DE4003842A1 - Epoxidharzmassen zum einkapseln von halbleitern - Google Patents
Epoxidharzmassen zum einkapseln von halbleiternInfo
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Description
Die Erfindung betrifft Epoxidharzmassen zum Einkapseln von Halbleitervorrichtungen.
Typische Epoxidharzmassen des Standes der Technik zum Einkapseln von Halbleitervorrichtungen
sind Epoxidharzmassen mit darin vermischtem Härtungsmittel,
wie Phenolharz, und anorgnaischen Füllstoff, wie Siliciumdioxid. Diese
Epoxidharzmassen sind zum Einkapseln für Halbleitervorrichtungen vorteilhaft.
Aufgrund ihrer niedrigen Schmelzviskosität und ihres hohen Schmelzfließvermögens
im Vergleich zu anderen hitzehärtbaren Harzmassen, wie Phenolharzmassen,
bewirken diese Epoxidharzmassen eine verbesserte Feuchtigkeitsbeständigkeit
bei LSI, IC und Transistoren unter Herabsetzung von Beschädigungen
an den darauf aufgebrachten feinen Mustern und Drähten.
Die jüngste Entwicklung, daß Siliciumchips vergrößert sind und der Abstand der
Verdrahtungen verkleinert ist, erfordert die Annäherung des Ausdehnungskoeffizienten
von Verkapselungsmassen für Halbleiter an den von Siliciumchips. Ein
Versuch besteht darin, die Menge des in die Epoxidharzmasse eingemischten
Füllstoffs zu erhöhen, um somit den Ausdehnungskoeffizienten der gehärteten
Masse zu verringern.
Andererseits besteht der Wunsch nach einer fließfähigeren Einkapselungsmasse,
um somit der Nachfrage nach größeren Mehrfachanschlußstift-Bausteinen
entgegenzutreten. Im allgemeinen fließt die Epoxidharzmasse beim Anstieg der
Menge des Füllstoffs nur gering, und sie läßt sich zudem unzulänglich verformen,
wobei des öfteren Hohlräume und Drahtverschiebungen während des Verformens
gebildet werden, was zu einem gehärteten Produkt mit geringer Feuchtigkeitsbeständigkeit
führt. Es besteht daher ein Bedürfnis für die Entwicklung einer Epoxidharzmasse
zum Einkapseln von Halbleitern, mit hohem Fließvermögen und
Verformbarkeit, welche in der Lage ist, ein gehärtetes Produkt mit niedrigem Ausdehnungskoeffizienten zu bilden.
Bei Epoxidharzmassen aus einem Epoxidharz, einem Härtungsmittel und einem
anorganischen Füllstoff sind bereits einige Lösungsversuche gemacht worden,
indem man zur Verminderugn der Spannung an Modifikationsmittel auf der Basis
von Silicon oder Polybutadien hinzugefügt hat oder die Menge an eingemischtem
anorganischen Füllmittel zur Verminderung des Ausdehnungskoeffizienten
erhöht hat. Diese Lösungsversuche haben, obwohl sie die Spannung vermindern
können, einige Nachteile. Die Erhöhung der Menge an eingemsichtem anorganischen
Füllstoff beeinflußt das Fließvermögen der Masse während des Verformens
und die Feuchtigkeitsbeständigkeit des gehärteten Produkts beim Löten
nach Feuchtigkeitsabsorption in ungünstiger Weise. Es ist daher schwierig, einen
Kompromiß zwischen den wichtigen Funktionen für Einkapselungsmassen, wie
niedrige Spannung, Feuchtigkeitsbeständigkeit beim Löten nach Feuchtigkeitsabsorption
und Schmelzfließvermögen zu finden.
Es besteht außerdem eine weitere Nachfrage nach dünneren Halbleitervorrichtungen,
welche für flache Bausteine und SOJ-Bausteine typisch sind. Wenn man
dünne Halbleitervorrichtungen auf Leiterplatten anbringt, könnte die Gegenwart
von Feuchtigkeit im Bauteil eine Wasserdampfexplosion hervorrufen, welche
Risse im Bauteil und Hohlräume auf der Oberfläche des Siliciumchips hervorrufen
würden.
Es besteht deshalb ein Bedarf hinsichtlich der Entwicklung einer Epoxidharzmasse
zum Einkapseln von Halbleitern mit einem hohen Fließvermögen beim
Verformen, welche in der Lage ist, ein gehärtetes Produkt mit geringer Spannung
und verbesserter Lötbeständigkeit, insbesondere Feuchtigkeitsbeständigkeit
und Rißbeständigkeit nach Feuchtigkeitsabsorption, zu bilden.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Epoxidharzmasse zum Einkapseln
von Halbleitern, mit hohem Fließvermögen und verbesserter Verformbarkeit
zur Verfügung zu stellen, welche in der Lage ist, ein gehärtetes Produkt mit
niedrigem Ausdehnungskoeffizienten zu bilden. Mit verbesserter Verformbarkeit
ist gemeint, daß die Formmasse beim Verformen keine Defekte, wie Hohlräume
und Drahtverschiebung, hervorruft.
Es ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, eine Epoxidharzmasse zum Einkapseln
für Halbleiter zur Verfügung zu stellen, die beim Verformen ein hohes Fließvermögen
aufweist und in der Lage ist, ein gehärtetes Produkt mit niedriger Spannung
und verbesserter Lötbeständigkeit nach Feuchtigkeitsabsorption, insbesondere
Feuchtigkeitsbeständigkeit und Rißbeständigkeit nach Feuchtigkeitsabsorption
in Kombination mit anderen Behandlungen einschließlich Löten, zu
bilden.
