JPS644540B2 - - Google Patents
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- JPS644540B2 JPS644540B2 JP56079282A JP7928281A JPS644540B2 JP S644540 B2 JPS644540 B2 JP S644540B2 JP 56079282 A JP56079282 A JP 56079282A JP 7928281 A JP7928281 A JP 7928281A JP S644540 B2 JPS644540 B2 JP S644540B2
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は低放射能樹脂組成物特に、半導体電
子部品のパツケージ材又は塗料として有用な樹脂
組成物に関する。
子部品のパツケージ材又は塗料として有用な樹脂
組成物に関する。
最近IC又は高密度集積回路（LSI）等の誤動作
（ソフトエラー）がそれらのパツケージから放射
されるα線に由来することが判明してからパツケ
ージ材料中のα線源を可及的少なくすることが要
求されている。
（ソフトエラー）がそれらのパツケージから放射
されるα線に由来することが判明してからパツケ
ージ材料中のα線源を可及的少なくすることが要
求されている。
而して、α線の放出物質は主にウラン（Ｕ）及
びトリウム（Th）原子であり、従つてパツケー
ジ材料就中、無機質充填材中に含有されている痕
跡量のＵ、Thを除去又は減少させることが必要
になつた。
びトリウム（Th）原子であり、従つてパツケー
ジ材料就中、無機質充填材中に含有されている痕
跡量のＵ、Thを除去又は減少させることが必要
になつた。
無機質充填材はパツケージの耐熱性及び熱伝導
性を良好にするために不可欠物であるが、従来の
無機質充填材はアルミナを主成分とするものであ
るためアルミナ中に比較的多く存在しているＵ、
Thによりソフトエラーを生じ易い欠点があつた。
性を良好にするために不可欠物であるが、従来の
無機質充填材はアルミナを主成分とするものであ
るためアルミナ中に比較的多く存在しているＵ、
Thによりソフトエラーを生じ易い欠点があつた。
本発明はウラン及びトリウムの含有量が夫々
10ppb以下又はこれらの合計含有量が20ppb以下
で粒径が１〜200μmに調整されたシリカ微粉末を
無機質充填材としてシリコーン樹脂又はエポキシ
樹脂等の公知の電子部品パツケージ用合成樹脂中
に混入してなる成型材又は塗料材を提供するもの
であつてLSIチツプ封止用として好適なものであ
る。
10ppb以下又はこれらの合計含有量が20ppb以下
で粒径が１〜200μmに調整されたシリカ微粉末を
無機質充填材としてシリコーン樹脂又はエポキシ
樹脂等の公知の電子部品パツケージ用合成樹脂中
に混入してなる成型材又は塗料材を提供するもの
であつてLSIチツプ封止用として好適なものであ
る。
本発明において無機質充填材は、その平均粒径
が１〜200μmであることが好ましく、1μm以下で
はパツケージ用合成樹脂と配合して成型する際の
流動性が低下して作業性が不良になり、また
200μm以上では半導体チツプを封止する際にリー
ド線の断線を生じ易くなり好ましくない。
が１〜200μmであることが好ましく、1μm以下で
はパツケージ用合成樹脂と配合して成型する際の
流動性が低下して作業性が不良になり、また
200μm以上では半導体チツプを封止する際にリー
ド線の断線を生じ易くなり好ましくない。
なお、樹脂組成物の熱伝導性向上を目的として
粉末粒子を充填する場合において2μ以下の粒度
(A)２〜20μの粒度(B)、20μ以上の粒度(C)として容
量比でＢ／Ａ＝１〜10、Ｃ／（Ａ＋Ｂ）＝0.1〜10
となるような粒度分布を有するものがよい旨報告
されている。（特公昭54―4985） 更に無機質充填材のＵ及びThの含有量は、そ
れぞれ5ppb以下であることが望ましいが20ppb程
度であつてもエラーレートは激減することが確認
されている。
粉末粒子を充填する場合において2μ以下の粒度
(A)２〜20μの粒度(B)、20μ以上の粒度(C)として容
量比でＢ／Ａ＝１〜10、Ｃ／（Ａ＋Ｂ）＝0.1〜10
となるような粒度分布を有するものがよい旨報告
されている。（特公昭54―4985） 更に無機質充填材のＵ及びThの含有量は、そ
れぞれ5ppb以下であることが望ましいが20ppb程
度であつてもエラーレートは激減することが確認
されている。
また、本発明におけるシリカ微粉末の配合割合
は、製品樹脂組成物に50〜90重量％の範囲で混入
される。
は、製品樹脂組成物に50〜90重量％の範囲で混入
される。
なお、本発明における合成樹脂は、前記の樹脂
の他にフエノール樹脂、飽和又は不飽和ポリエス
テル等公知の電子部品パツケージ用樹脂が使用で
きる。
の他にフエノール樹脂、飽和又は不飽和ポリエス
テル等公知の電子部品パツケージ用樹脂が使用で
きる。
本発明樹脂組成物は、低放射能であるからこれ
を高密度集積回路のパツケージ材として使用する
ことによつて例えばMOSRAMの電荷蓄積用キヤ
パシタの面積を大きく（α線による誤作動を防止
するため）設計する必要がなくこれによつてより
集積密度を高めることが可能になる。
を高密度集積回路のパツケージ材として使用する
ことによつて例えばMOSRAMの電荷蓄積用キヤ
パシタの面積を大きく（α線による誤作動を防止
するため）設計する必要がなくこれによつてより
集積密度を高めることが可能になる。
更にパツケージ材料からのα線が少ないので一
般のコーテイング材によるチツプのコーテイング
が容易となり耐湿性を向上することも可能であ
る。
般のコーテイング材によるチツプのコーテイング
が容易となり耐湿性を向上することも可能であ
る。
またこの際本組成物を塗料として用いれば一層
効果的である。
効果的である。
本発明パツケージ材は必要な熱伝導性を有して
いるから内蔵チツプをその発熱から保護する。従
つて各種電子バイスの高密度設計を制約しない利
点がある。
いるから内蔵チツプをその発熱から保護する。従
つて各種電子バイスの高密度設計を制約しない利
点がある。
実施例 １
(A) 充填用シリカ粉末の製造
(1) 四塩化ケイ素蒸気を含有したH21部にO22部
を混合しバーナー出口部で燃焼させて四塩化ケ
イ素を酸化溶融して石英基板上に堆積させてシ
リカの塊状物を得た。
を混合しバーナー出口部で燃焼させて四塩化ケ
イ素を酸化溶融して石英基板上に堆積させてシ
リカの塊状物を得た。
(2) 四塩化ケイ素蒸気を含有したO21部とAr2部
とを高周波プラズマで1000〜1200℃に加熱して
得た微粒状のシリカを溶融冷却した。
