DE9013615U1 - Elektrolumineszenz- oder Laserdiode - Google Patents

Elektrolumineszenz- oder Laserdiode

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Description

FSL 90/1 20.09.90
Blektselaalnesseas- oder LuMtrOiod·
Beschreibung:
Die Erfindung betrifft eine Elektrolumineszenz- oder Laserdioäe mit einer einen iichtwanäeinäen Farbscöi.! ent&altencMm !Kansas ^,.ff-atri-., in die eJjn TII/V Halbleiter SS:-"- Sleiiti Men eingebettet
Aus de. DE-OS 38 04 293 ist e* bereits bekannt, bei Elektrolumineszenz- oder Laseräxouen cU»ä Kunststoff einen Iichtwandelnden fluoreszierenden Farbstoff zuzusetzen. Bei dieser Anordnung wird des Kunststoff weiterhin Titandioxid beigemischt. Dies Lat jedoch den Machteil, das dieser Zusatz dem Kunststoff nur Streueigenschaften verleiht. Auch ermöglicht die Zugabe von einzelnen bzw. nicht aufeinander abgestimmten Farbstoffen nur eine sehr begrenzte Verschiebung des Lichtspektrums*
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Elektrolumineszenz- oder Laserdiode zu schaffen, die eine erweiterete Farbpalette bei hohem Wirkungsgrad ermöglicht.
Diese Aufgabe wird bei einer Elektrolumineszenz- oder Laserdiode der eingange genannten Art dadurch gelöst, daß die Kunststoffmatrix einen Zusatz von Siliziumdioxid mit einer Korngröße von etwa 20 bis 50 ^1 in und mindestens zwei fluoreszierende, das Spektrum des vom Halbleiter enunittierten Lichte verschiebende Farbstoffe enthält, die bezüglich ihres Verschiebungebereiches nach Art einer Kaskade aufeinander abgestimmt sind, zwecks Erweiterung des Verschiebungsgrades.
Der Vorteil des Zusatzes von Siliziumdioxid mit Filtereigenschaften zum Kunststoff besteht darin, da/3 das
-A-
Eingangsspektrum der Diode im Hinblick auf eine definierte Eingangsfarbe eingeschränkt wird. Diese Eingangsfarbe führt dann zu einer ebenso definierten Ausgangsfarbe infolge linearer Tr«uii-ifo£3&tiöi£ sit SI1J« dr · zugesetzten Farbstoffe.
—^ch das Beiniischen aufeinander bezüglich der Verschiebung abgestimmter Farbstoffe kann beispielsweise das Eingangsspektrum 565 nm (= grün) durch den ersten Farbstoff un den Betrag von 40 na und weiter durch den zweiten Farbstoff um zusätzliche 90 nm verschoben werden. Als Ergebnis erhält man dann eine für die Anzeigediode verwendbare tiefrote Farbe von etwa 695 nm.
Weitere vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind durch Unteransprüche gekennzeichnet.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert, aus dem sich weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung entnehmen lassen.
Die zugehörige einzige Figur zeigt den Aufbau einer typischen Elektrolumineszenz- oder Laserdiode gemä0 der Erfindunq. In die Kunststoffroatrix 4 sind Kathode und Anode als Elektroden 1 von unten her eingebettet. Sie sind üblicherweise mit einem Draht 2 verbunden, welcher in der Regel aus Gold besteht. Mit 3 ist der Halbleiter bezeichnet, der gemä/3 bekannter Technik ir eine Reflektorwanne (nicht gesondert bezeichnet) eingebettet ist. Diese strahlt das Eingangsspektrum von beispielsweise 565 nm durch die Kunststoffmatrix 4 nach oben zum eigentlichen Anzeigenbereich 6. Beim Durchgang durch die Kunststoffmatrix bis zum Erreichen dea Anzeigenbereiches 6 tritt die oben geschilderte Verschiebung des Farbspektruras unter dem Einflu/3 der zugesetzten Farbstoffe ein. Der Anzeigenbereich 6, der beispielsweise die Form einer Ziffer oder eines Pfeile oder eines anderen Symbols haben kann, ist mit einer lichtdurchlässiaen Kunststoffabdeckuna 5 versehen.
• ♦ *
-s-
Leuchtdioden der vorstehend geschilderten Art sind bekanntlich wartungsfreie Anzeigeeinheiten, die auch unter hohen dynamischen Belastungen praktisch verschleißfrei betriebsbereit sind. Ihrer weiteren Ausbreitung stand bisher eine auf nur wenige Farben beschrankt· Farbpalette im Wege. Der Vorteil eines Zusatzes von SiIiziumdioxid besteht darin, dal das Spektrum der Diode zunächst einmal auf eine definierte Eingangsfarbe eingeschränkt wird. Je nach Beimischung verschiedener erfindungsgemäß aufeinander abgestimmter Farbstoffe insbesondere aus dem Bereich der Perylen- und Cumarinderivate kann die originäre Eingangsfarbe In Färb- bzw Spektralbereiche verschoben werden, die bisher nicht zugänglich waren. Dabei lassen sich geeignete Farbstoffkombinationen und ihre zweckmäßige Konzentration in der Kunststoffmatrix durch verhältnismäßig einfache Versuche ermitteln.

