JPH08245214A - シリカ微粉末、その製造法及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
シリカ微粉末、その製造法及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JPH08245214A JPH08245214A JP4684195A JP4684195A JPH08245214A JP H08245214 A JPH08245214 A JP H08245214A JP 4684195 A JP4684195 A JP 4684195A JP 4684195 A JP4684195 A JP 4684195A JP H08245214 A JPH08245214 A JP H08245214A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面実装に好適な封止材とするための一次粒
子径の平均が０．１〜１μｍのシリカ微粉末を生産性よ
く製造すること。また、充填剤の充填率が高いにもかか
わらず高流動性であり、耐半田クラック性等に著しく優
れた信頼性の高い半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提
供すること。 【構成】 シリカ質物質が炭素の存在下で加熱されるこ
とによって発生した蒸気の酸化物粉末であって非晶質シ
リカを主成分とし、一次粒子径の平均が０．１〜１μ
ｍ、抽出水電気伝導度が１００μＳ／ｃｍ以下であるこ
とを特徴とするシリカ微粉末、金属シリコン又はケイ素
合金を電気炉で製造する際に副産される非晶質シリカを
主成分とする酸化物粉末をその抽出水電気伝導度が１０
０μＳ／ｃｍ以下となるまで水洗することを特徴とする
シリカ微粉末の製造方法、及び（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）エポキシ樹脂の硬化剤、（Ｃ）上記本発明のシリ
カ微粉末以外の無機質充填剤及び（Ｄ）上記本発明のシ
リカ微粉末を含有してなることを特徴とする半導体封止
用エポキシ樹脂組成物。
子径の平均が０．１〜１μｍのシリカ微粉末を生産性よ
く製造すること。また、充填剤の充填率が高いにもかか
わらず高流動性であり、耐半田クラック性等に著しく優
れた信頼性の高い半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提
供すること。 【構成】 シリカ質物質が炭素の存在下で加熱されるこ
とによって発生した蒸気の酸化物粉末であって非晶質シ
リカを主成分とし、一次粒子径の平均が０．１〜１μ
ｍ、抽出水電気伝導度が１００μＳ／ｃｍ以下であるこ
とを特徴とするシリカ微粉末、金属シリコン又はケイ素
合金を電気炉で製造する際に副産される非晶質シリカを
主成分とする酸化物粉末をその抽出水電気伝導度が１０
０μＳ／ｃｍ以下となるまで水洗することを特徴とする
シリカ微粉末の製造方法、及び（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）エポキシ樹脂の硬化剤、（Ｃ）上記本発明のシリ
カ微粉末以外の無機質充填剤及び（Ｄ）上記本発明のシ
リカ微粉末を含有してなることを特徴とする半導体封止
用エポキシ樹脂組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリカ微粉末、その製
造法及びこのシリカ微粉末を充填剤の一成分として含ま
せてなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
造法及びこのシリカ微粉末を充填剤の一成分として含ま
せてなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】今日、半導体の高集積化が進むにつれて
チップが大型化し、またその実装方式も配線基板への高
密度実装に好適な表面実装が主流になりつつある。この
ような状況下において、半導体封止用樹脂組成物（以
下、「封止材」という）には優れた耐湿性と成形性の両
立が望まれるようになった。
チップが大型化し、またその実装方式も配線基板への高
密度実装に好適な表面実装が主流になりつつある。この
ような状況下において、半導体封止用樹脂組成物（以
下、「封止材」という）には優れた耐湿性と成形性の両
立が望まれるようになった。
【０００３】このような要望を満たすには、封止材の流
動性を低下させることなく充填剤の充填率を高めること
が必要であり、そのためには一次粒子径の平均が０．１
〜１μｍ程度のシリカ微粒子の添加が不可欠であること
が報告されている（特開平５−２３０２８４号公報）。
動性を低下させることなく充填剤の充填率を高めること
が必要であり、そのためには一次粒子径の平均が０．１
〜１μｍ程度のシリカ微粒子の添加が不可欠であること
が報告されている（特開平５−２３０２８４号公報）。
【０００４】従来、このようなシリカ微粒子を製造する
方法としては、珪石、珪砂、水晶等のシリカ質物質を振
動ミル等により粒度調節し、それをＬＰＧ／酸素の火炎
又は高温プラズマ中に投入し球状化する方法があるが、
この方法では粒子が融着し粗大化するので目的粒子の収
率が悪いという問題があった。また、ハロゲン化ケイ素
の酸水素炎中における加水分解法による合成シリカで
は、逆に数１０ｎｍと非常に微粒子が主体となり、これ
また上記と同様にして目的粒子の収率が悪いものであっ
た。更には、精製したシリカ質物質を炭素の存在下で加
熱することによって発生させた蒸気を酸素含有雰囲気下
で捕集する方法もあるが（特公平５−７８１８２号公
報）、この方法であっても得られたシリカ粉末の一次粒
子径の平均は０．１μｍ未満であり目的粒子の粒度では
なかった。
方法としては、珪石、珪砂、水晶等のシリカ質物質を振
動ミル等により粒度調節し、それをＬＰＧ／酸素の火炎
又は高温プラズマ中に投入し球状化する方法があるが、
この方法では粒子が融着し粗大化するので目的粒子の収
率が悪いという問題があった。また、ハロゲン化ケイ素
の酸水素炎中における加水分解法による合成シリカで
は、逆に数１０ｎｍと非常に微粒子が主体となり、これ
また上記と同様にして目的粒子の収率が悪いものであっ
た。更には、精製したシリカ質物質を炭素の存在下で加
熱することによって発生させた蒸気を酸素含有雰囲気下
で捕集する方法もあるが（特公平５−７８１８２号公
報）、この方法であっても得られたシリカ粉末の一次粒
子径の平均は０．１μｍ未満であり目的粒子の粒度では
なかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来、
表面実装に好適な封止材とするための一次粒子径の平均
