JPS6015152A - 電波吸収体の製造方法 - Google Patents
電波吸収体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6015152A JPS6015152A JP58123982A JP12398283A JPS6015152A JP S6015152 A JPS6015152 A JP S6015152A JP 58123982 A JP58123982 A JP 58123982A JP 12398283 A JP12398283 A JP 12398283A JP S6015152 A JPS6015152 A JP S6015152A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radio wave
- ferrite
- wave absorber
- metal
- radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
体の新規な製造方法に関する。
本発明は、コンクリート、鉄骨等の建造物による電波障
害を除去するための電波吸収体の製造法に関する。
害を除去するための電波吸収体の製造法に関する。
この電波吸収体としては、フェライト焼結体、フェライ
ト層とカーボンブラック層との複合体、フェライトとカ
ーボンブラック、高分子樹脂との混合成型体等が開発さ
れている。
ト層とカーボンブラック層との複合体、フェライトとカ
ーボンブラック、高分子樹脂との混合成型体等が開発さ
れている。
これらの電波吸収体は各々すぐれた電波吸収特性をもっ
ているが、特に８ ＧＨｚ以上高周波のマイクロ波の領
域では充分な特性を有するものが無い。
ているが、特に８ ＧＨｚ以上高周波のマイクロ波の領
域では充分な特性を有するものが無い。
例えば、第１図は磁気損失を利用する複合フェライトの
電波吸収特性であるが、反射係数０．１（電波減衰量と
して２０ ｄＢ に相当する）以下の周波数の」ユに電
波吸収体２が貼付けである。そして電波Ａが、Ａ′で示
す如く反射して構造物内に電波障害を起さぬようにする
ものである。
電波吸収特性であるが、反射係数０．１（電波減衰量と
して２０ ｄＢ に相当する）以下の周波数の」ユに電
波吸収体２が貼付けである。そして電波Ａが、Ａ′で示
す如く反射して構造物内に電波障害を起さぬようにする
ものである。
このようにしておけば電波ＡはＡ′で示す矢印の如く反
射して導体の内部に電波障害を与えない。
射して導体の内部に電波障害を与えない。
第４・図はこの電波１汲収体の重体の状態を示す斜視図
であり、（イ）は単層、（ロ）は２層の例であり、３と
４、はその組成が異る。
であり、（イ）は単層、（ロ）は２層の例であり、３と
４、はその組成が異る。
このように電波吸収体としては、広帯域周波数に対する
効果を高める為、特性の異なる吸収体を複合化して使用
することが必要となる。特に１３〜２０ ＧＨ２いう高
周波に対しては、吸収体の厚さが、２〜３ ｍ７Ｌと非
常に薄くする必要がある。この為、複合化の貼合せにお
ける接着剤の影響、貼合せ時の加熱による吸収特性の変
化、吸収体の薄肉化における厚さのコントロール等の問
題があり、安定した品質を保つのは非常に困難である。
効果を高める為、特性の異なる吸収体を複合化して使用
することが必要となる。特に１３〜２０ ＧＨ２いう高
周波に対しては、吸収体の厚さが、２〜３ ｍ７Ｌと非
常に薄くする必要がある。この為、複合化の貼合せにお
ける接着剤の影響、貼合せ時の加熱による吸収特性の変
化、吸収体の薄肉化における厚さのコントロール等の問
題があり、安定した品質を保つのは非常に困難である。
本発明はか〜るマイクロ波領域で、広い周波数帯域で反
射係数が低く、従って電波吸収特性の良いしかも薄い電
波吸収体の製造法を提供するものである。
射係数が低く、従って電波吸収特性の良いしかも薄い電
波吸収体の製造法を提供するものである。
金属酸化物の粉末状或は繊維状充填物又はこれらの混合
物を添加してなる高誘電体組成物を押出成型機又は加熱
プレスにより成形して基板とし、該基板」−にアクリル
酸エステル又はメククリル酸エステルを主体とする放射
線硬化塗料に、金属若しくは金属酸化物の粉末或は繊維
状充填物を添加した塗料を、所定の厚さで塗布した後、
放射線照射により硬化させ一体化させることを特徴とす
る電波吸収体の製造方法にある。
物を添加してなる高誘電体組成物を押出成型機又は加熱
プレスにより成形して基板とし、該基板」−にアクリル
酸エステル又はメククリル酸エステルを主体とする放射
線硬化塗料に、金属若しくは金属酸化物の粉末或は繊維
状充填物を添加した塗料を、所定の厚さで塗布した後、
放射線照射により硬化させ一体化させることを特徴とす
る電波吸収体の製造方法にある。
ンー酢酸ビニル共重合体、エチレン−エチルアクリレー
ト共重合体等のポリオレフィン樹脂、塩素化ポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニル、クロロプレン、クロルスルフォン
化エチレン等のハロゲンを含む樹脂、ナイロン６、ナイ
ロン６．６、ナイロン６゜］０、ナイロン】２、ナイロ
ン６−１２等のポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリブチレンチレフクレート等のポリエステル
樹脂、ポリフェニレンサルファイド、ホリフエニレンオ
ギザイド、ボリザルフオン、ポリエーテルサルフオン等
の充填剤を添加することの出来る熱可塑性樹脂が使用さ
れる。金属若しくは金属酸化物を添加する目的は、材料
の電波吸収特性が、材料の誘電率及び透磁率によって決
