JPH11310688A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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- JPH11310688A JPH11310688A JP10132715A JP13271598A JPH11310688A JP H11310688 A JPH11310688 A JP H11310688A JP 10132715 A JP10132715 A JP 10132715A JP 13271598 A JP13271598 A JP 13271598A JP H11310688 A JPH11310688 A JP H11310688A
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- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12528—Semiconductor component
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂
（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤
（Ｃ）平均粒径０．２〜２０μｍ、かつ比表面積１〜２
０ｍ2／ｇの球状シリカにモリブデン酸亜鉛を担持させ
た難燃剤 （Ｄ）無機充填材 を含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂
組成物。 【効果】 本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、難燃性に優れる硬化物を与えることができ、ハロゲ
ン化エポキシ樹脂、三酸化アンチモンを樹脂組成物中に
含有しないので、人体・環境に対する悪影響もないもの
である。しかも成形時の流動性、硬化性を損なうことな
く、信頼性にも優れるエポキシ樹脂組成物を得ることが
できる。
０ｍ2／ｇの球状シリカにモリブデン酸亜鉛を担持させ
た難燃剤 （Ｄ）無機充填材 を含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂
組成物。 【効果】 本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、難燃性に優れる硬化物を与えることができ、ハロゲ
ン化エポキシ樹脂、三酸化アンチモンを樹脂組成物中に
含有しないので、人体・環境に対する悪影響もないもの
である。しかも成形時の流動性、硬化性を損なうことな
く、信頼性にも優れるエポキシ樹脂組成物を得ることが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、難燃性に優れ、有
毒なＳｂ2Ｏ3を含有しない硬化物を与える半導体封止用
エポキシ樹脂組成物及び該樹脂組成物の硬化物で封止し
た半導体装置に関する。
毒なＳｂ2Ｏ3を含有しない硬化物を与える半導体封止用
エポキシ樹脂組成物及び該樹脂組成物の硬化物で封止し
た半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現在、
半導体デバイスは樹脂封止型のダイオード、トランジス
ター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩが主流であるが、エポキ
シ樹脂が他の熱硬化性樹脂に比べ成形性、接着性、電気
特性、機械特性、耐湿性等に優れているため、エポキシ
樹脂組成物で半導体デバイスを封止することが一般的で
ある。半導体デバイスは、家電製品、コンピュータ等、
我々の生活環境のあらゆる所で使用されている。そのた
め万が一の火災に備えて、半導体封止材には難燃性が要
求されている。
半導体デバイスは樹脂封止型のダイオード、トランジス
ター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩが主流であるが、エポキ
シ樹脂が他の熱硬化性樹脂に比べ成形性、接着性、電気
特性、機械特性、耐湿性等に優れているため、エポキシ
樹脂組成物で半導体デバイスを封止することが一般的で
ある。半導体デバイスは、家電製品、コンピュータ等、
我々の生活環境のあらゆる所で使用されている。そのた
め万が一の火災に備えて、半導体封止材には難燃性が要
求されている。
【０００３】エポキシ樹脂樹成物中には、難燃性を高め
るため、一般にハロゲン化エポキシ樹脂と三酸化アンチ
モンとが配合されている。このハロゲン化エポキシ樹脂
と三酸化アンチモンとの組み合わせは、気相においてラ
ジカルトラップ、空気遮断効果が大きく、その結果、高
い難燃効果が得られるものである。
るため、一般にハロゲン化エポキシ樹脂と三酸化アンチ
モンとが配合されている。このハロゲン化エポキシ樹脂
と三酸化アンチモンとの組み合わせは、気相においてラ
ジカルトラップ、空気遮断効果が大きく、その結果、高
い難燃効果が得られるものである。
【０００４】しかし、ハロゲン化エポキシ樹脂は燃焼時
に有毒ガスを発生するという問題があり、また三酸化ア
ンチモンにも粉体毒性があるため、人体・環境に対する
影響を考慮すると、これらの難燃剤を樹脂組成物中に全
く含まないことが好ましい。
に有毒ガスを発生するという問題があり、また三酸化ア
ンチモンにも粉体毒性があるため、人体・環境に対する
影響を考慮すると、これらの難燃剤を樹脂組成物中に全
く含まないことが好ましい。
【０００５】また、このハロゲン化エポキシ樹脂と三酸
化アンチモンを含有する樹脂組成物は、上述のように人
体・環境に有害であるばかりでなく、このような樹脂組
成物で封止された半導体デバイスは、耐熱性、耐湿性等
の信頼性に劣るという問題もある。この信頼性不良が発
生する理由は、半導体デバイスのＡｌ電極と金ワイヤー
との接合部で金属化合物が生成し、そのため抵抗値が増
加し、更にはワイヤーが断線するからである。そして、
この金属間化合物は、難燃剤として樹脂組成物中に含ま
れているＢｒ-又はＳｂ+の存在がその生成を促進してい
ることが知られている。
化アンチモンを含有する樹脂組成物は、上述のように人
体・環境に有害であるばかりでなく、このような樹脂組
成物で封止された半導体デバイスは、耐熱性、耐湿性等
の信頼性に劣るという問題もある。この信頼性不良が発
生する理由は、半導体デバイスのＡｌ電極と金ワイヤー
との接合部で金属化合物が生成し、そのため抵抗値が増
加し、更にはワイヤーが断線するからである。そして、
この金属間化合物は、難燃剤として樹脂組成物中に含ま
れているＢｒ-又はＳｂ+の存在がその生成を促進してい
ることが知られている。
【０００６】以上の点から、ハロゲン化エポキシ樹脂あ
るいは三酸化アンチモンの代替として、従来からＡｌ
（ＯＨ）3、Ｍｇ（ＯＨ）2等の水酸化物、リン系難燃剤
等の検討がなされてきている。しかしいずれの化合物を
使用しても、成形時の硬化性が悪くなったり、耐湿性が
悪くなる等の問題点があり、実用化には至っていないの
が現状である。
るいは三酸化アンチモンの代替として、従来からＡｌ
（ＯＨ）3、Ｍｇ（ＯＨ）2等の水酸化物、リン系難燃剤
等の検討がなされてきている。しかしいずれの化合物を
使用しても、成形時の硬化性が悪くなったり、耐湿性が
悪くなる等の問題点があり、実用化には至っていないの
が現状である。
【０００７】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
ハロゲン化エポキシ樹脂、三酸化アンチモンを含有せ
ず、難燃性、信頼性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂
組成物及びその硬化物で封止された半導体装置を提供す
ることを目的とする。
ハロゲン化エポキシ樹脂、三酸化アンチモンを含有せ
ず、難燃性、信頼性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂
組成物及びその硬化物で封止された半導体装置を提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者等は、上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結