が０．１〜１μｍ程度のシリカ微粉末を生産性よく製造
する方法はなかった。本発明の目的は、表面実装に好適
な封止材とするための一次粒子径の平均が０．１〜１μ
ｍ程度のシリカ微粉末を生産性よく製造することであ
る。また、本発明の他の目的は表面実装に好適な封止材
を提供することである。
表面実装に好適な封止材とするための一次粒子径の平均
が０．１〜１μｍ程度のシリカ微粉末を生産性よく製造
する方法はなかった。本発明の目的は、表面実装に好適
な封止材とするための一次粒子径の平均が０．１〜１μ
ｍ程度のシリカ微粉末を生産性よく製造することであ
る。また、本発明の他の目的は表面実装に好適な封止材
を提供することである。
【０００６】本発明者らは、上記目的を達成するために
種々検討した結果、金属シリコン又はフェロシリコン等
のケイ素合金を電気炉で製造する際に副産される非晶質
シリカを主成分とする粉末に着目した。この粉末は、シ
リカフューム、シリカフラワー、シリカダスト、コロイ
ドシリカとも呼ばれているものであり、ＳｉＯ2 含有量
が高く球状粒子であり、その一次粒子径の平均は０．１
〜０．５μｍであり、比表面積が７〜２５ｍ2 ／ｇと封
止材の充填剤の一成分として好適な特性を備えている。
しかし、不純物特にＮａ+ 、Ｋ+ 、Ｃｌ- 、ＳＯ4 2- が
多いのでこれをそのまま封止材の充填剤として使用する
とアルミニウム配線の腐食等を引き起こす問題がある。
この観点にたって更に検討を進めたところ、抽出水の電
気伝導度が１００μＳ／ｃｍ以下になるまでそれを水洗
すればよいことを見いだし、本発明を完成させたもので
ある。
種々検討した結果、金属シリコン又はフェロシリコン等
のケイ素合金を電気炉で製造する際に副産される非晶質
シリカを主成分とする粉末に着目した。この粉末は、シ
リカフューム、シリカフラワー、シリカダスト、コロイ
ドシリカとも呼ばれているものであり、ＳｉＯ2 含有量
が高く球状粒子であり、その一次粒子径の平均は０．１
〜０．５μｍであり、比表面積が７〜２５ｍ2 ／ｇと封
止材の充填剤の一成分として好適な特性を備えている。
しかし、不純物特にＮａ+ 、Ｋ+ 、Ｃｌ- 、ＳＯ4 2- が
多いのでこれをそのまま封止材の充填剤として使用する
とアルミニウム配線の腐食等を引き起こす問題がある。
この観点にたって更に検討を進めたところ、抽出水の電
気伝導度が１００μＳ／ｃｍ以下になるまでそれを水洗
すればよいことを見いだし、本発明を完成させたもので
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、シ
リカ質物質が炭素の存在下で加熱されることによって発
生した蒸気の酸化物粉末であって非晶質シリカを主成分
とし、一次粒子径の平均が０．１〜１μｍ、抽出水電気
伝導度が１００μＳ／ｃｍ以下であることを特徴とする
シリカ微粉末、金属シリコン又はケイ素合金を電気炉で
製造する際に副産される非晶質シリカを主成分とする酸
化物粉末をその抽出水電気伝導度が１００μＳ／ｃｍ以
下となるまで水洗することを特徴とするシリカ微粉末の
製造方法、及び（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）エポキシ樹
脂の硬化剤、（Ｃ）上記本発明のシリカ微粉末以外の無
機質充填剤及び（Ｄ）上記本発明のシリカ微粉末を含有
してなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組
成物、である。
リカ質物質が炭素の存在下で加熱されることによって発
生した蒸気の酸化物粉末であって非晶質シリカを主成分
とし、一次粒子径の平均が０．１〜１μｍ、抽出水電気
伝導度が１００μＳ／ｃｍ以下であることを特徴とする
シリカ微粉末、金属シリコン又はケイ素合金を電気炉で
製造する際に副産される非晶質シリカを主成分とする酸
化物粉末をその抽出水電気伝導度が１００μＳ／ｃｍ以
下となるまで水洗することを特徴とするシリカ微粉末の
製造方法、及び（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）エポキシ樹
脂の硬化剤、（Ｃ）上記本発明のシリカ微粉末以外の無
機質充填剤及び（Ｄ）上記本発明のシリカ微粉末を含有
してなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組
成物、である。
【０００８】以下、更に詳しく本発明について説明する
と、まず本発明のシリカ微粉末は、シリカフュームのよ
うに金属シリコン又はケイ素合金の製造を伴うか、又は
伴わないでシリカ質物質を炭素の存在下で加熱すること
によって発生させた蒸気の酸化物粉末から得られた非晶
質シリカを主成分とするものであって、その一次粒子径
の平均が０．１〜１μｍ、抽出水電気伝導度が１００μ
Ｓ／ｃｍ以下の要件を備えているものである。
と、まず本発明のシリカ微粉末は、シリカフュームのよ
うに金属シリコン又はケイ素合金の製造を伴うか、又は
伴わないでシリカ質物質を炭素の存在下で加熱すること
によって発生させた蒸気の酸化物粉末から得られた非晶
質シリカを主成分とするものであって、その一次粒子径
の平均が０．１〜１μｍ、抽出水電気伝導度が１００μ
Ｓ／ｃｍ以下の要件を備えているものである。
【０００９】従来のシリカ微粉末において、その一次粒
子径の平均と抽出水電気伝導度の両方を満たしているも
のはシリカ質物質の火炎又はプラズマによる溶射法かあ
るいは合成シリカ法で得られているが、これらは生産性
の悪いものであった。一方、本発明のようにシリカ質物
質を炭素の存在下で加熱することによって発生させた蒸
気の酸化物粉末から得られたものについては、その一次
粒子径の平均又は抽出水電気伝導度の何れかが満たされ
ていなかったものである。すなわち、シリカフュームの
場合には抽出水電気伝導度が高く、また特公平５−７８
１８２号公報のように精製したシリカ質物質を炭素の存
在下で加熱することによって発生させた蒸気の酸化物粉
末の場合には純度は高いが、蒸気濃度が低い、酸化・冷
却速度が速い等の理由から一次粒子径の平均が０．１μ
ｍ未満であったものである。
子径の平均と抽出水電気伝導度の両方を満たしているも
のはシリカ質物質の火炎又はプラズマによる溶射法かあ
るいは合成シリカ法で得られているが、これらは生産性
の悪いものであった。一方、本発明のようにシリカ質物
質を炭素の存在下で加熱することによって発生させた蒸
気の酸化物粉末から得られたものについては、その一次
粒子径の平均又は抽出水電気伝導度の何れかが満たされ
ていなかったものである。すなわち、シリカフュームの
場合には抽出水電気伝導度が高く、また特公平５−７８
１８２号公報のように精製したシリカ質物質を炭素の存
在下で加熱することによって発生させた蒸気の酸化物粉
