JPS6210159A - 半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用樹脂組成物Info
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- JPS6210159A JPS6210159A JP60148501A JP14850185A JPS6210159A JP S6210159 A JPS6210159 A JP S6210159A JP 60148501 A JP60148501 A JP 60148501A JP 14850185 A JP14850185 A JP 14850185A JP S6210159 A JPS6210159 A JP S6210159A
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- Japan
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- filler
- particle size
- epoxy resin
- resin composition
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、信頼性及び成形性に優れた半導体封止用樹脂
組成物（以下封止材と略す）に関するものである。
組成物（以下封止材と略す）に関するものである。
（従来の技術）
封止材を用いたトランスファ成形法によるＴＲ５，ＩＣ
，ＬＳＩ等、半導体装置の樹脂封止は、その生産性の良
さから封止法の主流を占めている。さらに封止材の信頼
性向上に伴い、その適用範囲もメモリ、マイコン等のＶ
ＬＳ Ｉまで拡大してきた。特に最近では集積度の向上
が著しく、これに対応してたとえばダイナミックメモリ
を例にとるとアルミ配線巾が１６にビットでは約５μｍ
、６４にビットでは約６μｍ１２５６にビットでは約２
μｍと微細化す傾向にある。また素子サイズも１６にビ
ットでは約２０ＴＭＰ、６４にビットでは約５０ｗ、２
５６ビツトでは約４０ａｆと大型化している。こｎｖｃ
伴い封止材にはよシ一層の信頼性向上を要求されるよう
になってきた。従来、耐湿性の向上については素材の高
純度化などを行なってきた。また、素子サイズの大型化
に対しては、刺止材と素子との膨張率の差によシ発生す
る熱応力を低減するため、封止材の膨張率を小さくした
９、さらｖｃは封止材の弾性率を低下させる処決が用い
られてきた。しかし、膨張″４を下げるために充填材の
闇を増すことは封止材の流動性を低下させる。また弾性
率を小さくすることはガラス転移温度の低下など高温特
性を損う他、耐湿性も損う傾向にあり、いずれの方法に
も限界がある。
，ＬＳＩ等、半導体装置の樹脂封止は、その生産性の良
さから封止法の主流を占めている。さらに封止材の信頼
性向上に伴い、その適用範囲もメモリ、マイコン等のＶ
ＬＳ Ｉまで拡大してきた。特に最近では集積度の向上
が著しく、これに対応してたとえばダイナミックメモリ
を例にとるとアルミ配線巾が１６にビットでは約５μｍ
、６４にビットでは約６μｍ１２５６にビットでは約２
μｍと微細化す傾向にある。また素子サイズも１６にビ
ットでは約２０ＴＭＰ、６４にビットでは約５０ｗ、２
５６ビツトでは約４０ａｆと大型化している。こｎｖｃ
伴い封止材にはよシ一層の信頼性向上を要求されるよう
になってきた。従来、耐湿性の向上については素材の高
純度化などを行なってきた。また、素子サイズの大型化
に対しては、刺止材と素子との膨張率の差によシ発生す
る熱応力を低減するため、封止材の膨張率を小さくした
９、さらｖｃは封止材の弾性率を低下させる処決が用い
られてきた。しかし、膨張″４を下げるために充填材の
闇を増すことは封止材の流動性を低下させる。また弾性
率を小さくすることはガラス転移温度の低下など高温特
性を損う他、耐湿性も損う傾向にあり、いずれの方法に
も限界がある。
（発明が解決しようとする間勉点）
本発明はか〜る状況に′ｔ４みなされたものであってそ
の目的はガラス転移温度や耐湿性などの信頼性に優れ、
かつ成形作業性も良い、産業上有用な封止材を提供する
ことにある。
の目的はガラス転移温度や耐湿性などの信頼性に優れ、
かつ成形作業性も良い、産業上有用な封止材を提供する
ことにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、粒子径１５０μｍ以上を含まず１４９〜１１