まり、いずれもこの特性の大きい材料が電波吸収体とし
て一般的に好ましい。このことから、誘電率、透磁率を
大きくする為には、金属若しくは金属酸化物を添加する
方５− 法が一般によく用いられており、添加される金属として
は、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、ステンレス等が
好ましく、混合の容易さや分散性の為、粉末状或は繊維
状で添加する。金属酸化物としては、酸化鉄（マンガン
フェライト、バリウムフェライト、ニッケルフェライト
、ストロンチウムフェライト 又は金属酸化物の添加量は、目的とする材料の誘電率、
透磁率によって決まるものである１が、通常粉状の場合
は５〜８０ｗｔ％、又は金属短繊維の場合は２〜３ ０
ｗｔ％である。これらの熱可塑性樹脂組成物を用いて
、基板とする場合の成形方法としては、Ｔダイ押出機等
による連続押出方式又は加熱プレスに上るバッチ方式等
があり、いずれの方式でも採用することが出来る。こう
して作成した高誘電体基板上に、放射線硬化型塗料に、
前述の粉末状若しくは繊維状の金属又は金属酸化物と金
属短繊維とを所定量添加したものを一定の厚さで６一 塗布する。塗布厚さのコントロールは、ドクターナイフ
による方法及びピンチロール方式のいずれでも良い。使
用する放射線硬化塗料としては、分子内にアクリル基又
はメタクリル基を少なくともｌ官能以上有するアクリル
酸エステル又はメタクリル酸エステルを主体とするもの
で、硬化効率から２官能以上有するものが好ましい。
ト共重合体等のポリオレフィン樹脂、塩素化ポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニル、クロロプレン、クロルスルフォン
化エチレン等のハロゲンを含む樹脂、ナイロン６、ナイ
ロン６．６、ナイロン６゜］０、ナイロン】２、ナイロ
ン６−１２等のポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリブチレンチレフクレート等のポリエステル
樹脂、ポリフェニレンサルファイド、ホリフエニレンオ
ギザイド、ボリザルフオン、ポリエーテルサルフオン等
の充填剤を添加することの出来る熱可塑性樹脂が使用さ
れる。金属若しくは金属酸化物を添加する目的は、材料
の電波吸収特性が、材料の誘電率及び透磁率によって決
まり、いずれもこの特性の大きい材料が電波吸収体とし
て一般的に好ましい。このことから、誘電率、透磁率を
大きくする為には、金属若しくは金属酸化物を添加する
方５− 法が一般によく用いられており、添加される金属として
は、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、ステンレス等が
好ましく、混合の容易さや分散性の為、粉末状或は繊維
状で添加する。金属酸化物としては、酸化鉄（マンガン
フェライト、バリウムフェライト、ニッケルフェライト
、ストロンチウムフェライト 又は金属酸化物の添加量は、目的とする材料の誘電率、
透磁率によって決まるものである１が、通常粉状の場合
は５〜８０ｗｔ％、又は金属短繊維の場合は２〜３ ０
ｗｔ％である。これらの熱可塑性樹脂組成物を用いて
、基板とする場合の成形方法としては、Ｔダイ押出機等
による連続押出方式又は加熱プレスに上るバッチ方式等
があり、いずれの方式でも採用することが出来る。こう
して作成した高誘電体基板上に、放射線硬化型塗料に、
前述の粉末状若しくは繊維状の金属又は金属酸化物と金
属短繊維とを所定量添加したものを一定の厚さで６一 塗布する。塗布厚さのコントロールは、ドクターナイフ
による方法及びピンチロール方式のいずれでも良い。使
用する放射線硬化塗料としては、分子内にアクリル基又
はメタクリル基を少なくともｌ官能以上有するアクリル
酸エステル又はメタクリル酸エステルを主体とするもの
で、硬化効率から２官能以上有するものが好ましい。
放射線効果塗料の硬化に使用する放射線の種類としては
、紫外線、電子線、γ線等があるが、透過厚さの問題が
電子線又はγ線が放射線として好実施例−１゜ 第１表に示した組成（１）の熱可塑樹脂組成物を用いて
、１５０℃の加熱２本ロールで１５分間混練した後、１
６０℃の加熱プレスで１０分間加圧し、４．ＯＯｍｘ
ｘ ４００ｍｘ ｘ ３．５ｍｘｔのサイズの基板を作
成した。
、紫外線、電子線、γ線等があるが、透過厚さの問題が
電子線又はγ線が放射線として好実施例−１゜ 第１表に示した組成（１）の熱可塑樹脂組成物を用いて
、１５０℃の加熱２本ロールで１５分間混練した後、１
６０℃の加熱プレスで１０分間加圧し、４．ＯＯｍｘ
ｘ ４００ｍｘ ｘ ３．５ｍｘｔのサイズの基板を作
成した。
その後、第２表に示した組成の塗料を８本ロールにて１
５分間混合し、フェライト入り放射線硬化塗料と成した
。該塗料を前述の基板上に塗布し、ドクタナイフで厚さ
１．ＩＭ に調整した。その後、２ ＭｅＶの電子線加
速器により電子線を１５Ｍｒａｄ照射し、フェライト入
り塗料を硬化させ、基板との一体化を計った。こうして
得られた電波吸収体の反射減衰量をスペクトルアナライ
ザー（タケダ理研製）用いて測定し、その結果を第１図
（ａ）に示した。この結果、８〜１２ ＧＨｚの周波数
帯に対し、優れた電波吸収特性を示すことがわかった。
５分間混合し、フェライト入り放射線硬化塗料と成した
。該塗料を前述の基板上に塗布し、ドクタナイフで厚さ
１．ＩＭ に調整した。その後、２ ＭｅＶの電子線加
速器により電子線を１５Ｍｒａｄ照射し、フェライト入
り塗料を硬化させ、基板との一体化を計った。こうして
得られた電波吸収体の反射減衰量をスペクトルアナライ
ザー（タケダ理研製）用いて測定し、その結果を第１図
（ａ）に示した。この結果、８〜１２ ＧＨｚの周波数