末の場合には純度は高いが、蒸気濃度が低い、酸化・冷
却速度が速い等の理由から一次粒子径の平均が０．１μ
ｍ未満であったものである。
【００１０】本発明において、シリカ質物質を炭素の存
在下で加熱することによって発生させた蒸気の酸化物粉
末に限定したのは、一次粒子径の平均が０．１〜１μｍ
であるものを生産性よく取得するためである。
在下で加熱することによって発生させた蒸気の酸化物粉
末に限定したのは、一次粒子径の平均が０．１〜１μｍ
であるものを生産性よく取得するためである。
【００１１】本発明において、一次粒子径の平均が０．
１〜１μｍ以外では封止材の流動性とバリ止めの改善効
果が小さく、また抽出水電気伝導度が１００μＳ／ｃｍ
をこえるとアルミニウム配線の腐食、絶縁不良等により
封止材の信頼性が低下する。
１〜１μｍ以外では封止材の流動性とバリ止めの改善効
果が小さく、また抽出水電気伝導度が１００μＳ／ｃｍ
をこえるとアルミニウム配線の腐食、絶縁不良等により
封止材の信頼性が低下する。
【００１２】本発明において、一次粒子径の平均はＳＥ
Ｍ観察によって測定することができる。また、抽出水電
気伝導度は、試料粉末２０グラムを電気伝導度１μＳ／
ｃｍ以下のイオン交換水９５ミリリットルとエタノール
５ミリリットルと共に三角フラスコ（３００ミリリット
ル）に入れ、１０分間振とう後ビーカー（１００ミリリ
ットル）に移し３０分間静置してから電気伝導度計で測
定される。
Ｍ観察によって測定することができる。また、抽出水電
気伝導度は、試料粉末２０グラムを電気伝導度１μＳ／
ｃｍ以下のイオン交換水９５ミリリットルとエタノール
５ミリリットルと共に三角フラスコ（３００ミリリット
ル）に入れ、１０分間振とう後ビーカー（１００ミリリ
ットル）に移し３０分間静置してから電気伝導度計で測
定される。
【００１３】次に、本発明のシリカ微粉末の製造法につ
いて説明すると、この発明は本発明のシリカ微粉末を生
産性よく安価に製造するものであり、必要により粒度調
整されたシリカフュームを水洗して抽出水電気伝導度を
１００μＳ／ｃｍ以下にまで低下させてから必要に応じ
て粒度調整されるものである。
いて説明すると、この発明は本発明のシリカ微粉末を生
産性よく安価に製造するものであり、必要により粒度調
整されたシリカフュームを水洗して抽出水電気伝導度を
１００μＳ／ｃｍ以下にまで低下させてから必要に応じ
て粒度調整されるものである。
【００１４】本発明で使用されるシリカフュームは、金
属シリコン又はケイ素合金製造時の副産物のいずれでも
よいが、金属シリコン製造時の副産物はＳｉＯ2 含有量
が９３〜９８％程度と高いのでケイ素合金製造時の副産
物に比べて水洗処理による精製が容易であるので好まし
い。
属シリコン又はケイ素合金製造時の副産物のいずれでも
よいが、金属シリコン製造時の副産物はＳｉＯ2 含有量
が９３〜９８％程度と高いのでケイ素合金製造時の副産
物に比べて水洗処理による精製が容易であるので好まし
い。
【００１５】本発明において水洗処理は、毎回イオン交
換水を用いて固形分濃度５〜３０％程度のスラリーを調
合し固液分離を繰り返す方法、水洗回数を減らすために
高純度水を用いたりスラリー濃度を５％よりも低くする
方法、最初は工業用水等を用い最後にイオン交換水を用
いる方法等のいずれでもよいが、本発明においては初回
の水洗効果が大きいのでイオン交換水の節約の点から後
者の方法が好適である。水洗温度については常温で十分
である。
換水を用いて固形分濃度５〜３０％程度のスラリーを調
合し固液分離を繰り返す方法、水洗回数を減らすために
高純度水を用いたりスラリー濃度を５％よりも低くする
方法、最初は工業用水等を用い最後にイオン交換水を用
いる方法等のいずれでもよいが、本発明においては初回
の水洗効果が大きいのでイオン交換水の節約の点から後
者の方法が好適である。水洗温度については常温で十分
である。
【００１６】スラリーの固液分離は、遠心分離、沈降濃
縮、フイルタープレス等による濾過等のいずれでもよい
が、デカンタでの濃縮分離は連続化が容易であるので本
発明では好ましい。
縮、フイルタープレス等による濾過等のいずれでもよい
が、デカンタでの濃縮分離は連続化が容易であるので本
発明では好ましい。
【００１７】次いで、固液分離後のケーキは乾燥される
が、その際、強固な凝集を起こさせずに乾燥することが
肝要なことである。本発明においては、静置乾燥法は好
ましくはなく、瞬間真空乾燥法（例えばホソカワミクロ
ン社製「クラックスシステム」）、媒体流動乾燥法（奈
良機械製作所社製「ＭＳＤ」）、気流式乾燥法（セイシ
ン企業社製「フラッシュジェットドライヤ」）、凍結乾
燥法等が望ましく、特に気流式乾燥法はケーキを希釈す
る必要がないので最適である。
が、その際、強固な凝集を起こさせずに乾燥することが
肝要なことである。本発明においては、静置乾燥法は好
ましくはなく、瞬間真空乾燥法（例えばホソカワミクロ
ン社製「クラックスシステム」）、媒体流動乾燥法（奈
良機械製作所社製「ＭＳＤ」）、気流式乾燥法（セイシ
ン企業社製「フラッシュジェットドライヤ」）、凍結乾
燥法等が望ましく、特に気流式乾燥法はケーキを希釈す
る必要がないので最適である。
【００１８】本発明のシリカ微粉末の用途としては、封
止材の充填剤、樹脂及び／又はゴムの補強剤、塗料のチ
キトロピー性付与剤、フイルムのアンチブロッキング
剤、断熱材、農薬担体、複写用トナー等があるが、以
下、本発明の封止材について説明する。
止材の充填剤、樹脂及び／又はゴムの補強剤、塗料のチ
キトロピー性付与剤、フイルムのアンチブロッキング
剤、断熱材、農薬担体、複写用トナー等があるが、以
下、本発明の封止材について説明する。
【００１９】本発明に用いられる（Ａ）成分のエポキシ
樹脂としては、１分子中にエポキシ基を２個以上有する
ものであれば特に制限はなく、具体例を挙げれば、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂、フェノール類とアルデヒド類
のノボラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノー
ルＡ、ビスフェノールＦ及びビスフェノールＳなどのグ
リシジルエーテル、フタル酸やダイマー酸などの多塩基
酸とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジ
ルエステル酸エポキシ樹脂、その他、線状脂肪族エポキ
シ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、
アルキル変性多官能エポキシ樹脂、β−ナフトールノボ
ラック型エポキシ樹脂、１，６−ジヒドロキシナフタレ
ン型エポキシ樹脂、２，７−ジヒドロキシナフタレン型