０５ａの含有量が０．２ｗｔ％、１４５１−４４μｍの
含有量が６〜３０ｗｔ％、′Ｎ：ｌＩｔ平均粒子径が２
５〜５μｍ１かつ比表面積が２〜４０ｒｎ’／−である
充填材からなること全特徴とする封止材である。
０５ａの含有量が０．２ｗｔ％、１４５１−４４μｍの
含有量が６〜３０ｗｔ％、′Ｎ：ｌＩｔ平均粒子径が２
５〜５μｍ１かつ比表面積が２〜４０ｒｎ’／−である
充填材からなること全特徴とする封止材である。
本発明者等が樹脂封止半導体装置の代表例として６４に
ビットメモリ金と９あけ、１２０℃のプレッシャークッ
カーテス）Ｋおける不良モードを検討した結果、次のこ
とがわかった。（１）素子周辺部のアルミパッド部の腐
食が最も多く発生するが、発生時間は長い。（２）素子
の周辺部以外（素子中央部付近）ｒｃもアルミ配蜘腐食
が発生する。発生数は少ないが、発生に至る時１■は比
較的短い。従来技術である素材の高純度化や低応力化の
手法は、アルミパッド部腐食の改善には有効であったが
、素子周辺部以外で発生するアルミ配線腐食の改善ｖｃ
！′；ｃはとんど効果がなかった。その原因は、アルミ
配線腐食が、素子上のパッシベーシヨン膜の欠陥Ｋｊ５
発生しているためとわかった。そこで、バッシペーシッ
ン膜の欠陥と封止材の関係について鋭意検討した結果、
粗い充填材ｔ−減らすことＶＣエリ欠陥が発生しにくく
なシ、こｎに伴い耐湿性不良が大巾に低減することを見
い出し、本発明に至ったものである。
ビットメモリ金と９あけ、１２０℃のプレッシャークッ
カーテス）Ｋおける不良モードを検討した結果、次のこ
とがわかった。（１）素子周辺部のアルミパッド部の腐
食が最も多く発生するが、発生時間は長い。（２）素子
の周辺部以外（素子中央部付近）ｒｃもアルミ配蜘腐食
が発生する。発生数は少ないが、発生に至る時１■は比
較的短い。従来技術である素材の高純度化や低応力化の
手法は、アルミパッド部腐食の改善には有効であったが
、素子周辺部以外で発生するアルミ配線腐食の改善ｖｃ
！′；ｃはとんど効果がなかった。その原因は、アルミ
配線腐食が、素子上のパッシベーシヨン膜の欠陥Ｋｊ５
発生しているためとわかった。そこで、バッシペーシッ
ン膜の欠陥と封止材の関係について鋭意検討した結果、
粗い充填材ｔ−減らすことＶＣエリ欠陥が発生しにくく
なシ、こｎに伴い耐湿性不良が大巾に低減することを見
い出し、本発明に至ったものである。
一般的に、封止材は最大粒径１４９μｍ以下、平均粒径
１０〜２０μｍのシリカ系充填材ｔ−５０〜７０ ｖｏ
１％含有している。そこで、１０５μｍ、７４μｍ、６
４μｍ、４４μｍの順に粗い充填材を除いた充填材を作
製し、これを用いて耐湿性の評価を行っ友ところ、１０
５μｍ以上の粗い充填材を除くことにより、素子中央部
付近のアルミ配線腐食が発生しないことが明らかになっ
た。実際上は１４９〜１０５μｍの充填材が、充填材総
量のα２ｗｔ％以下であれば不良はほとんど発生しない
。
１０〜２０μｍのシリカ系充填材ｔ−５０〜７０ ｖｏ
１％含有している。そこで、１０５μｍ、７４μｍ、６
４μｍ、４４μｍの順に粗い充填材を除いた充填材を作
製し、これを用いて耐湿性の評価を行っ友ところ、１０
５μｍ以上の粗い充填材を除くことにより、素子中央部
付近のアルミ配線腐食が発生しないことが明らかになっ
た。実際上は１４９〜１０５μｍの充填材が、充填材総
量のα２ｗｔ％以下であれば不良はほとんど発生しない
。
しかし、１０５μｍ以上の充填材を除いた場合、成形作
業性で大きな問題が発生した。すなわち、金型の４０μ
ｍ以上の隙から封止材が流出しくパリが発生し）作業性
を゛著しく損う。この問題についてさらに検討した結果
４０μｍ以上の厚いパリを止めるためｖｃは、１４９〜
４４μｍの充填材含有量が６ｗｔ％以上、平均粒径が５
μｍ以上、かつ比表面積が４０ｍ工／ｇ以下の粗さが必
要であることがわかった。また充填材が粗くなると、金
型の１０μｍ以下の薄いパリも発生しやすくなり、作業
性全署しく損うため単純に粗くすることはできない。薄
いパリを止めるためＴｌｃは１４９〜４４μｍの含有量
が３０ｗｔ％以下、平均粒径が２５μｍ以下、比表面積
か２ ｍ”／ａｎ”以上の細かさ金有する充填材を用い
ることが必要である。
業性で大きな問題が発生した。すなわち、金型の４０μ
ｍ以上の隙から封止材が流出しくパリが発生し）作業性