帯に対し、優れた電波吸収特性を示すことがわかった。
実施例−２゜
）１表の組成（２）の熱可塑樹脂組成物を用いて、実施
例−１と同様にして、４００ｍｘ×４００ｒｎｘ×２．
２ｍｘｔのサイズの基板を作成した。この基板上に、前
述のフェライト入り塗料を厚さ０，７ｍｔに塗布し、２
ＭｅＶの電子線加速器で１５ Ｍｒａｄ 電子線を照射
して塗料を硬化させた。こうして得られた電波吸収帯の
反射減衰量を実施例−１と同様に測定した。
例−１と同様にして、４００ｍｘ×４００ｒｎｘ×２．
２ｍｘｔのサイズの基板を作成した。この基板上に、前
述のフェライト入り塗料を厚さ０，７ｍｔに塗布し、２
ＭｅＶの電子線加速器で１５ Ｍｒａｄ 電子線を照射
して塗料を硬化させた。こうして得られた電波吸収帯の
反射減衰量を実施例−１と同様に測定した。
その結果を第１図（ｂ）に示した。この結果、１２〜２
０ ＧＨｚの周波数帯に対し、優れた電波吸収特性を示
すことがわかった。
０ ＧＨｚの周波数帯に対し、優れた電波吸収特性を示
すことがわかった。
第１表 配合表
グラフ、第２図は、単層のフ干ライト電波吸収体の断面
図、第３図（よ、本発明の電−液吸収体の反射減衰量−
周波数の関係を示したグラフである。
図、第３図（よ、本発明の電−液吸収体の反射減衰量−
周波数の関係を示したグラフである。
９−
大１図
著２閉
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）熱可塑性樹脂に金属若しくは金属酸化物の粉末状
或は繊維状充填物、又はこれらの混合物を添加してなる
高誘電体組成物を押出成型機又は加熱プレスにより成形
して基板とし、該基板上に、アクリル酸エステル又はメ
タクリル酸エステルを主体とする放射線硬化塗料に、金
属若しくは金属酸化物の粉末状又は繊維状充填物と金属
短繊維とを添加した塗料を所定の厚さで塗布した後、放
射線照射により硬化させ一体化することを特徴とするテ
ンレスから成る群より選ばれたものである特許請求の範
囲第（１）項記載の電波吸収体の製造方法。 （３）金属酸化物が、酸化鉄（マンガンフェライト、バ
リウムフェライト、ニッケルフェライト、ストロンチウ
ムフェライト）、酸化チタン及びチタン酸バリウムから
成る群より選ばれたものである特許請求の範囲第（１）
項記載の電波吸収体の製造方法。 （４）放射線硬化塗料が、塗料樹脂内にＣＣＨｐ＋ −
ＣＨＣＯＯチ又はＣＣＨ２＝ Ｃ（ＣＨａ ） ＣＯＯ
うなる構造を少なくと、も１官能以上有するアクリル酸
エステル又はメタクリル酸エステルを主体とする樹脂か
ら成る特許請求の範囲第（１）項記載の電波吸収体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58123982A JPS6015152A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 電波吸収体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58123982A JPS6015152A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 電波吸収体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6015152A true JPS6015152A (ja) | 1985-01-25 |
Family
ID=14874110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58123982A Pending JPS6015152A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 電波吸収体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6015152A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58127354A (ja) * | 1982-01-25 | 1983-07-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体素子封止用樹脂組成物 |
| JPS58196039A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子用封止樹脂 |
| JPS58207658A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Fujitsu Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS5947744A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-17 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Ｉｃパツケ−ジ用フイラ−材 |
| JPS6074551A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS61263246A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-21 | Matsushita Electronics Corp | メモリ素子の製造方法 |
| CN109095919A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-28 | 浙江大学 | 一种具有多级微结构分布的钛酸钡/四氧化三钴复相毫米波吸波粉体及制备方法 |
