JPS58127354A - 半導体素子封止用樹脂組成物 - Google Patents
半導体素子封止用樹脂組成物Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子の封止に好適とされる樹脂組成物、
特には半導体素子の誤動作の原因となるα線を放出する
ことのない半導体素子封止用樹脂組成物に関するもので
ある。
特には半導体素子の誤動作の原因となるα線を放出する
ことのない半導体素子封止用樹脂組成物に関するもので
ある。
半導体素子は一般にこれをその外部環境から保護するた
めにセラミックパッケージまたは樹脂などで封止されて
いるが、との封止剤については信頼性1価格および生産
性の面から合成樹脂組成物によるものが汎用されている
。
めにセラミックパッケージまたは樹脂などで封止されて
いるが、との封止剤については信頼性1価格および生産
性の面から合成樹脂組成物によるものが汎用されている
。
そして、この合成樹脂組成物は有機樹脂とνす力を主体
とする無機質充填剤とから構成されているが、との組成
物についてはこれをできるだけ膨張係数が小さく、良熱
伝導性、低透湿性で機械的特性にもすぐれたものとし、
しかも低コストのものとするということから、この無機
質充填剤をその成形性の許す限りできるだけ多量に配合
することが有利とされている。したがって、これにはシ
リカ系充填剤が最も好ましいものとされ、はとんどの樹
脂封止材料にこれが利用されているが、このシリカ系充
填剤については結晶タイプと非結晶タイプ(溶融ν重力
)があり、これらはそれぞれ一長一短があることから、
これらは目的に応じて使い分けられている。
とする無機質充填剤とから構成されているが、との組成
物についてはこれをできるだけ膨張係数が小さく、良熱
伝導性、低透湿性で機械的特性にもすぐれたものとし、
しかも低コストのものとするということから、この無機
質充填剤をその成形性の許す限りできるだけ多量に配合
することが有利とされている。したがって、これにはシ
リカ系充填剤が最も好ましいものとされ、はとんどの樹
脂封止材料にこれが利用されているが、このシリカ系充
填剤については結晶タイプと非結晶タイプ(溶融ν重力
)があり、これらはそれぞれ一長一短があることから、
これらは目的に応じて使い分けられている。
しかし、この種の樹脂組成物で封止され、使用されてい
る半導体素子が技術の進歩に伴なって高集積化してきた
今日、例えばLSI、VL8xと呼ばれる集積度の高い
半導体素子にはこの樹薯銀成物を構成するシリカ充填剤
中に微量含まれているクラン、トリウムなどの放射線元
素から放出されるα線によって、この半導体メモツーが
誤動作を起すことがあるという問題が生じ、これがすで
に開発された64にビットのダイナミックMO8、RA
Mなどの設計に大きな彰響を与えることとなり、この解
決が望まれている。そのため、この対策として半導体素
子の表面に予じめポリイミド樹脂、VWコーン樹脂など
を塗布してこの素子をα線の照射から保護するという方
法も提案されているが、この方法にはこれらの樹脂を半
導体素子の表面に一定の厚さ、一定の面積に塗布するこ
とが難しく、これにはまた半導体素子とこれらの樹脂お
よび前記した封止用樹脂組成物の膨張係数の差からトラ
ブルが発住し易いという性能面での不安があり、さらに
はこの樹脂塗布という工程の付加に伴なう煩雑さもあっ
て、生産効率、経済性の画から有利なものではないとさ
れている。
る半導体素子が技術の進歩に伴なって高集積化してきた
今日、例えばLSI、VL8xと呼ばれる集積度の高い
半導体素子にはこの樹薯銀成物を構成するシリカ充填剤
中に微量含まれているクラン、トリウムなどの放射線元
素から放出されるα線によって、この半導体メモツーが
誤動作を起すことがあるという問題が生じ、これがすで
に開発された64にビットのダイナミックMO8、RA
Mなどの設計に大きな彰響を与えることとなり、この解
決が望まれている。そのため、この対策として半導体素
