JPH0242383B2 - - Google Patents
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- JPH0242383B2 JPH0242383B2 JP59265383A JP26538384A JPH0242383B2 JP H0242383 B2 JPH0242383 B2 JP H0242383B2 JP 59265383 A JP59265383 A JP 59265383A JP 26538384 A JP26538384 A JP 26538384A JP H0242383 B2 JPH0242383 B2 JP H0242383B2
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- epoxy resin
- average particle
- surface area
- specific surface
- resin composition
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
<産業上の利用分野>
本発明は、特に成形時に発生するバリの少な
い、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するも
のである。 <従来技術> バリの少ない組成物を得るためには、粒子径が
5〜30μmのシリカ粉末を添加することが知られ
ている(特開昭57―195117号)が、微細なシリカ
粉末の取扱いが困難であるとか、多量に配合した
場合に流動性が低下するなどの欠点を有してい
る。 <発明の目的> 本発明は、バリ発生の少ない組成物を得るため
に研究した結果、配合する充填材の平均粒子径と
比表面積を制御する事によりバリ発生を抑制出来
るとの知見を得、更にこの知見に基づき鋭意研究
を実施し本発明を成すに至つた。その目的は、電
気特性、耐湿性などの諸特性を劣化させることな
く、バリの少ないエポキシ樹脂組成物を提供する
ことにある。 <発明の構成> 本発明は、エポキシ樹脂、硬化剤および充填材
を主成分とするエポキシ樹脂組成物において、平
均粒子径が3〜15μmであり、かつ比表面積が1
〜5m2/gであるような石英粉末を充填材として
50〜90wt%含有する事を特徴とするエポキシ樹
脂組成物である。 本発明において用いられる、エポキシ樹脂とし
ては、ビスフエノールA、ジグリシジルエーテ
ル、フエノールノボラツクグリシジルエーテル、
O―クレゾールノボラツクグリシジルエーテルが
挙げられ、硬化剤としては、芳香族アミン、酸無
水物、フエノールノボラツクなどが挙げられ、耐
湿性、電気特性の点から、クレゾールノボラツク
グリシジルエーテルとフエノールノボラツクの組
み合せが一般的である。使用する石英粉末は、天
然に産する硅石を直接あるいは、一旦加熱溶融後
粉砕する天然タイプもしくは、クロルシランなど
の低分子原料からポリシロキサンを合成して得ら
れる合成タイプのどちらでも良い。 平均粒子径は5〜15μmが望ましい。ここにい
う平均粒子径とは、粒度分布測定機(例、
CILAS社Laser Granulometer model715)によ
つて得られた粒度分布の50%累積値とする。 平均粒子径が3μ以下の場合は、かさ密度が低
下するため取扱上の不便さが生ずると共に、組成
物の流動性が低下して満足な成形物が得られな
い。 又、平均粒子径が15μを超えると、バリ発生が
増大すると共に、小型成形品の場合に、未充填な
どの発生率が高くなる。比表面積については、不
定形石英粉末においては、平均粒子径に反比例す
る。しかし、局部的、たとえば粒子径1μ以下の
部分が偏つて多くなると、平均粒子径は同じでも
比表面積が極端に増大する事になる。そのような
場合は、組成物の流動性が低下し、平均粒子径が
小さすぎる場合と同様になる。また、球状粒子の
ように平均粒子径に比較して、比表面積が小さく
なる場合には、逆に流動性が過剰となり、バリが
多くなる。 平均粒子径5〜15μの石英粉末に対しては、1
〜5m2/gの比表面積特性が流動性、バリ特性上
好ましい。ここにいう比表面積とは、BET法に
よる比表面積測定器(例、ユアサ電池製モノソー
プ)により測定した値を指す。 <発明の効果> 本発明方法に従うと、バリ発生の少ないエポキ
シ樹脂組成物を簡単に得る事が出来る。このよう
なエポキシ樹脂組成物を使用する事により、半導
体部品のバリ取り作業が容易になると共に、製品
歩留も向上する事になる。 <実施例> 表1に示すような溶融石英粉末を充填材として
使用した。
い、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するも
のである。 <従来技術> バリの少ない組成物を得るためには、粒子径が
5〜30μmのシリカ粉末を添加することが知られ
ている(特開昭57―195117号)が、微細なシリカ
粉末の取扱いが困難であるとか、多量に配合した
場合に流動性が低下するなどの欠点を有してい
る。 <発明の目的> 本発明は、バリ発生の少ない組成物を得るため
に研究した結果、配合する充填材の平均粒子径と
比表面積を制御する事によりバリ発生を抑制出来
るとの知見を得、更にこの知見に基づき鋭意研究
を実施し本発明を成すに至つた。その目的は、電
気特性、耐湿性などの諸特性を劣化させることな
く、バリの少ないエポキシ樹脂組成物を提供する
ことにある。 <発明の構成> 本発明は、エポキシ樹脂、硬化剤および充填材
を主成分とするエポキシ樹脂組成物において、平
均粒子径が3〜15μmであり、かつ比表面積が1
〜5m2/gであるような石英粉末を充填材として
50〜90wt%含有する事を特徴とするエポキシ樹
脂組成物である。 本発明において用いられる、エポキシ樹脂とし
ては、ビスフエノールA、ジグリシジルエーテ
ル、フエノールノボラツクグリシジルエーテル、
O―クレゾールノボラツクグリシジルエーテルが
挙げられ、硬化剤としては、芳香族アミン、酸無
水物、フエノールノボラツクなどが挙げられ、耐
湿性、電気特性の点から、クレゾールノボラツク
グリシジルエーテルとフエノールノボラツクの組
み合せが一般的である。使用する石英粉末は、天
然に産する硅石を直接あるいは、一旦加熱溶融後
粉砕する天然タイプもしくは、クロルシランなど
の低分子原料からポリシロキサンを合成して得ら
れる合成タイプのどちらでも良い。 平均粒子径は5〜15μmが望ましい。ここにい
う平均粒子径とは、粒度分布測定機(例、
CILAS社Laser Granulometer model715)によ
つて得られた粒度分布の50%累積値とする。 平均粒子径が3μ以下の場合は、かさ密度が低
下するため取扱上の不便さが生ずると共に、組成
物の流動性が低下して満足な成形物が得られな
い。 又、平均粒子径が15μを超えると、バリ発生が
増大すると共に、小型成形品の場合に、未充填な
どの発生率が高くなる。比表面積については、不
定形石英粉末においては、平均粒子径に反比例す
る。しかし、局部的、たとえば粒子径1μ以下の
部分が偏つて多くなると、平均粒子径は同じでも
比表面積が極端に増大する事になる。そのような
場合は、組成物の流動性が低下し、平均粒子径が
小さすぎる場合と同様になる。また、球状粒子の
ように平均粒子径に比較して、比表面積が小さく
なる場合には、逆に流動性が過剰となり、バリが
多くなる。 平均粒子径5〜15μの石英粉末に対しては、1
〜5m2/gの比表面積特性が流動性、バリ特性上
好ましい。ここにいう比表面積とは、BET法に
よる比表面積測定器(例、ユアサ電池製モノソー
プ)により測定した値を指す。 <発明の効果> 本発明方法に従うと、バリ発生の少ないエポキ
シ樹脂組成物を簡単に得る事が出来る。このよう
なエポキシ樹脂組成物を使用する事により、半導
体部品のバリ取り作業が容易になると共に、製品
歩留も向上する事になる。 <実施例> 表1に示すような溶融石英粉末を充填材として
使用した。
【表】
A〜Fの充填材を用い、6種の組成物を調製し
た。 配合は、 ECN―1273:旭チバ社製クレゾールノボラツク
型エポキシ樹脂 20重量部 フエノールノボラツク 10重量部 カルナバワツクス 0.5 〃 充填材 69.5 〃 これらの材料の特性を表2に示す。
た。 配合は、 ECN―1273:旭チバ社製クレゾールノボラツク
型エポキシ樹脂 20重量部 フエノールノボラツク 10重量部 カルナバワツクス 0.5 〃 充填材 69.5 〃 これらの材料の特性を表2に示す。
Claims (1)
- 1 エポキシ樹脂、硬化剤および充填材を主成分
とするエポキシ樹脂組成物において、平均粒子径
が5〜15μmであり、かつ比表面積が1〜5m2/
gであるような石英粉末を充填材として50〜
90wt%含有する事を特徴とするエポキシ樹脂組
成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26538384A JPS61143466A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26538384A JPS61143466A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61143466A JPS61143466A (ja) | 1986-07-01 |
JPH0242383B2 true JPH0242383B2 (ja) | 1990-09-21 |
Family
ID=17416413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26538384A Granted JPS61143466A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61143466A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2600258B2 (ja) * | 1988-03-25 | 1997-04-16 | 東レ株式会社 | 半導体封止用樹脂組成物 |
JPH0232115A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-01 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
KR950005309B1 (ko) * | 1989-02-09 | 1995-05-23 | 신에쓰 가가꾸 고오교 가부시끼가이샤 | 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 그 경화물 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3838094A (en) * | 1973-04-23 | 1974-09-24 | Nat Semiconductor Corp | Molding composition and molded product |
JPS539297A (en) * | 1976-07-12 | 1978-01-27 | Nat Semiconductor Corp | Modified silica and method of making same |
JPS56110248A (en) * | 1980-02-06 | 1981-09-01 | Nitto Electric Ind Co Ltd | Manufacture of filler for semiconductor sealing resin |
JPS57195117A (en) * | 1981-05-27 | 1982-11-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Epoxy resin composition and its preparation |
JPS57212225A (en) * | 1981-06-24 | 1982-12-27 | Nitto Electric Ind Co Ltd | Epoxy resin composition for encapsulation of semiconductor |
JPS58127354A (ja) * | 1982-01-25 | 1983-07-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体素子封止用樹脂組成物 |
JPS60115641A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-22 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 封止樹脂用充填剤及びその組成物 |
-
1984
- 1984-12-18 JP JP26538384A patent/JPS61143466A/ja active Granted
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3838094A (en) * | 1973-04-23 | 1974-09-24 | Nat Semiconductor Corp | Molding composition and molded product |
JPS539297A (en) * | 1976-07-12 | 1978-01-27 | Nat Semiconductor Corp | Modified silica and method of making same |
JPS56110248A (en) * | 1980-02-06 | 1981-09-01 | Nitto Electric Ind Co Ltd | Manufacture of filler for semiconductor sealing resin |
JPS57195117A (en) * | 1981-05-27 | 1982-11-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Epoxy resin composition and its preparation |
JPS57212225A (en) * | 1981-06-24 | 1982-12-27 | Nitto Electric Ind Co Ltd | Epoxy resin composition for encapsulation of semiconductor |
JPS58127354A (ja) * | 1982-01-25 | 1983-07-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体素子封止用樹脂組成物 |
JPS60115641A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-22 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 封止樹脂用充填剤及びその組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61143466A (ja) | 1986-07-01 |
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