JP2000026708A

JP2000026708A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Info

Publication number: JP2000026708A
Application number: JP11123554A
Authority: JP
Inventors: Tokumasa Higuchi; 徳昌樋口; Koji Futatsumori; 浩二二ッ森; Chiatto Fui Kyo; チアットフイキョー; Fui Ten Teo; フイテンテオ; Toshio Shiobara; 利夫塩原
Original assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd; Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd; Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1998-05-07
Filing date: 1999-04-30
Publication date: 2000-01-25

Abstract

(57)【要約】【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤及び無機質充填剤
を必須成分とするエポキシ樹脂組成物において、（Ａ）
エポキシ樹脂と硬化剤の少なくとも一方が、重量平均分
子量Ｍｗと数平均分子量Ｍｎとの比Ｍｗ／Ｍｎが１．６
より小さい平均分子量分布を有すると共に、２核体の量
が８重量％より少なく、且つ７核体以上の合計量が３２
重量％より少ない分子量分布を有し、（Ｂ）無機質充填
剤含有量が組成物全体の７０重量％以上であり、（Ｃ）
組成物を１８０℃で９０秒間硬化させた硬化物のガラス
転移温度Ｔｇ¹とこの硬化物を更に１８０℃で５時間ポ
ストキュアした後のガラス転移温度Ｔｇ²とが、（Ｔｇ²−Ｔｇ¹）／Ｔｇ²＜０．１の関係を有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物。【効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、速硬化性、
成形性に優れ、特にノンポストキュアで用いても信頼性
に問題のない良好な硬化物を与えることができ、従って
この硬化物で封止された半導体装置は信頼性の高いもの
である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、速硬化性及び成形
性に優れ、特にノンポストキュアで用いても信頼性に問
題のない優れた硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物、及
び該組成物の硬化物で封止した半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現在、
半導体産業の中で樹脂封止型のダイオード、トランジス
タ、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩが主流となっており、この
封止樹脂としてエポキシ樹脂は一般に他の熱硬化性樹脂
に比べて成形性、接着性、電気特性、機械特性、耐湿性
等に優れているため、エポキシ樹脂組成物で半導体装置
を封止することが多く行われている。

【０００３】最近においては、低コスト化のため及び省
エネルギー化のために速硬化性を含めた優れた成形性を
有し、かつノンポストキュアで使用可能な信頼性の高い
エポキシ樹脂組成物に対する要求が強くなっている。

【０００４】しかしながら、速硬化性を付与するために
触媒量を増やした場合、ゲル化時間が短くなったり、溶
融粘度が高くなったりして成形時に未充填、ボイド、金
線流れが発生したり、エポキシ樹脂組成物の保存安定性
が悪くなったり、得られた半導体装置の信頼性が悪くな
るといった欠点があった。

【０００５】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、成形性に優れたノンポストキュア可能なエポキシ樹
脂組成物、及び該組成物の硬化物で封止した信頼性に優
れた半導体装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機質充填剤を必須成分
とし、無機質充填剤を高充填したエポキシ樹脂組成物に
おいて、エポキシ樹脂と硬化剤のいずれか一方又は双方
が下記特定の平均分子量及び分子量分布を有するものを
使用すると共に、硬化物のガラス転移温度の変動を成形
直後とポストキュア後とで少なくすることにより、成形
性及び保存安定性に優れたノンポストキュア可能なエポ
キシ樹脂組成物が得られることを知見し、本発明をなす
に至った。

【０００７】即ち、本発明は、エポキシ樹脂、硬化剤及
び無機質充填剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物に
おいて、（Ａ）エポキシ樹脂と硬化剤の少なくとも一方
が、重量平均分子量Ｍｗと数平均分子量Ｍｎとの比Ｍｗ
／Ｍｎが１．６より小さい平均分子量分布を有すると共
に、２核体の量が８重量％より少なく、且つ７核体以上
の合計量が３２重量％より少ない分子量分布を有し、
（Ｂ）無機質充填剤含有量が組成物全体の７０重量％以
上であり、（Ｃ）組成物を１８０℃で９０秒間硬化させ
た硬化物のガラス転移温度Ｔｇ¹とこの硬化物を更に１
８０℃で５時間ポストキュアした後のガラス転移温度Ｔ
ｇ²とが、（Ｔｇ²−Ｔｇ¹）／Ｔｇ²＜０．１の関係を有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物、
及び、この組成物の硬化物で封止された半導体装置を提
供する。