果、 （Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）フェノール樹脂硬化剤 （Ｃ）平均粒径０．２〜２０μｍ、かつ比表面積１〜２
０ｍ2／ｇの球状シリカにモリブデン酸亜鉛を担持させ
た難燃剤 （Ｄ）無機充填材 を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物が、難燃性
が高く、ハロゲン化エポキシ樹脂、三酸化アンチモンを
含まなくとも信頼性に優れた硬化物を与えることを見出
し、本発明をなすに至ったものである。
発明者等は、上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結
果、 （Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）フェノール樹脂硬化剤 （Ｃ）平均粒径０．２〜２０μｍ、かつ比表面積１〜２
０ｍ2／ｇの球状シリカにモリブデン酸亜鉛を担持させ
た難燃剤 （Ｄ）無機充填材 を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物が、難燃性
が高く、ハロゲン化エポキシ樹脂、三酸化アンチモンを
含まなくとも信頼性に優れた硬化物を与えることを見出
し、本発明をなすに至ったものである。
【０００９】以下、本発明について更に詳しく説明す
る。本発明に用いる（Ａ）成分のエポキシ樹脂は、一分
子中に２個以上のエポキシ基を有すれば特に限定されな
い。一般的な例としては、フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などの
ノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールアルカン型
エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル
骨格含有アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポ
キシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エ
ポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビス
フェノールＦ型エポキシ化合物などのビスフェノール型
エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂等が拳げら
れ、これらのうち１種又は２種以上を併用することがで
きるが、ハロゲン化エポキシ樹脂は使用しない。
る。本発明に用いる（Ａ）成分のエポキシ樹脂は、一分
子中に２個以上のエポキシ基を有すれば特に限定されな
い。一般的な例としては、フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などの
ノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールアルカン型
エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル
骨格含有アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポ
キシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エ
ポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビス
フェノールＦ型エポキシ化合物などのビスフェノール型
エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂等が拳げら
れ、これらのうち１種又は２種以上を併用することがで
きるが、ハロゲン化エポキシ樹脂は使用しない。
【００１０】本発明に用いる（Ｂ）成分のフェノール樹
脂硬化剤も特に限定されるものではない。一般的な硬化
剤としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノ
ボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、ナフ
タレン環含有フェノール樹脂、トリフェノールアルカン
型樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂、アラ
ルキル型フェノール樹脂、ビフェニル骨格含有アラルキ
ル型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、脂
環式フェノール樹脂、複素環型フェノール樹脂、ナフタ
レン環含有フェノール樹脂、ビスフェノールＡ、ビスフ
ェノールＦなどのビスフェノール型フェノール樹脂等が
挙げられ、これらのうち１種又は２種以上を併用するこ
とができる。
脂硬化剤も特に限定されるものではない。一般的な硬化
剤としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノ
ボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、ナフ
タレン環含有フェノール樹脂、トリフェノールアルカン
型樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂、アラ
ルキル型フェノール樹脂、ビフェニル骨格含有アラルキ
ル型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、脂
環式フェノール樹脂、複素環型フェノール樹脂、ナフタ
レン環含有フェノール樹脂、ビスフェノールＡ、ビスフ
ェノールＦなどのビスフェノール型フェノール樹脂等が
挙げられ、これらのうち１種又は２種以上を併用するこ
とができる。
【００１１】また、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノ
ール樹脂硬化剤の配合量比は特に制限されないが、
（Ａ）エポキシ樹脂中に含まれるエポキシ基１モルに対
して、（Ｂ）硬化剤中に含まれるフェノール性水酸基の
モル比が０．５〜１．５、特に０．８〜１．２であるこ
とが好ましい。
ール樹脂硬化剤の配合量比は特に制限されないが、
（Ａ）エポキシ樹脂中に含まれるエポキシ基１モルに対
して、（Ｂ）硬化剤中に含まれるフェノール性水酸基の
モル比が０．５〜１．５、特に０．８〜１．２であるこ
とが好ましい。
【００１２】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、三酸化アンチモン、ブロム化等のハロゲン化エポキ
シ樹脂などの従来の難燃剤を含有せず、難燃剤として平
均粒径０．２〜２０μｍ、かつ比表面積１〜２０ｍ2／
ｇの球状シリカにモリブデン酸亜鉛を担持させた化合物
を使用するものである。モリブデン酸亜鉛自体は、プラ
スチック燃焼時の減煙、チャー生成に効果があることが
知られているが、単独では非常に細かな微粒子であるた
め、樹脂組成物中に分散しにくいという問題がある。し
かし、本発明の平均粒径０．２〜２０μｍ、かつ比表面
積１〜２０ｍ2／ｇの球状シリカにモリブデン酸亜鉛を
担持させた難燃剤を使用することにより、樹脂組成物中
への分散性が良好で、成形時の流動性、硬化性を損なう
ことなく、しかもハロゲン化エポキシ樹脂、三酸化アン
チモンを用いなくとも十分な難燃性が得られ、信頼性に
も優れるエポキシ樹脂組成物を得ることができる。
は、三酸化アンチモン、ブロム化等のハロゲン化エポキ
シ樹脂などの従来の難燃剤を含有せず、難燃剤として平
均粒径０．２〜２０μｍ、かつ比表面積１〜２０ｍ2／
ｇの球状シリカにモリブデン酸亜鉛を担持させた化合物
を使用するものである。モリブデン酸亜鉛自体は、プラ
スチック燃焼時の減煙、チャー生成に効果があることが
知られているが、単独では非常に細かな微粒子であるた
め、樹脂組成物中に分散しにくいという問題がある。し
かし、本発明の平均粒径０．２〜２０μｍ、かつ比表面