Claims (6)

FßL 90/1 20.09.90 Elektroluaineasenz- oder Laaerdiode Sohutianspruohet
1. Elektrolumineszenz- oder Laserdiode mit einer einen lichtwandelnden Farbstoff enthaltenden Kunststoffmatrix (4), in die ein III/V Halbleiter (3) samt Elektroden (1) eingebettet ist, dadurob gekennzeichnet/ daß die Kunststoffmatrix (4) einen Zusatz von Siliziumdioxid mit einer Korngröße von etwa 20 bis 50,« m und mindestens zwei fluoreszierende, das Spektrum des vom Halbleiter emmittierten Lichts verschiebende Farbstoffe enthält, die bezüglich ihres Verschiebungebereiches nach Art einer Kaskade aufeinander abgestimmt sind.
2. Diode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, da/3 die Kunststoffmatrix (4) aus Polycarbonat oder Polymethylmethacrylat besteht.
3. Diode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennseiohnet, daß der Zusatz an Siliziumdioxid 0,003 bis 0,1 Gewichts-prozent des Kunststoffes beträgt.
4. Diode nach einem der vorgenannten Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, da£ der Zusatz an Farbstoff 0,003 bis 0, Gewichtsprozent des Kunststoffes beträgt.
• ♦ t
• · 1
• · a
5. Diode nach einem der vorgenannten Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Perylenderivate und/oder Cumarinderivate als Farbstoffe enthalten sind.
6. Diode nach einem der vorgenannten Ansprüche, gekennzeichnet durch einen in die Kunststoffmatrix (4) eingebetteten Halbleiter (3), der einen Betrieb bei verschiedenen Spannungen ermöglicht.
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19619478A1 (de) * 1996-05-14 1997-11-20 Sick Ag Optische Anordnung mit diffraktivem optischem Element
WO1997050132A1 (de) * 1996-06-26 1997-12-31 Siemens Aktiengesellschaft Lichtabstrahlendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement
WO1998012757A1 (de) * 1996-09-20 1998-03-26 Siemens Aktiengesellschaft Wellenlängenkonvertierende vergussmasse, deren verwendung und verfahren zu deren herstellung
WO1998019290A1 (de) * 1996-10-31 1998-05-07 Siemens Aktiengesellschaft Mehrfarbiges licht abstrahlende bildanzeigevorrichtung
EP1017112A2 (de) * 1996-07-29 2000-07-05 Nichia Chemical Industries, Ltd. Lichtemittierende und Anzeige-Vorrichtung
US6613247B1 (en) 1996-09-20 2003-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component
WO2003069685A3 (en) * 2002-02-14 2004-07-01 Enfis Ltd A light system
US7084436B2 (en) 1999-11-19 2006-08-01 Cree, Inc. Multi element, multi color solid state LED/laser
CN1893136A (zh) * 1996-06-26 2007-01-10 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 发光半导体器件和含有该发光半导体器件的装置
US8829546B2 (en) 1999-11-19 2014-09-09 Cree, Inc. Rare earth doped layer or substrate for light conversion
US9018619B2 (en) 2006-10-09 2015-04-28 Cree, Inc. Quantum wells for light conversion
US9685585B2 (en) 2012-06-25 2017-06-20 Cree, Inc. Quantum dot narrow-band downconverters for high efficiency LEDs

