KR950005309B1 - 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 그 경화물 - Google Patents

반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 그 경화물 Download PDF

Info

Publication number
KR950005309B1
KR950005309B1 KR1019900001507A KR900001507A KR950005309B1 KR 950005309 B1 KR950005309 B1 KR 950005309B1 KR 1019900001507 A KR1019900001507 A KR 1019900001507A KR 900001507 A KR900001507 A KR 900001507A KR 950005309 B1 KR950005309 B1 KR 950005309B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
epoxy resin
silica
resin composition
particle diameter
spherical silica
Prior art date
Application number
KR1019900001507A
Other languages
English (en)
Other versions
KR900013006A (ko
Inventor
가즈또시 도미요시
도시오 시오바라
하쓰지 시라이시
고오지 후다쓰모리
Original Assignee
신에쓰 가가꾸 고오교 가부시끼가이샤
고사까 유따로
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP1030813A external-priority patent/JPH02209949A/ja
Priority claimed from JP1050695A external-priority patent/JPH0645740B2/ja
Application filed by 신에쓰 가가꾸 고오교 가부시끼가이샤, 고사까 유따로 filed Critical 신에쓰 가가꾸 고오교 가부시끼가이샤
Publication of KR900013006A publication Critical patent/KR900013006A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950005309B1 publication Critical patent/KR950005309B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/40—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 그 경화물
본 발명은 성형시의 유동성이 양호할 뿐만 아니라, 흡습 후의 납땜 내습성, 내크랙성이 우수한 저 응력성의 겅화물을 제공하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 그 경화물에 관한 것이다.
종래, 에폭시 수지와 페놀 수지등의 경화제 및 무기질 충전제로서 실리카 등을 배합한 에폭시 수지 조성물은 반도체 봉지용으로서 널리 사용되고 있으나, 최근에는, 이 에폭시 수지 조성물에 저 응력성을 부여하는 것을 목적으로 하여 실리콘계 개질제, 폴리부타디엔계 개질제를 첨가하거나, 또는 실리콘 칩의 대형화나 배선폭의 미세화 추세에 수반하여 팽창 계수를 줄이기 위해 무기질 충전제 첨가량을 증가시키는 방법이 검토되고 있다.
또한, 최근의 동향이 패키지의 대형화나 다핀화로 나아가고 있기 때문에 봉지재의 고 유동화가 또한 요망되고 있으나 이와 같은 방법으로 무기질 충전제 첨가량을 증량하면 조성물의 응력성은 낮아지지만, 성형시의 유동성이 나빠지고, 성형시 미충전이나 와이어 흐름이 발생하기 쉬우며, 성형성이 저하되어 얻어지는 경화물의 흡습 후의 납땜 내습성이 나빠지는 경향이 있기 때문에, 저 응력성과 흡습 후의 납땜 내습성 및 유동성이라는 봉지재에 있어서의 중요한 성능을 양립시키는 것이 어렵다는 중대한 결점이 있다.
또, 최근의 동향으로서 플랫 괘키지, SOJ 패키지로 대표되는 것과 같이 반도체 장치에서는 박형화가 진척되고 있으나, 박형의 반도체 장치를 프린트 기판에 장착할 때, 피키지 내에 수분이 존재하면 수중기 폭발이 일어나고, 이 폭발로 패키지에 크랙이 들어가거나, Si 칩의 표면에 간극이 생기는 등의 문제가 발생되어 왔다.
이로 인해, 경화물이 저 응력성이 이고 저 팽창 계수를 갖는, 더욱이 납땜 특성, 특히 흡습 후의 내습성, 내크랙성이 우수하고, 또한 성형시의 유동성이 양호한 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 개발이 요망되고 있다.