積１〜２０ｍ2／ｇの球状シリカにモリブデン酸亜鉛を
担持させた難燃剤を使用することにより、樹脂組成物中
への分散性が良好で、成形時の流動性、硬化性を損なう
ことなく、しかもハロゲン化エポキシ樹脂、三酸化アン
チモンを用いなくとも十分な難燃性が得られ、信頼性に
も優れるエポキシ樹脂組成物を得ることができる。
【００１３】この場合、できるだけ少ないモリブデン酸
亜鉛を用いて難燃化を達成すること、更にエポキシ樹脂
組成物の成形性をも維持又は向上させるには、担持する
充填材（球状シリカ）の形状、粒径、或いは分布が非常
に重要である。
亜鉛を用いて難燃化を達成すること、更にエポキシ樹脂
組成物の成形性をも維持又は向上させるには、担持する
充填材（球状シリカ）の形状、粒径、或いは分布が非常
に重要である。
【００１４】このような点から、モリブデン酸亜鉛担持
体として使用する球状シリカの平均粒径としては０．２
〜２０μｍ、好ましくは０．３〜１０μｍである。この
平均粒径は、例えばレーザー光回折法などによる粒度分
布測定装置等を用いて、重量平均値（メジアン径）など
として求めることができる。平均粒径が０．２μｍ未満
では樹脂組成物中への分散性が悪くなり、また平均粒径
が２０μｍを超えると均一にモリブデン酸亜鉛を分散、
担持することが困難になり、難燃性が低下する。従っ
て、難燃化のためには使用量を多くしなければならず、
経済的にも不利となる。また、比表面積（例えばＢＥＴ
吸着法による）は１〜２０ｍ2／ｇ、好ましくは２〜１
８ｍ2／ｇである。比表面積が１ｍ2／ｇ未満では均一に
モリブデン酸亜鉛を担持することが困難になり、難燃性
が低下し、また比表面積が２０ｍ2／ｇを超えると樹脂
組成物中への分散性が悪くなる。
体として使用する球状シリカの平均粒径としては０．２
〜２０μｍ、好ましくは０．３〜１０μｍである。この
平均粒径は、例えばレーザー光回折法などによる粒度分
布測定装置等を用いて、重量平均値（メジアン径）など
として求めることができる。平均粒径が０．２μｍ未満
では樹脂組成物中への分散性が悪くなり、また平均粒径
が２０μｍを超えると均一にモリブデン酸亜鉛を分散、
担持することが困難になり、難燃性が低下する。従っ
て、難燃化のためには使用量を多くしなければならず、
経済的にも不利となる。また、比表面積（例えばＢＥＴ
吸着法による）は１〜２０ｍ2／ｇ、好ましくは２〜１
８ｍ2／ｇである。比表面積が１ｍ2／ｇ未満では均一に
モリブデン酸亜鉛を担持することが困難になり、難燃性
が低下し、また比表面積が２０ｍ2／ｇを超えると樹脂
組成物中への分散性が悪くなる。
【００１５】また、モリブデン酸亜鉛と担持体である球
状シリカの比率は、本発明の難燃剤全体に対して、モリ
ブデン酸亜鉛の含有量が１〜５０重量％となるような比
率であることが好ましく、更に好ましくは５〜４０重量
％である。１重量％未満では十分な難燃性を得ることが
困難になる場合があり、また５０重量％を超えると球状
シリカにモリブデン酸亜鉛を均一に坦持させることが困
難になる場合がある。
状シリカの比率は、本発明の難燃剤全体に対して、モリ
ブデン酸亜鉛の含有量が１〜５０重量％となるような比
率であることが好ましく、更に好ましくは５〜４０重量
％である。１重量％未満では十分な難燃性を得ることが
困難になる場合があり、また５０重量％を超えると球状
シリカにモリブデン酸亜鉛を均一に坦持させることが困
難になる場合がある。
【００１６】本発明の難燃剤の含有量は、エポキシ樹脂
とフェノール樹脂硬化剤の総量１００重量部に対して１
〜３００重量部、特に３〜２００重量部、とりわけ５〜
１００重量部であることが好ましい。１重量部未満では
十分な難燃効果が得られない場合があり、また３００重
量部を超えると成形時の流動性、硬化性が低下する場合
がある。
とフェノール樹脂硬化剤の総量１００重量部に対して１
〜３００重量部、特に３〜２００重量部、とりわけ５〜
１００重量部であることが好ましい。１重量部未満では
十分な難燃効果が得られない場合があり、また３００重
量部を超えると成形時の流動性、硬化性が低下する場合
がある。
【００１７】また、難燃剤中のモリブデン酸亜鉛含有量
は、エポキシ樹脂とフェノール樹脂硬化剤の総量１００
重量部に対して０．０２〜３５重量部、特に０．１〜３
０重量部、とりわけ０．５〜２５重量部であることが好
ましい。０．０２重量部未満では十分な難燃効果が得ら
れない場合があり、また３５重量部を超えると成形時の
流動性、硬化性が低下する場合がある。
は、エポキシ樹脂とフェノール樹脂硬化剤の総量１００
重量部に対して０．０２〜３５重量部、特に０．１〜３
０重量部、とりわけ０．５〜２５重量部であることが好
ましい。０．０２重量部未満では十分な難燃効果が得ら
れない場合があり、また３５重量部を超えると成形時の
流動性、硬化性が低下する場合がある。
【００１８】本発明の難燃剤中のウラン含有量は、１０
ｐｐｂ以下のものが望ましい。ウラン含有量が１０ｐｐ
ｂを超えると、得られるエポキシ樹脂組成物中のウラン
含有量が高くなり、特にメモリー用封止材として使用し
た場合、半導体デバイスのα線によるソフトエラーが問
題となる場合がある。ウラン含有量を１０ｐｐｂ以下と
するには、モリブデン酸亜鉛を担持させる球状シリカと
して、ウラン含有量が１ｐｐｂ以下の低α線グレードの
ものを使用することが好ましい。
ｐｐｂ以下のものが望ましい。ウラン含有量が１０ｐｐ
ｂを超えると、得られるエポキシ樹脂組成物中のウラン
含有量が高くなり、特にメモリー用封止材として使用し
た場合、半導体デバイスのα線によるソフトエラーが問
題となる場合がある。ウラン含有量を１０ｐｐｂ以下と
するには、モリブデン酸亜鉛を担持させる球状シリカと
して、ウラン含有量が１ｐｐｂ以下の低α線グレードの
ものを使用することが好ましい。
【００１９】本発明の難燃剤は、三酸化アンチモンのよ
うな粉体毒性は認められず、きわめて有効な難燃剤であ
る。本発明の難燃剤としては、市販品を用いることがで
き、例えばＳＨＥＲＷＩＮ−ＷＩＬＬＩＡＭＳ社のＫＥ
ＭＧＡＲＤ１２６０，１２６１，１２７０，１２７１等
が挙げられる。
うな粉体毒性は認められず、きわめて有効な難燃剤であ
る。本発明の難燃剤としては、市販品を用いることがで
き、例えばＳＨＥＲＷＩＮ−ＷＩＬＬＩＡＭＳ社のＫＥ
ＭＧＡＲＤ１２６０，１２６１，１２７０，１２７１等
が挙げられる。
【００２０】本発明のエポキシ樹脂組成物中に配合され
る無機充填材としては、通常エポキシ樹脂組成物に配合
されるものを使用することができる。例えば溶融シリ
カ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、
窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、酸化チタン、
ガラス繊維等が挙げられる。これら無機充填材の平均粒
径や形状は特に限定されないが、成形性及び流動性の面
から平均粒径が５〜４０μｍの球状の溶融シリカが特に
好ましい。
る無機充填材としては、通常エポキシ樹脂組成物に配合
されるものを使用することができる。例えば溶融シリ
カ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、
窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、酸化チタン、
ガラス繊維等が挙げられる。これら無機充填材の平均粒
径や形状は特に限定されないが、成形性及び流動性の面
から平均粒径が５〜４０μｍの球状の溶融シリカが特に
好ましい。
【００２１】無機充填材の充填量は、エポキシ樹脂とフ
ェノール樹脂硬化剤の総量１００重量部に対して４００
〜１２００重量部である。４００重量部未満では膨張係
数が大きくなり、半導体素子に加わる応力が増大し素子
特性の劣化を招く場合があり、また組成物全体に対する
樹脂量が多くなるために、本発明の目的とする難燃性が
得られない場合がある。一方、１２００重量部を超える
と成形時の粘度が高くなり、成形性が悪くなる場合があ
る。この場合、無機充填材の組成物中の含有量（但し、
上記の難燃剤は除く）は５５〜９２重量％、特に５７〜
９０重量％であることが好ましい。
ェノール樹脂硬化剤の総量１００重量部に対して４００