を゛著しく損う。この問題についてさらに検討した結果
４０μｍ以上の厚いパリを止めるためｖｃは、１４９〜
４４μｍの充填材含有量が６ｗｔ％以上、平均粒径が５
μｍ以上、かつ比表面積が４０ｍ工／ｇ以下の粗さが必
要であることがわかった。また充填材が粗くなると、金
型の１０μｍ以下の薄いパリも発生しやすくなり、作業
性全署しく損うため単純に粗くすることはできない。薄
いパリを止めるためＴｌｃは１４９〜４４μｍの含有量
が３０ｗｔ％以下、平均粒径が２５μｍ以下、比表面積
か２ ｍ”／ａｎ”以上の細かさ金有する充填材を用い
ることが必要である。
本発明で用いることができる充填材としては、溶融シリ
カ、結晶性シリカ、アルミナ、ガラス、ジルコン、マイ
カ、クレー、アスベスト等があげられるが、耐湿性や熱
伝導性の点から、シリカ、アルミナが好適である。また
、充填材の形状は特に限定されないが、球形（完全な球
である必要はないが、角状の形状を持たないもの］であ
ることが好ましい。
カ、結晶性シリカ、アルミナ、ガラス、ジルコン、マイ
カ、クレー、アスベスト等があげられるが、耐湿性や熱
伝導性の点から、シリカ、アルミナが好適である。また
、充填材の形状は特に限定されないが、球形（完全な球
である必要はないが、角状の形状を持たないもの］であ
ることが好ましい。
さらに充填材の量は封止材全体に対して４５〜７５ ｖ
ｏ１％、好ましく！ｆｆ５０〜７０ ｖｏ１％あること
が必要であり、鯖が多いと流動性が者しく低下し、量が
少ないと信頼性が低下する。
ｏ１％、好ましく！ｆｆ５０〜７０ ｖｏ１％あること
が必要であり、鯖が多いと流動性が者しく低下し、量が
少ないと信頼性が低下する。
なお、本発明における充填材の粒度は、混練後の封止材
もしくは半導体封止装置の硬化し友封止材部分を、７０
０±２０℃で５時間以上かけ、完全焼却した灰分の粒度
１／（よシ規定されるものとする。１０５μｍ、７４μ
ｍ、４４ａｍの粒度は、上記灰分をＪＩＳＺ８８０１の
ｇｉ準篩を用いて分粒測定した値とする。また平均粒径
は、ＣＩＬＡＳ社製のＧｒａｎｕ Ｉｏｍｅｔｅｒモデ
ル７１５型で測定した１量平均粒径とする。比表面積は
、湯浅アイオニクス■製カンタンープ表面積測定装置を
用い、ＢＥＴ一点法で測定した値とする。
もしくは半導体封止装置の硬化し友封止材部分を、７０
０±２０℃で５時間以上かけ、完全焼却した灰分の粒度
１／（よシ規定されるものとする。１０５μｍ、７４μ
ｍ、４４ａｍの粒度は、上記灰分をＪＩＳＺ８８０１の
ｇｉ準篩を用いて分粒測定した値とする。また平均粒径
は、ＣＩＬＡＳ社製のＧｒａｎｕ Ｉｏｍｅｔｅｒモデ
ル７１５型で測定した１量平均粒径とする。比表面積は
、湯浅アイオニクス■製カンタンープ表面積測定装置を
用い、ＢＥＴ一点法で測定した値とする。
本発明に用いることができるエポキシ樹脂トしては、た
とえばビスフェノでルＡ、ビスフェノールＦ、レゾルシ
ノール、フェノールノボラック、クレゾールノボラック
などのフェノール類のグリシジルエーテル、ブタンジオ
ール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコ
ールなどのアルコール類のグリシジルエーテル、フタル
酸、イソフタル酸、テレフタル酸、テトラヒドロフタル
酸などのカルボンＭ類のグリシジルエステル、アニリン
、インシア汐−ル酸などの窒素原子に結合した活性水素
をグリシジル基て置換したものなどのグリシジル型エポ
キシ樹脂、分子内のオレフィン結合を過酸等でエポキシ
化して得られるいわゆる脂環型エポキシドなどがあげら
れる。中でもエポキシ当量１８０〜２０５の０−クレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂が耐湿性及びガラス転移
温度など耐熱性に優れており、最も好適である。
とえばビスフェノでルＡ、ビスフェノールＦ、レゾルシ
ノール、フェノールノボラック、クレゾールノボラック
などのフェノール類のグリシジルエーテル、ブタンジオ
ール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコ
ールなどのアルコール類のグリシジルエーテル、フタル
酸、イソフタル酸、テレフタル酸、テトラヒドロフタル
酸などのカルボンＭ類のグリシジルエステル、アニリン
、インシア汐−ル酸などの窒素原子に結合した活性水素
をグリシジル基て置換したものなどのグリシジル型エポ