【０００８】以下、本発明を更に詳述すると、本発明の
エポキシ樹脂組成物を構成するエポキシ樹脂としては、
１分子中にエポキシ基を少なくとも２個以上有するエポ
キシ樹脂であればいずれのものでもよく、具体的にはビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エ
ポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック
型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、トリフ
ェノールアルカン型エポキシ樹脂及びその重合物、ビフ
ェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールアラルキ
ル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹
脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、グリシジルエステ
ル型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環型エポ
キシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂などを用いることができ
る。

【０００９】これらのエポキシ樹脂の中で、コスト、成
形性を考慮した場合、エポキシクレゾールノボラック樹
脂等のノボラック型エポキシ樹脂の使用が好ましい。

【００１０】なお、上記エポキシ樹脂は、軟化点が５０
〜１２０℃でエポキシ当量が１００〜４００を有するも
のが好ましい。軟化点が５０℃より低いエポキシ樹脂を
用いた場合、硬化物のガラス転移温度が低下するばかり
か、成形時にバリやボイドが発生し易くなり、軟化点が
１２０℃より高い場合には、粘度が高くなりすぎて成形
できなくなることがある。

【００１１】また、上記エポキシ樹脂を半導体装置封止
用に用いる場合、加水分解性塩素が１０００ｐｐｍ以
下、特に５００ｐｐｍ以下、ナトリウム及びカリウムは
それぞれ１０ｐｐｍ以下とすることが好適である。加水
分解性塩素が１０００ｐｐｍを超えたり、ナトリウム及
びカリウムが１０ｐｐｍを超える樹脂で半導体装置を封
止し、長時間高温高湿下に該半導体装置を放置すると、
耐湿性が劣化する場合がある。

【００１２】次に、エポキシ樹脂の硬化剤としては、１
分子中にフェノール性水酸基を少なくとも２個以上有す
るフェノール樹脂が好ましい。このような硬化剤として
具体的には、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等の
ビスフェノール型フェノール樹脂、フェノールノボラッ
ク樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のノボラック型フ
ェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、フェノール
アラルキル樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、ビフェ
ニルアラルキル型フェノール樹脂、トリフェノールアル
カン型樹脂及びその重合体等のフェノール樹脂、ナフタ
レン環含有フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性
フェノール樹脂などが例示される。

【００１３】これらのフェノール樹脂の中で、コスト、
成形性を考慮した場合、フェノールノボラック樹脂等の
ノボラック型フェノール樹脂の使用が好ましい。

【００１４】また、アミン系硬化剤や酸無水物系硬化剤
を上記フェノール樹脂と併用してもよい。

【００１５】なお、これらの硬化剤は、軟化点が６０〜
１５０℃、特に７０〜１３０℃であるものが好ましい。
また、フェノール性水酸基当量としては９０〜２５０の
ものが好ましい。更に、このようなフェノール樹脂を半
導体装置封止用に用いる場合、ナトリウム、カリウムは
１０ｐｐｍ以下とすることが好ましく、１０ｐｐｍを超
える樹脂で半導体装置を封止し、長時間高温高湿下で半
導体装置を放置した場合、耐湿性の劣化が促進される場
合がある。

【００１６】上記硬化剤の配合量は、特に制限されず、
上記エポキシ樹脂を硬化させる有効量であるが、上述し
たフェノール樹脂を用いる場合は、エポキシ樹脂中のエ
ポキシ基に対するフェノール樹脂中のフェノール性水酸
基のモル比を０．５〜１．５の範囲、特に０．８〜１．
２の範囲とすることが好適である。

【００１７】ここで、本発明においては、上記したエポ
キシ樹脂及び硬化剤のいずれか一方、好ましくは双方
が、（１）重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍ
ｎ）＜１．６の平均分子量分布を有すると共に、（２）
２核体の量＜８重量％、且つ７核体以上の合計量＜３２
重量％の分子量分布を有することが、成形性が良好でノ
ンポストキュア化を達成するために必要である。

【００１８】平均分子量分布Ｍｗ／Ｍｎが１．６より小
さくとも、２核体の量が８重量％以上の場合は成形後の
ガラス転移温度が十分に上がらず、また７核体以上の合
計量が３２重量％以上の場合は溶融粘度が高くなり、ワ
イヤ流れ等の不具合を生じる。一方、Ｍｗ／Ｍｎが１．
６以上の場合は、上記（２）の条件を満足しても、硬化
反応が不均一となり、反応性が低下し、結果としてガラ
ス転移温度（Ｔｇ）の低下や耐湿性の低下を招いてしま
う。なお、Ｍｗ／Ｍｎのより好ましい範囲は１．０≦Ｍ
ｗ／Ｍｎ≦１．５であり、２核体量は７重量％以下、７
核体以上の合計量は３０重量％以下であることがより好
ましい。