본 발명은 상기 사정을 감안한 것으로서, 성형시의 유동성이 양호할 뿐만 아니라, 흡습 후에 납땜 처리등의 복합 처리를 했을 때의 내습성, 내크랙성이 양호하고, 흡습후의 납땜 특성이 우수한 저 응력성이고 팽창 계수가 작은 경화물을 제공하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 그 경화물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자는 상기 목적을 달성하기 위해 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 무기질 충전제에 대해서 예의 검토를 거듭한 결과, 에폭시 수지와 경화제와 무기질 충전제를 함유해서 되는 에폭시 수지 조성물에 있어서, 무기질 충전제로서(가) 평균 입경이 5-35㎛인 구상 실리카와, (나)평균 입경이 0.1-2㎛인 구상 실리카와, (다) 평균 입경이 2-15㎛인 파쇄 실리카를 바람직하기로는 무기질 충전제의 배합량 전체에 대해서 (가)의 구상 실리카를 20-80%(중량%, 이하 동일), (나)의 구상 실리카를 1-20%, (다)의 파쇄 실리카를 29-80%의 비율로 병용할 경우, 상기 (가) 또는 (나)의 구상 실리카의 단독 사용으로는 경화물의 납땜 특성이 매우 나쁘고, 또, (가)의 구상 실리카와 (다)의 파쇄 실리카 2종만을 병용한 경우에는 경화물 흡습 후의 납땜 특성은 개량되지만, 성형시의 유동성이 손상된다는 문제를 해결하고, 성형시의 유동성이 양호함과 동시에, 흡습 후의 납땜 특성이 우수한 저 응력성의 경화물을 제공하는 반도체 봉지용 에폭시 수지조성물이 얻어짐을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
따라서, 본 발명은 에폭시 수지와 경화제와 무기질 충전제를 함유해서 되는 에폭시 수지 조성물에 있어서, 무기질 충전제로서 평균 입경이 5-35㎛인 구상 실리카와, 평균 입경이 0.1-2㎛인 구상 실리카와, 평균 입경이 2-15㎛인 파쇄 실리카를 병용·배합한 것을 특징으로 하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 경화시킴으로써 얻어지는 경화물을 제공한다.
이하, 본 발명에 대해서 더욱 상세히 기술한다.
본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지와, 경화제 및 무기질 충전제를 함유한다.
이 경우, 본 발명에 사용하는 에폭시 수지는 1분자중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 것이면 특히 제한은 없고, 예를 들면 오르토크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 페놀락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 비스페놀형 에폭시 수지, 치환 또는 비치환된 트리페놀 알칸형 에폭시 수지, 상기 에폭시 수지류의 할로겐화물 등을 들 수 있고, 이들중 1종 또는 2종 이상을 적당히 선택해서 사용할 수 있다.
또, 경화제는 특히 제한되는 것은 아니며, 사용되는 에폭시 수지에 따라 적당히 선정할 수 있고, 예를 들면 아민계 경화제, 산 무수물계 경화제, 페놀 노볼락형 경화제 등이 사용되지만, 그 중에서도 페놀 노볼락형 경화제가 조성물의 성형성, 내습성 면에서 더욱 바람직하다. 또한, 구체적인 페놀 노볼락형 경화제로서는 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지등을 예시할 수 있다.
여기에서, 경화제의 배합량은 제한되지 않으나, 페놀노볼락형 경화제를 사용할 경우 에폭시 수지 중의 에폭시기와 경화제 중의 페놀성 수산기와 몰비를 0.5-1.5범위로 하는 것이 적합하다.
또한, 본 발명 조성물에는 에폭시 수지와 경화제의 반응을 촉진시키기 위해 경화촉진제를 배합하는 것이 바람직하다. 경화 촉진제로서는 이미다졸 화합물, 1,8-디아자비시클로(5.4.0)운데센-7(DBU) 등의 운데센 화합물, 트리페닐포스핀 등의 포스핀계 화합물, 삼급 아민류 중에서 1종 또는 2종 이상이 사용된다. 또한, 경화 촉진제의 사용량은 특히 제한되지 않고, 통상의 사용량이면 좋다.