キシ樹脂、分子内のオレフィン結合を過酸等でエポキシ
化して得られるいわゆる脂環型エポキシドなどがあげら
れる。中でもエポキシ当量１８０〜２０５の０−クレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂が耐湿性及びガラス転移
温度など耐熱性に優れており、最も好適である。
また、硬化剤としては特に制約はないが、ノボラック型
フェノール樹脂、ノボラック型クレゾール樹脂などのフ
ェノール樹脂、テトラヒドロ無水フタル酸、無水ピロメ
リット酸などの酸無水物、ジアミノジフェニルメタン、
ジアミノジフェニルスルフオルなどのアミン類、アジピ
ン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジドなどの２
塩基酸ジヒドラジド類などを用いることができ、エポキ
シ基に対する当量比Ｉ］、５〜１゜５の範囲で、単独も
しくｆ１２ａ以上併用してもかまわない。
フェノール樹脂、ノボラック型クレゾール樹脂などのフ
ェノール樹脂、テトラヒドロ無水フタル酸、無水ピロメ
リット酸などの酸無水物、ジアミノジフェニルメタン、
ジアミノジフェニルスルフオルなどのアミン類、アジピ
ン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジドなどの２
塩基酸ジヒドラジド類などを用いることができ、エポキ
シ基に対する当量比Ｉ］、５〜１゜５の範囲で、単独も
しくｆ１２ａ以上併用してもかまわない。
硬化促進剤としては、たとえば、２−メチルイミダゾー
ル、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−７エニ
ルー４−メチルイミダゾールなどのイミダゾール類、ベ
ンジルジメチルアミン、また１、８−ジアザビシクロ（
５，４，０）ウンデセン−７（ＤＢＵと略す）、ＤＢＵ
のフェノール塩、ノボラック樹脂塩、カリボール塩など
のＤＢｏ銹導体類、トリブチルアミンなどのアミン類、
トリブチルホスフィンやトリフェニルホスフィン、テト
ラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートなど
の有機リン化付物などを用いることができる。さらに可
撓剤としてポリブタジェン、アクリロニトリル−ブタジ
ェン共重合体などのゴム類およびこれらの末端カルボキ
シ、ヒドロキシ、内部エポキシなどを有する変性ゴム類
、シリコーンオイル、シリコーンゴム、シリコーンゲル
、各種官能基、有機基を有するシリコーン化合物などの
オルガノポリシロキサン類、テフロン、フッソゴムなど
のフッソ化合物などを用いることができる。また公知の
可塑剤として７タル酸ジエステル、脂肪族二塩基酸エス
テル、リン酸トリエステル、ダリコールエステルなどを
用いることができる。
ル、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−７エニ
ルー４−メチルイミダゾールなどのイミダゾール類、ベ
ンジルジメチルアミン、また１、８−ジアザビシクロ（
５，４，０）ウンデセン−７（ＤＢＵと略す）、ＤＢＵ
のフェノール塩、ノボラック樹脂塩、カリボール塩など
のＤＢｏ銹導体類、トリブチルアミンなどのアミン類、
トリブチルホスフィンやトリフェニルホスフィン、テト
ラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートなど
の有機リン化付物などを用いることができる。さらに可
撓剤としてポリブタジェン、アクリロニトリル−ブタジ
ェン共重合体などのゴム類およびこれらの末端カルボキ
シ、ヒドロキシ、内部エポキシなどを有する変性ゴム類
、シリコーンオイル、シリコーンゴム、シリコーンゲル
、各種官能基、有機基を有するシリコーン化合物などの
オルガノポリシロキサン類、テフロン、フッソゴムなど
のフッソ化合物などを用いることができる。また公知の
可塑剤として７タル酸ジエステル、脂肪族二塩基酸エス
テル、リン酸トリエステル、ダリコールエステルなどを
用いることができる。
その他層色剤、離型剤、難燃剤、カップリング剤などを
必ｇに応じて用いることができる。
必ｇに応じて用いることができる。
本発明の半導体装置封止用エポキシ樹脂成形材料の農道
方法としては、ミキシングロールや押出機を用いた溶融
混合法が好適であシ、これら方法によシ所望の流動性の
組成物を製造することができる。
方法としては、ミキシングロールや押出機を用いた溶融