エポキシ樹脂、ビスヒドロキシビフェニル型エポキシ樹
脂、さらには難燃性を付与するために臭素などのハロゲ
ンを導入したエポキシ樹脂などがあり、これらを１種又
は２種以上を用いる。特に半田耐熱性と耐湿信頼性の観
点からは、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂、ビスヒドロキシビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタ
レン骨格のエポキシ樹脂などが好適である。
樹脂としては、１分子中にエポキシ基を２個以上有する
ものであれば特に制限はなく、具体例を挙げれば、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂、フェノール類とアルデヒド類
のノボラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノー
ルＡ、ビスフェノールＦ及びビスフェノールＳなどのグ
リシジルエーテル、フタル酸やダイマー酸などの多塩基
酸とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジ
ルエステル酸エポキシ樹脂、その他、線状脂肪族エポキ
シ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、
アルキル変性多官能エポキシ樹脂、β−ナフトールノボ
ラック型エポキシ樹脂、１，６−ジヒドロキシナフタレ
ン型エポキシ樹脂、２，７−ジヒドロキシナフタレン型
エポキシ樹脂、ビスヒドロキシビフェニル型エポキシ樹
脂、さらには難燃性を付与するために臭素などのハロゲ
ンを導入したエポキシ樹脂などがあり、これらを１種又
は２種以上を用いる。特に半田耐熱性と耐湿信頼性の観
点からは、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂、ビスヒドロキシビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタ
レン骨格のエポキシ樹脂などが好適である。
【００２０】本発明に用いられる（Ｂ）成分のエポキシ
樹脂の硬化剤としては、エポキシ樹脂（Ａ）と反応して
硬化させるものであれば特に限定されず、例えば、フェ
ノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシノール、
クロロフェノール、ｔ−ブチルフェノール、ノニルフェ
ノール、イソプロピルフェノール、オクチルフェノール
等の群から選ばれた１種又は２種以上の混合物をホルム
アルデヒド、パラホルムアルデヒド又はパラキシレンと
ともに酸化触媒下で反応させて得られるノボラック型樹
脂、ポリパラヒドロキシスチレン樹脂、ビスフェノール
ＡやビスフェノールＳ等のビスフェノール化合物、ピロ
ガロールやフロログルシノール等の３官能フェノール
類、無水マレイン酸、無水フタル酸や無水ピロメリット
酸等の酸無水物、メタフェニレンジアミン、ジアミノジ
フェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン等の芳香
族アミンなどが挙げられる。
樹脂の硬化剤としては、エポキシ樹脂（Ａ）と反応して
硬化させるものであれば特に限定されず、例えば、フェ
ノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシノール、
クロロフェノール、ｔ−ブチルフェノール、ノニルフェ
ノール、イソプロピルフェノール、オクチルフェノール
等の群から選ばれた１種又は２種以上の混合物をホルム
アルデヒド、パラホルムアルデヒド又はパラキシレンと
ともに酸化触媒下で反応させて得られるノボラック型樹
脂、ポリパラヒドロキシスチレン樹脂、ビスフェノール
ＡやビスフェノールＳ等のビスフェノール化合物、ピロ
ガロールやフロログルシノール等の３官能フェノール
類、無水マレイン酸、無水フタル酸や無水ピロメリット
酸等の酸無水物、メタフェニレンジアミン、ジアミノジ
フェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン等の芳香
族アミンなどが挙げられる。
【００２１】（Ｃ）成分の無機質充填剤としては、上記
した本発明のシリカ微粉末以外の無機質粉末である。無
機質粉末の一次粒子の平均粒径としては、５〜４０μｍ
が好ましく、またその形状については、球状、破砕状、
角取り状のいずれであってもよいが球状が望ましい。無
機質粉末の種類としては、シリカ、アルミナ、窒化ケイ
素、窒化アルミニウム等適宜選択して使用されるが、溶
融シリカが一般的である。
した本発明のシリカ微粉末以外の無機質粉末である。無
機質粉末の一次粒子の平均粒径としては、５〜４０μｍ
が好ましく、またその形状については、球状、破砕状、
角取り状のいずれであってもよいが球状が望ましい。無
機質粉末の種類としては、シリカ、アルミナ、窒化ケイ
素、窒化アルミニウム等適宜選択して使用されるが、溶
融シリカが一般的である。
【００２２】更に、（Ｄ）成分は上記した本発明のシリ
カ微粉末である。
カ微粉末である。
【００２３】本発明においては、（Ｃ）成分と（Ｄ）成
分の構成比率が重要であり、（Ｃ）成分９７〜６０重量
％好ましくは９５〜７０重量％に対し、（Ｄ）成分３〜
４０重量％好ましくは５〜３０重量％である。（Ｄ）成
分が３重量％未満では封止材の流動性を改善する効果が
小さく、また４０重量％をこえると封止材の粘度が増大
し流動性が低下する。
分の構成比率が重要であり、（Ｃ）成分９７〜６０重量
％好ましくは９５〜７０重量％に対し、（Ｄ）成分３〜
４０重量％好ましくは５〜３０重量％である。（Ｄ）成
分が３重量％未満では封止材の流動性を改善する効果が
小さく、また４０重量％をこえると封止材の粘度が増大
し流動性が低下する。
【００２４】本発明においては、（Ｃ）成分と（Ｄ）成
分からなる充填剤の割合は封止材中に７０〜９５重量％
特に８０重量％以上含む割合が好ましい。充填剤の充填
率が７０重量％未満では封止材の強度が不足したり耐湿
性が悪化して半田クラック性が低下したりする。また、
充填剤の充填率が９５重量％をこえると、スパイラルフ
ロー値が小さくなり、成形時に未充填を生じたり、チッ
プを搭載したダイパットが変動したりし、更には半導体
素子とリードとを結ぶボンディングワイヤを変形させた
り切断させたりする危険がある。特にダイパットが変動
した場合、半田付け時にパッケージクラックが容易に発
生するようになる。
分からなる充填剤の割合は封止材中に７０〜９５重量％
特に８０重量％以上含む割合が好ましい。充填剤の充填
率が７０重量％未満では封止材の強度が不足したり耐湿
性が悪化して半田クラック性が低下したりする。また、