〜１２００重量部である。４００重量部未満では膨張係
数が大きくなり、半導体素子に加わる応力が増大し素子
特性の劣化を招く場合があり、また組成物全体に対する
樹脂量が多くなるために、本発明の目的とする難燃性が
得られない場合がある。一方、１２００重量部を超える
と成形時の粘度が高くなり、成形性が悪くなる場合があ
る。この場合、無機充填材の組成物中の含有量（但し、
上記の難燃剤は除く）は５５〜９２重量％、特に５７〜
９０重量％であることが好ましい。
【００２２】なお、無機充填材は、樹脂と無機充填材と
の結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チ
タネートカップリング剤などのカップリング剤で予め表
面処理したものを配合することが好ましい。このような
カップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジ
エトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシ
ル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、Ｎ
−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメト
キシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、
Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン
等のアミノシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキ
シシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシ
ラン等のメルカプトシランなどのシランカップリング剤
を用いることが好ましい。ここで表面処理に用いるカッ
プリング剤の配合量及び表面処理方法については特に制
限されるものではない。
の結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チ
タネートカップリング剤などのカップリング剤で予め表
面処理したものを配合することが好ましい。このような
カップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジ
エトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシ
ル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、Ｎ
−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメト
キシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、
Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン
等のアミノシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキ
シシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシ
ラン等のメルカプトシランなどのシランカップリング剤
を用いることが好ましい。ここで表面処理に用いるカッ
プリング剤の配合量及び表面処理方法については特に制
限されるものではない。
【００２３】また、本発明において、エポキシ樹脂と硬
化剤との硬化反応を促進させるため、硬化促進剤を用い
ることが好ましい。この硬化促進剤は、硬化反応を促進
させるものであれば特に制限はなく、例えばトリフェニ
ルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチ
ルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホス
フィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラ
ン、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレー
トなどのリン系化合物、トリエチルアミン、ベンジルジ
メチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、
１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７
などの第３級アミン化合物、２−メチルイミダゾール、
２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル
イミダゾールなどのイミダゾール化合物等を使用するこ
とができる。
化剤との硬化反応を促進させるため、硬化促進剤を用い
ることが好ましい。この硬化促進剤は、硬化反応を促進
させるものであれば特に制限はなく、例えばトリフェニ
ルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチ
ルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホス
フィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラ
ン、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレー
トなどのリン系化合物、トリエチルアミン、ベンジルジ
メチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、
１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７
などの第３級アミン化合物、２−メチルイミダゾール、
２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル
イミダゾールなどのイミダゾール化合物等を使用するこ
とができる。
【００２４】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、更に必要に応じて各種の添加剤を配合することがで
きる。例えば熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有
機合成ゴム、シリコーン系等の低応力剤、カルナバワッ
クス、高級脂肪酸、合成ワックス等のワックス類、カー
ボンブラック等の着色剤、ハロゲントラップ剤等の添加
剤を添加配合することができる。
は、更に必要に応じて各種の添加剤を配合することがで
きる。例えば熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有
機合成ゴム、シリコーン系等の低応力剤、カルナバワッ
クス、高級脂肪酸、合成ワックス等のワックス類、カー
ボンブラック等の着色剤、ハロゲントラップ剤等の添加
剤を添加配合することができる。
【００２５】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材、その他の添加
物を所定の組成比で配合し、これをミキサー等によって
十分均一に混合した後、熱ロール、ニーダー、エクスト
ルーダー等による溶融混合処理を行い、次いで冷却固化
させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とすることがで
きる。
は、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材、その他の添加
物を所定の組成比で配合し、これをミキサー等によって
十分均一に混合した後、熱ロール、ニーダー、エクスト
ルーダー等による溶融混合処理を行い、次いで冷却固化
させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とすることがで
きる。
【００２６】このようにして得られる本発明の半導体封
止用エポキシ樹脂組成物は、各種の半導体装置の封止用