Es ist gefunden worden, daß eine Epoxidharzmasse zum Einkapseln von Halbleitern,
aus einem Epoxidharz, einem Härtungsmittel und einem Füllstoff verbessert
wird, wenn man kugelförmiges (sphärisches) Siliciumdioxid mit einer mittleren
Teilchengröße von 5 bis 35 µm und einer spezifischen Oberfläche von bis zu
1,4 m²/g als Füllstoff, vorzugsweise in einer Menge von mindestens 20 Gew.-%,
insbesondere mindestens 50 Gew.-% des gesamten Füllstoffs einmischt, wobei die
Fraktion von Teilchen mit einer Teilchengröße von mindestens 75 µm auf bis zu
1 Gew.-% des gesamten Füllstoffs beschränkt ist. Wenn sogar die Menge an eingemischtem
Füllstoff zu Verringerung des Ausdehnungskoeffizienten eines gehärteten
Produkts erhöht ist, verliert die Masse nicht ihr Fließvermögen, oder verursacht
auch keine Defekte beim Verformen, wie Hohlräume und Drahtverschiebungen
beimn Verformen, so daß das entstandene gehärtete Produkt eine verbesserte
Feuchtigkeitsbeständigkeit aufweist. Auf diese Weise erhält man eine Epoxidharzmasse
zum Einkapseln von Halbleitern mit hohem Fließvermögen und
verbesserter Verformbarkeit, welche in ein Produkt mit niedrigem Ausdehnungskoeffizienten
gehärtet werden kann.
Die Erfindung betrifft als erste Ausführungsform eine Epoxidharzmasse zum
Einkapseln von Halbleitern, aus einem Epoxidharz, einem Härtungsmittel und
einem Füllstoff, die dadurch gekennzeichnet ist, daß der Füllstoff kugelförmiges
Siliciumdioxid mit einer mittleren Teilchengröße von 5 bis 35 µm und einer spezifischen
Oberfläche bis zu 1,4 m²/g umfaßt. Der Anteil an Teilchen mit einer
Teilchengröße von mindestens 75 µm beträgt bis zu 1 Gew.-% des gesamten Füllstoffs.
Es sind weiterhin Untersuchungen über anorganische Füllstoffe für Epoxidharzmassen
zum Einkapseln von Halbleitern durchgeführt worden. Verschiedene
Nachteile von Epoxidharzmassen des Standes der Technik konnten durch Verwendung
einer Mischung aus (A) kugelförmigem Siliciumdioxid mit einer mittleren
Tielchengröße von 5 bis 35 µm, (B) kugelförmigem Siliciumdioxid mit einer
mittleren Teilchengröße von 0,1 bis 2 µm und (C) gemahlenem Siliciumdioxid mit
einer mittleren Teilchengröße von 2 bis 15 µm als anorganischer Füllstoff, vorzugsweise
einer Mischung aus 20 bis 80 Gew.-% kugelförmigem Siliciumdioxid
(A), 1 bis 20 Gew.-% kugelförmigem Siliciumdioxid (B) un d20 bis 80 Gew.-% gemahlenem
Siliciumdioxid (C), bezogen auf das Gesamtgewicht des Füllstoffes, beseitigt
werden. Auf diese Weise erhält man eine Epoxidharzmasse zum Einkapseln
von Halbleitern mit hohem Fließvermögen beim Verformen, welche in ein
Produkt mit geringer Spannung und verbesserter Lötbeständigkeit nach Feuchtigkeitsabsorption
gehärtet werden kann.
Die Erfindung betrifft als zweite Ausführungsform eine Epoxidharzmasse zum
Einkapseln von Halbleitern, aus einem Epoxidharz, einem Härtungsmittel und
einem anorganischen Füllstoff, worin der anorganische Füllstoff (A) kugelförmiges
Siliciumdioxid mit einer mittleren Teilchengröße von 5 bis 35 µm, (B) kugelförmiges
Siliciumdioxid mit einer mittleren Teilchengröße von 0,1 bis 2 µm
und (C) gemahlenes Siliciumdioxid mit einer mittleren Teilchengröße von 2 bis
15 µm umfaßt.
Die erfindungsgemäße Epoxidharzmasse zum Einkapseln von Halbleitern enthält
ein Epoxidharz, ein Härtungsmittel und einen anorganischen Füllstoff.
Das vorliegend verwendete Epoxidharz ist nicht besonders beschränkt, soweit es
mindestens zwei Epoxidgruppen in seinen Molekülen aufweist. Beispiele dafür
schließen Ortho-Kresol-Epoxidharze vom Novolak-Typ, phenolische Epoxidharze
vom Novolak-Typ, cycloaliphatische Epoxcidharze, Epoxidharze vom Bisphenol-
Typ, substituierte oder unsubstituierte Epoxidharze vom Triphenolalkan-
Typ und halogenierte Vertreter der vorstehenden Epoxidharze alleine und
eine Mischung aus zwei oder mehreren von ihnen ein. Bevorzugt sind Kresol-Epoxidharze
vom Novolak-Typ und phenolische Epoxidharze vom Novolak-Typ.
Das Härtungsmittel kann im Einklang mit dem speziellen Typ des Epoxidharzes
ausgewählt werden. Typische Beispiele sind Amin- und Acetanhydridhärtungsmittel
sowie phenolische Novolak-Härtungsmittel. Die phenolischen Novolak-
Härtungsmittel sind insbesondere bevorzugt im Hinblick auf die Verformbarkeit
und Feuchtigkeitsbeständigkeit der Epoxidharzmasse. Beispiele für phenolische
Novolak-Härtungsmittel sind Novolak-Phenolharze und Novolak-Kresolharze.
Das Härtungsmittel kann in nicht-eingeschränkter Menge eingemischt werden.
Wenn das Härtungsmittel ein Phenol-Novolak-Härtungmittel ist, dann wird es
vorzugsweise in der Weise eingemischt, daß das Molverhältnis der Epoxidgruppe
im Epoxidharz zur phenolischen Hydroxylgruppe im Härtungsmittel im Bereich
von 2 : 1 bis 2 : 3 liegt.
Ein Härtungsbeschleunigungsmittel kann vorzugsweise in die Masse zur Beschleunigung
der Reaktion zwischen dem Epoxidharz und dem Härtungsmittel
eingemischt werden. Beispiele für Härtungsbeschleunigungsmittel schließen
Imidazole, Undecen-Verbindungen, wie 1,8-Diazabicyclo-(5,4,0)-7-undecen
(DBU), Phosphinverbindungen, wie Triphenylphosphin, tertiäre Amine und Cycloamidine
allein und Mischungen davon ein. Die Menge des eingemischten Härtungsbeschleunigungsmittels
ist nicht besonders eingeschränkt und kann in
wirksamen Mengen verwendet werden.