子の表面に予じめポリイミド樹脂、VWコーン樹脂など
を塗布してこの素子をα線の照射から保護するという方
法も提案されているが、この方法にはこれらの樹脂を半
導体素子の表面に一定の厚さ、一定の面積に塗布するこ
とが難しく、これにはまた半導体素子とこれらの樹脂お
よび前記した封止用樹脂組成物の膨張係数の差からトラ
ブルが発住し易いという性能面での不安があり、さらに
はこの樹脂塗布という工程の付加に伴なう煩雑さもあっ
て、生産効率、経済性の画から有利なものではないとさ
れている。
他方、この従来公知の半導体素子封止用樹脂組成物から
α線が放出されるということについては、それがこの種
の組成物に使用されているVg力が天然の鉱石をそのま
まあるいはそれを溶融してから粉砕加工して作られたも
のであることから、この鉱物中に微量に含まれているク
ラy、 )ツクムなどの放射性元素にもとづくもので
あると解明されている。したがって、この代替として現
在市販されている各種の合成シリカ、例えば四塩化けい
素を火炎加水分解して作った乾式V9力、水和けい酸ソ
ーダを塩酸で中和するか、水和けい酸ソーダを塩化カル
シウムと反応させて得た沈でんを塩酸で中和し水洗乾燥
して作る湿式シリカなどを使用することも検討されたが
、これらはいずれもその平均粒子径がmμオーダーの微
粒子で比表面積も50ゴ/を以上であり、これはまたそ
の内外表面に多数のシラノール基をもつものであるため
、これは放射性元素を含まないように高純度化すること
ができたとしても、これを有機樹脂に大量に充填するこ
とができず、したがって半導体素子封止用樹脂組成物に
利用することができないということが確認されている。
α線が放出されるということについては、それがこの種
の組成物に使用されているVg力が天然の鉱石をそのま
まあるいはそれを溶融してから粉砕加工して作られたも
のであることから、この鉱物中に微量に含まれているク
ラy、 )ツクムなどの放射性元素にもとづくもので
あると解明されている。したがって、この代替として現
在市販されている各種の合成シリカ、例えば四塩化けい
素を火炎加水分解して作った乾式V9力、水和けい酸ソ
ーダを塩酸で中和するか、水和けい酸ソーダを塩化カル
シウムと反応させて得た沈でんを塩酸で中和し水洗乾燥
して作る湿式シリカなどを使用することも検討されたが
、これらはいずれもその平均粒子径がmμオーダーの微
粒子で比表面積も50ゴ/を以上であり、これはまたそ
の内外表面に多数のシラノール基をもつものであるため
、これは放射性元素を含まないように高純度化すること
ができたとしても、これを有機樹脂に大量に充填するこ
とができず、したがって半導体素子封止用樹脂組成物に
利用することができないということが確認されている。
本発明はこれらの不利を解決した半導体素子封止用樹脂
組成物に関するもので、これは熱硬化性樹脂または熱可
塑性樹脂lOO璽量部と合成石英粒子80〜800重量
部とからなることを特徴とするものである。
組成物に関するもので、これは熱硬化性樹脂または熱可
塑性樹脂lOO璽量部と合成石英粒子80〜800重量
部とからなることを特徴とするものである。
これを説明すると1本発明者らは前記したα線の放出に
よるソフトエラーと呼ばれている半導体素子の誤動作対
策について種々検討の結果、光ファイバー遍信用のファ
イバー材料にはウラン、トリウムなとの含有量が痕跡程
度の極めて微量しかないことを見t’−/、これについ
てさらに検討の結果、例えばこの光フアイバー過信用の
ファイバー原料である合成石英インゴットを粉砕したも
の、あるいはけい素化合物の火炎酸化および/または加
水分解により生成した微粒状のνg力を成長させた、平
均粒子径がo、5−1002mの合成石英粉を封止用樹
脂組成物のための充填剤として使用すれば所期の目的が
完全に達成されることを確認して本発明な完成させた。
よるソフトエラーと呼ばれている半導体素子の誤動作対
策について種々検討の結果、光ファイバー遍信用のファ
イバー材料にはウラン、トリウムなとの含有量が痕跡程
度の極めて微量しかないことを見t’−/、これについ