に有効に利用でき、この場合、封止の最も一般的な方法
としては、低圧トランスファー成形法が挙げられる。な
お、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の成形温
度は１５０〜１８０℃で３０〜１８０秒、後硬化は１５
０〜１８０℃で２〜１６時間行うことが望ましい。
止用エポキシ樹脂組成物は、各種の半導体装置の封止用
に有効に利用でき、この場合、封止の最も一般的な方法
としては、低圧トランスファー成形法が挙げられる。な
お、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の成形温
度は１５０〜１８０℃で３０〜１８０秒、後硬化は１５
０〜１８０℃で２〜１６時間行うことが望ましい。
【００２７】
【発明の効果】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は、難燃性に優れる硬化物を与えることができ、ハロ
ゲン化エポキシ樹脂、三酸化アンチモンを樹脂組成物中
に含有しないので、人体・環境に対する悪影響もないも
のである。しかも成形時の流動性、硬化性を損なうこと
なく、信頼性にも優れるエポキシ樹脂組成物を得ること
ができる。
物は、難燃性に優れる硬化物を与えることができ、ハロ
ゲン化エポキシ樹脂、三酸化アンチモンを樹脂組成物中
に含有しないので、人体・環境に対する悪影響もないも
のである。しかも成形時の流動性、硬化性を損なうこと
なく、信頼性にも優れるエポキシ樹脂組成物を得ること
ができる。
【００２８】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるもので
はない。なお、以下の例において部はいずれも重量部で
ある。
的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるもので
はない。なお、以下の例において部はいずれも重量部で
ある。
【００２９】［実施例１〜７、比較例１〜４］表１、２
に示す成分を熱２本ロールにて均一に溶融混合し、冷
却、粉砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
使用した原材料を下記に示す。 ・エポキシ樹脂 （イ）ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂：ＥＯ
ＣＮ１０２０−５５（日本化薬製、エポキシ当量２０
０） （ロ）ビフェニル型エポキシ樹脂：ＹＸ４０００ＨＫ
（油化シェル製、エポキシ当量１９０） （ハ）式（１）で表されるエポキシ樹脂：ＮＣ−３００
０Ｐ（日本化薬製、エポキシ当量２７２） ・硬化剤 （ニ）フェノールノボラック樹脂：ＤＬ−９２（明和化
成製、フェノール当量１１０） （ホ）フェノールアラルキル樹脂：ＭＥＨ−７８００Ｓ
Ｓ（明和化成製、フェノール当量１７５） （ヘ）式（２）で表されるフェノール樹脂：ＭＥＨ−７
８５１Ｌ（明和化成製、フェノール当量１９９） ・モリブデン酸亜鉛処理シリカ 平均粒径０．５μｍの球状シリカアドマファインＬＳＯ
−２５Ｈ（アドマテックス社製）に１９重量％のモリブ
デン酸亜鉛を処理したもの ・無機充填材 球状溶融シリカ（（株）龍森製、平均粒径２０μｍ） ・硬化促進剤 トリフェニルホスフィン（北興化学（株）製） ・離型剤：カルナバワックス（日興ファインプロダクツ
（株）製） ・シランカップリング剤：γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシランＫＢＭ−４０３（信越化学工業（株）
製）
に示す成分を熱２本ロールにて均一に溶融混合し、冷
却、粉砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
使用した原材料を下記に示す。 ・エポキシ樹脂 （イ）ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂：ＥＯ
ＣＮ１０２０−５５（日本化薬製、エポキシ当量２０
０） （ロ）ビフェニル型エポキシ樹脂：ＹＸ４０００ＨＫ
（油化シェル製、エポキシ当量１９０） （ハ）式（１）で表されるエポキシ樹脂：ＮＣ−３００
０Ｐ（日本化薬製、エポキシ当量２７２） ・硬化剤 （ニ）フェノールノボラック樹脂：ＤＬ−９２（明和化
成製、フェノール当量１１０） （ホ）フェノールアラルキル樹脂：ＭＥＨ−７８００Ｓ
Ｓ（明和化成製、フェノール当量１７５） （ヘ）式（２）で表されるフェノール樹脂：ＭＥＨ−７
８５１Ｌ（明和化成製、フェノール当量１９９） ・モリブデン酸亜鉛処理シリカ 平均粒径０．５μｍの球状シリカアドマファインＬＳＯ
−２５Ｈ（アドマテックス社製）に１９重量％のモリブ
デン酸亜鉛を処理したもの ・無機充填材 球状溶融シリカ（（株）龍森製、平均粒径２０μｍ） ・硬化促進剤 トリフェニルホスフィン（北興化学（株）製） ・離型剤：カルナバワックス（日興ファインプロダクツ
（株）製） ・シランカップリング剤：γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシランＫＢＭ−４０３（信越化学工業（株）
製）
【００３０】
【化１】
【００３１】これらの組成物につき、以下の諸特性を測
定した。結果を表１、２に示す。 《スパイラルフロー値》ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使
用して、１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間１２０
秒の条件で測定した。 《成形硬度》ＪＩＳ−Ｋ６９１１に準じて１７５℃、７
０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間９０秒の条件で１０×４×１
００ｍｍの棒を成形したときの熱時硬度をバーコール硬
度計で測定した。 《難燃性》ＵＬ−９４規格に基づき、１／１６インチ厚
の板を成形し難燃性を調べた。 《耐湿性》アルミニウム配線を形成した６×６ｍｍの大
きさのシリコンチップを１４ｐｉｎ−ＤＩＰフレーム
（４２アロイ）に接着し、更にチップ表面のアルミニウ
ム電極とリードフレームとを３０μｍφの金線でワイヤ
ボンディングした後、これにエポキシ樹脂組成物を成形
条件１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間１２０秒で
成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした。このパ
ッケージを１４０℃／８５％ＲＨの雰囲気中５Ｖの直流
バイアス電圧をかけて５００時間放置した後、アルミニ
ウム腐食が発生したパッケージ数を調べた。
定した。結果を表１、２に示す。 《スパイラルフロー値》ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使
用して、１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間１２０
秒の条件で測定した。 《成形硬度》ＪＩＳ−Ｋ６９１１に準じて１７５℃、７
０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間９０秒の条件で１０×４×１
００ｍｍの棒を成形したときの熱時硬度をバーコール硬
度計で測定した。 《難燃性》ＵＬ−９４規格に基づき、１／１６インチ厚
の板を成形し難燃性を調べた。 《耐湿性》アルミニウム配線を形成した６×６ｍｍの大
きさのシリコンチップを１４ｐｉｎ−ＤＩＰフレーム
（４２アロイ）に接着し、更にチップ表面のアルミニウ
ム電極とリードフレームとを３０μｍφの金線でワイヤ
ボンディングした後、これにエポキシ樹脂組成物を成形
条件１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間１２０秒で
成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした。このパ
ッケージを１４０℃／８５％ＲＨの雰囲気中５Ｖの直流
バイアス電圧をかけて５００時間放置した後、アルミニ
ウム腐食が発生したパッケージ数を調べた。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【表２】
【００３４】表１、２の結果より、本発明の半導体封止
用エポキシ樹脂組成物は、難燃性に優れる硬化物を与え
ることができ、ハロゲン化エポキシ樹脂、三酸化アンチ
モンを樹脂組成物中に含有しないので、人体・環境に対
する悪影響もないものである。しかも成形時の流動性、
硬化性を損なうことなく、信頼性にも優れるエポキシ樹
脂組成物を得ることができる。
用エポキシ樹脂組成物は、難燃性に優れる硬化物を与え
ることができ、ハロゲン化エポキシ樹脂、三酸化アンチ
モンを樹脂組成物中に含有しないので、人体・環境に対
する悪影響もないものである。しかも成形時の流動性、
硬化性を損なうことなく、信頼性にも優れるエポキシ樹
脂組成物を得ることができる。
【００３５】また本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組
成物で封止された半導体装置は、難燃性に優れ、信頼性
も高いのもである。
成物で封止された半導体装置は、難燃性に優れ、信頼性
も高いのもである。
【００３６】［実施例８〜１１、比較例５〜７］モリブ
デン酸亜鉛を担持させるシリカとして平均粒径の異なる
球状シリカ及び粉砕で得た破砕状シリカを用い、表３に
示す濃度でモリブデン酸亜鉛を担持させた。
デン酸亜鉛を担持させるシリカとして平均粒径の異なる
球状シリカ及び粉砕で得た破砕状シリカを用い、表３に
示す濃度でモリブデン酸亜鉛を担持させた。
【００３７】
【表３】
【００３８】表４に示す成分に難燃剤として表３に示す
モリブデン酸亜鉛担持シリカを配合し、熱２本ロールに
て均一に溶融混合し、冷却、粉砕して半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物を得た。使用した原材料は前記と同様で
ある。
モリブデン酸亜鉛担持シリカを配合し、熱２本ロールに
て均一に溶融混合し、冷却、粉砕して半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物を得た。使用した原材料は前記と同様で
ある。
【００３９】
【表４】
【００４０】表４の結果より、平均粒径が０．１μｍの
ものは表面積が小さすぎて、樹脂との濡れ性が悪化し流
動性が悪く耐湿性も悪化した。また、破砕状のものも多
量に入れると流動性が伴わず成形性の悪いものであっ
た。球状シリカの場合、平均粒径が３０μｍと大きなも
のは均一分散性が悪く難燃性が悪かった。従って、平均
粒径が０．２〜２０μｍの球状シリカにモリブデン酸亜
鉛を処理することで成形性や耐湿性の良好な半導体封止
用エポキシ樹脂組成物を得ることができる。
ものは表面積が小さすぎて、樹脂との濡れ性が悪化し流
動性が悪く耐湿性も悪化した。また、破砕状のものも多
量に入れると流動性が伴わず成形性の悪いものであっ
た。球状シリカの場合、平均粒径が３０μｍと大きなも
のは均一分散性が悪く難燃性が悪かった。従って、平均
粒径が０．２〜２０μｍの球状シリカにモリブデン酸亜
鉛を処理することで成形性や耐湿性の良好な半導体封止
用エポキシ樹脂組成物を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/31 (72)発明者 吉野 正親 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 塩原 利夫 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 長田 将一 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）フェノール樹脂硬化剤 （Ｃ）平均粒径０．２〜２０μｍ、かつ比表面積１〜２
０ｍ2／ｇの球状シリカにモリブデン酸亜鉛を担持させ
た難燃剤 （Ｄ）無機充填材 を含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂
組成物。 - 【請求項２】 （Ｃ）難燃剤の含有量が、（Ａ）エポキ
シ樹脂と（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤の総量１００重量
部に対して１〜３００重量部であることを特徴とする請
求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項３】 （Ｃ）難燃剤中のモリブデン酸亜鉛含有
量が、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）フェノール樹脂硬化
剤の総量１００重量部に対して０．０２〜３５重量部で
あることを特徴とする請求項１記載の半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物。 - 【請求項４】 （Ｃ）難燃剤中のウラン含有量が、１０
ｐｐｂ以下であることを特徴とする請求項１、２又は３
記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１項記載の半
導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止した半導
体装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13271598A JP3479827B2 (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| KR1019990014712A KR100547069B1 (ko) | 1998-04-27 | 1999-04-24 | 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 |
| DE69915161T DE69915161T2 (de) | 1998-04-27 | 1999-04-27 | Flammhemmende Epoxidharzmischung zur Halbleitereinkapselung |
| EP99303240A EP0953603B1 (en) | 1998-04-27 | 1999-04-27 | Flame retardant semiconductor encapsulating epoxy resin compositions |
| US09/841,046 US6518332B2 (en) | 1998-04-27 | 2001-04-25 | Semiconductor encapsulating epoxy resin compositions, and semiconductor devices encapsulated therewith |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13271598A JP3479827B2 (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11310688A true JPH11310688A (ja) | 1999-11-09 |
| JP3479827B2 JP3479827B2 (ja) | 2003-12-15 |
Family
ID=15087893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13271598A Expired - Lifetime JP3479827B2 (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6518332B2 (ja) |
| EP (1) | EP0953603B1 (ja) |
| JP (1) | JP3479827B2 (ja) |
| KR (1) | KR100547069B1 (ja) |
| DE (1) | DE69915161T2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001213943A (ja) * | 2000-02-07 | 2001-08-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2002012741A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2003026779A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| KR100565420B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2006-03-30 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 |
| KR100679368B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2007-02-05 | 주식회사 케이씨씨 | 반도체소자 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한반도체 장치 |
| KR101094343B1 (ko) | 2004-12-31 | 2011-12-20 | 주식회사 케이씨씨 | 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물 |
| JP2012126808A (ja) * | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Momentive Performance Materials Inc | 室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物 |
| WO2014046087A1 (ja) * | 2012-09-21 | 2014-03-27 | 株式会社カネカ | ハロゲン含有難燃繊維とその製造方法及びそれを用いた難燃繊維製品 |
| KR20150026857A (ko) * | 2013-08-29 | 2015-03-11 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반도체 밀봉용 수지조성물 및 그 경화물을 구비한 반도체 장치 |
| CN110194882A (zh) * | 2018-02-24 | 2019-09-03 | 衡所华威电子有限公司 | 一种低alpha环氧模塑料及其制备方法 |
| WO2019187588A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 太陽インキ製造株式会社 | 硬化性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、および、電子部品 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6291556B1 (en) * | 1999-03-26 | 2001-09-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device |
| TW538482B (en) * | 1999-04-26 | 2003-06-21 | Shinetsu Chemical Co | Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device |
| US6610406B2 (en) | 2000-03-23 | 2003-08-26 | Henkel Locktite Corporation | Flame retardant molding compositions |
| US6432540B1 (en) | 2000-03-23 | 2002-08-13 | Loctite Corporation | Flame retardant molding compositions |
| JP3714399B2 (ja) * | 2000-06-19 | 2005-11-09 | 信越化学工業株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| WO2003029321A1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-10 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Epoxy resin compositions and semiconductor devices |
| US20030168731A1 (en) * | 2002-03-11 | 2003-09-11 | Matayabas James Christopher | Thermal interface material and method of fabricating the same |
| MXPA06013323A (es) * | 2004-05-20 | 2007-02-02 | Albemarle Corp | Polimeros estirenicos anionicos bromados, en forma de pellas y su preparacion y uso. |
| US7109591B2 (en) * | 2004-06-04 | 2006-09-19 | Hack Jonathan A | Integrated circuit device |
| JP2009215484A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Toshiba Corp | 樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
| KR101309822B1 (ko) | 2011-05-23 | 2013-09-23 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자 |
| US20140210111A1 (en) * | 2013-01-25 | 2014-07-31 | Apple Inc. | Embedded package on package systems |
| CN105111506A (zh) * | 2015-04-23 | 2015-12-02 | 广西华锑科技有限公司 | 一种锑系消烟阻燃母粒及其制备方法 |
| CN105111505A (zh) * | 2015-04-23 | 2015-12-02 | 广西华锑科技有限公司 | 一种锑系复配阻燃母粒及其制备方法 |
| JP2022174766A (ja) * | 2021-05-12 | 2022-11-25 | 信越化学工業株式会社 | 封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US492732A (en) * | 1893-02-28 | lytle | ||
| US2766139A (en) * | 1955-04-13 | 1956-10-09 | Masonite Corp | Method of producing fire resistant lignocellulose hardboard products |
| US3398019A (en) * | 1963-02-21 | 1968-08-20 | Monsanto Co | Method for fireproofing cellulosic material |
| US3373135A (en) * | 1964-12-01 | 1968-03-12 | Kalk Chemische Fabrik Gmbh | Shaped articles of self-extinguishing epoxy resins |
| US3726694A (en) * | 1971-02-22 | 1973-04-10 | American Metal Climax Inc | Corrosion inhibiting molybdate pigment and process for making same |