充填剤の充填率が９５重量％をこえると、スパイラルフ
ロー値が小さくなり、成形時に未充填を生じたり、チッ
プを搭載したダイパットが変動したりし、更には半導体
素子とリードとを結ぶボンディングワイヤを変形させた
り切断させたりする危険がある。特にダイパットが変動
した場合、半田付け時にパッケージクラックが容易に発
生するようになる。
【００２５】（Ａ）成分と（Ｂ）成分の割合について
は、（Ａ）成分５０重量％以上（Ｂ）成分５０重量％未
満が一般的である。
は、（Ａ）成分５０重量％以上（Ｂ）成分５０重量％未
満が一般的である。
【００２６】本発明の封止材には、上記（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）の成分以外に必要に応じて以下
の成分を含ませることができる。すなわち、低応力化剤
として、シリコーンゴム、ポリサルファイドゴム、アク
リル系ゴム、ブタジエン系ゴム、スチレン系ブロックコ
ポリマーや飽和型エラストマー等のゴム状物質、各種熱
可塑性樹脂、シリコーン樹脂等の樹脂状物質、更にはエ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂の一部または全部をアミノ
シリコーン、エポキシシリコーン、アルコキシシリコー
ンなどで変性した樹脂など、シランカップリング剤とし
て、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β
−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメト
キシシラン等のエポキシシラン、アミノプロピルトリエ
トキシシラン、ウレイドプロピルトリエトキシシラン、
Ｎ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン等のア
ミノシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリ
メトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン等の
疎水性シラン化合物やメルカプトシランなど、表面処理
剤として、Ｚｒキレート、チタネートカップリング剤、
アルミニウム系カップリング剤など、難燃助剤として、
Ｓｂ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ4 、Ｓｂ2 Ｏ5 など、難燃剤とし
て、ハロゲン化エポキシ樹脂やリン化合物など、着色剤
として、カーボンブラック、酸化鉄、染料、顔料などで
ある。
（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）の成分以外に必要に応じて以下
の成分を含ませることができる。すなわち、低応力化剤
として、シリコーンゴム、ポリサルファイドゴム、アク
リル系ゴム、ブタジエン系ゴム、スチレン系ブロックコ
ポリマーや飽和型エラストマー等のゴム状物質、各種熱
可塑性樹脂、シリコーン樹脂等の樹脂状物質、更にはエ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂の一部または全部をアミノ
シリコーン、エポキシシリコーン、アルコキシシリコー
ンなどで変性した樹脂など、シランカップリング剤とし
て、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β
−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメト
キシシラン等のエポキシシラン、アミノプロピルトリエ
トキシシラン、ウレイドプロピルトリエトキシシラン、
Ｎ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン等のア
ミノシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリ
メトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン等の
疎水性シラン化合物やメルカプトシランなど、表面処理
剤として、Ｚｒキレート、チタネートカップリング剤、
アルミニウム系カップリング剤など、難燃助剤として、
Ｓｂ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ4 、Ｓｂ2 Ｏ5 など、難燃剤とし
て、ハロゲン化エポキシ樹脂やリン化合物など、着色剤
として、カーボンブラック、酸化鉄、染料、顔料などで
ある。
【００２７】特に高い耐湿信頼性や高温放置安定性が要
求される場合には、各種イオントラップ剤の添加が有効
である。イオントラップ剤の具体例としては、協和化学
社製商品名「ＤＨＦ−４Ａ」、「ＫＷ−２０００」、
「ＫＷ−２１００」や東亞合成化学工業社製商品名「Ｉ
ＸＥ−６００」などが挙げられる。
求される場合には、各種イオントラップ剤の添加が有効
である。イオントラップ剤の具体例としては、協和化学
社製商品名「ＤＨＦ−４Ａ」、「ＫＷ−２０００」、
「ＫＷ−２１００」や東亞合成化学工業社製商品名「Ｉ
ＸＥ−６００」などが挙げられる。
【００２８】本発明のエポキシ樹脂組成物には、エポキ
シ樹脂とエポキシ樹脂の硬化剤との反応を促進させるた
めに硬化促進剤を配合することができる。その硬化促進
剤としては、上記したようなものが挙げられるが、耐熱
性及び耐湿性の面から有機ホスフィン化合物とシクロア
ミジン誘導体が特に好ましい。また、耐熱性を更に高め
るためにビスマレイミド類等のイミド化合物を配合する
こともできる。
シ樹脂とエポキシ樹脂の硬化剤との反応を促進させるた
めに硬化促進剤を配合することができる。その硬化促進
剤としては、上記したようなものが挙げられるが、耐熱
性及び耐湿性の面から有機ホスフィン化合物とシクロア
ミジン誘導体が特に好ましい。また、耐熱性を更に高め
るためにビスマレイミド類等のイミド化合物を配合する
こともできる。
【００２９】本発明のエポキシ樹脂組成物には、必要に
応じて、ワックス等の離型剤を添加することができる。
その具体例を挙げれば、天然ワックス類、合成ワックス
類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステル類、パ
ラフィン等である。
応じて、ワックス等の離型剤を添加することができる。
その具体例を挙げれば、天然ワックス類、合成ワックス
類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステル類、パ
ラフィン等である。
【００３０】本発明のエポキシ樹脂組成物は、上記の諸
材料をブレンダー又はミキサーで混合した後、加熱ロー