Weiterhin kann ein Siliconpolymer vorzugsweise in die erfindungsgemäße Epoxidharzmasse
eingemischt werden, um somit die Spannungen herabzusetzen.
Mit dem hinzugefügten Siliconpolymer weist das gehärtetes Produkt im Wärmeschocktest
ein vermindertes Auftreten von Rissen in den Bausteinen auf. Beispiele
für Siliconpolymere schießen Siliconöle, Siliconharze, Siliconkautschuks, wobei
jeweils eine Epoxid-, Amino-, Carbonyl-, Hydroxyl-, Hydrosilyl- oder Vinylgruppe
vorhanden ist, und Copolymere aus diesen Siliconpolymeren mit organischen
Polymeren, wie Phenol-Novolak-Harze und epoxidierte Phenol-Novolak-
Harze, ein.
Das Siliconpolymer kann in Mengen von 1 bis 50 Gew.-Teilen pro 100 Gew.-Teile
der Gesamtmenge von Epoxidharz und Härtungsmittel eingemischt werden.
Erfindungsgemäß wird ein spezifischer Siliciumdioxidfüllstoff als anorganischer
Füllstoff in die Epoxidharzmasse zum Einkapseln von Halbleitern, welche
das Epoxidharz und das Härtungsmittel als wesentliche Bestandteile und das
oben beschriebene Härtungsbeschleunigungsmittel als wahlweisen Bestandteil
enthält, eingemischt.
Der vorliegend verwendete Füllstoff weist einen Anteil von Teilchen mit einer
Teilchengröße von mindestens 75 µm, welcher bis zu 1% beschränkt sein sollte,
vorzugsweise bis zu 0,5 Gew.-% des gesamten Füllstoffs, auf, und der Füllstoff umfaßt
das nachfolgend beschriebene spezifische kugelförmige Siliciumdioxid.
Das vorliegend verwendete kugelförmige Silicumdioxid weist eine mittlere Teilchengröße
von 5 bis 35 µm, vorzugsweise 8 bis 32 µm und eine spezifische Oberfläche
bis zu 1,4 m²/g, vorzugsweise 0,4 bis 1 m²/g auf, wobei der Anteil von Siliciumdioxidteilchen
mit einer Teilchengröße von 75 µm oder größer bis zu 2%, vorzugsweise
bis zu 1 Gew.-% des gesamten kugelförmigen Siliciumdioxid beträgt.
Wenn mehr als 1 Gew.-% von grobkörnigen Teilchen mit einer Teilchengröße von
mindestens 75 µm im gesamten Füllstoff vorhanden sind, dann könnte das gehärtete
Produkt die Oberfläche des Halbleiterchips beschädigen, was zu einem
Verlust der Feuchtigkeitsbeständigkeit führt. Wenn die mittlere Teilchengröße
des kugelförmigen Siliciumdioxids weniger als 5 µm beträgt, dann weist das gehärtete
Produkt im Wärmekreislauf eine geringere Rißbeständigkeit auf. Wenn
die mittlere Teilchengröße des kugelförmigen Siliciumdioxids mehr als 35 µm
beträgt, dann könnte beim Formen eine Drahtverschiebung auftreten. Kugelförmiges
Siliciumdioxid mit einer spezifischen Oberfläche von mehr als 1,4 m²/g
führt zu einer Masse mit geringer Fließfähigkeit.
Man erhält das kugelförmige Siliciumdioxid nach einer Vielzahl von Verfahren,
einschließlich Schmelzen von natürlichem Quartz, Hydrolyse oder Heißschmelzen
von gereinigtem Chlorsilan oder Alkoxysilan und Solgel-Verfahren.
In der Praxis kann das oben beschriebene kugelförmige Siliciumdioxid erfindungsgemäß
allein als Füllstoff verwendet werden. Solange der niedrige Ausdehnungskoeffizient
und das hohe Fließvermögen der Masse nicht ungünstig beeinflußt
wird, können andere Arten von Siliciumdioxid, wie gemahlenes geschmolzenes
Siliciumdioxid, kugelförmiges Siliciumdioxid mit einer spezifischen
Oberfläche von mehr als 1 m²/g und pyrogenes Siliciumdioxid zu dem oben beschriebenen
kugelförmigen Siliciumdioxid hinzugefügt werden. In diesem Fall
kann das spezifische kugelförmige Silicumdioxid in einer größeren Menge von
mindestens 20 Gew.-%, vorzugsweise mindestens 50 Gew.-% des Gesamtgewichts
des Füllstoffs eingemischt werden, da ansonsten kleinere Mengen manchmal eine
Masse ergeben, die ein geringes Fließvermögen und eine geringe Verformbarkeit
aufweist.
Hinsichtlich der zweiten Ausführungsform der Erfindung wird eine Mischung
aus (A) kugelförmigem Siliciumdioxid mit einer mittleren Teilchengröße von 5
bis 35 µm, vorzugsweise 8 bis 32 µm, (B) kugelförmigem Siliciumdioxid mit einer
mittleren Teilchengröße von 0,1 bis 2 µm, vorzugsweise 05, bis 1,5 µm und (C) gemahlenem
Siliciumdioxid mit einer mittleren Teilchengröße von 2 bis 15 µm,
vorzugsweise 3 bis 12 µm, als Füllstoff verwendet. Die Verwendung von diesen drei
Siliciumdioxid-Arten schafft eine Epoxidharzmasse mit Fließvermögen und
auch Lötbeständigkeit nach Feuchtigkeitsabsorption, wodurch ein gehärtetes
Produkt mit geringen Spannungen zur Verfügung gestellt wird.