| JPS59182546A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-17 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS59204633A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-20 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 低放射能樹脂組成物 |
| JPS6080259A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| DE3401835A1 (de) * | 1984-01-20 | 1985-07-25 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Halogenfreie, flammgeschuetzte thermoplastische formmasse |
| US5476884A (en) * | 1989-02-20 | 1995-12-19 | Toray Industries, Inc. | Semiconductor device-encapsulating epoxy resin composition containing secondary amino functional coupling agents |
| KR950011902B1 (ko) * | 1990-04-04 | 1995-10-12 | 도오레 가부시끼가이샤 | 반도체 장치 캡슐 봉입 에폭시 수지 조성물 |
| EP0501734B1 (en) * | 1991-02-26 | 1997-10-15 | Toray Industries, Inc. | Epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device |
| CA2066497A1 (en) * | 1991-05-01 | 1992-11-02 | Michael K. Gallagher | Epoxy molding composition for surface mount applications |
| EP0705856A2 (en) * | 1994-10-07 | 1996-04-10 | Shell Internationale Researchmaatschappij B.V. | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation |
| JP3858353B2 (ja) * | 1997-06-23 | 2006-12-13 | 日立化成工業株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
| JPH1121432A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-26 | Nippon Shiyaauin Uiriamuzu Kk | 半導体封止材 |
| EP0926196B1 (en) * | 1997-07-02 | 2001-11-21 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Epoxy resin compositions for encapsulating semiconductors, and semiconductor devices |
-
1998
- 1998-04-27 JP JP13271598A patent/JP3479827B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-04-24 KR KR1019990014712A patent/KR100547069B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-04-27 EP EP99303240A patent/EP0953603B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-04-27 DE DE69915161T patent/DE69915161T2/de not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-04-25 US US09/841,046 patent/US6518332B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100565420B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2006-03-30 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 |
| KR100679368B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2007-02-05 | 주식회사 케이씨씨 | 반도체소자 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한반도체 장치 |
| JP2001213943A (ja) * | 2000-02-07 | 2001-08-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2002012741A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2003026779A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| KR101094343B1 (ko) | 2004-12-31 | 2011-12-20 | 주식회사 케이씨씨 | 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물 |
| JP2012126808A (ja) * | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Momentive Performance Materials Inc | 室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物 |
| WO2014046087A1 (ja) * | 2012-09-21 | 2014-03-27 | 株式会社カネカ | ハロゲン含有難燃繊維とその製造方法及びそれを用いた難燃繊維製品 |
| TWI512154B (zh) * | 2012-09-21 | 2015-12-11 | Kaneka Corp | Halogen-containing flame retardant fibers and methods for their manufacture and flame retardant fiber products using the same |
| KR20150026857A (ko) * | 2013-08-29 | 2015-03-11 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반도체 밀봉용 수지조성물 및 그 경화물을 구비한 반도체 장치 |
| CN110194882A (zh) * | 2018-02-24 | 2019-09-03 | 衡所华威电子有限公司 | 一种低alpha环氧模塑料及其制备方法 |
| WO2019187588A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 太陽インキ製造株式会社 | 硬化性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、および、電子部品 |
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