ル、ニーダー、押出機、バンバリーミキサーなどの装置
によって溶融混練し、冷却粉砕することによって製造す
ることができる。
材料をブレンダー又はミキサーで混合した後、加熱ロー
ル、ニーダー、押出機、バンバリーミキサーなどの装置
によって溶融混練し、冷却粉砕することによって製造す
ることができる。
【００３１】本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて実際
に各種半導体を樹脂封止するには、トランスファーモー
ルド、マルチプランジャー等の公知の成形法により硬化
成形すれば良く、これによって耐熱性、強度、耐湿性、
熱伝導率等の一般的特性を満足させるのみならず、充填
剤の充填率が高いにもかかわらず流動特性に非常に優れ
る。
に各種半導体を樹脂封止するには、トランスファーモー
ルド、マルチプランジャー等の公知の成形法により硬化
成形すれば良く、これによって耐熱性、強度、耐湿性、
熱伝導率等の一般的特性を満足させるのみならず、充填
剤の充填率が高いにもかかわらず流動特性に非常に優れ
る。
【００３２】
【実施例】以下、本発明を実施例と比較例を挙げてさら
に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例によって
限定されるものではない。尚、以下の例における部及び
％はいずれも重量基準で示した。
に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例によって
限定されるものではない。尚、以下の例における部及び
％はいずれも重量基準で示した。
【００３３】実施例１〜４ 比較例１〜３ 表１に示す市販のシリカフュームを表２及び表４に示す
条件で水洗した後、表３に示す条件で乾燥して表４に示
すシリカ微粉末を製造した。
条件で水洗した後、表３に示す条件で乾燥して表４に示
すシリカ微粉末を製造した。
【００３４】
【表１】
【００３５】（１）平均粒径、粒径範囲はＳＥＭ観察で
測定された一次粒子の値である。 （２）ＥＣ（抽出水電気伝導度）は上記の方法で測定し
た。 （３）不純物はサンプル２０ｇを１００ミリリットルの
純水と共に３００ミリリットル三角フラスコに入れ、１
０分間振とう後、遠心分離を行い、上澄み液を原子吸光
及びイオンクロマトグラフで測定した。
測定された一次粒子の値である。 （２）ＥＣ（抽出水電気伝導度）は上記の方法で測定し
た。 （３）不純物はサンプル２０ｇを１００ミリリットルの
純水と共に３００ミリリットル三角フラスコに入れ、１
０分間振とう後、遠心分離を行い、上澄み液を原子吸光
及びイオンクロマトグラフで測定した。
【００３６】
【表２】 （注）イオン交換水の電気伝導度は０．６μＳ／ｃｍで
ある。濃縮分離は巴工業社製「デカンタＰ−６６０型」
で行い、スラリ供給量０．５ｍ3 ／ｈｒで行った。ケー
キの固形分濃度は約５０重量％であった。
ある。濃縮分離は巴工業社製「デカンタＰ−６６０型」
で行い、スラリ供給量０．５ｍ3 ／ｈｒで行った。ケー
キの固形分濃度は約５０重量％であった。
【００３７】
【表３】
【００３８】
【表４】
【００３９】表５に示す材料を同表に示す割合で計量
し、ミキサーで混合してから加熱ロールで混練後、冷却
・粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキ
シ樹脂組成物について、以下に従うスパイラルフロー
（ＳＦ）、バリ、ゲルタイム、耐半田クラック性、信頼
性を評価した。それらの結果を表６に示す。
し、ミキサーで混合してから加熱ロールで混練後、冷却
・粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキ
シ樹脂組成物について、以下に従うスパイラルフロー
（ＳＦ）、バリ、ゲルタイム、耐半田クラック性、信頼
性を評価した。それらの結果を表６に示す。
【００４０】（４）スパイラルフロー（ＳＦ） スパイラルフロー金型を用いて、ＥＭＭＩ１−６６（Ｅ
ｐｏｘｙ Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｉｎｓ
ｔｉｔｕｔｅ ； Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｐｌａｓｔ
ｉｃ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ）に準処して測定した。成形温
度は１７５℃である。
ｐｏｘｙ Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｉｎｓ
ｔｉｔｕｔｅ ； Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｐｌａｓｔ
ｉｃ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ）に準処して測定した。成形温
度は１７５℃である。
【００４１】（５）バリ ２、５、１０及び３０μｍの間隙を有する金型でトラン
スファー成形し、その間隙に出たバリの長さの平均値で
評価した。成形温度は１７５℃である。 （６）ゲルタイム ゲルタイムとは、樹脂が溶融硬化するまでの時間を表す
１つの指標であり、ゲルタイムの長いものはスパイラル
フロー値も長くなる。従って、本発明の効果を確認する
に当たり、スパイラルフローの優劣を見極めるべくゲル
タイムがおよそ３０秒になるように表５の配合は考慮さ
れている。ゲルタイムの測定は、１７５℃に加熱した金
属ブロック上で、樹脂が溶融・硬化するまでの時間を測
定することによって行った。
スファー成形し、その間隙に出たバリの長さの平均値で
評価した。成形温度は１７５℃である。 （６）ゲルタイム ゲルタイムとは、樹脂が溶融硬化するまでの時間を表す
１つの指標であり、ゲルタイムの長いものはスパイラル
フロー値も長くなる。従って、本発明の効果を確認する
に当たり、スパイラルフローの優劣を見極めるべくゲル
タイムがおよそ３０秒になるように表５の配合は考慮さ
れている。ゲルタイムの測定は、１７５℃に加熱した金
属ブロック上で、樹脂が溶融・硬化するまでの時間を測
定することによって行った。
【００４２】（７）耐半田クラック性 低圧トランスファー成形法により、１７５℃×２分の条
件で模擬素子を封止した４４ピンＱＦＰ成形体（パッケ
ージ）の１６個を得た後、１７５℃×５時間のポストキ
ュアを行った。これらを温度８５℃、湿度８５％ＲＨの
条件で９６時間放置後、２６０℃の半田に１０秒間浸漬
し、超音波探査映像装置により、１６個のパッケージ中
に観察された内部クラックの発生率を求めた。
件で模擬素子を封止した４４ピンＱＦＰ成形体（パッケ
ージ）の１６個を得た後、１７５℃×５時間のポストキ
ュアを行った。これらを温度８５℃、湿度８５％ＲＨの