또한, 본 발명에서는 에폭시 수지 조성물로부터 얻어진 경화물이 응력을 저하시킬 목적으로 실리콘계폴리머를 배합하는 것이 바람직하다. 실리콘계 폴리머를 첨가하면 열 충격 테스트에 있어서의 패키지 크랙의 발생을 현저히 감소시킬 수 있다. 실리콘계폴리머로서는 예를 들면 에폭시기, 아미노기, 카르복실기, 수산기, 히드로실릴기, 비닐기 등을 갖는 실리콘 오일, 실리콘 레진 또는 실리콘 고무, 또는 이들 실리콘 폴리머와 페놀 노볼락 수지, 에폭시화 페놀 노볼락 수지등의 유기중합체와의 공중압체를 사용할 수 있다.
또한, 실리콘계 폴리머의 배합량은 에폭시 수지와 경화제의 합계량 100부(중량부, 이하 동일)에 대해서 1-50부로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 전술한 바와 같은 에폭시 수지 및 경화제를 필수 성분으로 하고, 또한 경화 촉진제를 필요에 따라서 배합해서 얻는 것이지만, 본 발명에 있어서는 이들 성분과 함께 무기질 충전제로서 특정한 실리카 혼합물을 사용한다.
이 경우, 본 발명에 무기질 충전제로서 사용하는 실리카 혼합물은 (가)평균 입경이 5-35㎛, 바람직하기로는 8-30㎛인 구상 실리카, (나)평균 입경이 0.1-2㎛, 바람직하기로는 0.5-1.5㎛인 구상 실리카 및 (다) 평균 입경이 2-15㎛, 바람직하기로는 3-12㎛인 파쇄 실리카의 혼합물이고, 이들 3종의 실리카를 병용함으로써, 유동성과 경화물의 흡습 후의 납땜 특성 모두를 만족시키고, 또한 저응력성의 경화물을 제공하는 에폭시 수지 조성물을 얻을 수 있다.
여기에서, (가)의 구상 실리카는 그 비표면적에 있어서 특히 제한은 없으나, 비표면적이 2.5㎡/g이하, 특히 1.4㎡/g이하인 것이 조성물의 유동성 향상 면에서 바람직하고, 또, 그 배합량은 전체 무기질 충전제 양의 20-80%로 하는 것이 바람직하다. 배합량이 20%에 미치지 않으면 조성물의 유동성이 손상되는 경우가 있고, 80%를 초과하면 흡습 후의 납땜 특성이 나빠지는 경우가 있다.
또, (나)의 구상 실리카는 (가)의 구상 실리카와 병용함으로써 조성물의 유동성을 더욱 향상시키는 효과를 발휘하는 것으로서, 그 비표면적은 15㎡/g이하, 특히 10㎡이하인 것이 조성물의 유동성 향상 면에서 바람직하다. 또한, (나)의 구상 실리카의 배합량은 전체 무기질 충전제 양의 1-20%, 특히 5-15%로 하는 것이 바람직하고, 1% 보다 적으면 조성물의 유동성이 충분하지 않은 경우가 있고, 20%를 초과하면 흡습 후의 납땜 특성이 나빠지는 경우가 있다.
또한, (다)의 파쇄 실리카는 평균 입경이 2-15㎛인 것이면 특히 제한되지 않으나, 바람직하기로는 구상 실리카를 분쇄함으로써 얻어지는 것으로서, 조성물의 유동성을 손상시키지 않고 그 경화물의 흡습 후의 납땜 특성을 향상시키는 효과를 갖는다.
여기에서, (다)의 파쇄 실리카의 원료로서 매우 적합하게 사용되는 구상 실리카는 특히 한정되지 않으나, 평균 입경이 20-50㎛인 구상 실리카 또는 입력이 75㎛이상인 구상 실리카를 분쇄함으로써 적합하게 사용할 수 있고, 또, 이들 구상 실리카의 분쇄 방법은 별도로 제한되지 않고 통상의 방법을 채용할 수 있으나, 그 중에서도 볼밀 분쇄를 바람직하게 채용할 수 있다. 또한, 이와 같은 구상 실리카를 분쇄해서 얻어지는 실리카는 구상 실리카 표면이 거칠어진 것이나 분쇄되어 반구상으로 된것, 또는 반구사의 에지 부분이 둥글게 된 것 등을 포함하는 것이다.