てさらに検討の結果、例えばこの光フアイバー過信用の
ファイバー原料である合成石英インゴットを粉砕したも
の、あるいはけい素化合物の火炎酸化および/または加
水分解により生成した微粒状のνg力を成長させた、平
均粒子径がo、5−1002mの合成石英粉を封止用樹
脂組成物のための充填剤として使用すれば所期の目的が
完全に達成されることを確認して本発明な完成させた。
本発明の樹脂組成物を構成する第1成分としての樹脂線
従来、との櫃の半導体票子封止用として使用される熱硬
化性樹脂または熱可塑性樹脂であればよく、これに紘例
えばシダコーン樹脂、エポキシ樹脂、エボキV−シヲコ
ーyet脂などの熱硬化性樹脂、ボダフェニレンチルフ
ァイド樹脂などにRはメチル基、エチル基、フェニル基
、ビニル基などの1価炭化水素基、Xはへロゲy@子、
アルコキシ基などの加水分解可能な基)と式R,81X
。
従来、との櫃の半導体票子封止用として使用される熱硬
化性樹脂または熱可塑性樹脂であればよく、これに紘例
えばシダコーン樹脂、エポキシ樹脂、エボキV−シヲコ
ーyet脂などの熱硬化性樹脂、ボダフェニレンチルフ
ァイド樹脂などにRはメチル基、エチル基、フェニル基
、ビニル基などの1価炭化水素基、Xはへロゲy@子、
アルコキシ基などの加水分解可能な基)と式R,81X
。
(RlXは前記に同じ)で示されるオルガノVラン混合
物の共加水分解によって作られるものであり、これらは
鉛化合物によるVラノール基の縮合反応、またはビニル
基含有ボlcrキ夛ンとミ51−H基をもつオルガノへ
イドロジェVポ9Va*チンとの白金系触媒による付加
反応によって硬化させるものが代表例とされ、前記した
エボキV−シリコーン樹脂については特開1is1−1
18728で開示されている。アルしニクム触媒により
硬化させるものなどが例示されるが、これは特にこれら
に限定されるものではない。
物の共加水分解によって作られるものであり、これらは
鉛化合物によるVラノール基の縮合反応、またはビニル
基含有ボlcrキ夛ンとミ51−H基をもつオルガノへ
イドロジェVポ9Va*チンとの白金系触媒による付加
反応によって硬化させるものが代表例とされ、前記した
エボキV−シリコーン樹脂については特開1is1−1
18728で開示されている。アルしニクム触媒により
硬化させるものなどが例示されるが、これは特にこれら
に限定されるものではない。
また、とのエポキシ樹脂はその1分子中に少なくとも3
個のエポキシ基を有するものが使Mt−れ。
個のエポキシ基を有するものが使Mt−れ。
これにはエビクロルヒドヅンとビスフェノール人や各種
のノボラック樹脂から合成されるもの iI式エポキシ
樹脂、さらには臭素、塩素などの^ロゲy原子を導入し
たエポキシ樹脂などが例示される。また、この樹脂の硬
化剤としてはジアミノジフェニルIfン、ジアミノジフ
ェニルスルフォン、メタフェニレンジアミンなどのアミ
ン系硬化剤、無水フタル酸、静水ビロメシット酸、無水
ベンゾフェノンテトラカルボy@などの酸無水物系硬化
剤、あるいはフェノール−ノボラック樹脂、クレゾール
ノボラック樹脂などのように1分子中に2個以上の水酸
基なもつノボラック系硬化剤などのいずれも使うことが
できるが、これにはイミダゾールやその誘導体、3級ア
ミンの誘導体、ホスフィン系誘導体などの硬化促違剤を
添加してもよい。
のノボラック樹脂から合成されるもの iI式エポキシ
樹脂、さらには臭素、塩素などの^ロゲy原子を導入し
たエポキシ樹脂などが例示される。また、この樹脂の硬
化剤としてはジアミノジフェニルIfン、ジアミノジフ
ェニルスルフォン、メタフェニレンジアミンなどのアミ
ン系硬化剤、無水フタル酸、静水ビロメシット酸、無水
ベンゾフェノンテトラカルボy@などの酸無水物系硬化
剤、あるいはフェノール−ノボラック樹脂、クレゾール
ノボラック樹脂などのように1分子中に2個以上の水酸
基なもつノボラック系硬化剤などのいずれも使うことが
できるが、これにはイミダゾールやその誘導体、3級ア
ミンの誘導体、ホスフィン系誘導体などの硬化促違剤を
添加してもよい。
さらに、この熱可塑性樹脂としてのボダフェニレンチル
ファイド樹脂は例えばp−ジクロロベンゼンとN−メチ
ルビa9トンとの反応によって得られるペン(yllを
硫黄原子で連結した、熱可閣性樹I11よして紘最高の
1ili熱性をもつものであり。
ファイド樹脂は例えばp−ジクロロベンゼンとN−メチ
ルビa9トンとの反応によって得られるペン(yllを
硫黄原子で連結した、熱可閣性樹I11よして紘最高の
1ili熱性をもつものであり。
このものは低ais性、耐薬品性、難燃性という特性を
もち、すぐれた寸法安室性をもっているので前記Lft
vsJ コ−ylljlw、xtl*v111111J
:rRIIg’−半導体素子封止用として有用とされる
ものである。
もち、すぐれた寸法安室性をもっているので前記Lft
vsJ コ−ylljlw、xtl*v111111J
:rRIIg’−半導体素子封止用として有用とされる
ものである。
なお、上記したこれらの樹脂はそれを本発明の組成物と
して使用する場合、この錬成物が特にα線の放出を防止
するというものでなければならないということから、こ
の原因となるような不純物をできるだけ除去しておくこ
とがよく、シたがってこれらは予じめ未反応単量体や加
水分解性のへロゲン、さらにはNa、五などのイオン性
不純物が一定限界以内となるように精製したものとする
ことがよい。
して使用する場合、この錬成物が特にα線の放出を防止
するというものでなければならないということから、こ
の原因となるような不純物をできるだけ除去しておくこ
とがよく、シたがってこれらは予じめ未反応単量体や加
水分解性のへロゲン、さらにはNa、五などのイオン性
不純物が一定限界以内となるように精製したものとする
ことがよい。
つぎに本発明の樹脂組成物を構成する82成分としての
合成石英粉末はけい素化合物の高温処理で得られる微粉
状の二酸化けい素の溶融または戚まで低減させたものと
する必要がある。したがってこの原料とされるけい素化
合物は精留などの化学工学的手法で充分精製されるもの
でなければならない。また、けい素化合物は酸水素炎、
高屑妓プラズマ炎などによる高温J611で#14、加
水分解し、これによって二酸化けい嵩とするものである
から、このものは反応系中にガス体として、または噴饅
状の液体として供給し得るものでなければならず、これ
らの一点からこのけい素化合物としては式a’、l1s
i x、−、(ここにR′は水嚢原子または1価炭化水
素基、Xは^ジゲy原子、!n紘0〜4の整数)で示さ
れるへロゲン化けい素が好ましいものとされる。このへ
ロゲン化けい素としては四塩化G+イ$ (Bil14
)、) !J りt7 cr &ff ン(H8101
,入モノVラン(81H4)、メチルトリクロロシラン
(O)i、8101.3などが例示されるが、このけい
素化合物からの二酸化(すい素の製造は、そのガス状物
また線噴霧状液体を酸水素炎、プラズマ炎と共に耐火物
製の標的(=吹きつけることによって行なわれる。ここ
に生成する二酸化けい素は微粉状であるので1本発明g
二使用する石英粉末とするためC;ニこの回収した微粉
状の二酸化ζすいJIヲ溶融して合成石英インゴットと
したのち、これをII#することが必要である。この粉
砕は合成石英インゴットを例えば弗酸で処理し、水洗し
乾燥してから、ショークラッシャーなどで粗砕し、つい
でボールミルなどで粉砕すればよい、また、この合成石
英粉末を得るには上記(:′Mける火炎処理6:より生
成した標的上の微粉状二酸化多少い素上で火炎%造反応
を所定時間継続してこの二酸化けい素を所定粒度C:な
るまで成長させたのち、この反応面を移動させて、この
成長面を冷却し、回収するようにしてもよい。
合成石英粉末はけい素化合物の高温処理で得られる微粉
状の二酸化けい素の溶融または戚まで低減させたものと
する必要がある。したがってこの原料とされるけい素化
合物は精留などの化学工学的手法で充分精製されるもの
でなければならない。また、けい素化合物は酸水素炎、
高屑妓プラズマ炎などによる高温J611で#14、加
水分解し、これによって二酸化けい嵩とするものである
から、このものは反応系中にガス体として、または噴饅
状の液体として供給し得るものでなければならず、これ
らの一点からこのけい素化合物としては式a’、l1s
i x、−、(ここにR′は水嚢原子または1価炭化水
素基、Xは^ジゲy原子、!n紘0〜4の整数)で示さ
れるへロゲン化けい素が好ましいものとされる。このへ
ロゲン化けい素としては四塩化G+イ$ (Bil14
)、) !J りt7 cr &ff ン(H8101
,入モノVラン(81H4)、メチルトリクロロシラン
(O)i、8101.3などが例示されるが、このけい
素化合物からの二酸化(すい素の製造は、そのガス状物
また線噴霧状液体を酸水素炎、プラズマ炎と共に耐火物
製の標的(=吹きつけることによって行なわれる。ここ
に生成する二酸化けい素は微粉状であるので1本発明g
二使用する石英粉末とするためC;ニこの回収した微粉
状の二酸化ζすいJIヲ溶融して合成石英インゴットと
したのち、これをII#することが必要である。この粉
砕は合成石英インゴットを例えば弗酸で処理し、水洗し
乾燥してから、ショークラッシャーなどで粗砕し、つい
でボールミルなどで粉砕すればよい、また、この合成石
英粉末を得るには上記(:′Mける火炎処理6:より生
成した標的上の微粉状二酸化多少い素上で火炎%造反応
を所定時間継続してこの二酸化けい素を所定粒度C:な
るまで成長させたのち、この反応面を移動させて、この
成長面を冷却し、回収するようにしてもよい。
この合成石英粉末はその原料であるけい素化合物が充分
精製されたものである場合、ウラン、トリウムなどの放
射性元素をほとんど含まないものとされるが、これべそ
の粒子径が0.5μ島以下であるとこの有機樹脂への大
量配合が困難となるほか、これを配合した樹脂組成物が
高粘度となってその成形が困難となるし、これが100
μ罵以上のときは金型のゲートが詰まって成形効率がわ
るくなるので、これ繻0.5〜100.g罵の範囲とす
ることがよい。
精製されたものである場合、ウラン、トリウムなどの放
射性元素をほとんど含まないものとされるが、これべそ
の粒子径が0.5μ島以下であるとこの有機樹脂への大
量配合が困難となるほか、これを配合した樹脂組成物が
高粘度となってその成形が困難となるし、これが100
μ罵以上のときは金型のゲートが詰まって成形効率がわ
るくなるので、これ繻0.5〜100.g罵の範囲とす
ることがよい。
本発明の半導体素子封止用樹脂組成物に上記した有機樹
脂と合成石英粉末を配合すること(;よって得られるが
、この配合は従来公知の熱ロール。
脂と合成石英粉末を配合すること(;よって得られるが
、この配合は従来公知の熱ロール。
ニーダ−、スクツ1−タイプのs’a混練機などt使用
して行えばよい。この合成石英粉末の配合量はこの組成
物の膨張係数を低くシ、これに良好な熱伝導性を付与す
るという見地からできるだけ多量とすることがよいが%
800部以上の充填にこの組成物の成形性をわる(する
ほか、その機械的特性を劣化させるおそれがあり、その
50部以下の配合ではその効果が十分に達成されないの
で、これは有機樹111100重量s(二対し合成石英
粉末50〜800重量゛部の4il囲とすることがよい
。なHlこの組成物には必要C;応じ各種の添加剤、例
えば着色剤、難燃剤、離型剤を添加してもよいし、これ
にはさらにその流動特性を損なわない4罐で各種の煙霧
質充填剤、例えば煙霧質(/9力、煙霧質アルミナ、煙
霧質鹸化チタンの少量を加えてもよいが、これら(二つ
いてはその純度を充分6;吟味し、放射線元素がこれら
の添加&=よってもたらされないようにすることが必要
とされる。
して行えばよい。この合成石英粉末の配合量はこの組成
物の膨張係数を低くシ、これに良好な熱伝導性を付与す
るという見地からできるだけ多量とすることがよいが%
800部以上の充填にこの組成物の成形性をわる(する