条件で９６時間放置後、２６０℃の半田に１０秒間浸漬
し、超音波探査映像装置により、１６個のパッケージ中
に観察された内部クラックの発生率を求めた。
【００４３】（８）信頼性 本発明の樹脂組成物を用いて断線及びリーク電流測定用
に設計した半導体素子をトランスファーモールドにより
被覆した１６ピンＤＩＰ成形品２０個について１２０℃
の高圧蒸気下で２０Ｖ印加して耐湿試験（バイアス・プ
レッシャー・クッカーテスト）を行い、時間の経過に伴
って発生するアルミニウム腐食をアルミパターンのオー
プンの発生もしくは一定限度以上のリーク電流の増加に
よって判定する方法で不良率を表示した。表６には３０
０時間経過後の不良率が示されている。
に設計した半導体素子をトランスファーモールドにより
被覆した１６ピンＤＩＰ成形品２０個について１２０℃
の高圧蒸気下で２０Ｖ印加して耐湿試験（バイアス・プ
レッシャー・クッカーテスト）を行い、時間の経過に伴
って発生するアルミニウム腐食をアルミパターンのオー
プンの発生もしくは一定限度以上のリーク電流の増加に
よって判定する方法で不良率を表示した。表６には３０
０時間経過後の不良率が示されている。
【００４４】比較例４ 本発明のシリカ微粉末（Ｄ）を含まず無機質充填剤
（Ｃ）のみを、配合１では８５重量％、配合２では９２
重量％充填したこと以外は実施例と同様にしてエポキシ
樹脂組成物を製造し評価した。
（Ｃ）のみを、配合１では８５重量％、配合２では９２
重量％充填したこと以外は実施例と同様にしてエポキシ
樹脂組成物を製造し評価した。
【００４５】比較例５ 本発明のシリカ微粉末（Ｄ）のかわりに特公平５−７８
１８２号公報の方法で製造された一次粒子の平均粒径が
０．０７μｍ、比表面積が４２．７ｍ2 ／ｇ、ＥＣが１
４μＳ／ｃｍであるシリカ粉末を用いたこと以外は実施
例と同様にしてエポキシ樹脂組成物を製造し評価した。
１８２号公報の方法で製造された一次粒子の平均粒径が
０．０７μｍ、比表面積が４２．７ｍ2 ／ｇ、ＥＣが１
４μＳ／ｃｍであるシリカ粉末を用いたこと以外は実施
例と同様にしてエポキシ樹脂組成物を製造し評価した。
【００４６】比較例６ 本発明のシリカ微粉末（Ｄ）のかわりに珪石の溶射法で
製造された粉末を分級して得られた一次粒子の平均粒径
が１．２μｍ、比表面積が３．８ｍ2 ／ｇ、ＥＣが１１
μＳ／ｃｍであるシリカ粉末を用いたこと以外は実施例
と同様にしてエポキシ樹脂組成物を製造し評価した。
製造された粉末を分級して得られた一次粒子の平均粒径
が１．２μｍ、比表面積が３．８ｍ2 ／ｇ、ＥＣが１１
μＳ／ｃｍであるシリカ粉末を用いたこと以外は実施例
と同様にしてエポキシ樹脂組成物を製造し評価した。
【００４７】
【表５】
【００４８】
【表６】
【００４９】
【発明の効果】本発明によれば表面実装に好適な封止材
とするための一次粒子径の平均が０．１〜１μｍのシリ
カ微粉末を生産性よく製造することができる。また、本
発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は充填剤の含有
率が高いにもかかわらず高流動性を有するので耐半田ク
ラック性等に著しく優れ信頼性の高いものとなる。
とするための一次粒子径の平均が０．１〜１μｍのシリ
カ微粉末を生産性よく製造することができる。また、本
発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は充填剤の含有
率が高いにもかかわらず高流動性を有するので耐半田ク
ラック性等に著しく優れ信頼性の高いものとなる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (3)
- 【請求項１】 シリカ質物質が炭素の存在下で加熱され
ることによって発生した蒸気の酸化物粉末であって非晶
質シリカを主成分とし、一次粒子径の平均が０．１〜１
μｍ、抽出水電気伝導度が１００μＳ／ｃｍ以下である
ことを特徴とするシリカ微粉末。 - 【請求項２】 金属シリコン又はケイ素合金を電気炉で
製造する際に副産される非晶質シリカを主成分とする酸
化物粉末をその抽出水電気伝導度が１００μＳ／ｃｍ以
下となるまで水洗することを特徴とするシリカ微粉末の
製造方法。 - 【請求項３】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）エポキシ樹
脂の硬化剤、（Ｃ）請求項１記載のシリカ微粉末以外の
無機質充填剤及び（Ｄ）請求項１記載のシリカ微粉末を
含有してなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹
脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4684195A JPH08245214A (ja) | 1995-03-07 | 1995-03-07 | シリカ微粉末、その製造法及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4684195A JPH08245214A (ja) | 1995-03-07 | 1995-03-07 | シリカ微粉末、その製造法及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08245214A true JPH08245214A (ja) | 1996-09-24 |
Family
ID=12758574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4684195A Pending JPH08245214A (ja) | 1995-03-07 | 1995-03-07 | シリカ微粉末、その製造法及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08245214A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001048521A (ja) * | 1999-08-13 | 2001-02-20 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 微細球状シリカ粉末とその製造方法および用途 |
| WO2001090242A1 (en) * | 2000-05-25 | 2001-11-29 | Nippon Chemical Industrial Co., Ltd. | Red phosphorus-base flame retardant for epoxy resins, red phosphorus-base flame retardant compositions therefor, processes for the production of both, epoxy resin compositions for sealing semiconductor devices, sealants and semiconductor devices |