이 경우, (다)의 파쇄 실리카의 배합량은 전체 무기질 충전제 양의 20-80%로 하는 것이 바람직하고, 배합량이 20%에 미치지 않으면, 경화물의 흡습 후의 납땜 특성 개질효과가 충분하지 않은 경우가 있고. 80%를 초과하면 조성물의 유동성이 저하하는 경우가 있다.
또한, 상기 특정한 실리카에 추가해서 본 발명의 목적을 손상하지 않은 범위로 발연 실리카, 유리 섬유등의 기타 무기질 충전제를 배합할 수 있다.
또한, 상기 (가)-(다)의 실리카 및 다른 무기질 충전제는, 미리 그들의 표면을 r-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 커플링제를 사용하여 통상의 방법으로 표면 처리한 후에 사용할 수 있다.
본 발명 조소성물에 있어서, 무기질 충전제의 배합량은 조성물 전체 100부에 대해서 250-600부, 특히 300-550부인 것이 바람직하다.
본 발명의 조성물에는 또한 필요에 따라서 각종 첨가제를 첨가할 수 있다. 예를 들면, 카르나우바 왁스 등의 왁스류, 스테아린산 등의 지방산이나 그 금속염 등의 이형제, 유기 고무계 등의 가요성 부여제, 카본 블랙, 코발트, 블루, 벤가라 등의 안료, 산화안티몬, 할로겐 화합물 등의 난연화제, 표면 처리제, 에폭시실란, 비닐실란, 붕소 화합물, 알킬티탄에이트 등의 커플링제, 노화 방지제, 기타 첨가제를 1종 또는 2종 이상 배합할 수 있다.
또한, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 그 제조에 있어서, 전술한 성분의 소정량을 균일하게 교반, 혼합하고, 니더, 로울, 엑스톨더 등으로 혼련, 냉각하고, 분쇄하는 등의 방법으로 얻을 수 있으나, 믹싱 로울, 압출기를 사용한 용융 혼합법이 적합하게 채용된다. 여기에서, 성분의 배합 순서에는 특히 제한은 없다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 IC, LSI, 트랜지스터, 사이리스터, 다이오우드 등의 반도체 장치의 본지용으로 사용하는 것으로서, 프린트 회로 기판의 제조등에도 유효하게 사용할 수 있다. 여기에서, 반도체 장치의 봉지를 행하는 경우에는, 종래부터 채용되고 있는 성형법, 예를 들면, 트랜스퍼 성형, 사출 성형, 주형법 등을 채용해서 행할 수 있다. 이 경우, 에폭시 수지 조성물의 성형 온도는 150-180℃, 포스트큐어는 150-180℃로 2-16시간 행하는 것이 바람직하다.
본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 무기질 충전제로서 특정한 구상 실리카 및 파쇄 실리카 혼합물을 배합한 것으로서, 성형시의 유동성이 우수함과 동시에, 흡습 후에 있어서도 납땜으로 처리한 후의 내습성 및 내크랙성이 좋고, 납땜 특성이 우수한 저응력성의 경화물을 제공하는 것이다. 따라서, IC, LSI,트랜지스터 등의 반도체 봉지재로서 미세한 패턴이나 와이어의 손상을 줄이고, 내습성을 향상시키는 등의 목적을 위해 유효하게 사용될 수 있다.
이하, 실시예 및 비교예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예에 제한되는 것은 아니다.
또한, 아래의 예에 있어서 부는 모두 중량부를 나타낸다.
[실시예 1-5, 비교예 1-4]
에폭시 당량 200, 연화점 65℃의 에폭시화크레졸 노볼락 수지 58부, 에폭시 당량 280의 브롬화 에폭시화페놀 노볼락 수지 6부, 페놀 당량 110, 연화점 80℃의 페놀 노볼락 수지 36부, 트리페닐포스핀 0.7부, 삼산화안티몬 10부, 카르나우바 왁스 1.5부, r-글리시독시프로필트리메톡시실란 1.6부, 카본 1부를 베이스로서 사용하고, 이 베이스에 제1표에 나타낸 실리카 혼합물을 배합하여, 80℃의 믹싱 로울로 5분간 용융 혼합한 후, 시트상으로 취출해서 냉각시키고, 분쇄하여 에폭시 수지 조성물을 제작하였다.