ほか、その機械的特性を劣化させるおそれがあり、その
50部以下の配合ではその効果が十分に達成されないの
で、これは有機樹111100重量s(二対し合成石英
粉末50〜800重量゛部の4il囲とすることがよい
。なHlこの組成物には必要C;応じ各種の添加剤、例
えば着色剤、難燃剤、離型剤を添加してもよいし、これ
にはさらにその流動特性を損なわない4罐で各種の煙霧
質充填剤、例えば煙霧質(/9力、煙霧質アルミナ、煙
霧質鹸化チタンの少量を加えてもよいが、これら(二つ
いてはその純度を充分6;吟味し、放射線元素がこれら
の添加&=よってもたらされないようにすることが必要
とされる。
上記した本発明の樹脂ML我物は、配合後適宜の形状に
成形されるが、これによる半導体素子の封止は従来公知
の注形成形、射出成形、圧縮成形、トランスファー成形
のいずれでも行なうことかでさ、これによればα線の放
出(=よるソフトエラーの発生が全くない樹脂封止され
た半導体素子ン容kAC得ることができるという効果が
与えられる。
成形されるが、これによる半導体素子の封止は従来公知
の注形成形、射出成形、圧縮成形、トランスファー成形
のいずれでも行なうことかでさ、これによればα線の放
出(=よるソフトエラーの発生が全くない樹脂封止され
た半導体素子ン容kAC得ることができるという効果が
与えられる。
つぎに不発明の実施例をあげるが、例中における部はい
ずれも*tSV示したものである。
ずれも*tSV示したものである。
実施例1
(合成石英粉末の製造)
精製した四塩化けい素中に酸素ガス全バブリングさせて
、この酸素ガスt:四塩化けい素を伴流させ、これ?酸
水素炎バーナーからの火炎と共に石英製の標的上に吹き
つけ、この標的上に生成した微粉状の二酸化けい素を回
収し、これを溶融して合成石英インゴットを作った。
、この酸素ガスt:四塩化けい素を伴流させ、これ?酸
水素炎バーナーからの火炎と共に石英製の標的上に吹き
つけ、この標的上に生成した微粉状の二酸化けい素を回
収し、これを溶融して合成石英インゴットを作った。
つぎC:この石英インボラトン5%の弗酸水溶液で処理
したのち、イオン交換水で水洗し、乾燥してかうショー
クラッシャーで粗砕し、ついでボールミルで20時間粉
砕し、100メツシユの篩で分級して100メツシユ鋳
下(平均粒子径8声扉)の合成石英粉ン得た。なお、こ
の合成石英粉末についてそのウラン、トリウムの含有量
をしらべたところ、これは痕跡程度であった。
したのち、イオン交換水で水洗し、乾燥してかうショー
クラッシャーで粗砕し、ついでボールミルで20時間粉
砕し、100メツシユの篩で分級して100メツシユ鋳
下(平均粒子径8声扉)の合成石英粉ン得た。なお、こ
の合成石英粉末についてそのウラン、トリウムの含有量
をしらべたところ、これは痕跡程度であった。
(封止用組成物の製造)
1)グレゾールノボラツクエボキシ樹l1IElON1
273(テパ社製・商品名)100部、フェノールノボ
ラック樹脂TV−2093(大日本インキ社製・商品名
)50部および硬化促進剤2−フェニルイミダゾール1
部からなる工4キV樹脂組成物C二上記で得た合成石英
粉末300部、離型剤OPワックス(ヘキスト社製−商
品名) 1部、カーボンブラック2部、r−グリシドオ
キシブロビルトヅメトキVVランKBM403(信越化
学社製争闘品名)1部を配合し、80℃に加熱した8イ
ンチのロールで5分間加熱混練したのち、v−ト状物と
して取り出し、粗砕して半導体素子封止用組成物−It
’作った。
273(テパ社製・商品名)100部、フェノールノボ
ラック樹脂TV−2093(大日本インキ社製・商品名
)50部および硬化促進剤2−フェニルイミダゾール1
部からなる工4キV樹脂組成物C二上記で得た合成石英
粉末300部、離型剤OPワックス(ヘキスト社製−商
品名) 1部、カーボンブラック2部、r−グリシドオ
キシブロビルトヅメトキVVランKBM403(信越化
学社製争闘品名)1部を配合し、80℃に加熱した8イ
ンチのロールで5分間加熱混練したのち、v−ト状物と
して取り出し、粗砕して半導体素子封止用組成物−It
’作った。
2)有機基/Eii@子xl、Q5.メチル底/フェニ
ル基−1,2,けい素原子−二結合した水酸基力14.
5%であるフェニルメチルボリシロキナン100部C:
、上記で得た合成石英粉末200部。
ル基−1,2,けい素原子−二結合した水酸基力14.
5%であるフェニルメチルボリシロキナン100部C:
、上記で得た合成石英粉末200部。
離型剤ステアリン酸カルVウム(LS部、硬化触媒炭酸
鉛0.8部、安息誉酸1.5部を配合し、これを土偶と
同様C;迅通して半導体素子封止用組成物−■を作った
。
鉛0.8部、安息誉酸1.5部を配合し、これを土偶と
同様C;迅通して半導体素子封止用組成物−■を作った
。
3) ポリフェニレンサルファイド樹脂ライトyv−1
(フィリップス社製・商品名) 100部C:上記で得
た合成石英粉末200部、r−グリシドオキシプロビル
メトキシシランKBM 403(前出)5部を配合し、
へνVエルミキサーで混合したのち、押出機でペレット
化して半導体素子対土用組成物−璽を作った。
(フィリップス社製・商品名) 100部C:上記で得
た合成石英粉末200部、r−グリシドオキシプロビル
メトキシシランKBM 403(前出)5部を配合し、
へνVエルミキサーで混合したのち、押出機でペレット
化して半導体素子対土用組成物−璽を作った。
4)上記の半導体素子封止用組成物−レニg4する合成
石英粉の代わ晦月二通常の半導体素子封止用樹脂の充填
剤として使用されている天然珪石を溶融して作った溶融
VリカRD−8(タラモリ社製・商品名)を用いて同様
に56理して半導体素子封止用組成物−■を作った。
石英粉の代わ晦月二通常の半導体素子封止用樹脂の充填
剤として使用されている天然珪石を溶融して作った溶融
VリカRD−8(タラモリ社製・商品名)を用いて同様
に56理して半導体素子封止用組成物−■を作った。
(半導体素子封止用組成物の特性評価)上記で得た半導
体素子封止用組成物−I〜−■ご二ついてそのα線強度
、流動性、Ii!l11度、体積抵抗率を測定したとこ
ろ、下表のとおりの結果が得られ、組成物1−1は一線
強度が組成物■(;くらべて格段Cニラなく、諸物性に
ついても特に問題点のないことが81認された。
体素子封止用組成物−I〜−■ご二ついてそのα線強度
、流動性、Ii!l11度、体積抵抗率を測定したとこ
ろ、下表のとおりの結果が得られ、組成物1−1は一線
強度が組成物■(;くらべて格段Cニラなく、諸物性に
ついても特に問題点のないことが81認された。
実施例2
精製した四塩化けい素t−60℃でガス化させ、これを
酸水系炎と共(:それから60儒離した石英板(:吹さ
つけて、その加水分解(二より生成した微粉状シリカを
この石英板上C二析出させ、この反応を石英板の同一箇
所で1分間継続したのち、その反応面χ石英板上の他の
面に移し、冷却された反応面から結晶生長した石英粉を
石英棒で払い落して回収するという方法で連続的(:石
英粉の製造を行ない、平均粒子径が50 、a+aであ
る石英粉を得た。
酸水系炎と共(:それから60儒離した石英板(:吹さ
つけて、その加水分解(二より生成した微粉状シリカを
この石英板上C二析出させ、この反応を石英板の同一箇
所で1分間継続したのち、その反応面χ石英板上の他の
面に移し、冷却された反応面から結晶生長した石英粉を
石英棒で払い落して回収するという方法で連続的(:石
英粉の製造を行ない、平均粒子径が50 、a+aであ
る石英粉を得た。
この石英粉C二ついてそのウラン、トリウムの含有量を
測定したところ、これは痕跡程度であり、これをフ二二
〃メチルポリシロキチンを主剤とした前例(=おける半
導体素子封止用樹脂組成物−■(=添加した合成石英粉
に代えて使用して得た樹脂組成物のα線強度も(LOO
OI(E#(Ill ・h であった。
測定したところ、これは痕跡程度であり、これをフ二二
〃メチルポリシロキチンを主剤とした前例(=おける半
導体素子封止用樹脂組成物−■(=添加した合成石英粉