| WO2003040048A3 (en) * | 2001-11-07 | 2003-10-16 | Metallkraft As | Method for utilising silica soot from quartz glass production |
| WO2004060802A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Tokuyama Corporation | シリカ微粒子 |
| WO2007077779A1 (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-12 | Toagosei Co., Ltd. | 硫酸イオン無機捕捉剤、無機捕捉組成物並びにそれらを用いた電子部品封止用樹脂組成物、電子部品封止材、電子部品、ワニス、接着剤、ペーストおよび製品 |
| JP2011162789A (ja) * | 2011-03-18 | 2011-08-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
| JP2014195106A (ja) * | 2006-11-15 | 2014-10-09 | Hitachi Chemical Co Ltd | Ｌｅｄ装置の製造方法およびｌｅｄ装置 |
| JP2015096611A (ja) * | 2006-11-15 | 2015-05-21 | 日立化成株式会社 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置 |
-
1995
- 1995-03-07 JP JP4684195A patent/JPH08245214A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001048521A (ja) * | 1999-08-13 | 2001-02-20 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 微細球状シリカ粉末とその製造方法および用途 |
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| US6858300B2 (en) | 2000-05-25 | 2005-02-22 | Nippon Chemical Industrial Co., Ltd | Red phosphorus-base flame retardant for epoxy resins, red phosphorus-base flame retardant compositions therefor, processes for the production of both, epoxy resin compositions for sealing for semiconductor devices, sealants and semiconductor devices |
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| US7452599B2 (en) | 2002-12-27 | 2008-11-18 | Tokuyama Corporation | Fine silica particles having specific fractal structure parameter |
| WO2004060802A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Tokuyama Corporation | シリカ微粒子 |
| KR100714942B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2007-05-07 | 가부시끼가이샤 도꾸야마 | 실리카 미립자 |
| WO2007077779A1 (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-12 | Toagosei Co., Ltd. | 硫酸イオン無機捕捉剤、無機捕捉組成物並びにそれらを用いた電子部品封止用樹脂組成物、電子部品封止材、電子部品、ワニス、接着剤、ペーストおよび製品 |
| JPWO2007077779A1 (ja) * | 2006-01-06 | 2009-06-11 | 東亞合成株式会社 | 硫酸イオン無機捕捉剤、無機捕捉組成物並びにそれらを用いた電子部品封止用樹脂組成物、電子部品封止材、電子部品、ワニス、接着剤、ペーストおよび製品 |
| JP2014195106A (ja) * | 2006-11-15 | 2014-10-09 | Hitachi Chemical Co Ltd | Ｌｅｄ装置の製造方法およびｌｅｄ装置 |
| JP2015096611A (ja) * | 2006-11-15 | 2015-05-21 | 日立化成株式会社 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置 |
| US9387608B2 (en) | 2006-11-15 | 2016-07-12 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Thermosetting resin composition for light reflection, method for manufacturing the resin composition and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition |
| US10381533B2 (en) | 2006-11-15 | 2019-08-13 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using thermosetting resin composition for light reflection |
| JP2011162789A (ja) * | 2011-03-18 | 2011-08-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
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