 장착시, 열 충격 후에 있어서도 높은 신뢰성을 갖고, 이로 인해 상기 에폭시 수지 조성물은 SOP형, SOJ형, PLCC형, 플랫팩형 등의 어떤 형태의 반도체 장치의 밀봉에도 사용할 수 있고, 특히 표면 장착용 반도체 장치의 밀봉재로서 매우 뛰어난 특성을 갖고 있음을 발견하여, 본 발명을 완성하게 되었다.
따라서, 본 발명은
(A) 1분자 중에 에폭시기를 2개 이상 갖는 에폭시 수지,
(B) 1분자 중에 치환되거나 또는 비치환된 나프탈렌 고리를 1개 이상 갖는 페놀 수지,
(C) 무기질 충진제
를 함유하여 이루어짐을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물 및 이 에폭시 수지 조성물의 경화물로 밀봉한 반도체 장치를 제공한다.
이하 본 발명에 관해 더욱 상세히 설명한다.
본 발명에 관한 에폭시 수지 조성물은, 전술한 바와 같이 (A) 에폭시 수지, (B) 페놀 수지 및 (C) 무기질 충진제를 배합해서 이루어진 것이다.
여기에서, (A)성분의 에폭시 수지는, 1분자 중에 에폭시기를 2개 이상 갖는 에폭시 수지이며, 구체적으로는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 알릴페놀 노볼락형 에폭시 수지 등의 글리시딜에테르형 에폭시 수지, 트리페놀알칸형 에폭시 수지 및 그 중합물, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환형 에폭시 수지, 할로겐화 에폭시 수지 등의 에폭시 수지를 들수 있고, 이들 에폭시 수지의 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 병용해서 사용할 수 있으나, 본 발명에 있어서는 팽창 계수가 작고, 저흡습성인 경화물을 얻는다는 목적을 보다 유리하게 달성시키기 위해, (A)성분의 에폭시 수지의 일부 또는 전부를, 1분자 중에 치환되거나 또는 비치환된 나프탈렌 고리를 1개 이상 갖는 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 나프탈렌 고리를 갖는 에폭시 수지의 구체예로서는 하기의 화합물을 들 수 있다.
(상기 식 중, R1은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1-5개의 1가 탄화 수소기를 나타내고, OG는을 나타내고, m은 1 또는 2이며, k, l, n은 각각 2 이상의 정수이다.)
또, (B)성분의 페놀 수지는 (A)성분의 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 본 발명에 있어서는 1분자 중에, 치환되거나 또는 비치환된 나프탈렌 고리를 1개 이상 갖는 페놀 수지를 사용한다. 이러한 나프탈렌 고리를 갖는 페놀 수지를 경화제로서 사용함으로써, 팽창 계수가 작고, 유리 전이 온도가 높으며, 유리 전이 온도 이상의 온도 영역에서 저탄성율이고, 또한 저흡습성인 경화물을 얻을 수 있기 때문에, 본 발명의 에폭시 수지 조성물을 반도체 장치의 밀봉재로서 사용한 경우, 열 충격시의 내크랙성이 개선되고, 열 충격 후의 반도체 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.
이 나프탈렌 고리를 갖는 페놀 수지의 구체예로서 다음의 화합물을 들 수 있다.
(상기 식 중, R1, k, l, m은 각각 상기 정의한 바와 같고, p는 1이상의 정수이다.)
본 발명에 있어서는, 상기 페놀 수지의 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있고, 이를 에폭시 수지의 경화제의 주성분으로 하는 것이지만, 필요에 따라서, 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 페놀알랄킬 수지, 트리페놀알칸형 수지 및 그 중합물 등의 페놀 수지, 디아미노디페닐메탄, 디아미노디페닐술폰, 메타페닐렌디아민 등으로 대표되는 아민계 경화제, 무수프탈산, 무수피로멜리트산, 무수 벤조페논테트라카르복실산 등의 산 무수물 경화제를 병용할 수도 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 에폭시 수지 및 경화제로서의 페놀 수지 중에서의 나프탈렌 고리의 함유량은 5-80중량%, 특히 10-60중량%의 범위로 함이 바람직하다. 나프탈렌 고리의 함유량이 10중량% 미만이면 경화물의 저흡습화, 또 유리 전이 온도 이상의 온도 영역에서의 저탄성율 효과가 현저하지 않기 때문에, 흡습 후 열 충격시의 내크랙성이 충분히 개선되지 않는 일이 있다. 또 나프탈렌 고리의 함유량이 80중량%를 초과하면, 제조시의 분산성 또는 성형성등에 있어서 불리하게 되는 경우가 있다.
또, 상기 (A)성분, (B)성분에 함유되는 에폭시기의 양(a몰)과 페놀성 수산기의 양(b몰)의 비는 a/b=0.5-1.5의 범위인 것이 바람직하고, a/b가 상기 범위외이면, 경화성, 저응력성에 있어서 불리하게 되는 경우가 있다.
(C)성분의 무기질 충진제는, 통상 에폭시 수지 조성물에 배합되는 것을 사용할 수 있고, 예를 들면 용융 실리카, 결정 실리카 등의 실리카류, 알루미나, 카본블랙, 운모, 점토, 카올린, 유리 비드, 유리 섬유, AIN, SiC, 아연 화이트, 삼산화안티몬, 탄화칼슘, 수산화 알루미늄, BeO, 질화붕소, 산화티탄, 탄화규소, 산화철 등을 들 수 있다. 이들 무기질 충진제는 그 1종을 단독으로 사용할 수 있고, 또 2종 이상을 병용하도록 해도 좋고, 그 배합량은 특별히 제한되지는 않으나, (A)성분과 (B)성분의 합계량 100부(중량부, 이하 동일)에 대해서 100-1000부, 특히 200-700부의 범위로 함이 바람직하다.
또한, 본 발명의 에폭시 수지 조성물에는, 경화 촉매를 배합할 수 있고, 이 경화 촉매로서는 이미다졸 화합물, 삼급아민 화합물, 인계 화합물 등이 예시되지만, 1, 8-디아자비시클로 (5.4.0) 운데센-7과 트리페닐포스핀을 0:1-1:1, 바람직하기로는 0.01:1-0.5:1 중량비의 범위로 병용 촉매로 사용함이 바람직하다. 1, 8-디아자비시클로(5.4.0) 운데센-7의 비율이 상기 범위보다 높아지면 유리 전이 온도가 낮아지는 경우가 있다. 상기 병용 촉매의 첨가량은 특별히 제한되지는 않으나, (A)성분과 (B)성분의 합계량 100부에 대해서 0.2-2부, 특히 0.4-1.2부로 함이 바람직하다.
본 발명의 조성물에는, 또한 필요에 따라서 각종 첨가제를 배합할 수 있다. 예를 들면 열 가소성 수지, 열 가소성 엘라스토머, 유기 합성 고무, 실리콘계 등의 저응력제, 카르나바 왁스 등의 왁스류, 스테아르산 등의 지방산 및 그 금속염 등의 이형제, 카본 블랙, 코발트블루, 벵가라 등의 안료, 산화 안티몬, 할로겐 화합물등의 난연화제, 표면 처리제(γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 등), 에폭시실란, 비닐실란, 붕소 화합물, 알킬티타네이트 등의 커플링제, 노화 방지제, 그밖의 첨가제의 1종 또는 2종 이상을 배합할 수 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은, 그 제조에 있어서 상기한 성분의 소정량을 균일하게 교반, 혼합하고, 70-95℃로 예비 가열한 니더, 롤, 엑스톨더 등에 의해 혼련, 냉각하여, 분쇄하는 등의 방법으로 얻을 수 있다. 여기에서, 성분의 배합 순서에는 특별한 제한은 없다.
이리하여 얻어지는 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 SOP형, SOJ형, PLCC형, 플랫팩형 등의 반도체 장치의 밀봉용으로 유효하게 사용할 수 있고, 이 경우 성형은 종래부터 사용되고 있는 성형법, 예를 들면 트랜스퍼 성형, 사출 성형, 주형법 등을 사용해서 행할 수 있다. 또한, 본 발명의 에폭시 수지 조성물의 성형 온도는 150-180℃, 후경화는 150-180℃에서 2-16시간 동안 행하는 것이 바람직하다.
앞에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은, 상기한 성분을 조합시킴으로써, 유동성이 양호함과 동시에, 저탄성율로 팽창 계수가 작고, 저응력이면서 유리 전이 온도가 높으며, 더구나 저흡습성인 경화물을 제공할 수 있으며, 이로 인해 본 발명의 에폭시 수지 조성물의 경화물로 밀봉된 반도체 장치는 표면 장착시 열 충격 후에 있어서도 높은 신뢰성을 가질 수 있다.
이하, 실시예 및 비교 실시예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명하나, 본 발명은 하기 실시예로 제한되는 것은 아니다. 또한, 아래의 예에 있어서 부는 모두 중량부이다.
[실시예 1-8, 비교실시예 1-3]
다음에 나타낸 에폭시 수지 및 페놀 수지를 표 1에 나타낸 비율로 사용하고, 다음에 나타낸 경화 촉매 0.6부, 트리페닐포스핀 0.5부, 석영 분말 [I] 250부, 석영 분말 [II] 250부, 석영 분말 [III] 70부, Sb2O38부, 카본블랙 1.5부, 카르나바왁스 1부 및 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 3부를 가열된 두개의 롤로 균일하게 용융 혼합하고, 냉각, 분쇄하여 에폭시 수지 조성물을 얻었다.
[경화 촉매]
1, 8-디아자비시클로 (5.4.0) 운데센-7과 페놀노볼락 수지(TD 2131 다이닛뽕 잉키사 제품)을 20/80 중량비의 비율로 130℃ ×30분 가열 용융 혼합한 다음, 50㎛ 이하로 미분쇄한 것.
[석영 분말]
[I] 비표면적 1.4㎡/g, 평균 입경 15㎛의 용융 구상 실리카(75㎛ 이상의 조입자 0.1% 이하)
[II] 비표면적 2.5㎡/g, 평균 입경 10㎛의 용융 파쇄 실리카(75㎛ 이상의 조입자 0.1%)
[III] 비표면적 10㎡/g, 평균 입경 1.0㎛의 용융 구상 실리카
이어서, 이들 조성물에 관해서, 다음의 (가)-(바)의 시험을 행하였다. 결과를 표 1에 병기한다.
(가) 스피럴 플로우(spiral flow)값
EMMI 규격에 준한 금형을 사용해서, 180℃, 70kg/㎠의 조건으로 측정하였다.
(나) 기계적 강도(굴곡 강도 및 굴곡 탄성율)
JIS-K 6911에 준해서 180℃, 70kg/㎠, 성형시간 2분의 조건으로 10×4×100mm의 항절봉을 성형하고, 180℃에서 4시간 후 경화시킨 것에 대해서 215℃에서 측정하였다.
(다) 팽창 계수, 유리 전이 온도
4mmψ × 15mm 의 시험편을 사용해서, 딜러트미터에 의해 매분 5℃의 속도로 승온한 때의 값을 측정하였다.
(라) 흡습 땜납 후의 내크랙성
2×4×0.4mm 크기의 실리콘칩을 4×12×1.8mm의 SO 팩키지에 접착하고, 여기에 에폭시 수지 조성물을 성형 조건 175℃×2분에서 성형하고, 180℃에서 4시간 후경화시켰다.
이것을 85℃/85% RH 분위기 중에서 24시간 및 48시간 방치한 후, 온도 240℃의 땜납용에 10초간 침지하여, 팩키지크랙수/총수를 측정하였다. 또한, 내부 크랙이 발생한 상태를 제1도에 나타낸다.
(마) 내습성
4MDRAM 칩을 20PIN의 SOJ 프레임에 접착하고, 여기에 에폭시 수지 조성물을 성형 조건 180℃×2분에서 성형하여, 180℃에서 4시간 후경화시켰다. 이것을 121℃/100% RH 분위기 중에서 24시간 방치하여 흡습시킨 다음, 260℃의 땜납용에 10초간 침지하고, 다시 121℃/100% RH 분위기 중에서 300시간 방치했을 때의 Al 배선단선수/총수를 측정하였다.
(바) 흡수율
180℃, 70kg/㎠, 성형시간 2분의 조건에서 50ψ×2mm의 원판을 성형하고, 180℃에서 4시간 후경화시킨 것을 121℃/100% PCT 중에서 24시간 방치하여, 흡수율을 측정하였다.
표 1의 결과로부터, 본 발명의 에폭시 수지는 유동성이 양호하고, 또 저탄성율, 저팽창 계수를 가짐과 동시에, 유리 전이 온도가 높고, 더구나 흡수율이 낮은 경화물을 제공하며, 이로 인해 본 발명의 조성물의 경화물로 밀봉된 반도체 장치는 흡습 땜납 후의 내크랙성, 내습성이 양호하고, 표면 장착시 열 충격후에 있어서도 높은 신뢰성을 갖는 것을 알 수 있다.

Claims (3)

  1. (A) 1분자 중에 에폭시기를 2개 이상 갖는 에폭시 수지, (B) 하기의 화합물로부터 선택된 페놀 수지
    (상기 식 중, R1은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 5의 1가 탄화 수소기를 나타내고, m은 1 또는 2이며, k, l 및 p는 각각 2 이상의 정수이다.) 및 (C) 무기질 충진제를 함유함을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, (A)성분의 에폭시 수지의 일부 또는 전부가, 치환되거나 또는 비치환된 나프탈렌 고리를 1분자 중에 1개 이상 갖는 에폭시 수지인 에폭시 수지 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항 기재의 에폭시 수지 조성물의 경화물로 밀봉한 반도체 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0496929A (ja) * 1990-08-14 1992-03-30 Shin Etsu Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2970969B2 (ja) * 1992-05-21 1999-11-02 富士通株式会社 エポキシ樹脂組成物
US5334674A (en) * 1991-06-19 1994-08-02 Dai-Ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd. Polyhydroxy aromatic compounds, epoxy resins derived therefrom and epoxy resin compositions
JPH05230170A (ja) * 1991-06-25 1993-09-07 Matsushita Electric Works Ltd エポキシ樹脂組成物
JPH05230187A (ja) * 1991-06-25 1993-09-07 Matsushita Electric Works Ltd 封止用エポキシ樹脂組成物
JPH0597970A (ja) * 1991-10-07 1993-04-20 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置
US5346743A (en) * 1992-03-13 1994-09-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Resin encapsulation type semiconductor device
US5459223A (en) * 1993-01-22 1995-10-17 Hitachi Chemical Company Method of preparing naphthol-modified phenolic resin
US5827908A (en) * 1994-01-26 1998-10-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Naphthalene and or biphenyl skeleton containing epoxy resin composition
JPH09235451A (ja) * 1996-02-28 1997-09-09 Yuka Shell Epoxy Kk 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
TW452944B (en) * 1997-06-03 2001-09-01 Hitachi Chemical Co Ltd Phenolic resin, resin composition, molding material for encapsulation, and electronic component device
US20040075802A1 (en) * 1999-12-14 2004-04-22 Mitsui Chemicals, Inc. Sealant for liquid crystal display cell, composition for liquid crystal display cell sealant and liquid crystal display element
US7943706B2 (en) * 2005-03-24 2011-05-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device
JP5513840B2 (ja) * 2009-10-22 2014-06-04 電気化学工業株式会社 絶縁シート、回路基板及び絶縁シートの製造方法
US9641163B2 (en) 2014-05-28 2017-05-02 Cree, Inc. Bandwidth limiting methods for GaN power transistors
US9472480B2 (en) * 2014-05-28 2016-10-18 Cree, Inc. Over-mold packaging for wide band-gap semiconductor devices
US9515011B2 (en) 2014-05-28 2016-12-06 Cree, Inc. Over-mold plastic packaged wide band-gap power transistors and MMICS
JP6267261B2 (ja) * 2016-03-30 2018-01-24 旭化成株式会社 熱硬化性樹脂組成物

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2095678B (en) * 1981-03-11 1984-08-01 Coal Industry Patents Ltd Epoxy-cured nfp resin varnish and products prepared therewith
JPS62167318A (ja) * 1986-01-20 1987-07-23 Teijin Ltd エポキシ樹脂の硬化方法
JPS63159419A (ja) * 1986-12-23 1988-07-02 Dainippon Ink & Chem Inc エポキシ樹脂の製造方法
JPH0617440B2 (ja) * 1989-05-30 1994-03-09 新日鐵化学株式会社 新規エポキシ樹脂及びその製造法
JP2732126B2 (ja) * 1989-07-12 1998-03-25 日本化薬株式会社 高耐熱、低吸水性樹脂組成物
JP2732125B2 (ja) * 1989-07-07 1998-03-25 日本化薬株式会社 高耐熱性樹脂組成物
JPH0390075A (ja) * 1989-09-01 1991-04-16 Nippon Steel Chem Co Ltd エポキシ樹脂及びその中間体並びにその製造法
JP3074013B2 (ja) * 1989-11-20 2000-08-07 日本化薬株式会社 エポキシ樹脂組成物及びその硬化物

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