とを高周波プラズマで1000〜1200℃に加熱して
得た微粒状のシリカを溶融冷却した。
(3) 四塩化ケイ素を水と室温で反応させ得られた
シリカゾルを可熱脱水して溶融冷却した。
シリカゾルを可熱脱水して溶融冷却した。
(4) トリクロロシランを上記(1)と同様に合成し
た。これらの合成シリカをボールミルで粉砕し
夫々平均粒径100μmの粉末とした。
た。これらの合成シリカをボールミルで粉砕し
夫々平均粒径100μmの粉末とした。
これらの粉末に対して中性子放射化分析を行な
つた結果Ｕ及びThの含有量はいずれの粉末も
5ppb以下であつた。
つた結果Ｕ及びThの含有量はいずれの粉末も
5ppb以下であつた。
(B) 封止材の成型
上記各シリカ粉末の含有量が70重量％となるよ
うにオルソクレゾールノボラツクエポキシ樹脂
100ｇ、フエノールノボラツク樹脂50ｇ、硬化促
進剤ユーランデイシルイミダゾール２ｇ、カーボ
ンブラツク２ｇ、カルナワツクス２ｇシランカツ
プリング剤「Ａ―186」１ｇと配合しミキシング
ロールで10分間混練後粉砕し圧力70Kg／cm2で成型
した。
うにオルソクレゾールノボラツクエポキシ樹脂
100ｇ、フエノールノボラツク樹脂50ｇ、硬化促
進剤ユーランデイシルイミダゾール２ｇ、カーボ
ンブラツク２ｇ、カルナワツクス２ｇシランカツ
プリング剤「Ａ―186」１ｇと配合しミキシング
ロールで10分間混練後粉砕し圧力70Kg／cm2で成型
した。
以上のようにして製造したパツケージ用成型体
２に64KダイナミツクRAMチツプ１を図の如く
封止し、これらのソフトエラーレートを測定した
結果いずれも１ｇ／1000hr以下であつた。
２に64KダイナミツクRAMチツプ１を図の如く
封止し、これらのソフトエラーレートを測定した
結果いずれも１ｇ／1000hr以下であつた。
比較例
バイヤー法で製造された市販のアルミナ粉末
（平均粒径50μ）のＵ、Thの含有量を中性子放射
化分析で測定した結果、Ｕは1ppm、Thは
100ppbであつた。これを原料として実施例１の
(B)と同様にして成型用組成物を作り64Kダイナミ
ツクRAMチツプを封止してソフトエラーレート
を測定した結果10％／1000hr以上であつた。
（平均粒径50μ）のＵ、Thの含有量を中性子放射
化分析で測定した結果、Ｕは1ppm、Thは
100ppbであつた。これを原料として実施例１の
(B)と同様にして成型用組成物を作り64Kダイナミ
ツクRAMチツプを封止してソフトエラーレート
を測定した結果10％／1000hr以上であつた。
図はLSIチツプを封止した拡大断面図である。
Claims (1)
- １ ウラン及び／又はトリウムの含有量の合計が
20ppb以下で粒径を１〜200μmとされたシリカ微
粉末が無機質充填材として、50〜90重量％混入さ
れてなる電子部品パツケージ用低放射能樹脂組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56079282A JPS57195151A (en) | 1981-05-27 | 1981-05-27 | Low-radioactive resin composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56079282A JPS57195151A (en) | 1981-05-27 | 1981-05-27 | Low-radioactive resin composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57195151A JPS57195151A (en) | 1982-11-30 |
| JPS644540B2 true JPS644540B2 (ja) | 1989-01-26 |
Family
ID=13685503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56079282A Granted JPS57195151A (en) | 1981-05-27 | 1981-05-27 | Low-radioactive resin composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57195151A (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56135510A (en) * | 1980-03-26 | 1981-10-23 | Japan Atom Energy Res Inst | Halogenated acenaphthylene polymer and flame-retarding and radiation resistance-imparting agent therefrom |
| JPS5863152A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-14 | Fujikura Ltd | 半導体素子封止用材料 |
| JPS58102546A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体装置 |
| JPS58127354A (ja) * | 1982-01-25 | 1983-07-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体素子封止用樹脂組成物 |
| JPS59221352A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 低放射線性エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6047032A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | タブレツトの製造方法 |
| JPS60180911A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-14 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカおよびその製造法 |
| JPS60191016A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-28 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカゲル |
| JPS6117416A (ja) * | 1984-07-03 | 1986-01-25 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカおよびその製造方法 |
