JPS61143466A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS61143466A JPS61143466A JP26538384A JP26538384A JPS61143466A JP S61143466 A JPS61143466 A JP S61143466A JP 26538384 A JP26538384 A JP 26538384A JP 26538384 A JP26538384 A JP 26538384A JP S61143466 A JPS61143466 A JP S61143466A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- filler
- resin composition
- quartz powder
- surface area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、特に成形時に発生するパリの少ない、半導体
対土用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
対土用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
〈従来技術〉
パリの少ない組成物を得るためには、粒子径が5〜30
・μmのシリカ粉末を添加することが知られている(特
開昭57−195117号)が、微細なシリカ粉末の取
扱いが困難であるとか、多量に配合した場合に流動性が
低下するなどの欠点を有している。
・μmのシリカ粉末を添加することが知られている(特
開昭57−195117号)が、微細なシリカ粉末の取
扱いが困難であるとか、多量に配合した場合に流動性が
低下するなどの欠点を有している。
〈発明の目的〉
本発明は、パリ発生の少ない組成物を得るために研究し
た結果、配合する充填材の平均粒子径と比表面積を制御
する事によシバリ発生を抑制出来るとの知見を得、更に
この知見に基づき鋭意研究を実施し本発明を成すに至っ
た。その目的は、電気特性、耐湿性などの諸特性を劣化
させることすく、パリの少ないエポキシ樹脂組成物を提
供することにある。
た結果、配合する充填材の平均粒子径と比表面積を制御
する事によシバリ発生を抑制出来るとの知見を得、更に
この知見に基づき鋭意研究を実施し本発明を成すに至っ
た。その目的は、電気特性、耐湿性などの諸特性を劣化
させることすく、パリの少ないエポキシ樹脂組成物を提
供することにある。
〈発明の構成〉
本発明は、エポキシ樹脂、硬化剤および充填材を主成分
とするエポキシ樹脂組成物において、平均粒子径が3〜
15μmであり、かつ比表面積が1〜5J/fであるよ
うな石英粉末を充填材として50〜90wt1含有する
事を特徴とするエポキシ樹脂組成物である。
とするエポキシ樹脂組成物において、平均粒子径が3〜
15μmであり、かつ比表面積が1〜5J/fであるよ
うな石英粉末を充填材として50〜90wt1含有する
事を特徴とするエポキシ樹脂組成物である。
本発明において用いられる、エポキシ樹脂としては、ビ
スフェノールA、ジグリシジルエーテル、フェノールノ
ボラックグリシジルエーテル、0−クレゾールノボラッ
クグリシジルエーテルが挙げられ、硬化剤としては、芳
香族アミン、酸無水物、フェノールノボラックなどが挙
げられ、耐湿性、電気特性の点から、クレゾールノボラ
ックグリシジルエーテルと7エノールノボラツクの組み
合せが一般的である。使用する石英粉末は、天然に産す
る砕石を直接あるいは、一旦加熱溶融後粉砕する天然タ
イプもしくは、クロルシランなどの低分子原料からポリ
シロキサンを合成して得られる合成タイプのどちらでも
良い。
スフェノールA、ジグリシジルエーテル、フェノールノ
ボラックグリシジルエーテル、0−クレゾールノボラッ
クグリシジルエーテルが挙げられ、硬化剤としては、芳
香族アミン、酸無水物、フェノールノボラックなどが挙
げられ、耐湿性、電気特性の点から、クレゾールノボラ
ックグリシジルエーテルと7エノールノボラツクの組み
合せが一般的である。使用する石英粉末は、天然に産す
る砕石を直接あるいは、一旦加熱溶融後粉砕する天然タ
イプもしくは、クロルシランなどの低分子原料からポリ
シロキサンを合成して得られる合成タイプのどちらでも
良い。
平均粒子径は5〜15μmが望ましい。ここにいう平均
粒子径とは、粒度分布測定機(例、CILAS社La5
er Granulometer model 715
)によりて得られた粒度分布の50%累積値とする。
粒子径とは、粒度分布測定機(例、CILAS社La5
er Granulometer model 715
)によりて得られた粒度分布の50%累積値とする。
平均粒子径が3μ以下の場合は、かさ密度が低下するた
め取扱上の不便さが生ずると共に1組成° 物の流動性
が低下して満足な成形物が得られない。
め取扱上の不便さが生ずると共に1組成° 物の流動性
が低下して満足な成形物が得られない。
又、平均粒子径が15μを超えると、パリ発生が増大す
ると共に、小型成形品の場合に、未充填などの発生率が
高くなる。比表面積については、不定形石英粉末におい
ては、平均粒子径に反比例する。しかし、局部的、たと
えば粒子径1μ以下の部分が偏って多くなると、平均粒
子径は同じでも比表面積が極端に増大する事になる。そ
のような場合は、組成物の流動性が低下し、平均粒子径
が小さすぎる場合と同様になる。また、球状粒子のよう
に平均粒子径に比較して、比表面積が゛小さくなる場合
には、逆に流動性が過剰となシ、パリが多くなる。
ると共に、小型成形品の場合に、未充填などの発生率が
高くなる。比表面積については、不定形石英粉末におい
ては、平均粒子径に反比例する。しかし、局部的、たと
えば粒子径1μ以下の部分が偏って多くなると、平均粒
子径は同じでも比表面積が極端に増大する事になる。そ
のような場合は、組成物の流動性が低下し、平均粒子径
が小さすぎる場合と同様になる。また、球状粒子のよう
に平均粒子径に比較して、比表面積が゛小さくなる場合
には、逆に流動性が過剰となシ、パリが多くなる。
平均粒子径5〜15μの石英粉末に対しては、1〜5m
/fの比表面積特性が流動性、パリ特性上好ましい。こ
こにいう比表面積とは、BET法による比表面積測定器
(例、ユアサ電池製モノソープ)によシ測定した値を指
す。
/fの比表面積特性が流動性、パリ特性上好ましい。こ
こにいう比表面積とは、BET法による比表面積測定器
(例、ユアサ電池製モノソープ)によシ測定した値を指
す。
〈発明の効果〉
本発明方法に従うと、パリ発生の少ないエポキシ樹脂組
成物を簡単に得る事が出来る。このようなエポキシ樹脂
組成物を使用する事により、半導体部品のパリ取シ作業
が容易になると共に、製品歩留も向上する事になる。
成物を簡単に得る事が出来る。このようなエポキシ樹脂
組成物を使用する事により、半導体部品のパリ取シ作業
が容易になると共に、製品歩留も向上する事になる。
〈実施例〉
表1に示すような溶融石英粉末を充填材として使用した
。
。
A−Fの充填材を用い、611の組成物を調製した。
配合は、
ECN −1273:旭チバ社製りレゾールノボラック
屋エポキシ 樹脂 20重量部フェノールノ
ボラック 10重量部カルナバワックス
α5I充填材