に代えて使用して得た樹脂組成物のα線強度も(LOO
OI(E#(Ill ・h であった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、島硬化性樹脂または熱可塑性樹脂1(1重量部と、
合成石英粉末50〜800重量部とからなることを特徴
とする半導体素子封止用樹脂組成物 i 合成石英粉末が合成石英インゴットを粉砕したもの
である特許請求の範囲第1項記載の半導体素子封止用樹
脂組成物 3、合成石英粉末がけい素化合物の高温酸化および/ま
たは加水分解で得られたシg力微粉末の成長により作ら
れたものである特許請求の範囲111項記載の半導体素
子封止用樹脂組成物4、合成石英粉末が0.5〜1($
0.amの平均粒子径をもつものである特許請求の11
11110項、第2項または第3項記載の半導体素子封
止用樹脂組成物
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57009749A JPS58127354A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | 半導体素子封止用樹脂組成物 |
US06/459,220 US4772644A (en) | 1982-01-25 | 1983-01-19 | Method for resin encapsulation of a semiconductor device and a resin composition therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57009749A JPS58127354A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | 半導体素子封止用樹脂組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58127354A true JPS58127354A (ja) | 1983-07-29 |
Family
ID=11728945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57009749A Pending JPS58127354A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | 半導体素子封止用樹脂組成物 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4772644A (ja) |
JP (1) | JPS58127354A (ja) |
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-
1982
- 1982-01-25 JP JP57009749A patent/JPS58127354A/ja active Pending
-
1983
- 1983-01-19 US US06/459,220 patent/US4772644A/en not_active Expired - Lifetime
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JPS6047032A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | タブレツトの製造方法 |
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JPH0242383B2 (ja) * | 1984-12-18 | 1990-09-21 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4772644A (en) | 1988-09-20 |
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