| JPS6140811A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-27 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 溶融用水和シリカおよびこれを用いた溶融シリカの製造方法 |
| JPS6148422A (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-10 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカ及びその製法 |
| JPS6148421A (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-10 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカおよびその製法 |
| JPS61190556A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-25 | Rishiyou Kogyo Kk | 電子部品封止用樹脂組成物 |
| JPS6212609A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-21 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 改質溶融球状シリカおよびその製造方法 |
| JPH0696445B2 (ja) * | 1988-08-25 | 1994-11-30 | 日本化学工業株式会社 | 微細溶融球状シリカおよびその製造法 |
| JPH0694369B2 (ja) * | 1989-05-24 | 1994-11-24 | 日本化学工業株式会社 | 改質溶融球状シリカおよびその製造方法 |
| JP4934085B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2012-05-16 | 電気化学工業株式会社 | エネルギー線硬化性樹脂組成物とそれを用いた接着剤及び硬化体 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5843335B2 (ja) * | 1974-07-04 | 1983-09-26 | ニホンデンシキンゾク カブシキガイシヤ | ゴウセイセキエイガラスノ セイゾウホウ |
| JPS5177612A (ja) * | 1974-12-28 | 1976-07-06 | Toshiba Ceramics Co | Chokojundosekieigarasuseihinno seizohoho |
| FR2334796A2 (fr) * | 1975-06-19 | 1977-07-08 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'isolation thermique d'un caisson en beton pre-contraint |
| JPS54141569A (en) * | 1978-04-26 | 1979-11-02 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS554952A (en) * | 1978-06-28 | 1980-01-14 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS5522816A (en) * | 1978-08-04 | 1980-02-18 | Hitachi Ltd | Resin sealed electronic parts |
| JPS5529532A (en) * | 1978-08-23 | 1980-03-01 | Toshiba Corp | Epoxy resin composition |
| JPS5819136B2 (ja) * | 1979-03-06 | 1983-04-16 | 日東電工株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPS55128850A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-06 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS5610947A (en) * | 1979-07-10 | 1981-02-03 | Toshiba Corp | Semiconductor sealing resin composition |
| JPS5645053A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-24 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS5659837A (en) * | 1979-09-28 | 1981-05-23 | Hitachi Chem Co Ltd | Epoxy resin composition |
| JPS6015152B2 (ja) * | 1980-01-09 | 1985-04-17 | 株式会社日立製作所 | 樹脂封止半導体メモリ装置 |
| JPS56116647A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Hitachi Ltd | Manufacturing of silica-alumina type filler for semiconductor memory element covering resin |
| DE3118130A1 (de) * | 1981-05-07 | 1982-12-02 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektrisch isolierende einkapselungsmasse fuer halbleiteranordnungen |
-
1981
- 1981-05-27 JP JP56079282A patent/JPS57195151A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57195151A (en) | 1982-11-30 |
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