Das kugelförmige Siliciumdioxid (A) weist vorzugsweise eine spezifische Oberfläche
bis zu 2,5 m²/g, vorzugsweise 0,4 bis 1,4 m²/g auf, da die Masse außerdem ein
verbessertes Fließvermögen aufweist. Das vorstehend beschriebene kugelförmige
Siliciumdioxid ist in Verbindung mit der ersten Ausführungsform am meisten
bevorzugt. Die Menge an eingemischtem kugeklförmigen Siliciumdioxid (A) liegt
im Bereich von 20 bis 80%, insbesondere 20 bis 75 Gew.-%, bezogen auf das Gewicht
des gesamten anorganischen Füllstoffs. Massen mit einem Füllstoff, der
weniger als 20 Gew.-% kugelförmiges Siliciumdioxid (A) enthält, kann manchmal
ein geringes Fließvermögen zeigen, währenddessen Massen mit Füllstoff, der
mehr als 80 Gew.-% kugelförmiges Siliciumdioxid (A) aufweist manchmal eine geringe
Lötbeständigkeit nach Feuchtigkeitsabsorption aufweisen.
Kugelförmiges Siliciumdioxid (B) bewirkt die Verbesserung des Fließvermögens
der Masse, wenn dieses zu dem kugelförmigen Siliciumdioxid (A) hinzugefügt
wird. Das kugelförmige Siliciumdioxid (B) weist vorzugsweise eine spezifische
Oberfläche von bis zu 15 m²/g, vorzugsweise 4 bis 10 m²/g auf, wodurch die Masse
weiterhin hinsichtlich ihrer Fließfähigkeit verbessert wird. Die Menge an eingemischtem
kugelförmigen Siliciumdioxid (B) liegt im Bereich von 1 bis 20%, insbesondere
5 bis 15%, bezogen auf das Gewicht des gesamten anorganischen Füllstoffs.
Massen mit Füllstoff, die weniger als 1 Gew.-% kugelförmiges Siliciumdioxid
(B) enthalten, können manchmal ein unzureichendes Fließvermögen aufweisen,
währenddessen Massen mit Füllstoff, der mehr als 20 Gew.-% kugelförmiges
Siliciumdioxid (B) enthält, manchmal eine geringe Lötbeständigkeit nach Feuchtigkeitsabsorption
aufweisen.
Gemahlenes Siliciumdioxid (C) bewirkt die Verbesserung der Löteigenschaften
eines gehärteten Produkts nach Feuchtigkeitabsorption ohne die Fließfähigkeit
der Masse zu beeinflussen. Das gemahlene Siliciumdioxid ist nicht besonders
eingeschränkt, solange es eine mittlere Teilchengröße von 2 bis 15 µm aufweist.
Man erhält das gemahlene Siliciumdioxid vorzugsweise durch feines Zerkleinern
von kugelförmigem Siliciumdioxid.
Das kugelförmige Siliciumdioxid, aus dem das gemahlene Siliciumdioxid (C) hergestellt
wird, ist nicht besonders eingeschränkt, wobei allerdings kugelförmige
Siliciumdioxidteilchen mit einer mittleren Teilchengröße von 20 bis 50 µm und
kugelförmgie Siliciumdioxidteilchen mit einer Teilchengröße von mindestens
75 µm bevorzugt sind. Diese kugelförmigen Siliciumdioxidteilchen können nach
allgemein bekannten Verfahren fein zerkleinert werden, wobei das Mahlen in der
Kugelmühle bevorzugt ist. Es versteht sich, daß das gemahlene Siliciumdioxid,
das durch Mahlen von kugelförmigen Siliciumdioxid erhalten wird, eine Masse
ist, die kugelförmige Siliciumdioxidteilchen, deren Oberfläche aufgerauht ist,
halbkugelförmige Stücke, die aus Teilung von Teilchen entstanden sind, halbkugelförmige
Stücke mit abgerundeten Ecken und andere Stücke mit irregulärer Gestalt
umfaßt.
Die Menge des eingemischten gemahlenen Siliciumdioxids (C) liegt im Bereich
von 20 bis 80%, insbesondere von 20 bis 75 Gew.-%, bezogen auf das Gewicht des
gesamten anorganischen Füllstoffs. Massen mit Füllstoff, der weniger als 20
Gew.-% gemahlenes Siliciumdioxid (C) enthält, können manchmal eine geringe
Lötbeständigkeit des gehärteten Produkts nach Feuchtigkeitsabsorption aufweisen,
währenddessen Massen mit Füllstoff, der mehr als 80 Gew.-% gemahlenes
Siliciumdioxid (C) enthält, manchmal zu einer geringen Fließfähigkeit führen.
Zusätzlich zu der oben beschriebenen Siliciumdioxidmischung können, solange
das Ziel der Erfindung erreicht wird, alle gewünschten anorganischen Füllstoffe,
wie Glasfasern, in die vorliegende Masse eingemischt werden.
Das Siliciumdioxid und die anderen anorganischen Füllstoffe können mit Haftmitteln,
wie γ-Glycidoxypropyltrimethoxysilan auf herkömmliche Weise vor
dem Einmsichen in die Masse oberflächenbehandelt werden.
In der bevorzugten erfindungsgemäßen Masse sind 250 bis 700 Teile, insbesondere
300 bis 550 Gew.-Teile des Füllstoffs pro 100 Gew.-Teile der Gesamtmenge von
Epoxidharz und Härtungsmittel vorhanden.
Zusätzlich zu den oben genannten Bestandteilen kann die erfindungsgemäße
Masse weiterhin, falls erwünscht, verschiedene gut bekannte Zusatzstoffe enthalten.
Die Zusatzstoffe schließen Trennmittel, z. B. Wachse, wie Carnauba-
Wachs und Fettsäuren, wie Sterinsäure und deren Metallsalze; Pigmente, wie Ruß,
Kobaltblau und rotes Eisenoxid; Flammverzögerungsmittel, wie Antimonoxid
und Halogenide, Haftmittel, wie Epoxysilan, Vinylsilan, Borverbindungen und
Alkyltitanate; Antioxidantien und dergleichen allein oder Mischungen davon
ein.