얻어진 조성물에 대해서 아래의 제반 시험을 행하였다.
결과를 제1표에 병기한다.
(가) 스파이럴 플로우치
EMMI 규격에 준한 금형을 사용하여 175℃, 70kg/㎠의 조건에서 측정하였다.
(나) 팽창 계수, 유리 전이 온도
175℃에서 12분간 성형하고, 180℃로 4시간 포스트큐어한 5×5×15mm의 시험편을 사용하여, 아그네[싱꾸리꼬샤(眞空理工社) 제품]을 사용해서 승온 스피드 5℃/분에서 측정하였다.
(다) 휨 강도
JIS K6911에 준해서 175℃, 70kg/㎠, 성형 시간 2분의 조건으로 10×4×100mm의 항절봉을 성형하여, 180℃에서 4시간 포스트큐어한 후, 실온에서의 휨 강도를 측정하였다. 또한, 121℃/100%의 압력 쿠커에서 24시간 방치한 것(이하, PCT후로 약칭함)에 대해서도 휨 강도를 측정하였다.
(라) 흡습 후의 내납땜 크랙성
175℃에서 2분간 성형하고, 180℃에서 4시간 포스트큐어한 패키지 사이즈 14×20×2.3mm, 아이랜드 면적 8×10mm의 플랫 패키지를 85℃/85% RH의 항온 항습조에는 48시간 방치한 후, 260℃ 납땜욕에 넣은 후, 패키지 크랙이 발생하기까지의 시간을 측정하였다.
[표 1]
Figure kpo00001
* 실리카 6 :
입경이 75㎛ 이상인 구상 실리카를 볼밀로 2시간 분쇄해서 얻어진 평균 입경이 5㎛이고 48㎛이상의 조립이 0.1% 이하인 파쇄 실리카.
* 실리카 7 :
평균 입경이 30㎛인 구상 실리카르 봄리로 1시간 분쇄해서 얻어진 평균 입경이 10㎛이고 75㎛이상의 조립이 0.1%이하인 실리카
* 실리카 8 :
평균 입경이 15㎛인 파쇄 실리카
표 1의 결과에서, 본 발명에 관계되는 3종의 구상 실리카 및 파쇄 실리카 중 어느 하나라도 빠진 조성물은 유동성, PCT 후의 휨 강도, 내납땜 크랙성 중 어느 한 가지 특성이 열화된 것이지만, 본 발명의 조성물은 이들 특성 모두가 우수하고, 저응력성이고 또한 성형시의 유동성 및 흡습 후의 납땜 특성이 우수함이 확인되었다.
[실시예 6-10, 비교예 5,6]
실시예 1과 동일한 베이스 및 제조 방법으로 표 2에 나타낸 실리카를 사용해서 에폭시 수지 조성물을 제작하고, 제반 시험을 행하였다.
결과를 표 2에 병기한다.
[표 2]
Figure kpo00002
* 실리카 9 :
실리카 2를 r-글리시독시프로필트리메톡시실란(KBM 403, 신에쓰 가가꾸고오교사 제품) 0.6중량%로 표면 처리한 구상 실리카.
* 실리카 10 : 실리카 4를 KBM 403, 1.0중량%로 표면 처리한 구상실리카.
* 실리카 11 : 실리카 6을 KBM 403, 0.8중량%로 표면 처리한 구상실리카.
* 실리카 12 : 평균 입경이 4㎛인 구상 실리카를 r-글리시독시프로필 트리메톡시실란 0.9중량%로 표면처리한 구상 실리카.
* 실리카 13 : 평균 입경이 30㎛인 구상 실리카를 볼밀로 3시간 분쇄해서 얻어진 평균 입경 1㎛의 파쇄실리카.
표 2의 결과에서도, 본 발명의 조성물은 우수한 유동성, PCT 후의 휨 강도, 내납땜 크랙성을 갖는 것이 확인되었다.