混合法が好適であシ、これら方法によシ所望の流動性の
組成物を製造することができる。
以下実施例に基き具体的に説明する。
実施例１〜８及び比較例１〜４
軟化点８２℃エポキシ当１１９８の０−クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂８０重量部。
ラック型エポキシ樹脂８０重量部。
軟化点６５℃、エポキシ当量４００、Ｂｒ化率４８％の
Ｂｒ化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂２０重量部。軟
化点８０℃の２工ノールノボラツク樹脂５０重量部。２
フェニル−４−メチルイミダゾール１３ｔｊ量部。三酸
化アンチモン１０重量部。カルナバワックス２重量部。
Ｂｒ化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂２０重量部。軟
化点８０℃の２工ノールノボラツク樹脂５０重量部。２
フェニル−４−メチルイミダゾール１３ｔｊ量部。三酸
化アンチモン１０重量部。カルナバワックス２重量部。
カーボンブラック１．５１ｊＬ！１部。エポキシシラン
５重量部。以下をペースに、表１に示すように溶融シリ
カ、結晶シリカ、アルミナなどｆ ６０ ｖｏ１％配仕
した。さらに配付した組成物を常法に従い８０℃のミキ
シングロールで５分間溶融混付した後、シート状で取出
し、冷却後粉砕して封止材を作製した。
５重量部。以下をペースに、表１に示すように溶融シリ
カ、結晶シリカ、アルミナなどｆ ６０ ｖｏ１％配仕
した。さらに配付した組成物を常法に従い８０℃のミキ
シングロールで５分間溶融混付した後、シート状で取出
し、冷却後粉砕して封止材を作製した。
表−１充填材のｓｉ類と使用量（ｖｏ１％）ここで表２
に示した特性の試験方法を説明する。
に示した特性の試験方法を説明する。
（１）パリ長：５０μｍ１１０μｍなど所定厚みのスリ
ットを持つ金型を用い、１８０ ±３℃成形圧７０ｋｇ／ａｒｐで流動長を測定した。
ットを持つ金型を用い、１８０ ±３℃成形圧７０ｋｇ／ａｒｐで流動長を測定した。
（２）ガラス転移温度＝１７０℃で６時間アフター硬化
させ次テストピースを用い、熱 膨張曲線の転移点ニジ求めた。
させ次テストピースを用い、熱 膨張曲線の転移点ニジ求めた。
（５）耐湿性：最小配想巾３μｍ、チップサイズ２６−
の素子を用い、１６ ｐｉｎ −ＤＩＰ型半導体装置で
評価した。プレッシ ャクツカーテストは、１２０℃、１ ００％ＲＨＭで１０００時間行ない、 耐湿性不良数を数えた。
の素子を用い、１６ ｐｉｎ −ＤＩＰ型半導体装置で
評価した。プレッシ ャクツカーテストは、１２０℃、１ ００％ＲＨＭで１０００時間行ない、 耐湿性不良数を数えた。
比較例１は従来作られた標準的封止材を用いた例であり
、耐湿性が実施例と比べて悪い他には特に欠点のない材
料である。比較例２は１０５μｍ以上の粗い充填材が十
分に除かれていないため、耐湿性向上効果が小さい。ま
た比較例３は、１０５μｍ以上の粗い充填材が除かれて
いるため耐湿性は向上したが、平均粒径などが粗い方に
か念よりすぎているため、パリ量が増加している。比較
例４は充填材が細かすぎるために、５０μｍでのパリ量
が増えている。こ八に対し、実施例１〜８に示した本発
明による例では、耐湿性が著しく向上しており、またガ
ラス転移温度も低下しておらず、さらにパリ発生が少な
く成形性も良いことがわかる。
、耐湿性が実施例と比べて悪い他には特に欠点のない材
料である。比較例２は１０５μｍ以上の粗い充填材が十
分に除かれていないため、耐湿性向上効果が小さい。ま
た比較例３は、１０５μｍ以上の粗い充填材が除かれて
いるため耐湿性は向上したが、平均粒径などが粗い方に
か念よりすぎているため、パリ量が増加している。比較
例４は充填材が細かすぎるために、５０μｍでのパリ量
が増えている。こ八に対し、実施例１〜８に示した本発
明による例では、耐湿性が著しく向上しており、またガ
ラス転移温度も低下しておらず、さらにパリ発生が少な
く成形性も良いことがわかる。
（発明の効果）
以上詳述したごとく本発明によれば耐湿性に優れ、かつ
高温特性や成形作業性にも優れた封止材を提供すること
が可能となった。
高温特性や成形作業性にも優れた封止材を提供すること
が可能となった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、エポキシ樹脂と充填材とを主成分とする半導体封止