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2227322A1 (de) * 1972-06-05 1973-12-13 Licentia Gmbh Lumineszenz-halbleiterbauelement mit einem halbleiterkoerper
US3938177A (en) * 1973-06-25 1976-02-10 Amp Incorporated Narrow lead contact for automatic face down bonding of electronic chips
DE2545784A1 (de) * 1974-10-15 1976-07-01 Secretary Industry Brit Strahlungsquellen
US4032963A (en) * 1974-09-03 1977-06-28 Motorola, Inc. Package and method for a semiconductor radiant energy emitting device
DE2828510A1 (de) * 1977-07-18 1979-02-01 Hughes Aircraft Co Verfahren zum herstellen eines mit einem laseraktiven farbstoff impraegnierten kunststoffkoerpers
DE3239872A1 (de) * 1982-10-27 1984-05-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vergussmasse fuer elektronische bauelemente
DE3323844C2 (de) * 1983-07-01 1988-04-28 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen, De
US4772644A (en) * 1982-01-25 1988-09-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for resin encapsulation of a semiconductor device and a resin composition therefor
US4822536A (en) * 1985-12-20 1989-04-18 U.S. Philips Corporation Method of encapsulating an electronic component with a synthetic resin
EP0327162A2 (de) * 1988-02-01 1989-08-09 Philips Patentverwaltung GmbH Anzeigevorrichtung
DE3804293A1 (de) * 1988-02-12 1989-08-24 Philips Patentverwaltung Anordnung mit einer elektrolumineszenz- oder laserdiode
DE4003842A1 (de) * 1989-02-09 1990-08-16 Shinetsu Chemical Co Epoxidharzmassen zum einkapseln von halbleitern
DE4024595A1 (de) * 1989-08-02 1991-02-07 Shinetsu Chemical Co Masse zum schutz von halbleiterbauelementen und deren verwendung zur herstellung von schutzueberzuegen

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2227322A1 (de) * 1972-06-05 1973-12-13 Licentia Gmbh Lumineszenz-halbleiterbauelement mit einem halbleiterkoerper
US3938177A (en) * 1973-06-25 1976-02-10 Amp Incorporated Narrow lead contact for automatic face down bonding of electronic chips
US4032963A (en) * 1974-09-03 1977-06-28 Motorola, Inc. Package and method for a semiconductor radiant energy emitting device
DE2545784A1 (de) * 1974-10-15 1976-07-01 Secretary Industry Brit Strahlungsquellen
DE2828510A1 (de) * 1977-07-18 1979-02-01 Hughes Aircraft Co Verfahren zum herstellen eines mit einem laseraktiven farbstoff impraegnierten kunststoffkoerpers
US4772644A (en) * 1982-01-25 1988-09-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for resin encapsulation of a semiconductor device and a resin composition therefor
DE3239872A1 (de) * 1982-10-27 1984-05-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vergussmasse fuer elektronische bauelemente
DE3323844C2 (de) * 1983-07-01 1988-04-28 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen, De
US4822536A (en) * 1985-12-20 1989-04-18 U.S. Philips Corporation Method of encapsulating an electronic component with a synthetic resin
EP0327162A2 (de) * 1988-02-01 1989-08-09 Philips Patentverwaltung GmbH Anzeigevorrichtung
DE3804293A1 (de) * 1988-02-12 1989-08-24 Philips Patentverwaltung Anordnung mit einer elektrolumineszenz- oder laserdiode
DE4003842A1 (de) * 1989-02-09 1990-08-16 Shinetsu Chemical Co Epoxidharzmassen zum einkapseln von halbleitern
DE4024595A1 (de) * 1989-08-02 1991-02-07 Shinetsu Chemical Co Masse zum schutz von halbleiterbauelementen und deren verwendung zur herstellung von schutzueberzuegen

Non-Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
et.al.: Laser behavior and photostbilitycharaceristics of organic dye doped silicate gel materials. In: Applied Optics, Vol.29No.18, 1990, S.2729-2733 *
et.al.: Photobleaching of Organic Laser Dyes in Solid Matrices. In: Applied Optics, Vol.11, No.7, July 1972 *
JP 61-296025 A., In: Patents AYbstracts of Japan, M-425, May 28, 1987, Vol.11, No.167 *
KAMINOW, I.P. *
KAMINOW, I.P. et.al.: Photobleaching of Organic Laser Dyes in Solid Matrices. In: Applied Optics, Vol.11, No.7, July 1972
KNOBBE, Edward T. *
S. 1563-1567 *
u.a.: Entwicklung einer Low-Streß- Vergußmasse für Hyperred-LEDs. In: EPP, Febr. 1990S.92-99 *
ZWIERS, J.M *

Cited By (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19619478A1 (de) * 1996-05-14 1997-11-20 Sick Ag Optische Anordnung mit diffraktivem optischem Element
EP2267801A1 (de) * 1996-06-26 2010-12-29 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
CN1893136B (zh) * 1996-06-26 2014-03-12 欧司朗股份公司 发光半导体器件和含有该发光半导体器件的装置
WO1997050132A1 (de) * 1996-06-26 1997-12-31 Siemens Aktiengesellschaft Lichtabstrahlendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement
EP2267801B1 (de) 1996-06-26 2015-05-27 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
CN1893136A (zh) * 1996-06-26 2007-01-10 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 发光半导体器件和含有该发光半导体器件的装置
EP2284912A1 (de) * 1996-06-26 2011-02-16 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
EP2282354A1 (de) * 1996-06-26 2011-02-09 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
EP1439586A3 (de) * 1996-06-26 2005-07-06 Osram Opto Semiconductors GmbH Lichtabstrahlendes halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US9196800B2 (en) 1996-06-26 2015-11-24 Osram Gmbh Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element
EP1441397B1 (de) * 1996-06-26 2016-08-10 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Strahlungskonvertierendes Abdeckelement für ein Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und Licht abstrahlendes halbleiterbauelement
EP1434279A3 (de) * 1996-06-26 2005-07-06 Osram Opto Semiconductors GmbH Lichtabstrahlender Halbleiterchip und Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1434279A2 (de) * 1996-06-26 2004-06-30 Osram Opto Semiconductors GmbH Lichtabstrahlender Halbleiterchip und Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1441396A3 (de) * 1996-06-26 2005-07-06 Osram Opto Semiconductors GmbH Lichtabstrahlendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement
EP1439586A2 (de) * 1996-06-26 2004-07-21 Osram Opto Semiconductors GmbH Lichtabstrahlendes halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
EP1441397A2 (de) * 1996-06-26 2004-07-28 Osram Opto Semiconductors GmbH Strahlungskonvertierendes abdeckelement für ein lichtabstrahlendes halbleiterbauelement, verfahren zu dessen herstellung und lichtabstrahlendes halbleiterbauelement
EP1441396A2 (de) * 1996-06-26 2004-07-28 Osram Opto Semiconductors GmbH Lichtabstrahlendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement
US6812500B2 (en) 1996-06-26 2004-11-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg. Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element
US7362048B2 (en) 1996-07-29 2008-04-22 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device with blue light led and phosphor components
US8679866B2 (en) 1996-07-29 2014-03-25 Nichia Corporation Light emitting device and display
EP1017112A3 (de) * 1996-07-29 2004-04-14 Nichia Chemical Industries, Ltd. Lichtemittierende und Anzeige-Vorrichtung
US7026756B2 (en) 1996-07-29 2006-04-11 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device with blue light LED and phosphor components
US7071616B2 (en) 1996-07-29 2006-07-04 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device with blue light led and phosphor components
US9130130B2 (en) 1996-07-29 2015-09-08 Nichia Corporation Light emitting device and display comprising a plurality of light emitting components on mount
US7126274B2 (en) 1996-07-29 2006-10-24 Nichia Corporation Light emitting device with blue light LED and phosphor components
EP1017111A3 (de) * 1996-07-29 2004-04-14 Nichia Chemical Industries, Ltd. Lichtemittierende und Anzeige-Vorrichtung
US7215074B2 (en) 1996-07-29 2007-05-08 Nichia Corporation Light emitting device with blue light led and phosphor components
US7329988B2 (en) 1996-07-29 2008-02-12 Nichia Corporation Light emitting device with blue light LED and phosphor components
US8754428B2 (en) 1996-07-29 2014-06-17 Nichia Corporation Light emitting device and display
US7531960B2 (en) 1996-07-29 2009-05-12 Nichia Corporation Light emitting device with blue light LED and phosphor components
US7682848B2 (en) 1996-07-29 2010-03-23 Nichia Corporation Light emitting device with blue light LED and phosphor components
US8685762B2 (en) 1996-07-29 2014-04-01 Nichia Corporation Light emitting device and display
US7855092B2 (en) 1996-07-29 2010-12-21 Nichia Corporation Device for emitting white-color light
EP1017112A2 (de) * 1996-07-29 2000-07-05 Nichia Chemical Industries, Ltd. Lichtemittierende und Anzeige-Vorrichtung
US8610147B2 (en) 1996-07-29 2013-12-17 Nichia Corporation Light emitting device and display comprising a plurality of light emitting components on mount
US8309375B2 (en) 1996-07-29 2012-11-13 Nichia Corporation Light emitting device and display
US7901959B2 (en) 1996-07-29 2011-03-08 Nichia Corporation Liquid crystal display and back light having a light emitting diode
US7915631B2 (en) 1996-07-29 2011-03-29 Nichia Corporation Light emitting device and display
US7943941B2 (en) 1996-07-29 2011-05-17 Nichia Corporation Device for emitting various colors
US7969090B2 (en) 1996-07-29 2011-06-28 Nichia Corporation Light emitting device and display
US7968866B2 (en) 1996-07-29 2011-06-28 Nichia Corporation Light emitting device and display
US8148177B2 (en) 1996-07-29 2012-04-03 Nichia Corporation Light emitting device and display
US6613247B1 (en) 1996-09-20 2003-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component
US6277301B1 (en) 1996-09-20 2001-08-21 Osram Opto Semiconductor, Gmbh & Co. Ohg Method of producing a wavelength-converting casting composition
US6592780B2 (en) 1996-09-20 2003-07-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component
US7709852B2 (en) 1996-09-20 2010-05-04 Osram Gmbh Wavelength-converting casting composition and light-emitting semiconductor component
US6245259B1 (en) 1996-09-20 2001-06-12 Osram Opto Semiconductors, Gmbh & Co. Ohg Wavelength-converting casting composition and light-emitting semiconductor component
US8071996B2 (en) 1996-09-20 2011-12-06 Osram Gmbh Wavelength-converting casting composition and light-emitting semiconductor component
US6066861A (en) * 1996-09-20 2000-05-23 Siemens Aktiengesellschaft Wavelength-converting casting composition and its use
WO1998012757A1 (de) * 1996-09-20 1998-03-26 Siemens Aktiengesellschaft Wellenlängenkonvertierende vergussmasse, deren verwendung und verfahren zu deren herstellung
WO1998019290A1 (de) * 1996-10-31 1998-05-07 Siemens Aktiengesellschaft Mehrfarbiges licht abstrahlende bildanzeigevorrichtung
US8829546B2 (en) 1999-11-19 2014-09-09 Cree, Inc. Rare earth doped layer or substrate for light conversion
US7084436B2 (en) 1999-11-19 2006-08-01 Cree, Inc. Multi element, multi color solid state LED/laser
WO2003069685A3 (en) * 2002-02-14 2004-07-01 Enfis Ltd A light system
US9018619B2 (en) 2006-10-09 2015-04-28 Cree, Inc. Quantum wells for light conversion
US9685585B2 (en) 2012-06-25 2017-06-20 Cree, Inc. Quantum dot narrow-band downconverters for high efficiency LEDs

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