| CN109650933A (zh) * | 2019-01-28 | 2019-04-19 | 陕西科技大学 | 一种多孔Co3O4/Al2SiO5低密度吸波型复相陶瓷及其制备方法 |
-
1983
- 1983-07-06 JP JP58123982A patent/JPS6015152A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58127354A (ja) * | 1982-01-25 | 1983-07-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体素子封止用樹脂組成物 |
| JPS58196039A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子用封止樹脂 |
| JPS58207658A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Fujitsu Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS5947744A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-17 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Ｉｃパツケ−ジ用フイラ−材 |
| JPS6332268B2 (ja) * | 1982-09-10 | 1988-06-29 | Toshiba Ceramics Co | |
| JPS6074551A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS61263246A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-21 | Matsushita Electronics Corp | メモリ素子の製造方法 |
| CN109095919A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-28 | 浙江大学 | 一种具有多级微结构分布的钛酸钡/四氧化三钴复相毫米波吸波粉体及制备方法 |
| CN109650933A (zh) * | 2019-01-28 | 2019-04-19 | 陕西科技大学 | 一种多孔Co3O4/Al2SiO5低密度吸波型复相陶瓷及其制备方法 |
| CN109650933B (zh) * | 2019-01-28 | 2021-03-30 | 陕西科技大学 | 一种多孔Co3O4/Al2SiO5低密度吸波型复相陶瓷及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11515643B2 (en) | Electromagnetic-wave-absorbing sheet | |
| DE3213055A1 (de) | Magnetisches aufzeichnungsmedium und verfahren zur herstellung desselben | |
| JPS6015152A (ja) | 電波吸収体の製造方法 | |
| JPS5814457B2 (ja) | 電磁波遮蔽用導電性プラスチック組成物 | |
| DE3428943A1 (de) | Magnetisches aufzeichnungsmedium | |
| DE3527858A1 (de) | Magnetisches aufzeichnungsmedium | |
| KR102007608B1 (ko) | 금속박막을 이용한 전자파 차폐재 및 그 제조방법 | |
| DE3248886C2 (ja) | ||
| GB2077625A (en) | Electrically insulating coating | |
| JPH0419644B2 (ja) | ||
| JP2007250822A (ja) | 磁性シートの製造方法 | |
| Hashimoto et al. | Design and manufacturing of resistive-sheet type wave absorber at 60GHz frequency band | |
| JPS6242559Y2 (ja) | ||
| JPS58201399A (ja) | 電波吸収体の製造方法 | |
| JPS58188193A (ja) | 電波吸収体 | |
| JPS58201398A (ja) | 電波吸収体の製法 | |
| JPS60134500A (ja) | 電磁波シ−ルド材料 | |
| JPH0319862B2 (ja) | ||
| DE10222459A1 (de) | Kompositmaterial zur Abschirmung von elektromagnetischen Höchstfrequenzfeldern und Verfahren zu seiner Herstellung sowie zu seiner Verwendung | |
| JPS608055A (ja) | 電磁遮蔽体の製造方法 | |
| JPS58188195A (ja) | 電波吸収体の製造法 | |
| JPH0628204B2 (ja) | 電波吸収材 | |
| CN113660845A (zh) | 一种宽频电磁波吸收体及其制造方法 | |
| JPH06275982A (ja) | 電波吸収体 | |
| JPS6358987A (ja) | 高周波回路用基板 |