Die erfindungsgemäße Epoxidharzmasse kann beispielsweise durch gleichförmiges
Vermsichen der Mengen der oben genannten notwendigen Bestandteile,
Vermahlen der Mischung in einer auf 70 bis 95% vorgeheizten Mahlvorrichtung,
wie eine Knetvorrichtung, Walzmühle und Extruder, Abkühlen der Mischung und
Zerkleinern der Mischung hergestellt werden. Ein bevorzugtes Verfahren ist das
Schmelzmischen unter Verwendung einer Mischwalze oder eines Extruders. Die
Reihenfolge des Mischens der Bestandteile ist nicht kritisch.
Die erfindungsgemäße Epoxidharzmasse wird zum Einkapseln von Halbleitervorrichtungen,
wie IC, LSI, Transistoren, Thyristoren und Dioden als auch bei der
Herstellung von gedruckten Schaltungen verwendet.
Die Halbleitervorrichtungen können nach gut bekannten Verformungsverfahren,
wie Preßspritzen, Spritzgießen und Vergießen, eingekapselt werden. Sehr oft
wird die Epoxidharzmasse bei Temperaturen von 150 bis 180°C verformt und bei
Temperaturen von 150 bis 180°C während 2 bis 16 Stunden nachgehärtet.
Die erfindungsgemäßen Beispiele sind nicht einschränkend und dienen lediglich
der Erläuterung der Erfindung. Wenn nichts anderes angegeben ist, sind alle Teile
und Prozentangaben auf das Gewicht bezogen.
Man stellt eine Grundmasse her, indem man 58 Teile eines epoxidierten Novolak-
Kresolharzes mit einem Epoxidäquivalent von 200 und einem Erweichungspunkt
von 65°C, 6 Teile bromiertes epoxidiertes Novolak-Phenolharz mit einem
Epoxidäquivalent von 280, 36 Teilen eines Novolak-Phenolharzes mit einem
Phenoläquivalent von 110 und einem Erweichungspunkt von 80°C, 0,7 Teile Triphenylphosphin,
10 Teile Antimontrioxid, 1,5 Teile Carnauba-Wachs, 1,6 Teile
γ-Glycidoxypropyltrimethoxysilan und 1 Teil Kohlenstoff vermischt. Man stellt
die Epoxidharzmassen her, indem man die Grundmasse mit den verschiedenen in
Tabelle 1 gezeigten Arten von Siliciumdioxid in den in Tabelle 2 gezeigten Mengen
vermischt, wobei das Siliciumdioxid mit 0,6% γ-Glycidoxypropyltrimethoxysilan
oberflächenbehandelt worden ist. Man vermischt die Mischung unter
Schmelzen in einer Mischwalze bei 80°C während 5 Minuten, überführt in Platten-
bzw. Folienform, kühlt herunter und zerkleinert. Mit den in dieser Weise erhaltenen
Massen führt man folgende Tests durch:
Die Ergebnisse sind der Tabelle 2 zu entnehmen.
Die Ergebnisse sind der Tabelle 2 zu entnehmen.
- (i) Spiralfließfähigkeit (Fließfähigkeit der Masse in einer Spirale, spiral flow)
Man mißt die Spiralfließfähigkeit bei 175°C und 686 N/cm² (70 kgf/cm²) unter Verwendung einer Form nach dem EMMI-Standard. - (ii) Ausdehnungskoeffizient
Man formt ein Teststück von 5×5×5 mm bei 175°C während 2 Minuten und härtet bei 180°C während 4 Stunden nach. Man mißt den Ausdehnungskoeffizienten dieses Teststücks unter Verwendung einer Agne-Testvorrichtung (Sinku Riko K. K.), währenddem man es mit einer Geschwindigkeit von 5°C/Min. über einem Bereich von 25°C bis 250°C erhitzt. - (iii) Verformungsdefekt (charging defect)
Man kapselt ein 600 mil-DIP-Gehäuse (DIP frame) mit 64 Anschlußstiften mit der Masse bei 175°C, 686 N/cm² (70 kgf/cm²) und einer Vorerhitzungstemperatur von 85°C ein. Man untersucht die Formlinge nach Vorhandensein von Hohlräumen, wobei Formstücke mit Hohlräumen von 0,5 mm oder größer als ungeeignet angesehen werden. - (iv) Drahtfluß (wire flow)
Man kapselt ein flaches Bausteingehäuse mit 100 Anschlußstiften mit den Abmessungen von 14×20×2,7 mm (Dicke) mit der Masse bei 175°C, 686 N/cm² (70 kgf/cm²) und einer Vorerhitzungstemperatur von 85°C ein. Man beobachtet den Golddrahtfluß mit weichenergetischen Röntgenstrahlen. Ein geringer Fluß wurde mit "O", etwas Fluß mit "Δ" und wesentlicher Fluß mit "X" bewertet. - (v) Feuchtigkeitsbeständigkeit
Man verwendt einen Testchip mit einem minimalem Drahtabstand von 1,5 µm und einer Größe von 45 m². Man führt die Untersuchung unter Verwendung einer DIP-Halbleitervorrichtung mit 14 Anschlußstiften durch. Man bringt die Masse bei 175°C während 2 Minuten in Form, härtet bei 180°C während 4 Stunden nach, taucht in ein Lötbad bei 260°C während 10 Sekunden und läßt in einem Druckkocher bei 130°C während 1000 Stunden stehen. Man bestimmt den prozentualen Bruch der Aluminiumdrähte.
Die Teilchengröße wurde mit einem CILAS Granulometer HR850 gemessen.
Wie aus Tabelle 2 zu entnehmen ist, weisen die erfindungsgemäßen Epoxidharzmassen
mit den erfindungsgemäß darin eingemischten kugelförmigen Siliciumdioxiden
(Beispiele 1 bis 4) weniger Hohlräume und eine geringe Drahtverschiebung
beim Verformen, d. h. also eine verbesserte Verformbarkeit und Härtung zu
Produkten mit einem niedrigen Expansionskoeffizienten und hoher Feuchtigkeitsbeständigkeit
auf. Im Gegensatz dazu weisen die Epoxidharzmassen, worin
der Gehalt an Teilchengröße von mindestens 75 µm oder die
mittlere Teilchengröße oder die spezifische Oberfläche des kugelförmigen Siliciumdioxids
außerhalb des Rahmens der Erfindung (vgl. Vergleichsbeispiele 1 bis 5)
ist, mehr Hohlräume und eine wesentliche Drahtverschiebung und eine Härtung
zu Produkten mit niedriger Feuchtigkeitsbeständigkeit auf.
Man stellt eine Grundmasse her, indem man 100 Teile eines epoxidierten Novolak-
Kresolharzes mit einem Epoxidäquivalent von 198 und einem Erweichungspunkt
von 60°C, 6 Teile eines bromierten epoxidierten Novolak-Phenolharzes mit
einem Epoxidäquivalent von 280, 33 Teile eines Novolak-Phenolharzes mit einem
Phenoläquivalent von 110 und einem Erweichungspunkt von 90°C, 25 Teile
eines Reaktionsproduktes aus 60 Teilen einer Verbindung der Formel:
und 40 Teilen einer Verbindung der Formel:
0,65 Teile Triphenylphosphin, 10 Teile Antimontrioxid, 1,2 Teile Canauba-
Wachs, 1,5 Teile γ-Glycidoxypropyltrimethoxysilan und 1 Teil Kohlenstoff vermischt.
Man stellt die Massen her, indem man die Grundmasse mit den in Tabelle 3
gezeigten verschiedenen Arten Siliciumdioxid in den in der gleichen Tabelle gezeigten
Mengen vermischt und die Mischungen wie in Beispiel 1 aufarbeitet.
Man führt mit den Massen die gleichen Untersuchungen wie in Beispiel 1 mit den
in Tabelle 3 gezeigten Ergebnissen durch.
Wie aus Tabelle 3 zu entnehmen ist, härten die Epoxidharzmassen, in denen das
kugelförmige Siliciumdioxid gemäß der Erfindung in Mengen von mindestens
50% des gesamten Füllstoffs eingemischt ist, zu Produkten mit einem niedrigen
Ausdehnungskoeffizient und einer hohen Feuchtigkeitsbeständigkeit. Das Auftreten
von Hohlräumen und Drahtverschiebungen während des Verformens ist
herabgesetzt, d. h. also, daß die Verformbarkeit sogar in dem Fall, wenn die Menge
an eingemischtem Füllstoff erhöht ist, erhalten bleibt.
Man stellt eine Grundmasse her, indem man 58 Teile eines epoxidierten Novolak-
Kresolharzes mit einem Epoxidäquivalent von 200 und einem Erweichungspunkt
von 65°C, 6 Teile bromiertes epoxidiertes Novolak-Phenolharz mit einem
Epoxidäquivalente von 280, 36 Teile eines Novolak-Phenolharzes mit einem
Phenoläquivalent von 110 und einem Erweichungspunkt von 80°C, 0,7 Teile Triphenylphosphin,
10 Teile Antimontrioxid, 0,5 Teilen Canauba-Wachs, 1,6 Teile
γ-Glycidoxypropyltrimethoxysilan und 1 Teil Kohlenstoff vermischt. Man stellt
die Epoxidharzmassen her, indem man die Grundmasse mit den in Tabelle 4 gezeigten
Siliciumdioxidmischungen vermischt. Man vermischt die Mischung unter
Schmelzen in einer Mischwalze bei 80°C während 5 Minuten, überführt in
Platten- bzw. Folienform, kühlt herunter und zerkleinert.
Mit den Massen führt man folgende Untersuchungen durch.
Die Ergebnisse sind ebenfalls der Tabelle 4 zu entnehmen.
Die Ergebnisse sind ebenfalls der Tabelle 4 zu entnehmen.
- (i) Spiralfließfähigkeit (spiral flow)
Man mißt die Spiralfließfähigkeit bei 175°C und 686 N/cm² (70 kgf/cm²) unter Verwendung einer Form nach dem EMMI-Standard. - (ii) Ausdehnungskoeffizient und Glasumwandlungstemperatur
Man verformt ein Teststück mit den Ausmaßen 5×5×5 mm bei 175°C während 2 Minuten und härtet bei 180°C während 4 Stunden nach. Man mißt den Ausdehnungskoeffizienten und die Glasumwandlungstemperatur (Tg) des Teststücks unter Verwendung einer Agne-Testvorrichtung (Sinku Roko K. K.), währenddessen man es mit einer Geschwindigkeit von 5°C/Min. über einen Bereich von 25°C bis 250°C erhitzt. - (iii) Biegefestigkeit
Man formt für den Zugversuch einen Stab aus der Masse nach der JIS K-9611- Norm bei 175°C und 686 N/cm² (70 kgf/cm²) während 2 Minuten und härtet bei 180°C während 4 Stunden nach. Man mißt die Biegefestigkeit des Stabs bei Raumtemperatur. Man hält den Stab weiterhin in einem Druckkocher (PC) bei 121°C und 100% während 24 Stunden. Man mißt ebenfalls die Biegefestigkeit des in dem Druckkocher behandelten Stabs. - (iv) Rißbeständigkeit beim Löten nach Feuchtigkeitsabsorption
Man kapselt einen flachen Baustein mit Ausmaßen von 14×20×2,3 mm (Dicke) und einem Inselbereich von 8×10 mm mit der Masse bei 175°C während 2 Stunden ein und härtet bei 180°C während 4 Stunden. Man läßt den Baustein in einem Behälter mit konstanter Temperatur/konstanter Feuchtigkeit bei 85°C und bei einer relativen Feuchtigkeit von 85°C stehen und taucht dann in ein Lötbad bei 260°C ein und mißt die Zeit, bis Risse auf dem Baustein auftreten.
Wie aus Tabelle 4 zu entnehmen ist, weisen die Epoxidharzmassen, die keine der
drei Arten von kugelförmigen und gemahlenen Siliciumdioxiden gemäß der vorliegenden
Erfindung (Vergleichsbeispiele 6 bis 9) enthalten, ein niedriges Fließvermögen,
eine niedrige Biegefestigkeit nach der PC-Behandlung oder eine niedrige
Rißbeständigkeit beim Löten auf. Die erfindungsgemäßen Epoxidharzmassen
sind hinsichtlich dieser Eigenschaften ausgezeichnet, d. h. sie weisen eine geringe
Spannung, ein gutes Fließvermögen beim Verformen und eine hohe Lötbeständigkeit
nach Feuchtigkeitsabsorption auf.
Man stellt eine Serie von Epoxidharzmassen her, indem man die gleiche Grundmasse
und dann das gleiche Verfahren wie in Beispiel 12 mit der Maßgabe anwendet,
daß man das in Tabelle 5 gezeigte Siliciumdioxid verwendet. Man untersucht
die Massen in der gleichen Weise wie in Beispiel 4.
Die Ergebnisse sind der Tabelle 5 zu entnehmen.
Die Daten aus Tabelle 5 zeigen weiterhin, daß die erfindungsgemäßen Massen ein
verbessertes Fließvermögen, eine verbesserte Biegefestigkeit nach der PC-Behandlung
und eine verbesserte Rißbeständigkeit beim Löten aufweisen.
Claims (6)
1. Epoxidharzmasse zum Einkapseln von Halbleitern, aus einem Epoxidharz,
einem Härtungsmittel und einem Füllstoff, dadurch gekennzeichnet, daß der
Füllstoff kugelförmiges Siliciumdioxid mit einer mittleren Teilchengröße von 5
bis 35 µm und einer spezifischen Oberfläche von bis zu 1,4 m²/g umfaßt, wobei der
Anteil an Teilchen mit einer Teilchengröße von mindestens 75 µm bis zu 1 Gew.-%
des gesamten Füllstoffs beträgt.
2. Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß 250 bis 700 Gew.-
Teile Füllstoff pro 100 Gew.-Teile der Gesamtmenge von Epoxidharz und
Härtungsmittel vorhanden sind und der Gehalt an kugelförmigem Siliciumdioxid
mindestens 20 Gew.-% des gesamten Füllstoffs beträgt.
3. Epoxidharzmasse zum Einkapseln von Halbleitern, aus einem Epoxyharz,
einem Härtungsmittel und einem anorganischen Füllstoff, dadurch gekennzeichnet,
daß der anorganische Füllstoff (A) kugelförmiges Siliciumdioxid mit
einer mittleren Teilchengröße von 5 bis 35 µm, (B) kugelförmiges Siliciumdioxid
mit einer mittleren Teilchengröße von 0,1 bis 2 µm und (C) gemahlenes Siliciumdioxid
mit einer mittleren Teilchengröße von 2 bis 15 µm umfaßt.
4. Masse nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das gemahlene Siliciumdioxid
durch feines Zerkleinern von kugelförmigem Siliciumdioxid erhalten
worden ist.
5. Masse nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß 250 bis 700 Gew.-
Teile Füllstoff pro 100 Gew.-Teile der Gesamtmenge von Epoxidharz und
Härtungsmittel vorhanden sind und der Füllstoff (A) 20 bis 80 Gew.-%
kugelförmiges Siliciumdioxid mit einer mittleren Teilchengröße von 5 bis 35 µm,
(B) 1 bis 20 Gew.-% kugelförmiges Siliciumdioxid mit einer mittleren
Teilchengröße von 0,1 bis 2 µm und (C) 20 bis 80 Gew.-% gemahlenes Siliciumdioxid,
bezogen auf das Gesamtgewicht des Füllstoffs, umfaßt.
6. Gehärtetes Produkt, erhalten durch Härten einer Epoxidharzmasse nach
einem der Ansprüche 1 bis 5.
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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---|---|
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE9013615U1 (de) * | 1990-09-28 | 1990-12-06 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt, De | |
EP0450944A2 (de) * | 1990-04-04 | 1991-10-09 | Toray Industries, Inc. | Epoxydharzzusammensetzung zur Verkapselung einer Halbleiteranordnung |
DE4217288A1 (de) * | 1991-05-23 | 1992-11-26 | Hitachi Ltd | Waermeaushaertende harzzusammensetzung zum giessen einer hochspannungsspule und durch giessen und haerten der zusammensetzung hergestellte gegossene spule und paneel |
WO1997035900A1 (en) * | 1996-03-22 | 1997-10-02 | Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. | One-component epoxy resin tooling material |
DE19963806A1 (de) * | 1999-12-30 | 2001-07-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer LED-Weisslichtquelle |
DE4244961C2 (de) * | 1991-05-23 | 2001-09-06 | Hitachi Ltd | Wärmeaushärtende Harzzusammensetzung zum Gießen einer Hochspannungsspule |
US6960033B1 (en) | 1998-09-09 | 2005-11-01 | Osram Gmbh | Array with light-emitting power semiconductor component and corresponding production method |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2668289B2 (ja) * | 1991-01-25 | 1997-10-27 | ソマール 株式会社 | 粉体塗料用エポキシ樹脂組成物 |
US5362775A (en) * | 1991-03-27 | 1994-11-08 | Nippondenso Co., Ltd. | Epoxy resin composition and cured product thereof |
JP2816774B2 (ja) * | 1991-03-29 | 1998-10-27 | 日本石油株式会社 | フェノール樹脂、その樹脂の製造法および封止材用エポキシ樹脂組成物 |
JP3359410B2 (ja) * | 1994-03-04 | 2002-12-24 | 三菱電機株式会社 | 成形用エポキシ樹脂組成物ならびにそれを用いた高電圧機器用モールド製品およびその製法 |
US5719225A (en) * | 1994-06-13 | 1998-02-17 | Sumitomo Chemical Company, Ltd. | Filler-containing resin composition suitable for injection molding and transfer molding |
US5708056A (en) * | 1995-12-04 | 1998-01-13 | Delco Electronics Corporation | Hot melt epoxy encapsulation material |
EP1993152B1 (de) * | 1996-06-26 | 2014-05-21 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
DE19638667C2 (de) | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
JP3611066B2 (ja) | 1996-08-29 | 2005-01-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | 無機質充填剤及びエポキシ樹脂組成物の製造方法 |
JP3445707B2 (ja) * | 1996-09-18 | 2003-09-08 | 電気化学工業株式会社 | シリカ質フィラー及びその製法 |
US6214905B1 (en) | 1997-12-23 | 2001-04-10 | Cookson Singapore Pte Ltd C/O Alpha Metals, Inc. | Epoxy mold compound and method |
KR100550705B1 (ko) * | 1999-10-06 | 2006-02-08 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 반도체 밀봉용 수지 조성물, 및 이를 이용한 반도체 장치및 반도체 장치의 제조 방법 |
US6770965B2 (en) * | 2000-12-28 | 2004-08-03 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Wiring substrate using embedding resin |
KR100679490B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2007-02-07 | 주식회사 케이씨씨 | 반도체 패키징용 에폭시 수지 조성물 |
US7096566B2 (en) * | 2001-01-09 | 2006-08-29 | Black & Decker Inc. | Method for making an encapsulated coil structure |
US7814641B2 (en) | 2001-01-09 | 2010-10-19 | Black & Decker Inc. | Method of forming a power tool |
DE10131698A1 (de) * | 2001-06-29 | 2003-01-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP4210216B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2009-01-14 | 新日本石油株式会社 | フェノール樹脂、エポキシ樹脂、その製造方法及びエポキシ樹脂組成物 |
TWI281924B (en) * | 2003-04-07 | 2007-06-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Epoxy resin molding material for sealing use and semiconductor device |
EP1769511B1 (de) * | 2004-07-13 | 2011-02-02 | Areva T&D Sas | Verfahren zur herstellung eines isolators für hochspannungsanwendungen |
TWI366421B (en) * | 2008-08-22 | 2012-06-11 | Nanya Plastics Corp | High thermal conductivity, high glass transition temperature (tg) resin composition and its pre-impregnated and coating materials for printed circuit boards |
KR20100028384A (ko) * | 2008-09-04 | 2010-03-12 | 삼성전기주식회사 | 복합체 및 그의 제조방법 |
US8580879B2 (en) | 2009-01-06 | 2013-11-12 | Nan Ya Plastics Corporation | Resin composition of high thermal conductivity and high glass transition temperature (Tg) and for use with PCB, and prepreg and coating thereof |
WO2011095208A1 (en) * | 2010-02-03 | 2011-08-11 | Abb Research Ltd | Electrical insulation system |
KR101092015B1 (ko) * | 2011-05-03 | 2011-12-08 | 주식회사 네패스신소재 | 열경화형 광반사용 수지 조성물, 이의 제조 방법, 이로부터 제조된 광반도체 소자 탑재용 반사판, 및 이를 포함하는 광반도체 장치 |
JP6571585B2 (ja) * | 2015-06-08 | 2019-09-04 | 信越化学工業株式会社 | 半導体装置、積層型半導体装置、封止後積層型半導体装置、及びこれらの製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61143466A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-01 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
US4701479A (en) * | 1985-05-22 | 1987-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin-based composition for encapsulation of semiconductor devices |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4617330A (en) * | 1984-03-30 | 1986-10-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Epoxy resin composition for cast molding |
JPS6134052A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-18 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用一液性エポキシ樹脂組成物 |
JP2938080B2 (ja) * | 1988-07-22 | 1999-08-23 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
-
1990
- 1990-02-08 DE DE4003842A patent/DE4003842C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-02-08 KR KR1019900001507A patent/KR950005309B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-02-08 US US07/476,700 patent/US5137940A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61143466A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-01 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
US4701479A (en) * | 1985-05-22 | 1987-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin-based composition for encapsulation of semiconductor devices |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0450944A2 (de) * | 1990-04-04 | 1991-10-09 | Toray Industries, Inc. | Epoxydharzzusammensetzung zur Verkapselung einer Halbleiteranordnung |
EP0450944A3 (en) * | 1990-04-04 | 1992-01-15 | Toray Industries, Inc. | An epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device |
DE9013615U1 (de) * | 1990-09-28 | 1990-12-06 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt, De | |
DE4217288A1 (de) * | 1991-05-23 | 1992-11-26 | Hitachi Ltd | Waermeaushaertende harzzusammensetzung zum giessen einer hochspannungsspule und durch giessen und haerten der zusammensetzung hergestellte gegossene spule und paneel |
DE4244961C2 (de) * | 1991-05-23 | 2001-09-06 | Hitachi Ltd | Wärmeaushärtende Harzzusammensetzung zum Gießen einer Hochspannungsspule |
DE4217288C2 (de) * | 1991-05-23 | 1998-08-27 | Hitachi Ltd | Wärmeaushärtende Harzzusammensetzung zum Gießen von Hochspannungsspulen sowie Verfahren zum Herstellen einer solchen Harzzusammensetzung und ihre Verwendung zur Herstellung von Hochspannungsformspulen |
US5859096A (en) * | 1996-03-22 | 1999-01-12 | Ciba Specialty Chemicals Corporation | Room temperature storage-stable, heat-curable, low CTE, one component epoxy resin tooling material |
WO1997035900A1 (en) * | 1996-03-22 | 1997-10-02 | Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. | One-component epoxy resin tooling material |
US6960033B1 (en) | 1998-09-09 | 2005-11-01 | Osram Gmbh | Array with light-emitting power semiconductor component and corresponding production method |
DE19963806A1 (de) * | 1999-12-30 | 2001-07-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer LED-Weisslichtquelle |
DE19963806C2 (de) * | 1999-12-30 | 2002-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdioden-Weißlichtquelle, Verwendung einer Kunststoff-Preßmasse zum Herstellen einer Leuchtioden-Weißlichtquelle und oberflächenmontierbare Leuchtdioden-Weißlichtquelle |
US7098588B2 (en) | 1999-12-30 | 2006-08-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Surface-mountable light-emitting diode light source and method of producing a light-emitting diode light source |
US7534634B2 (en) | 1999-12-30 | 2009-05-19 | Osram Gmbh | Surface-mountable light-emitting diode light source and method of producing a light-emitting diode light source |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4003842C2 (de) | 1997-06-05 |
US5137940A (en) | 1992-08-11 |
KR900013006A (ko) | 1990-09-03 |
KR950005309B1 (ko) | 1995-05-23 |
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