用樹脂組成物において、充填材が粒子径１５０μｍ以上
を含まず、１４９〜１０５μｍの含有量が０．２重量％
以下、１４９〜４４μｍの含有量が６〜３０重量％、平
均粒子径が２５〜５μｍ、かつ比表面積が２〜４０ｍ＾
２／ｃｍ＾２である充填材からなることを特徴とする半
導体封止用樹脂組成物。 ２、エポキシ樹脂がエポキシ当量１８０〜２０５である
０−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂である特許請
求の範囲第１項記載の半導体封止用樹脂組成物。 ３、充填材が溶融シリカ、結晶シリカまたはアルミナの
中から選ばれたものである特許請求の範囲第１項または
第２項記載の半導体封止用樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60148501A JPS6210159A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60148501A JPS6210159A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6210159A true JPS6210159A (ja) | 1987-01-19 |
Family
ID=15454168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60148501A Pending JPS6210159A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6210159A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6484739A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-30 | Nitto Denko Corp | Resin sealed semiconductor device |
| JPH01190748A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH01204456A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-17 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| JPH01206656A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-18 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| JPH0276247A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| JPH02140959A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-30 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| JPH02247236A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-03 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 微細溶融球状シリカ及びこれを用いた封止用樹脂組成物 |
| JP2002275355A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
-
1985
- 1985-07-05 JP JP60148501A patent/JPS6210159A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6484739A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-30 | Nitto Denko Corp | Resin sealed semiconductor device |
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