Claims (3)

  1. 에폭시 수자, 경화제 및 무기질 충전제를 함유해서 되는 에폭시 수지 조성물에 있어서, 무기질 충전제로서 평균 입경이 5-35㎛인 구상 실리카, 평균 입경이 0.1-2㎛인 구상 실리카 및 평균 입경이 2-15㎛인 파쇄 실리카를 무기질 충전제의 전체 배합량에 대해 각각 20-80중량%, 1-20중량% 및 20-80중량%의 양으로 병용하는 것을 특징으로 하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 파쇄 실리카가 구상 실리카를 분쇄함으로써 얻어지는 것인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항 기재의 에폭시 수지 조성물을 경화시킴으로써 얻어지는 경화물.
KR1019900001507A 1989-02-09 1990-02-08 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 그 경화물 KR950005309B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30813 1986-02-17
JP1-30813 1989-02-09
JP1030813A JPH02209949A (ja) 1989-02-09 1989-02-09 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び硬化物
JP50695 1989-03-01
JP1050695A JPH0645740B2 (ja) 1989-03-01 1989-03-01 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP1-50695 1989-03-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900013006A KR900013006A (ko) 1990-09-03
KR950005309B1 true KR950005309B1 (ko) 1995-05-23

Family

ID=26369222

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900001507A KR950005309B1 (ko) 1989-02-09 1990-02-08 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 그 경화물

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5137940A (ko)
KR (1) KR950005309B1 (ko)
DE (1) DE4003842C2 (ko)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950011902B1 (ko) * 1990-04-04 1995-10-12 도오레 가부시끼가이샤 반도체 장치 캡슐 봉입 에폭시 수지 조성물
DE9013615U1 (de) * 1990-09-28 1990-12-06 AEG Niederspannungstechnik GmbH & Co KG, 24534 Neumünster Elektrolumineszenz- oder Laserdiode
JP2668289B2 (ja) * 1991-01-25 1997-10-27 ソマール 株式会社 粉体塗料用エポキシ樹脂組成物
US5362775A (en) * 1991-03-27 1994-11-08 Nippondenso Co., Ltd. Epoxy resin composition and cured product thereof
JP2816774B2 (ja) * 1991-03-29 1998-10-27 日本石油株式会社 フェノール樹脂、その樹脂の製造法および封止材用エポキシ樹脂組成物
DE4244961C2 (de) * 1991-05-23 2001-09-06 Hitachi Ltd Wärmeaushärtende Harzzusammensetzung zum Gießen einer Hochspannungsspule
JP2524011B2 (ja) * 1991-05-23 1996-08-14 株式会社日立製作所 高圧コイル注型用熱硬化性樹脂組成物、該組成物で注型、硬化してなるモ―ルドコイル、パネル
JP3359410B2 (ja) * 1994-03-04 2002-12-24 三菱電機株式会社 成形用エポキシ樹脂組成物ならびにそれを用いた高電圧機器用モールド製品およびその製法
US5719225A (en) * 1994-06-13 1998-02-17 Sumitomo Chemical Company, Ltd. Filler-containing resin composition suitable for injection molding and transfer molding
US5708056A (en) * 1995-12-04 1998-01-13 Delco Electronics Corporation Hot melt epoxy encapsulation material
ATE203553T1 (de) * 1996-03-22 2001-08-15 Vantico Ag Einkomponentenepoxidharz verarbeitungsmaterial
CN1264228C (zh) * 1996-06-26 2006-07-12 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 发光半导体器件、全色发光二极管显示装置及其应用
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP3611066B2 (ja) 1996-08-29 2005-01-19 株式会社ルネサステクノロジ 無機質充填剤及びエポキシ樹脂組成物の製造方法
JP3445707B2 (ja) * 1996-09-18 2003-09-08 電気化学工業株式会社 シリカ質フィラー及びその製法
US6214905B1 (en) 1997-12-23 2001-04-10 Cookson Singapore Pte Ltd C/O Alpha Metals, Inc. Epoxy mold compound and method
DE19841204A1 (de) 1998-09-09 2000-03-23 Siemens Ag Anordnung mit lichtemittierendem Leistungshalbleiterbauelement sowie Verfahren zur Herstellung derselben
TWI257935B (en) * 1999-10-06 2006-07-11 Nitto Denko Corp Resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device using the same and method for producing semiconductor device
DE19964252A1 (de) 1999-12-30 2002-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Bauelement für eine LED-Weißlichtquelle
US6770965B2 (en) * 2000-12-28 2004-08-03 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring substrate using embedding resin
KR100679490B1 (ko) * 2000-12-29 2007-02-07 주식회사 케이씨씨 반도체 패키징용 에폭시 수지 조성물
US7096566B2 (en) * 2001-01-09 2006-08-29 Black & Decker Inc. Method for making an encapsulated coil structure
