JP2751786B2 - エポキシ樹脂用硬化剤及びエポキシ樹脂組成物並びに半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂用硬化剤及びエポキシ樹脂組成物並びに半導体装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、保存安定性及び流動性
が良好であり、硬化性、耐湿性、接着性等の特性に優れ
た硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物を得ることが可能
なエポキシ樹脂用硬化剤及びエポキシ樹脂組成物並びに
半導体装置に関する。
が良好であり、硬化性、耐湿性、接着性等の特性に優れ
た硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物を得ることが可能
なエポキシ樹脂用硬化剤及びエポキシ樹脂組成物並びに
半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
エポキシ樹脂用硬化剤としては、アミン系硬化剤、酸無
水物系硬化剤、フェノールノボラック型硬化剤などが用
いられており、これら硬化剤に硬化促進剤としてイミダ
ゾール誘導体、三級アミン化合物、三級ホスフィン化合
物やこれらの誘導体が併用されてきた。
エポキシ樹脂用硬化剤としては、アミン系硬化剤、酸無
水物系硬化剤、フェノールノボラック型硬化剤などが用
いられており、これら硬化剤に硬化促進剤としてイミダ
ゾール誘導体、三級アミン化合物、三級ホスフィン化合
物やこれらの誘導体が併用されてきた。
【０００３】しかし、これらの硬化剤、硬化促進剤を単
に併用して配合しただけでは、保存安定性、流動性が良
好で、かつ硬化性、耐湿性等の特性に優れた硬化物を与
えるエポキシ樹脂組成物を得ることは困難であった。
に併用して配合しただけでは、保存安定性、流動性が良
好で、かつ硬化性、耐湿性等の特性に優れた硬化物を与
えるエポキシ樹脂組成物を得ることは困難であった。
【０００４】一方、特公昭５６−４５４９１号公報に
は、ノボラック型フェノール樹脂硬化剤とテトラフェニ
ルホスホニウム・テトラフェニルボレート（以下、ＴＰ
Ｐ−Ｋと略す）とを加熱処理することにより得られるエ
ポキシ樹脂用硬化剤を用いることにより、保存安定性が
良好で、耐湿性に優れた硬化物を与えるエポキシ樹脂組
成物が得られることが記載されている。
は、ノボラック型フェノール樹脂硬化剤とテトラフェニ
ルホスホニウム・テトラフェニルボレート（以下、ＴＰ
Ｐ−Ｋと略す）とを加熱処理することにより得られるエ
ポキシ樹脂用硬化剤を用いることにより、保存安定性が
良好で、耐湿性に優れた硬化物を与えるエポキシ樹脂組
成物が得られることが記載されている。
【０００５】しかしながら、上記硬化剤配合エポキシ樹
脂組成物は、保存安定性、耐湿性の良好なＴＰＰ−Ｋの
反応活性をある程度高めることは可能であるが、上記エ
ポキシ樹脂組成物は、より速硬化性を要求されるような
用途に使用するにはその硬化性が不十分であるという問
題があった。
脂組成物は、保存安定性、耐湿性の良好なＴＰＰ−Ｋの
反応活性をある程度高めることは可能であるが、上記エ
ポキシ樹脂組成物は、より速硬化性を要求されるような
用途に使用するにはその硬化性が不十分であるという問
題があった。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
保存安定性及び流動性が良好であり、かつ硬化性、耐湿
性、接着性等の特性に優れた硬化物を与えるエポキシ樹
脂組成物を得ることが可能なエポキシ樹脂用硬化剤を工
業的に有利に製造することができるエポキシ樹脂用硬化
剤及びこの硬化剤を用いたエポキシ樹脂組成物並びにこ
の組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
保存安定性及び流動性が良好であり、かつ硬化性、耐湿
性、接着性等の特性に優れた硬化物を与えるエポキシ樹
脂組成物を得ることが可能なエポキシ樹脂用硬化剤を工
業的に有利に製造することができるエポキシ樹脂用硬化
剤及びこの硬化剤を用いたエポキシ樹脂組成物並びにこ
の組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は上記
目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、１分子中に
フェノール性水酸基を２個以上含有するフェノール樹脂
と、１分子中にエポキシ基を１個以上含有するエポキシ
基含有化合物と、テトラフェニルホスホニウム・テトラ
フェニルボレートとを前記フェノール樹脂の軟化点以上
の温度で加熱混合することにより、保存安定性及び流動
性が良好であり、かつ硬化性に非常に優れている上、耐
湿性に優れた硬化物を与え、半導体封止用に好適なエポ
キシ樹脂組成物を得ることが可能なエポキシ樹脂用硬化
剤を工業的に有利に製造できることを知見し、本発明を
なすに至った。
目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、１分子中に
フェノール性水酸基を２個以上含有するフェノール樹脂
と、１分子中にエポキシ基を１個以上含有するエポキシ
基含有化合物と、テトラフェニルホスホニウム・テトラ
フェニルボレートとを前記フェノール樹脂の軟化点以上
の温度で加熱混合することにより、保存安定性及び流動
性が良好であり、かつ硬化性に非常に優れている上、耐
湿性に優れた硬化物を与え、半導体封止用に好適なエポ
キシ樹脂組成物を得ることが可能なエポキシ樹脂用硬化
剤を工業的に有利に製造できることを知見し、本発明を
なすに至った。
【０００８】従って、本発明は、１分子中にフェノール
性水酸基を２個以上含有するフェノール樹脂と、１分子
中にエポキシ基を１個以上含有するエポキシ基含有化合
物と、ＴＰＰ−Ｋとを前記フェノール樹脂の軟化点以上
の温度で加熱混合することにより得られるエポキシ樹脂
用硬化剤、及び１分子中に２個以上のエポキシ基を有す
るエポキシ樹脂と上記硬化剤と無機質充填剤とを含有す
るエポキシ樹脂組成物、並びにこのエポキシ樹脂組成物
の硬化物で封止された半導体装置を提供する。
性水酸基を２個以上含有するフェノール樹脂と、１分子
中にエポキシ基を１個以上含有するエポキシ基含有化合
物と、ＴＰＰ−Ｋとを前記フェノール樹脂の軟化点以上
の温度で加熱混合することにより得られるエポキシ樹脂
用硬化剤、及び１分子中に２個以上のエポキシ基を有す
るエポキシ樹脂と上記硬化剤と無機質充填剤とを含有す
るエポキシ樹脂組成物、並びにこのエポキシ樹脂組成物
の硬化物で封止された半導体装置を提供する。
【０００９】以下、本発明につき更に詳述すると、本発
明のエポキシ樹脂用硬化剤は、上述したように、１分子
中にフェノール性水酸基を２個以上含有するフェノール
樹脂と、１分子中にエポキシ基を１個以上含有するエポ
キシ基含有化合物と、ＴＰＰ−Ｋとを前記フェノール樹
脂の軟化点以上の温度で加熱混合することにより得られ
るものである。
明のエポキシ樹脂用硬化剤は、上述したように、１分子
中にフェノール性水酸基を２個以上含有するフェノール
樹脂と、１分子中にエポキシ基を１個以上含有するエポ
キシ基含有化合物と、ＴＰＰ−Ｋとを前記フェノール樹
脂の軟化点以上の温度で加熱混合することにより得られ
るものである。
【００１０】ここで、１分子中にフェノール性水酸基を
２個以上含有するフェノール樹脂としては、公知のもの
を使用することができる。フェノール樹脂として具体的
には、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラッ
ク樹脂、アラルキルフェノール樹脂、ビフェノール樹
脂、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、シクロペン
タジエン基含有フェノール樹脂、トリフェノールメタ
ン、トリフェノールプロパン、ナフタレン環含有フェノ
ール樹脂などが例示されるが、特にシクロペンタジエン
基含有フェノール樹脂、トリフェノールプロパンが好適
に使用される。なお、このフェノール樹脂は、その軟化
点が１３０℃以下、特に５０〜１１０℃であることが好
ましい。
２個以上含有するフェノール樹脂としては、公知のもの
を使用することができる。フェノール樹脂として具体的
には、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラッ
ク樹脂、アラルキルフェノール樹脂、ビフェノール樹
脂、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、シクロペン
タジエン基含有フェノール樹脂、トリフェノールメタ
ン、トリフェノールプロパン、ナフタレン環含有フェノ
ール樹脂などが例示されるが、特にシクロペンタジエン
基含有フェノール樹脂、トリフェノールプロパンが好適
に使用される。なお、このフェノール樹脂は、その軟化
点が１３０℃以下、特に５０〜１１０℃であることが好
ましい。
【００１１】次に、本発明において上述した１分子中に
フェノール性水酸基を２個以上含有するフェノール樹脂
と併用する１分中にエポキシ基を１個以上含有するエポ
キシ基含有化合物は、ＴＰＰ−Ｋの反応活性をより高め
得るものである。
フェノール性水酸基を２個以上含有するフェノール樹脂
と併用する１分中にエポキシ基を１個以上含有するエポ
キシ基含有化合物は、ＴＰＰ−Ｋの反応活性をより高め
得るものである。
【００１２】上記エポキシ基含有化合物として具体的に
は、後述するエポキシ樹脂のほか、フェニルグリシジル
エーテル、アリルグリシジルエーテル、１−ビニル−
３，４−エポキシシクロヘキセン、γ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン、エポキシ化オルソクレゾー
ルノボラック、３，５，３’５’−テトラメチル−４，
４’−ジグリシジルオキシビフェニルなどが例示され
る。
は、後述するエポキシ樹脂のほか、フェニルグリシジル
エーテル、アリルグリシジルエーテル、１−ビニル−
３，４−エポキシシクロヘキセン、γ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン、エポキシ化オルソクレゾー
ルノボラック、３，５，３’５’−テトラメチル−４，
４’−ジグリシジルオキシビフェニルなどが例示され
る。
【００１３】エポキシ基含有化合物の配合量は、フェノ
ール樹脂１００部（重量部、以下同様）に対して１〜５
０部、特に３〜３０部とすることが好ましく、１部未満
ではＴＰＰ−Ｋの反応活性を高めるのに不十分である場
合があり、５０部を超えると得られた溶融混合物の粘度
が高くなりすぎたり、ゲル化してしまう場合がある。
ール樹脂１００部（重量部、以下同様）に対して１〜５
０部、特に３〜３０部とすることが好ましく、１部未満
ではＴＰＰ−Ｋの反応活性を高めるのに不十分である場
合があり、５０部を超えると得られた溶融混合物の粘度
が高くなりすぎたり、ゲル化してしまう場合がある。
【００１４】更に、ＴＰＰ−Ｋの配合量は、フェノール
樹脂１００部に対して１〜５０部、特に３〜３０部とす
ることが好ましく、１部未満ではエポキシ樹脂用硬化剤
として用いた場合に十分な硬化性が得られない場合があ
り、５０部を超えると均一な硬化性が得られ難くなる場
合がある。
樹脂１００部に対して１〜５０部、特に３〜３０部とす
ることが好ましく、１部未満ではエポキシ樹脂用硬化剤
として用いた場合に十分な硬化性が得られない場合があ
り、５０部を超えると均一な硬化性が得られ難くなる場
合がある。
【００１５】本発明では、１分子中にフェノール性水酸
基を２個以上含有するフェノール樹脂と、１分子中にエ
ポキシ基を１個以上含有するエポキシ基含有化合物と、
ＴＰＰ−Ｋとを前記フェノール樹脂の軟化点以上の温度
で加熱混合してエポキシ樹脂用硬化剤を製造する。この
場合、加熱処理温度及び時間は、使用材料の種類、量に
応じて適宜調整することができるが、上記フェノール樹
脂の軟化点よりも１０〜１５０℃、特に５０〜１００℃
高い温度で１０〜２４０分間、特に３０〜１２０分間溶
融混合することが好適である。
基を２個以上含有するフェノール樹脂と、１分子中にエ
ポキシ基を１個以上含有するエポキシ基含有化合物と、
ＴＰＰ−Ｋとを前記フェノール樹脂の軟化点以上の温度
で加熱混合してエポキシ樹脂用硬化剤を製造する。この
場合、加熱処理温度及び時間は、使用材料の種類、量に
応じて適宜調整することができるが、上記フェノール樹
脂の軟化点よりも１０〜１５０℃、特に５０〜１００℃
高い温度で１０〜２４０分間、特に３０〜１２０分間溶
融混合することが好適である。
【００１６】上記硬化剤は、１分子中に２個以上のエポ
キシ基を有するエポキシ樹脂と無機質充填剤とを含むエ
ポキシ樹脂組成物、特に半導体封止用エポキシ樹脂組成
物の硬化剤として好適に使用することができる。
キシ基を有するエポキシ樹脂と無機質充填剤とを含むエ
ポキシ樹脂組成物、特に半導体封止用エポキシ樹脂組成
物の硬化剤として好適に使用することができる。
【００１７】この場合、エポキシ樹脂（Ａ）は、１分子
中にエポキシ基を少なくとも２個有するものであれば如
何なるものであっても良い。例えば、ビスフェノールＡ
型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エ
ポキシ樹脂、グリシジル型エポキシ樹脂などが挙げられ
る。また、これらエポキシ樹脂を単独で又は２種以上を
適宜組み合わせて用いることができる。
中にエポキシ基を少なくとも２個有するものであれば如
何なるものであっても良い。例えば、ビスフェノールＡ
型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エ
ポキシ樹脂、グリシジル型エポキシ樹脂などが挙げられ
る。また、これらエポキシ樹脂を単独で又は２種以上を
適宜組み合わせて用いることができる。
【００１８】これらのエポキシ樹脂のうちでは下記式で
示されるエポキシ樹脂が好ましい。
示されるエポキシ樹脂が好ましい。
【００１９】
【化１】
【００２０】更に、エポキシ樹脂として、難燃化のため
ブロム化エポキシ樹脂を使用することもできる。
ブロム化エポキシ樹脂を使用することもできる。
【００２１】また、無機質充填剤（Ｃ）は、封止材の膨
張係数を小さくし、半導体素子に加わる応力を低下させ
ることができるもので、具体的には破砕状、球状の形状
を持った溶融シリカ、結晶性シリカが主に用いられ、こ
の他にアルミナ、チッ化ケイ素、チッ化アルミなども使
用可能である。なお、本発明では、硬化物の低膨張化と
成形性を両立させるためには無機質充填剤として球状と
破砕品のブレンド、あるいは球状品のみを用いることが
好ましい。
張係数を小さくし、半導体素子に加わる応力を低下させ
ることができるもので、具体的には破砕状、球状の形状
を持った溶融シリカ、結晶性シリカが主に用いられ、こ
の他にアルミナ、チッ化ケイ素、チッ化アルミなども使
用可能である。なお、本発明では、硬化物の低膨張化と
成形性を両立させるためには無機質充填剤として球状と
破砕品のブレンド、あるいは球状品のみを用いることが
好ましい。
【００２２】また、無機質充填剤はあらかじめシランカ
ップリング剤で表面処理して使用することが好適であ
る。
ップリング剤で表面処理して使用することが好適であ
る。
【００２３】更に、無機質充填剤としては、平均粒径が
５〜３０μｍのものが好ましく用いられる。
５〜３０μｍのものが好ましく用いられる。
【００２４】本発明のエポキシ樹脂組成物において、本
発明の硬化剤（Ｂ）の使用量は、エポキシ樹脂（Ａ）１
００部に対して５〜１００部の範囲が好ましく、５部未
満では十分な硬化性を与えることができない場合があ
り、１００部を超えると硬化が速すぎてしまい、半導体
装置を封止する際に内部ボイドを多く発生させてしまう
場合がある。
発明の硬化剤（Ｂ）の使用量は、エポキシ樹脂（Ａ）１
００部に対して５〜１００部の範囲が好ましく、５部未
満では十分な硬化性を与えることができない場合があ
り、１００部を超えると硬化が速すぎてしまい、半導体
装置を封止する際に内部ボイドを多く発生させてしまう
場合がある。
【００２５】なお、本発明の硬化剤（Ｂ）は、上述した
ように硬化剤としてのフェノール樹脂とエポキシ基含有
化合物と硬化促進剤であるＴＰＰ−Ｋとの加熱混合物で
あるが、本発明では、上記エポキシ樹脂用硬化剤のみで
は硬化剤量が不足する場合は、硬化剤として従来公知の
任意のフェノール樹脂を併用することができる。この場
合、硬化剤の全添加量は、エポキシ樹脂（Ａ）のエポキ
シ基に対して本発明の硬化剤におけるフェノール樹脂と
上記任意のフェノール樹脂とのフェノール性水酸基の合
計量が０．５〜２倍モル、特に０．９〜１．２倍モルと
なる範囲が好ましい。
ように硬化剤としてのフェノール樹脂とエポキシ基含有
化合物と硬化促進剤であるＴＰＰ−Ｋとの加熱混合物で
あるが、本発明では、上記エポキシ樹脂用硬化剤のみで
は硬化剤量が不足する場合は、硬化剤として従来公知の
任意のフェノール樹脂を併用することができる。この場
合、硬化剤の全添加量は、エポキシ樹脂（Ａ）のエポキ
シ基に対して本発明の硬化剤におけるフェノール樹脂と
上記任意のフェノール樹脂とのフェノール性水酸基の合
計量が０．５〜２倍モル、特に０．９〜１．２倍モルと
なる範囲が好ましい。
【００２６】更に、本発明では、上記ＴＰＰ−Ｋ以外の
従来公知の各種硬化触媒、例えばイミダゾールもしくは
その誘導体、ホスフィン誘導体、シクロアミジン誘導体
等を配合することができる。
従来公知の各種硬化触媒、例えばイミダゾールもしくは
その誘導体、ホスフィン誘導体、シクロアミジン誘導体
等を配合することができる。
【００２７】一方、無機質充填剤（Ｃ）の配合量は、上
記エポキシ樹脂と全硬化剤の合計量１００部に対して２
００〜１２００部が好ましく、２００部に満たないと膨
張係数が大きくなって半導体素子に加わる応力が増大
し、素子特性の劣化を招く場合があり、１２００部を越
えると成形時の粘度が高くなって成形性が悪くなる場合
がある。
記エポキシ樹脂と全硬化剤の合計量１００部に対して２
００〜１２００部が好ましく、２００部に満たないと膨
張係数が大きくなって半導体素子に加わる応力が増大
し、素子特性の劣化を招く場合があり、１２００部を越
えると成形時の粘度が高くなって成形性が悪くなる場合
がある。
【００２８】本発明のエポキシ樹脂組成物には、上述し
た必須成分に加え、低応力化のためにシリコーン系の可
撓性付与剤を添加することが好ましい。可撓性付与剤と
しては、例えばシリコーンゴムパウダー、シリコーンゲ
ル、有機樹脂とシリコーンポリマーとのブロックポリマ
ーなどが挙げられる。なお、このような可撓性付与剤を
添加する代わりに二液タイプのシリコーンゴムやシリコ
ーンゲルで無機質充填剤表面を処理してもよい。
た必須成分に加え、低応力化のためにシリコーン系の可
撓性付与剤を添加することが好ましい。可撓性付与剤と
しては、例えばシリコーンゴムパウダー、シリコーンゲ
ル、有機樹脂とシリコーンポリマーとのブロックポリマ
ーなどが挙げられる。なお、このような可撓性付与剤を
添加する代わりに二液タイプのシリコーンゴムやシリコ
ーンゲルで無機質充填剤表面を処理してもよい。
【００２９】なお、上記可撓性付与剤の使用量は、組成
物全体の０．５〜１０重量％、特に１〜５重量％とする
ことが好ましく、使用量が０．５重量％未満では十分な
耐衝撃性を与えない場合があり、１０重量％を越えると
機械的強度が不十分になる場合がある。
物全体の０．５〜１０重量％、特に１〜５重量％とする
ことが好ましく、使用量が０．５重量％未満では十分な
耐衝撃性を与えない場合があり、１０重量％を越えると
機械的強度が不十分になる場合がある。
【００３０】本発明のエポキシ樹脂組成物には、更に必
要に応じてその他の任意成分を本発明の効果を妨げない
範囲で配合することができる。
要に応じてその他の任意成分を本発明の効果を妨げない
範囲で配合することができる。
【００３１】このような任意成分としては、例えば従来
公知の各種熱可塑性樹脂や、カルナバワックス、高級脂
肪酸、合成ワックス類などの離型剤、シランカップリン
グ剤、酸化アンチモン、リン化合物等が挙げられる。
公知の各種熱可塑性樹脂や、カルナバワックス、高級脂
肪酸、合成ワックス類などの離型剤、シランカップリン
グ剤、酸化アンチモン、リン化合物等が挙げられる。
【００３２】なお、本発明のエポキシ樹脂組成物は、そ
の製造に際し、上述した成分の所定量を均一に撹拌、混
合し、予め７０〜９５℃に加熱してあるニーダー、ロー
ル、エクストルーダーなどで混練、冷却し、粉砕するな
どの方法で得ることができる。なお、成分の配合順序に
特に制限はない。
の製造に際し、上述した成分の所定量を均一に撹拌、混
合し、予め７０〜９５℃に加熱してあるニーダー、ロー
ル、エクストルーダーなどで混練、冷却し、粉砕するな
どの方法で得ることができる。なお、成分の配合順序に
特に制限はない。
【００３３】上述したように、本発明のエポキシ樹脂組
成物はＩＣ，ＬＳＩ，トランジスタ，サイリスタ，ダイ
オード等の半導体装置の封止用に好適に使用できるもの
であり、プリント回路板の製造などにも有効に使用でき
る。
成物はＩＣ，ＬＳＩ，トランジスタ，サイリスタ，ダイ
オード等の半導体装置の封止用に好適に使用できるもの
であり、プリント回路板の製造などにも有効に使用でき
る。
【００３４】ここで、半導体装置の封止を行う場合は、
従来より採用されている成形法、例えばトランスファ成
形、インジェクション成形、注型法などを採用して行う
ことができる。この場合、エポキシ樹脂組成物の成形温
度は１５０〜１８０℃、ポストキュアーは１５０〜１８
０℃で２〜１６時間行うことが好ましい。
従来より採用されている成形法、例えばトランスファ成
形、インジェクション成形、注型法などを採用して行う
ことができる。この場合、エポキシ樹脂組成物の成形温
度は１５０〜１８０℃、ポストキュアーは１５０〜１８
０℃で２〜１６時間行うことが好ましい。
【００３５】
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂用硬化剤によれ
ば、この硬化剤を使用してエポキシ樹脂組成物を調製す
ると、保存安定性及び流動性が良好であり、かつ硬化
性、耐湿性に優れている上、接着性に優れた硬化物を与
えるエポキシ樹脂組成物を得ることができる。それ故、
このエポキシ樹脂組成物は、近年の半導体パッケージの
薄型化に伴なう問題が生じないもので、半導体の封止用
樹脂として有用である。更に、本発明組成物の硬化物で
封止した半導体装置は高い信頼性を有するものである。
ば、この硬化剤を使用してエポキシ樹脂組成物を調製す
ると、保存安定性及び流動性が良好であり、かつ硬化
性、耐湿性に優れている上、接着性に優れた硬化物を与
えるエポキシ樹脂組成物を得ることができる。それ故、
このエポキシ樹脂組成物は、近年の半導体パッケージの
薄型化に伴なう問題が生じないもので、半導体の封止用
樹脂として有用である。更に、本発明組成物の硬化物で
封止した半導体装置は高い信頼性を有するものである。
【００３６】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示して本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。なお、各例中の部はいずれも重量部であ
る。
体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。なお、各例中の部はいずれも重量部であ
る。
【００３７】〔実施例１〕フェノール樹脂として軟化点
１１０℃の１，１，３−トリフェノールプロパン（以
下、フェノール樹脂Ｉと称する）１００部、フェニルグ
リシジルエーテル５部及びＴＰＰ−Ｋ５部を温度計、撹
拌機を具備した１リットルの四ツ口フラスコに入れ、１
５０℃で１時間放置した後、２００℃で１時間混合し、
硬化剤Ｉを得た。
１１０℃の１，１，３−トリフェノールプロパン（以
下、フェノール樹脂Ｉと称する）１００部、フェニルグ
リシジルエーテル５部及びＴＰＰ−Ｋ５部を温度計、撹
拌機を具備した１リットルの四ツ口フラスコに入れ、１
５０℃で１時間放置した後、２００℃で１時間混合し、
硬化剤Ｉを得た。
【００３８】〔実施例２〕フェノール樹脂として軟化点
９０℃のフェノールノボラック樹脂（以下、フェノール
樹脂ＩＩと称する）１００部、３，５，３’，５’，−
テトラメチル−４，４’−グリシジルオキシビフェニル
５部及びＴＰＰ−Ｋ５部を実施例１と同様の装置で加熱
混合し、硬化剤ＩＩを得た。
９０℃のフェノールノボラック樹脂（以下、フェノール
樹脂ＩＩと称する）１００部、３，５，３’，５’，−
テトラメチル−４，４’−グリシジルオキシビフェニル
５部及びＴＰＰ−Ｋ５部を実施例１と同様の装置で加熱
混合し、硬化剤ＩＩを得た。
【００３９】〔比較例１〕フェノール樹脂として上記フ
ェノール樹脂ＩＩを１００部及びＴＰＰ−Ｋ５部を実施
例１と同様の装置で加熱混合し、硬化剤ＩＩＩを得た。
ェノール樹脂ＩＩを１００部及びＴＰＰ−Ｋ５部を実施
例１と同様の装置で加熱混合し、硬化剤ＩＩＩを得た。
【００４０】〔実施例２，３、比較例２〜５〕表１に示
すエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤とワックスＥ１．
５部、溶融石英粉末５００部、γ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン２部を加えて得られた配合物を熱
２本ロールで均一に溶融混合し、エポキシ樹脂組成物を
製造した。
すエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤とワックスＥ１．
５部、溶融石英粉末５００部、γ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン２部を加えて得られた配合物を熱
２本ロールで均一に溶融混合し、エポキシ樹脂組成物を
製造した。
【００４１】これらのエポキシ樹脂組成物について下記
の（イ）〜（ホ）の諸試験を行った。結果を表１，２に
併記する。 （イ）スパイラルフロー ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して１７５℃、７０ｋ
ｇｆ／ｃｍ2の条件で測定した。 （ロ）熱時硬度 １７５℃、７０ｋｇｆ／ｃｍ2、９０秒の条件で１００
×１０×４ｍｍの棒をトランスファー成形した時の熱時
硬度をバーコール硬度計で測定した。 （ハ）保存安定性 各々の材料を２５℃に放置した時にスパイラルフロー値
がそれぞれの初期値の８０％になったときの日数を示し
た。 （ニ）離型性 ２８ピンＳＯＰを１７５℃、７０ｋｇｆ／ｃｍ2、９０
秒間で成形した時の金型よりの離型性を調べた。評価は
以下の○、△、×で示した。 ○：離型性良好 △：ランナー又はゲート部の一部が破損したもの ×：著しく離型性の悪いもの （ホ）耐湿性 最小線幅１．５μｍ、チップサイズ４５ｍｍのテストチ
ップを用い、１４ＰＩＮ ＤＩＰ型半導体装置を用いて
評価した。１７５℃、９０秒で成形し、１８０℃、４時
間ポストキュアーし、２６０℃の半田浴に１０秒間浸漬
し、次いで１３０℃のプレッシャークッカーに１０００
時間放置した後のアルミニウム配線の断線不良率を測定
した。
の（イ）〜（ホ）の諸試験を行った。結果を表１，２に
併記する。 （イ）スパイラルフロー ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して１７５℃、７０ｋ
ｇｆ／ｃｍ2の条件で測定した。 （ロ）熱時硬度 １７５℃、７０ｋｇｆ／ｃｍ2、９０秒の条件で１００
×１０×４ｍｍの棒をトランスファー成形した時の熱時
硬度をバーコール硬度計で測定した。 （ハ）保存安定性 各々の材料を２５℃に放置した時にスパイラルフロー値
がそれぞれの初期値の８０％になったときの日数を示し
た。 （ニ）離型性 ２８ピンＳＯＰを１７５℃、７０ｋｇｆ／ｃｍ2、９０
秒間で成形した時の金型よりの離型性を調べた。評価は
以下の○、△、×で示した。 ○：離型性良好 △：ランナー又はゲート部の一部が破損したもの ×：著しく離型性の悪いもの （ホ）耐湿性 最小線幅１．５μｍ、チップサイズ４５ｍｍのテストチ
ップを用い、１４ＰＩＮ ＤＩＰ型半導体装置を用いて
評価した。１７５℃、９０秒で成形し、１８０℃、４時
間ポストキュアーし、２６０℃の半田浴に１０秒間浸漬
し、次いで１３０℃のプレッシャークッカーに１０００
時間放置した後のアルミニウム配線の断線不良率を測定
した。
【００４２】
【表１】
【００４３】表１の結果より、１分子中にフェノール性
水酸基を２個以上含有するフェノール樹脂と、１分子中
にエポキシ基を１個以上含有するエポキシ基含有化合物
と、ＴＰＰ−Ｋとを前記フェノール樹脂の軟化点以上の
温度で加熱混合することにより得られる硬化剤を配合し
たエポキシ樹脂組成物は、保存安定性、流動性が良好で
あり、硬化性に非常に優れて離型性が高い上、耐湿性に
優れた硬化物を与えることがわかった。
水酸基を２個以上含有するフェノール樹脂と、１分子中
にエポキシ基を１個以上含有するエポキシ基含有化合物
と、ＴＰＰ−Ｋとを前記フェノール樹脂の軟化点以上の
温度で加熱混合することにより得られる硬化剤を配合し
たエポキシ樹脂組成物は、保存安定性、流動性が良好で
あり、硬化性に非常に優れて離型性が高い上、耐湿性に
優れた硬化物を与えることがわかった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/31 (72)発明者 若尾 幸 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社 シリコーン電 子材料技術研究所内 (72)発明者 戸塚 賢一 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社 シリコーン電 子材料技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭56−59840（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−59841（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−204954（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−296019（ＪＰ，Ａ) 特公 昭56−45491（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C08G 59/40 - 59/62 C08L 63/00 - 63/10 H01L 23/29
Claims (3)
- 【請求項１】 １分子中にフェノール性水酸基を２個以
上含有するフェノール樹脂と、１分子中にエポキシ基を
１個以上含有するエポキシ基含有化合物と、テトラフェ
ニルホスホニウム・テトラフェニルボレートとを前記フ
ェノール樹脂の軟化点以上の温度で加熱混合することに
より得られるエポキシ樹脂用硬化剤。 - 【請求項２】 （Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基
を有するエポキシ樹脂、（Ｂ）請求項１記載のエポキシ
樹脂用硬化剤、（Ｃ）無機質充填剤を含有してなるエポ
キシ樹脂組成物。 - 【請求項３】 請求項２記載のエポキシ樹脂組成物の硬
化物で封止された半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13951893A JP2751786B2 (ja) | 1992-12-10 | 1993-05-18 | エポキシ樹脂用硬化剤及びエポキシ樹脂組成物並びに半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35268492 | 1992-12-10 | ||
| JP4-352684 | 1992-12-10 | ||
| JP13951893A JP2751786B2 (ja) | 1992-12-10 | 1993-05-18 | エポキシ樹脂用硬化剤及びエポキシ樹脂組成物並びに半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06228279A JPH06228279A (ja) | 1994-08-16 |
| JP2751786B2 true JP2751786B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=26472308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13951893A Expired - Fee Related JP2751786B2 (ja) | 1992-12-10 | 1993-05-18 | エポキシ樹脂用硬化剤及びエポキシ樹脂組成物並びに半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751786B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7247683B2 (en) * | 2004-08-05 | 2007-07-24 | Fry's Metals, Inc. | Low voiding no flow fluxing underfill for electronic devices |
-
1993
- 1993-05-18 JP JP13951893A patent/JP2751786B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06228279A (ja) | 1994-08-16 |
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