69.5#これらの材料の特性を表2に示す。
屋エポキシ 樹脂 20重量部フェノールノ
ボラック 10重量部カルナバワックス
α5I充填材
69.5#これらの材料の特性を表2に示す。
Claims (1)
- エポキシ樹脂、硬化剤および充填材を主成分とするエポ
キシ樹脂組成物において、平均粒子径が5〜15μmで
あり、かつ比表面積が1〜5m^2/gであるような石
英粉末を充填材として50〜90wt%含有する事を特
徴とするエポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26538384A JPS61143466A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26538384A JPS61143466A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61143466A true JPS61143466A (ja) | 1986-07-01 |
JPH0242383B2 JPH0242383B2 (ja) | 1990-09-21 |
Family
ID=17416413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26538384A Granted JPS61143466A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61143466A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01245014A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-29 | Toray Ind Inc | 半導体封止用樹脂組成物 |
JPH0232115A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-01 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
DE4003842A1 (de) * | 1989-02-09 | 1990-08-16 | Shinetsu Chemical Co | Epoxidharzmassen zum einkapseln von halbleitern |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3838094A (en) * | 1973-04-23 | 1974-09-24 | Nat Semiconductor Corp | Molding composition and molded product |
JPS539297A (en) * | 1976-07-12 | 1978-01-27 | Nat Semiconductor Corp | Modified silica and method of making same |
JPS56110248A (en) * | 1980-02-06 | 1981-09-01 | Nitto Electric Ind Co Ltd | Manufacture of filler for semiconductor sealing resin |
JPS57195117A (en) * | 1981-05-27 | 1982-11-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Epoxy resin composition and its preparation |
JPS57212225A (en) * | 1981-06-24 | 1982-12-27 | Nitto Electric Ind Co Ltd | Epoxy resin composition for encapsulation of semiconductor |
JPS58127354A (ja) * | 1982-01-25 | 1983-07-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体素子封止用樹脂組成物 |
JPS60115641A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-22 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 封止樹脂用充填剤及びその組成物 |
-
1984
- 1984-12-18 JP JP26538384A patent/JPS61143466A/ja active Granted
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3838094A (en) * | 1973-04-23 | 1974-09-24 | Nat Semiconductor Corp | Molding composition and molded product |
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JPS58127354A (ja) * | 1982-01-25 | 1983-07-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体素子封止用樹脂組成物 |
JPS60115641A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-22 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 封止樹脂用充填剤及びその組成物 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01245014A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-29 | Toray Ind Inc | 半導体封止用樹脂組成物 |
JPH0232115A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-01 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
DE4003842A1 (de) * | 1989-02-09 | 1990-08-16 | Shinetsu Chemical Co | Epoxidharzmassen zum einkapseln von halbleitern |
US5137940A (en) * | 1989-02-09 | 1992-08-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Semiconductor encapsulating epoxy resin compositions |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0242383B2 (ja) | 1990-09-21 |
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