【００１９】なお、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化
剤における“核”とは、エポキシ樹脂、硬化剤としての
フェノール樹脂それぞれにおいて、分子中に含まれるベ
ンゼン環骨格を意味するものであり、例えばビフェニル
骨格、ナフタレン骨格などは“２核”としてカウントす
る。

【００２０】無機質充填剤としては、通常エポキシ樹脂
組成物に配合されるものを全組成物の７０重量％以上使
用することが必要である。この無機質充填剤は、封止材
の膨張係数を小さくし、半導体素子に加わる応力を低下
させるために配合され、具体的には、破砕状や球状の形
状を有する溶融シリカ、結晶性シリカが主に用いられ、
この他にはアルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミなども使
用可能である。

【００２１】これら無機質充填剤の平均粒径としては３
〜３０μｍ、特に５〜２０μｍのものが好ましく、その
充填量は全組成物に対して７０重量％以上必要であり、
通常７０〜９２重量％、特に７５〜９０重量％とするこ
とが好ましい。充填量が７０重量％未満では膨張係数が
大きくなって半導体素子に加わる応力が増大し、素子特
性の劣化を招く場合があるばかりでなく、得られたエポ
キシ樹脂組成物の成形直後のガラス転移温度が無機質充
填剤を多量に用いた場合に比べて低くなってしまうから
である。ここで、この平均粒径は、例えばレーザー光回
折法による重量平均値（又はメジアン径）等として求め
ることができる。

【００２２】なお、硬化物の低膨張化と成形性とを両立
させるために、球状品と破砕品のブレンド、あるいは球
状品のみを用いることが推奨される。また、上記無機質
充填剤は、予めシランカップリング剤、チタンカップリ
ング剤等のカップリング剤で表面処理して使用すること
が好ましい。

【００２３】本発明の組成物には、硬化促進剤として有
機リン系誘導体や有機窒素系誘導体等の従来既知の各種
のものを使用することができる。特には、硬化促進剤と
して潜在性触媒を使用することが好ましい。潜在性がな
い硬化促進剤を用いた場合、速硬化性を付与できる量を
用いると成形性が悪くなったり、保存安定性が悪くなる
ためである。この潜在性触媒としては、従来既知の各種
のものを用いることができ、３級アミン化合物及び有機
リン化合物などが挙げられる。

【００２４】３級アミン化合物としては、トリエチルア
ミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジ
メチルアミン等の窒素原子に結合する置換基としてアル
キル基やアラルキル基を有するアミン化合物、１，８−
ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７及びその
フェノール塩、オクチル酸塩、オレイン酸塩などのシク
ロアミジン化合物やその有機酸との塩、あるいは下記式
の化合物などのシクロアミジン化合物と４級ホウ素化合
物との塩又は錯塩などが挙げられる。

【００２５】

【化１】

【００２６】有機リン化合物としては、トリフェニルホ
スフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−トルイ
ル）ホスフィン、トリ（ｐ−メトキシフェニル）ホスフ
ィン、トリ（ｐ−エトキシフェニル）ホスフィン、トリ
フェニルホスフィン・トリフェニルボレートなどの有機
ホスフィン化合物及びその塩、テトラフェニルホスホニ
ウム・テトラフェニルボレートなどの４級ホスホニウム
化合物及びその塩等を用いることができる。

【００２７】これらの中で、特に好ましくはトリフェニ
ルホスフィン及びその誘導体、３級アミンのフェノール
塩、４級ホスホニウム塩及びその誘導体である。

【００２８】上記硬化促進剤の配合量は、エポキシ樹脂
１００重量部に対して通常１０重量部以下であり、好ま
しくは０．００１〜１０重量部、特に０．１〜４重量部
とすることが好ましい。０．００１重量部未満では短時
間で硬化させることができない場合があり、１０重量部
を超えると硬化速度が速すぎて良好な成形品が得られな
いことがある。

【００２９】更に、本発明の組成物には、該組成物の硬
化物に可撓性や強靭性を付与させたり、接着性を付与す
るため、オルガノポリシロキサンとエポキシ樹脂とのブ
ロック共重合体、オルガノポリシロキサンとフェノール
樹脂とのブロック共重合体などのシリコーン変性芳香族
樹脂の共重合体、各種有機合成ゴム、メタクリル酸メチ
ル−スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−エチレ
ン−ブテン−スチレン共重合体などの熱可塑性樹脂、シ
リコーンゲルやシリコーンゴムなどの微粉末を添加する
ことができる。また、二液タイプのシリコーンゴムやシ
リコーンゲルで無機質充填剤の表面を処理してもよい。
なお、上述したシリコーン変性芳香族樹脂共重合体やメ
タクリル酸メチル−スチレン−ブタジエン共重合体はエ
ポキシ樹脂の低応力化に効果を発揮する。

【００３０】上述した低応力化剤としてのシリコーン変
性芳香族樹脂共重合体及び／又は熱可塑性樹脂の使用量
は、通常エポキシ樹脂組成物全体の１０重量％以下であ
り、好ましくは０．２〜１０重量％、特に０．５〜５重
量％とすることが好ましい。０．２重量％より低い配合
量では十分な耐熱衝撃性を付与することができない場合
があり、一方、１０重量％を超える配合量では機械的強
度が低下する場合がある。

【００３１】更に、本発明の組成物には、必要に応じて
耐湿性、高温保管特性を改良するため、変性カルナバワ
ックス、高級脂肪酸、合成ワックス類などの離型剤、更
にシラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、
酸化アンチモン、リン化合物などを配合してもよい。

【００３２】本発明のエポキシ樹脂組成物は、上記した
各成分を加熱ロール、ニーダー、連続押出機による溶融
混練などにより製造することができる。なお、各成分の
配合順序に特に制限はない。

【００３３】この場合、本発明のエポキシ樹脂組成物
は、ノンポストキュアとする点から、成形直後の硬化物
のガラス転移温度Ｔｇ¹と、ポストキュア後の硬化物の
ガラス転移温度Ｔｇ²とのＴｇ変動率〔（Ｔｇ²−Ｔ
ｇ¹）／Ｔｇ²〕が、（Ｔｇ²−Ｔｇ¹）／Ｔｇ²＜０．１であることが必要である。

【００３４】ここで、成形直後の硬化物のＴｇ¹とは、
トランスファー成形機を用いて１８０℃で９０秒間硬化
させた試験片（５×５×１５ｍｍ）をＴＭＡ（Ｔｈｅｒ
ｍａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＡｎａｌｙｓｉｓ）法
により測定したガラス転移温度であり、ポストキュア後
の硬化物のＴｇ²とは、成形直後の試験片を更に１８０
℃で５時間ポストキュアした試験片のガラス転移温度で
ある。

【００３５】Ｔｇ変動率が０．１以上では成形直後とポ
ストキュア後のガラス転移温度の差が大きすぎるため、
ノンポストキュア可能なエポキシ樹脂組成物を得ること
ができない。エポキシ樹脂組成物によって封止された半
導体装置は、通常、作動環境下で発熱したりして高温環
境にさらされる場合が多いため、Ｔｇ変動率が０．１よ
りも大きい組成物を用いた場合、使用環境下で徐々にガ
ラス転移温度が変化してきて、各種の特性変動、特には
半導体装置に反りが生ずるという不利が発生するためで
ある。なお、上記Ｔｇ変動率のより好適な値は０〜０．
０８である。

【００３６】更に、本発明においては、ノンポストキュ
ア特性をより確実に達成する点から、エポキシ樹脂組成
物は下記式で示される反応率を有することが好ましい。

【００３７】成形直後の硬化物のΔＨ¹／未硬化物のΔＨ⁰＜０．０５ ΔＨは、エポキシ樹脂組成物又はその１次硬化物をＤＳ
Ｃ測定した際に得られるエンタルピー変化、即ち反応エ
ネルギーを示す。未硬化物のΔＨ⁰とは未硬化の組成物
をＤＳＣ測定した際のΔＨを示し、成形直後の硬化物の
ΔＨ¹とは１８０℃で９０秒間成形した硬化物（１次硬
化物）のΔＨを示す。

【００３８】ＤＳＣ測定による未硬化の組成物が完全に
硬化するまでのエンタルピー変化量ΔＨ⁰が反応率１０
０％であるとした場合、上記式は１８０℃で９０秒間成
形した硬化物の未反応率が５％未満であることを示して
いる。上記式ΔＨ¹／ΔＨ⁰の値が０．０５以上である場
合には、１次硬化物の硬化反応が十分に進んでいないた
め、この状態でポストキュアなしに用いた場合、熱劣化
を受けた際の特性変化が起こり、好ましくないことが多
い。なお、より好ましい未反応率（上記式ΔＨ¹／ΔＨ⁰
の値）は４．５％以下、特に０〜４．２％である。

【００３９】上記Ｔｇ変動率は、エポキシ樹脂及び／又
は硬化剤の平均分子量分布及び分子量分布を上述した範
囲で選定し、無機質充填剤の配合量を組成物全体の７０
重量％以上とすることにより上記値とすることができ、
また上記未反応率は、これに加えて２核体の量を８重量
％より少なくすることにより上記値とすることができ
る。

【００４０】かくして得られる本発明のエポキシ樹脂組
成物は、ＤＩＰ型、フラットパック型、ＰＬＣＣ型、Ｓ
Ｏ型等の半導体パッケージの封止に有効であり、この場
合、従来より採用されている成形法、例えばトランスフ
ァー成形、インジェクション成形、注型法等により行う
ことができる。なお、本発明のエポキシ樹脂組成物の成
形温度は１５０〜１９０℃が好ましく、ポストキュアは
基本的に不要であるが、必要に応じて１５０〜１８５℃
で３０分間〜１６時間行うことは何ら問題はない。

【００４１】

【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、速硬化
性、成形性に優れ、特にノンポストキュアで用いても信
頼性に問題のない良好な硬化物を与えることができ、従
ってこの硬化物で封止された半導体装置は信頼性の高い
ものである。

【００４２】

【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。なお、以下の例において部はいずれも重
量部を示す。

【００４３】〔実施例１〜４，比較例１〜３〕表１に示
すエポキシ樹脂、表２に示すフェノール樹脂を表３に示
す組合せで使用し（各成分の数値はいずれも部を示
す）、混合シリカ４００部（平均粒径１０μｍの溶融破
砕シリカ２０％，平均粒径３０μｍの溶融球状シリカ７
５％，平均粒径０．５μｍの溶融球状シリカ５％からな
る混合物）、三酸化アンチモン１０部、ワックスＥ１．
５部、カーボンブラック１．０部、臭素含有量３５．５
％，エポキシ当量２８３の臭素化エポキシフェノールノ
ボラック樹脂１０部、３−グリシジルオキシプロピルト
リメトキシシラン１．０部を加え、得られた配合物を熱
二本ロールで均一に溶融混練し、更に硬化促進剤として
表３に示す量のトリフェニルホスフィンを均一に溶融混
練して、７種のエポキシ樹脂組成物を製造した。得られ
たエポキシ樹脂組成物について、以下の（イ）〜（ト）
の諸特性を評価した。結果を表３に併記する。ここで、
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、臭素化エポキシフェノ
ールノボラック樹脂の合計量は１００部であり、かつエ
ポキシ樹脂の合計中におけるエポキシ基に対するフェノ
ール樹脂中のフェノール性水酸基のモル比は１．０であ
る。

【００４４】（イ）スパイラルフロー（ＳＦ）ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して１８０℃，７０ｋ
ｇｆ／ｃｍ²の条件で測定した。（ロ）熱時硬度１８０℃，７０ｋｇｆ／ｃｍ²，成形時間９０秒間の条
件で１００×１０×４ｍｍの棒を成形し、金型から取り
出した直後の硬度をバーコール硬度計で測定した。（ハ）ガラス転移温度１８０℃，７０ｋｇｆ／ｃｍ²，成形時間９０秒間の条
件で５×５×１５ｍｍの試験片を成形し、ディラトメー
ターにより毎分５℃で昇温させることにより測定したも
のをＴｇ¹、成形後に１８０℃で５時間ポストキュアし
たものを用いて測定したものをＴｇ²とした。（ニ）未反応率ＤＳＣを用いて〔成形直後の硬化物のΔＨ¹／未硬化物
のΔＨ⁰〕の値を得、これを未反応率とした。ここで、
ΔＨはエポキシ樹脂組成物又はその１次硬化物をＤＳＣ
測定した際に得られるエンタルピー変化を示し、未硬化
物のΔＨ⁰とは未硬化の組成物をＤＳＣ測定した際のΔ
Ｈを示し、成形直後の硬化物のΔＨ¹とは１８０℃で９
０秒間成形した硬化物のΔＨを示す。（ホ）パッケージボイド１８０℃，７０ｋｇｆ／ｃｍ²，成形時間９０秒間の条
件で１４×２０×２ｍｍのＱＦＰを６個成形し、超音波
探傷試験装置により内部ボイドを調べ、０．５ｍｍ以上
の大きさのボイドの総数を求めた。（ヘ）耐湿性１８０℃，７０ｋｇｆ／ｃｍ²，成形時間９０秒間の条
件でＩＣ回路を含んだ１００ｐｉｎＱＦＰを成形し、１
２１℃のＰＣＴ中で１５００時間劣化させた後の抵抗値
が３倍以上となったものの比率を求めた。（ト）ワイヤ流れ上記（ヘ）で用いたと同じ１００ｐｉｎＱＦＰを同条件
で１０個成形し、金線の流れ率を求め、各パッケージご
との最大ワイヤ流れ率の平均値を求め、％表示した。

【００４５】

【表１】

【００４６】

【表２】

【００４７】

【表３】

【００４８】表３の結果より、本発明のエポキシ樹脂組
成物（実施例）は、従来のもの（比較例）と比較して、
硬化性、成形性に優れ、ノンポストキュアで用いても信
頼性の高い成形品を与えることが確認された。

【００４９】比較例１では、成形直後の未反応率が高い
ため成形直後のＴｇが低く、また流動性が悪いため、ワ
イヤ流れが大きくなっている。比較例２では、硬化促進
剤の量を増やしたため硬化性は改善されているが、ワイ
ヤ流れ、断線が生じている。比較例３では、流動性を改
善するため低粘度樹脂を用いているが、硬化性が更に悪
化するという欠点があった。

【００５０】〔実施例５〜７，比較例４〕実施例１にお
いて混合シリカの配合量を表４のように変更する以外は
すべて実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得、
その評価結果を表４に示した。

【００５１】

【表４】

【００５２】表４の結果より、無機質充填剤を多く用い
たものは成形直後のＴｇが高くなり、ノンポストキュア
可能な組成物として最適であることがわかる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 23/31 (72)発明者二ッ森浩二マレーシア国セランゴール州，40000 シャアラム，ハイコムインダストリアルエステイト，ジャランセレンダ26 ／17，ロット50 信越エレクトロニクスマレーシア内 (72)発明者キョーチアットフイマレーシア国セランゴール州，40000 シャアラム，ハイコムインダストリアルエステイト，ジャランセレンダ26 ／17，ロット50 信越エレクトロニクスマレーシア内 (72)発明者テオフイテンマレーシア国セランゴール州，40000 シャアラム，ハイコムインダストリアルエステイト，ジャランセレンダ26 ／17，ロット50 信越エレクトロニクスマレーシア内 (72)発明者塩原利夫群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料技術研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】エポキシ樹脂、硬化剤及び無機質充填剤
を必須成分とするエポキシ樹脂組成物において、（Ａ）
エポキシ樹脂と硬化剤の少なくとも一方が、重量平均分
子量Ｍｗと数平均分子量Ｍｎとの比Ｍｗ／Ｍｎが１．６
より小さい平均分子量分布を有すると共に、２核体の量
が８重量％より少なく、且つ７核体以上の合計量が３２
重量％より少ない分子量分布を有し、（Ｂ）無機質充填
剤含有量が組成物全体の７０重量％以上であり、（Ｃ）
組成物を１８０℃で９０秒間硬化させた硬化物のガラス
転移温度Ｔｇ¹とこの硬化物を更に１８０℃で５時間ポ
ストキュアした後のガラス転移温度Ｔｇ²とが、（Ｔｇ²−Ｔｇ¹）／Ｔｇ²＜０．１の関係を有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
【請求項２】エポキシ樹脂がエポキシクレゾールノボ
ラック樹脂であり、硬化剤がフェノールノボラック樹脂
である請求項１記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項３】組成物をＤＳＣ測定した際に得られるエ
ンタルピー変化ΔＨ ⁰と、この組成物を１８０℃で９０
秒間硬化した硬化物をＤＳＣ測定した際に得られるエン
タルピー変化ΔＨ¹とが、 ΔＨ¹／ΔＨ⁰＜０．０５の関係を有する請求項１又は２記載のエポキシ樹脂組成
物。
【請求項４】請求項１，２又は３記載のエポキシ樹脂
組成物の硬化物で封止された半導体装置。