US7814641B2 (en) 2001-01-09 2010-10-19 Black & Decker Inc. Method of forming a power tool
DE10131698A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4210216B2 (ja) * 2001-09-28 2009-01-14 新日本石油株式会社 フェノール樹脂、エポキシ樹脂、その製造方法及びエポキシ樹脂組成物
KR100702566B1 (ko) * 2003-04-07 2007-04-04 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 밀봉용 에폭시 수지 성형 재료 및 반도체 장치
ATE497626T1 (de) * 2004-07-13 2011-02-15 Areva T & D Sas Verfahren zur herstellung eines isolators für hochspannungsanwendungen
TWI366421B (en) * 2008-08-22 2012-06-11 Nanya Plastics Corp High thermal conductivity, high glass transition temperature (tg) resin composition and its pre-impregnated and coating materials for printed circuit boards
KR20100028384A (ko) * 2008-09-04 2010-03-12 삼성전기주식회사 복합체 및 그의 제조방법
US8580879B2 (en) 2009-01-06 2013-11-12 Nan Ya Plastics Corporation Resin composition of high thermal conductivity and high glass transition temperature (Tg) and for use with PCB, and prepreg and coating thereof
WO2011095208A1 (en) * 2010-02-03 2011-08-11 Abb Research Ltd Electrical insulation system
KR101092015B1 (ko) * 2011-05-03 2011-12-08 주식회사 네패스신소재 열경화형 광반사용 수지 조성물, 이의 제조 방법, 이로부터 제조된 광반도체 소자 탑재용 반사판, 및 이를 포함하는 광반도체 장치
JP6571585B2 (ja) * 2015-06-08 2019-09-04 信越化学工業株式会社 半導体装置、積層型半導体装置、封止後積層型半導体装置、及びこれらの製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4617330A (en) * 1984-03-30 1986-10-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Epoxy resin composition for cast molding
JPS6134052A (ja) * 1984-07-25 1986-02-18 Matsushita Electric Works Ltd 封止用一液性エポキシ樹脂組成物
JPS61143466A (ja) * 1984-12-18 1986-07-01 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPS61268750A (ja) * 1985-05-22 1986-11-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP2938080B2 (ja) * 1988-07-22 1999-08-23 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Also Published As

Publication number Publication date
DE4003842A1 (de) 1990-08-16
DE4003842C2 (de) 1997-06-05
KR900013006A (ko) 1990-09-03
US5137940A (en) 1992-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950005309B1 (ko) 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 그 경화물
KR101076977B1 (ko) 반도체 봉지용 수지 조성물 및 반도체장치
KR100997606B1 (ko) 에폭시 수지 조성물 및 반도체장치
JPH04300914A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH06102714B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH05239321A (ja) エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
JPH06102715B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH02228354A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH04300915A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2658752B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3206317B2 (ja) エポキシ樹脂組成物の製造法及びエポキシ樹脂組成物
JP2002080694A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5067994B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2639275B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその硬化物
JP4687195B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2862777B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JP3478380B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH0625385A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3225745B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH08239450A (ja) エポキシ樹脂組成物、精密部品および半導体装置
JP2783116B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2751786B2 (ja) エポキシ樹脂用硬化剤及びエポキシ樹脂組成物並びに半導体装置
KR102549224B1 (ko) 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물
JP3479817B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH05239190A (ja) エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080508

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee