JP3714399B2 - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、難燃性、高温特性に優れ、ハロゲン化エポキシ樹脂、Ｓｂ2Ｏ3（三酸化アンチモン）等のアンチモン化合物を含有しない硬化物を与える半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその硬化物で封止された半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
現在、半導体デバイスは樹脂封止型のダイオード、トランジスター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩが主流であるが、エポキシ樹脂が他の熱硬化性樹脂に比べ成形性、接着性、電気特性、機械特性、耐湿性等に優れているため、エポキシ樹脂組成物で半導体装置を封止することが一般的である。半導体デバイスは、家電製品、コンピューター等、我々の生活環境のあらゆる所で使用されている。そのため万が一の火災に備えて、半導体封止材は耐燃性が要求されている。
【０００３】
従来のエポキシ樹脂組成物中には、耐燃性を高めるため、一般にハロゲン化エポキシ樹脂と三酸化アンチモンとが配合されている。このハロゲン化エポキシ樹脂と三酸化アンチモンとの組み合わせは、気相においてラジカルトラップ、空気遮断効果が大きく、その結果、高い難燃効果が得られるものである。
【０００４】
しかし、高温での環境下ではハロゲン化合物やアンチモン酸化物が分解し、金線とアルミニウム配線の接続部で化学反応を起こし、接続部の抵抗が大きくなったり、断線に至ったり、動作不良を引き起こす原因となる。更にハロゲン化エポキシ樹脂は燃焼時に有毒ガスを発生するという問題があり、また、三酸化アンチモンにも粉体毒性があるため、人体、環境に対する影響を考慮すると、これらの難燃剤を樹脂組成物中に全く含まないことが好ましい。
【０００５】
このような要求に対して、ハロゲン化エポキシ樹脂あるいは三酸化アンチモンの代替として、従来からＡｌ（ＯＨ）3、Ｍｇ（ＯＨ）2等の水酸化物、リン系難燃剤等の検討がなされてきている。しかし、いずれの化合物を使用しても、成形時の硬化性が悪くなったり、耐湿性が悪くなる等の問題点があり、実用化には至っていないのが現状である。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、ハロゲン化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン等のアンチモン化合物を含有せず、難燃性、高温特性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその硬化物で封止された半導体装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）モリブデン化合物を無機質充填剤に２〜５０重量％の含有量で担持させた難燃剤を（Ａ），（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して５〜５０重量部、（Ｄ）上記（Ｃ）成分以外の無機質充填剤を（Ａ），（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して３００〜９００重量部を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、上記（Ａ）、（Ｂ）成分のいずれか一方又は双方が樹脂骨格中に窒素原子を含有するものであり、該窒素原子を、（Ａ），（Ｂ）成分の総量に対し該窒素原子の含有量が１．５〜２０重量％となる割合で含有させたものを使用することにより、該半導体封止用エポキシ樹脂組成物が、ハロゲン化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン等のアンチモン化合物を含有しなくとも、難燃性かつ高温特性に優れた硬化物を与えることを見出し、本発明をなすに至ったものである。
【０００８】
従って、本発明は、
（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、
（Ｃ）モリブデン化合物を無機質充填剤に２〜５０重量％の含有量で担持させた難燃剤を（Ａ），（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して５〜５０重量部、
（Ｄ）上記（Ｃ）成分以外の無機質充填剤を（Ａ），（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して３００〜９００重量部
を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、
上記（Ａ）、（Ｂ）成分のいずれか一方又は双方が樹脂骨格中に窒素原子を含有するものであり、該窒素原子を、（Ａ），（Ｂ）成分の総量に対し該窒素原子の含有量が１．５〜２０重量％となる割合で含有させたものであると共に、ハロゲン化エポキシ樹脂及びアンチモン化合物を含有しないことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びその硬化物にて封止された半導体装置を提供する。
【０００９】
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂は、分子中に少なくとも２個のエポキシ基を有する公知のエポキシ樹脂、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールアルカン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格含有アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂及び下記式（１），（２），（３）に示す樹脂骨格中に窒素原子をメラミン骨格、グアナミン骨格、シアヌル酸エステル骨格等のトリアジン環構造などの形で含むエポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち１種又は２種以上を併用することができる。なお、樹脂骨格中に窒素原子を含むエポキシ樹脂はこれらに限定されるものではない。
【００１０】
【化１】
【００１１】
【化２】
（式中、Ｒ6，Ｒ7は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、１価のフェニルグリシジルエーテル残基、１個の結合手（単結合手）を有するエポキシ樹脂、及び１個の結合手（単結合手）を有する熱可塑性樹脂から選ばれ、Ｒ6，Ｒ7の少なくとも１つは１価のフェニルグリシジルエーテル残基又は１個の結合手を有するエポキシ樹脂である。ｋは１以上の整数であり、通常、１〜３００、好ましくは５〜２５０、更に好ましくは３０〜２５０である。）
【００１２】
ここで、式（１），（２）において、１個の結合手（単結合手）を有するエポキシ樹脂としては、１個の結合手（単結合手）を有するフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、トリフェノールアルカン型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂が挙げられ、１個の結合手を有する熱可塑性樹脂としては１個の結合手を有するポリエーテル、ポリエステル、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリメタクリル酸メチル−ポリブタジエン−ポリスチレン共重合体等の熱可塑性樹脂が挙げられる。
【００１３】
【化３】
【００１４】
一方、本発明に用いる（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、ナフタレン型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂、トリフェノールアルカン型フェノール樹脂、ビフェニル骨格含有アラルキル型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、脂環式フェノール樹脂、複素環型フェノール樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、ビスフェノールＡ型樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂等のビスフェノール型フェノール樹脂及び以下に示すような式（４），（５），（６）の窒素原子をメラミン骨格、グアナミン骨格、シアヌル酸エステル骨格等のトリアジン環構造などの形で含むフェノール樹脂硬化剤等が挙げられ、これらのうち１種又は２種以上を併用することができる。なお、樹脂骨格中に窒素原子を含むフェノール樹脂はこれらに限定されるものではない。
【００１５】
【化４】
（式中、Ｒ8，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ11，Ｒ12は水素原子、アミノ基、１価のフェノール（即ち、ｏ−，ｍ−又はｐ−のヒドロキシフェニル基）、及び１個の結合手（単結合手）を有するフェノール樹脂から選ばれ、Ｒ8，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ11，Ｒ12の少なくとも１つは１価のフェノール又は１個の結合手（単結合手）を有するフェノール樹脂である。ｎは１以上の整数であり、好ましくは１〜１０、更に好ましくは１〜５である。）
【００１６】
【化５】
（式中、Ｒ13，Ｒ14は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、１価のフェノール（即ち、ｏ−，ｍ−又はｐ−のヒドロキシフェニル基）、１個の結合手（単結合手）を有するフェノール樹脂、及び１個の結合手（単結合手）を有する熱可塑性樹脂から選ばれ、Ｒ13，Ｒ14の少なくとも１つは１価のフェノール又は１個の結合手を有するフェノール樹脂である。ｋは１以上の整数であり、通常、１〜３００、好ましくは５〜２５０、更に好ましくは３０〜２５０である。）
【００１７】
ここで、式（４），（５）において、１個の結合手（単結合手）を有するフェノール樹脂としては、１個の結合手を有するフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂、トリフェノールアルカン型フェノール樹脂、ビフェニル骨格含有アラルキル型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、ビスフェノールＡ型樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂等のビスフェノール型フェノール樹脂、脂環式フェノール樹脂、複素環型フェノール樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂等のフェノール樹脂が挙げられ、１個の結合手（単結合手）を有する熱可塑性樹脂としては、１個の結合手を有するポリエーテル、ポリエステル、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリメタクリル酸メチル−ポリブタジエン−ポリスチレン共重合体等の熱可塑性樹脂が挙げられる。
【００１８】
【化６】
【００１９】
（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤の配合量は、特に制限されないが、（Ａ）エポキシ樹脂中に含まれるエポキシ基１モルに対して、（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤中に含まれるフェノール性水酸基のモル比が０．５〜１．４、特に０．８〜１．２であることが好ましい。
【００２０】
フェノール樹脂硬化剤中に含まれる窒素原子の大部分は、１級、２級又は３級アミンの形で存在しており、エポキシ樹脂中のエポキシ基と反応する。一般にフェノール性水酸基よりもアミンの方が反応性が高く、また、温度が高いほど反応が促進されるため、高温で組成物の溶融混合処理を行った場合、溶融混合処理中に硬化反応してしまうおそれがある。したがって、樹脂骨格中に窒素原子を含有するフェノール樹脂硬化剤を配合する組成物は、低温で溶融混合処理することが重要である。アミンとエポキシの反応を抑えるためには溶融混合処理の温度が１２０℃以下、望ましくは１００℃以下である。すなわち樹脂骨格中に窒素原子を含むエポキシ樹脂及び／又はフェノール樹脂硬化剤の軟化点は１２０℃以下、更には１００℃以下であることが望ましい。
【００２１】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分の少なくとも１種として、窒素原子を含有するものを使用するが、その窒素原子の含有量としては、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤の総量に対し、１．５〜２０重量％である。１．５重量％未満では十分な難燃効果が得られず、２０重量％を超えると粘度の増加により成形性が悪くなる。また、耐湿性、保存安定性も低下する。より好ましくは１．５〜１５重量％、特に好ましくは２〜８重量％である。
【００２２】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、（Ｃ）モリブデン化合物を含有する。モリブデン化合物はプラスチック燃焼時の減煙効果、及び炭化層生成促進作用があることが知られている。従来、モリブデン化合物は、三酸化アンチモン同様、ハロゲン化エポキシ樹脂と併用して用いられており、また、モリブデン化合物には三酸化アンチモンのような粉体毒性は認められず、極めて安全な難燃剤である。
【００２３】
本発明に用いられるモリブデン化合物としては、例えばホウ化モリブデン、２ケイ化モリブデン、モリブデンアセチルアセトナート、酸化モリブデン（ＩＶ）、酸化モリブデン（Ｖ）、酸化モリブデン（ＶＩ）、モリブデン酸亜鉛、モリブデン酸炭酸カルシウム、モリブデン酸カルシウム等のモリブデン酸化物、モリブデンホウ化物、モリブデンケイ化物、モリブデンエステル化物、モリブデン酸塩やこれらのモリブデン化合物を無機質充填剤に担持させたものなどが挙げられる。これらの中でもエポキシ樹脂の硬化性に影響を及ぼさない化合物としてモリブデン酸亜鉛が好ましく、特には、無機質充填剤に担持させたモリブデン酸亜鉛が好ましい。
【００２４】
この場合、十分な難燃効果を得るためには、モリブデン酸亜鉛等のモリブデン化合物をエポキシ樹脂組成物中に均一に分散させる必要がある。分散性を向上させるために、予めモリブデン酸亜鉛等のモリブデン化合物をシリカ、タルク等の無機質充填剤に担持させて使用することが望ましい。モリブデン酸亜鉛等のモリブデン化合物を担持させる無機質充填剤としては、球状又は破砕状の溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、タルク、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、酸化チタン、ガラス繊維等が挙げられる。この場合、モリブデン酸亜鉛等のモリブデン化合物担持粉体の平均粒径としては０．１〜４０μｍ、望ましくは０．２〜１５μｍ、より望ましくは０．５〜５μｍ、比表面積（ＢＥＴ吸着法）は０．５〜５０ｍ2／ｇ、望ましくは０．７〜１０ｍ2／ｇである。
【００２５】
なお、本発明において、この平均粒径は、例えばレーザー光回折法等による重量平均値（又はメディアン径）等として求めることができる。
【００２６】
また、無機質充填剤にモリブデン酸亜鉛等のモリブデン化合物を担持させた難燃剤中のモリブデン化合物の含有量は、通常、２〜５０重量％、好ましくは５〜４０重量％、特に１０〜３０重量％であることが好ましい。モリブデン化合物の含有量が少なすぎると十分な難燃効果が得られない場合があり、また多すぎると成形時の流動性、硬化性が低下する場合がある。
【００２７】
このようなモリブデン酸亜鉛担持無機質充填剤としては、例えばＳＨＥＲＷＩＮ−ＷＩＬＬＩＡＭＳ社のＫＥＭＧＡＲＤ １２６０，１２６１，１２７０，１２７１，９１１Ｃ等のＫＥＭＧＡＲＤシリーズなどが挙げられる。
【００２８】
上記（Ｃ）成分、特に上記モリブデン酸亜鉛等のモリブデン化合物を無機質充填剤に担持させた難燃剤の配合量は適宜選定されるが、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤の総量１００重量部に対して５〜５０重量部が好ましい。この場合、難燃剤中のモリブデン酸亜鉛等のモリブデン化合物自体の配合量（なお（Ｃ）成分としてモリブデン化合物を無機質充填剤に担持させることなくそのまま配合する場合には、該モリブデン化合物自体の配合量）は、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤との総量１００重量部に対して０．３〜２０重量部、特に０．６〜１０重量部、とりわけ０．８〜１０重量部であることが好ましい。配合量が少なすぎると十分な難燃効果が得られず、多すぎると得られる組成物の流動性、硬化特性の低下を引き起こすおそれがある。
【００２９】
本発明のエポキシ樹脂組成物中に配合される（Ｃ）成分以外の無機質充填剤（（Ｄ）成分）としては、通常エポキシ樹脂組成物に配合されるものを使用することができる。例えば、球状又は破砕状の溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、酸化チタン、ガラス繊維等が挙げられる。なお、これら無機質充填剤の平均粒径や形状は特に限定されないが、通常は平均粒子径が０．５〜４０μｍ、特には１〜２０μｍ程度のものが好ましく、特に球状の溶融シリカが好適に使用される。
【００３０】
（Ｄ）無機質充填剤の添加量としては、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤の総量１００重量部に対して、３００〜９００重量部が望ましい。３００重量部未満では十分な難燃効果が得られず、９００重量部より多いと、流動性の低下を引き起こす。
【００３１】
なお、本発明に用いられる無機質充填剤は、樹脂と無機質充填剤との結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤などのカップリング剤で予め表面処理したものを配合することが好ましい。
【００３２】
このようなカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性基含有アルコキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ官能性基含有アルコキシシラン、γ−メルカプトトリメトキシシラン等のメルカプト官能性基含有アルコキシシランなどのシランカップリング剤を用いることが好ましい。ここで、表面処理に用いるカップリング剤配合量及び表面処理方法については特に制限されるものではない。
【００３３】
本発明において、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤との硬化反応を促進させるため、硬化促進剤を用いることが好ましい。この硬化促進剤は、硬化反応を促進させるものであれば特に制限されず、例えば、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートなどの有機リン系化合物、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７などの第３級アミン化合物、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾールなどのイミダゾール化合物等を使用することができる。
【００３４】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、更に必要に応じて、各種の添加剤を配合することができる。例えば窒素原子含有熱可塑性樹脂、窒素原子含有熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム等の低応力化剤、カルナバワックス、高級脂肪酸、合成ワックス等のワックス類、カーボンブラック等の着色剤、ハロゲントラップ剤等の添加剤を添加配合することができる。
【００３５】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を成形材料として調製する場合の一般的な方法としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、モリブデン化合物、無機質充填剤、その他の添加物を所定の組成比で配合し、これをミキサー等によって十分均一に混合した後、熱ロール、ニーダー、エクストルーダー等による溶融混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とすることができる。
【００３６】
このようにして得られた成形材料は、各種の半導体装置の封止用に有効に利用することができる。この場合、半導体装置の最も一般的な封止方法としては、低圧トランスファー成形法が挙げられる。なお、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物の成形条件は、１５０〜１８０℃で３０〜１８０秒とすることが好ましく、この後硬化は、１５０〜１８０℃で２〜１６時間行うことが望ましい。
【００３７】
【発明の効果】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、難燃性、高温特性に優れる硬化物を与えることができるものであり、しかもハロゲン化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン等のアンチモン化合物といった有害物質を樹脂組成物中に含有しないので、人体・環境に対する悪影響がないものである。
【００３８】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、下記の例において部は重量部を示す。
【００３９】
［実施例１〜６、比較例１，２］
表１に示す成分を熱２本ロールにて均一に溶融混合し、冷却、粉砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
【００４０】
これらの組成物につき、下記方法によりその性能を評価した。結果を表２に示す。
《スパイラルフロー値》
ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して、成形温度１７５℃，成形圧力６．８６ＭＰａ、成形時間９０秒の条件で成形し、測定した。
《成形硬度》
ＪＩＳ−Ｋ６９１１に準じて成形温度１７５℃，成形圧力６．８６ＭＰａ、成形時間９０秒の条件で１０×４×１００ｍｍの棒を成形したときの熱時硬度をバーコール硬度計で測定した。
《難燃性》
ＵＬ−９４規格に基づき、１／１６インチ厚の板を成形し、難燃性を調べた。
《高温特性》
シリコンチップ上にアルミ配線を形成した模擬素子と部分金メッキされた４２アロイリードフレームとを、太さ３０μｍの金線でボンディングし、成形温度１７５℃，成形圧力６．８６ＭＰａ、成形時間１２０秒の条件で１４ｐｉｎＤＩＰを成形した。１８０℃，４時間ポストキュアしたものを２００℃の乾燥機に５００時間放置した後、樹脂硬化物を発煙硝酸で溶かし、チップ側のボンディング部の引張り強度を測定した。この引張り強度の値が初期値の５０％以下になったものを不良とした。
【００４１】
【表１】
【００４２】
＊（Ａ）成分のエポキシ樹脂と（Ｂ）成分のフェノール樹脂硬化剤の総量に対して組成物全体に含有されている窒素原子の含有割合（重量％）
エポキシ樹脂（イ）：ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；ＥＯＣＮ１０２０−５５（日本化薬（株）製、エポキシ当量２００）
硬化剤（ロ）：下記式（７）で表されるベンゾグアナミン骨格を含有するフェノールノボラック樹脂（窒素原子含有率８重量％，軟化点９４℃，フェノール性水酸基当量１３０）
【化７】
（式中、Ｒ15，Ｒ16，Ｒ17，Ｒ18は水素原子もしくは１個の単結合手を有するフェノールノボラック樹脂であり、Ｒ15，Ｒ16，Ｒ17，Ｒ18の少なくとも１つは１個の単結合手を有するフェノールノボラック樹脂である。ｎはそれぞれ（ロ），（ハ）のフェノール性水酸基当量を満足する１〜１０の整数である。）
硬化剤（ハ）：式（７）で表されるベンゾグアナミン骨格を含有するフェノールノボラック樹脂（窒素原子含有率３５重量％，軟化点１２７℃，フェノール性水酸基当量１６５）
硬化剤（ニ）：下記式（８）で表されるメラミン骨格を含有するフェノール樹脂（窒素原子含有率８重量％，軟化点９０℃，フェノール性水酸基当量１１７）
【化８】
（式中、Ｒ15，Ｒ16，Ｒ17，Ｒ18は水素原子もしくは１個の単結合手を有するフェノールノボラック樹脂であり、Ｒ15，Ｒ16，Ｒ17，Ｒ18の少なくとも１つは１個の単結合手を有するフェノールノボラック樹脂である。ｎは上記フェノール性水酸基当量を満足する１〜１０の整数である。）
硬化剤（ホ）：下記式（９）で表されるフェノール樹脂（窒素原子含有率１２重量％，軟化点１１９℃，水酸基当量１１９）
【化９】
硬化剤（へ）：フェノールノボラック樹脂 ＤＬ―９２（明和化成（株）製 水酸基当量１１０）
ＫＥＭＧＡＲＤ１２６０：モリブデン酸亜鉛担持無機質充填剤（ＳＨＥＲＷＩＮ−ＷＩＬＬＩＡＭＳ製 コア材：球状シリカ；平均粒径０．５μｍ，比表面積５．５ｍ2／ｇ） モリブデン酸亜鉛担持量１８重量％
無機質充填剤：球状溶融シリカ（（株）龍森製，平均粒径１５μｍ）
硬化促進剤：トリフェニルホスフィン（北興化学（株）製）
離型剤：カルナバワックス（日興ファインプロダクツ（株）製）
シランカップリング剤：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン ＫＢＭ４０３（信越化学工業（株）製）
【００４３】
【表２】
【００４４】
表２の結果より、本発明のエポキシ樹脂組成物は、難燃性、高温特性に優れたエポキシ樹脂組成物を与えることが可能である。しかもハロゲン化エポキシ樹脂、三酸化アンチモンを樹脂組成物中に含有しないので、人体・環境に対する悪影響もないものである。
【発明の属する技術分野】
本発明は、難燃性、高温特性に優れ、ハロゲン化エポキシ樹脂、Ｓｂ2Ｏ3（三酸化アンチモン）等のアンチモン化合物を含有しない硬化物を与える半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその硬化物で封止された半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
現在、半導体デバイスは樹脂封止型のダイオード、トランジスター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩが主流であるが、エポキシ樹脂が他の熱硬化性樹脂に比べ成形性、接着性、電気特性、機械特性、耐湿性等に優れているため、エポキシ樹脂組成物で半導体装置を封止することが一般的である。半導体デバイスは、家電製品、コンピューター等、我々の生活環境のあらゆる所で使用されている。そのため万が一の火災に備えて、半導体封止材は耐燃性が要求されている。
【０００３】
従来のエポキシ樹脂組成物中には、耐燃性を高めるため、一般にハロゲン化エポキシ樹脂と三酸化アンチモンとが配合されている。このハロゲン化エポキシ樹脂と三酸化アンチモンとの組み合わせは、気相においてラジカルトラップ、空気遮断効果が大きく、その結果、高い難燃効果が得られるものである。
【０００４】
しかし、高温での環境下ではハロゲン化合物やアンチモン酸化物が分解し、金線とアルミニウム配線の接続部で化学反応を起こし、接続部の抵抗が大きくなったり、断線に至ったり、動作不良を引き起こす原因となる。更にハロゲン化エポキシ樹脂は燃焼時に有毒ガスを発生するという問題があり、また、三酸化アンチモンにも粉体毒性があるため、人体、環境に対する影響を考慮すると、これらの難燃剤を樹脂組成物中に全く含まないことが好ましい。
【０００５】
このような要求に対して、ハロゲン化エポキシ樹脂あるいは三酸化アンチモンの代替として、従来からＡｌ（ＯＨ）3、Ｍｇ（ＯＨ）2等の水酸化物、リン系難燃剤等の検討がなされてきている。しかし、いずれの化合物を使用しても、成形時の硬化性が悪くなったり、耐湿性が悪くなる等の問題点があり、実用化には至っていないのが現状である。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、ハロゲン化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン等のアンチモン化合物を含有せず、難燃性、高温特性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその硬化物で封止された半導体装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）モリブデン化合物を無機質充填剤に２〜５０重量％の含有量で担持させた難燃剤を（Ａ），（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して５〜５０重量部、（Ｄ）上記（Ｃ）成分以外の無機質充填剤を（Ａ），（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して３００〜９００重量部を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、上記（Ａ）、（Ｂ）成分のいずれか一方又は双方が樹脂骨格中に窒素原子を含有するものであり、該窒素原子を、（Ａ），（Ｂ）成分の総量に対し該窒素原子の含有量が１．５〜２０重量％となる割合で含有させたものを使用することにより、該半導体封止用エポキシ樹脂組成物が、ハロゲン化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン等のアンチモン化合物を含有しなくとも、難燃性かつ高温特性に優れた硬化物を与えることを見出し、本発明をなすに至ったものである。
【０００８】
従って、本発明は、
（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、
（Ｃ）モリブデン化合物を無機質充填剤に２〜５０重量％の含有量で担持させた難燃剤を（Ａ），（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して５〜５０重量部、
（Ｄ）上記（Ｃ）成分以外の無機質充填剤を（Ａ），（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して３００〜９００重量部
を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、
上記（Ａ）、（Ｂ）成分のいずれか一方又は双方が樹脂骨格中に窒素原子を含有するものであり、該窒素原子を、（Ａ），（Ｂ）成分の総量に対し該窒素原子の含有量が１．５〜２０重量％となる割合で含有させたものであると共に、ハロゲン化エポキシ樹脂及びアンチモン化合物を含有しないことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びその硬化物にて封止された半導体装置を提供する。
【０００９】
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂は、分子中に少なくとも２個のエポキシ基を有する公知のエポキシ樹脂、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールアルカン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格含有アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂及び下記式（１），（２），（３）に示す樹脂骨格中に窒素原子をメラミン骨格、グアナミン骨格、シアヌル酸エステル骨格等のトリアジン環構造などの形で含むエポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち１種又は２種以上を併用することができる。なお、樹脂骨格中に窒素原子を含むエポキシ樹脂はこれらに限定されるものではない。
【００１０】
【化１】
【化２】
【００１２】
ここで、式（１），（２）において、１個の結合手（単結合手）を有するエポキシ樹脂としては、１個の結合手（単結合手）を有するフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、トリフェノールアルカン型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂が挙げられ、１個の結合手を有する熱可塑性樹脂としては１個の結合手を有するポリエーテル、ポリエステル、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリメタクリル酸メチル−ポリブタジエン−ポリスチレン共重合体等の熱可塑性樹脂が挙げられる。
【００１３】
【化３】
一方、本発明に用いる（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、ナフタレン型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂、トリフェノールアルカン型フェノール樹脂、ビフェニル骨格含有アラルキル型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、脂環式フェノール樹脂、複素環型フェノール樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、ビスフェノールＡ型樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂等のビスフェノール型フェノール樹脂及び以下に示すような式（４），（５），（６）の窒素原子をメラミン骨格、グアナミン骨格、シアヌル酸エステル骨格等のトリアジン環構造などの形で含むフェノール樹脂硬化剤等が挙げられ、これらのうち１種又は２種以上を併用することができる。なお、樹脂骨格中に窒素原子を含むフェノール樹脂はこれらに限定されるものではない。
【００１５】
【化４】
【００１６】
【化５】
【００１７】
ここで、式（４），（５）において、１個の結合手（単結合手）を有するフェノール樹脂としては、１個の結合手を有するフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂、トリフェノールアルカン型フェノール樹脂、ビフェニル骨格含有アラルキル型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、ビスフェノールＡ型樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂等のビスフェノール型フェノール樹脂、脂環式フェノール樹脂、複素環型フェノール樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂等のフェノール樹脂が挙げられ、１個の結合手（単結合手）を有する熱可塑性樹脂としては、１個の結合手を有するポリエーテル、ポリエステル、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリメタクリル酸メチル−ポリブタジエン−ポリスチレン共重合体等の熱可塑性樹脂が挙げられる。
【００１８】
【化６】
（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤の配合量は、特に制限されないが、（Ａ）エポキシ樹脂中に含まれるエポキシ基１モルに対して、（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤中に含まれるフェノール性水酸基のモル比が０．５〜１．４、特に０．８〜１．２であることが好ましい。
【００２０】
フェノール樹脂硬化剤中に含まれる窒素原子の大部分は、１級、２級又は３級アミンの形で存在しており、エポキシ樹脂中のエポキシ基と反応する。一般にフェノール性水酸基よりもアミンの方が反応性が高く、また、温度が高いほど反応が促進されるため、高温で組成物の溶融混合処理を行った場合、溶融混合処理中に硬化反応してしまうおそれがある。したがって、樹脂骨格中に窒素原子を含有するフェノール樹脂硬化剤を配合する組成物は、低温で溶融混合処理することが重要である。アミンとエポキシの反応を抑えるためには溶融混合処理の温度が１２０℃以下、望ましくは１００℃以下である。すなわち樹脂骨格中に窒素原子を含むエポキシ樹脂及び／又はフェノール樹脂硬化剤の軟化点は１２０℃以下、更には１００℃以下であることが望ましい。
【００２１】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分の少なくとも１種として、窒素原子を含有するものを使用するが、その窒素原子の含有量としては、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤の総量に対し、１．５〜２０重量％である。１．５重量％未満では十分な難燃効果が得られず、２０重量％を超えると粘度の増加により成形性が悪くなる。また、耐湿性、保存安定性も低下する。より好ましくは１．５〜１５重量％、特に好ましくは２〜８重量％である。
【００２２】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、（Ｃ）モリブデン化合物を含有する。モリブデン化合物はプラスチック燃焼時の減煙効果、及び炭化層生成促進作用があることが知られている。従来、モリブデン化合物は、三酸化アンチモン同様、ハロゲン化エポキシ樹脂と併用して用いられており、また、モリブデン化合物には三酸化アンチモンのような粉体毒性は認められず、極めて安全な難燃剤である。
【００２３】
本発明に用いられるモリブデン化合物としては、例えばホウ化モリブデン、２ケイ化モリブデン、モリブデンアセチルアセトナート、酸化モリブデン（ＩＶ）、酸化モリブデン（Ｖ）、酸化モリブデン（ＶＩ）、モリブデン酸亜鉛、モリブデン酸炭酸カルシウム、モリブデン酸カルシウム等のモリブデン酸化物、モリブデンホウ化物、モリブデンケイ化物、モリブデンエステル化物、モリブデン酸塩やこれらのモリブデン化合物を無機質充填剤に担持させたものなどが挙げられる。これらの中でもエポキシ樹脂の硬化性に影響を及ぼさない化合物としてモリブデン酸亜鉛が好ましく、特には、無機質充填剤に担持させたモリブデン酸亜鉛が好ましい。
【００２４】
この場合、十分な難燃効果を得るためには、モリブデン酸亜鉛等のモリブデン化合物をエポキシ樹脂組成物中に均一に分散させる必要がある。分散性を向上させるために、予めモリブデン酸亜鉛等のモリブデン化合物をシリカ、タルク等の無機質充填剤に担持させて使用することが望ましい。モリブデン酸亜鉛等のモリブデン化合物を担持させる無機質充填剤としては、球状又は破砕状の溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、タルク、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、酸化チタン、ガラス繊維等が挙げられる。この場合、モリブデン酸亜鉛等のモリブデン化合物担持粉体の平均粒径としては０．１〜４０μｍ、望ましくは０．２〜１５μｍ、より望ましくは０．５〜５μｍ、比表面積（ＢＥＴ吸着法）は０．５〜５０ｍ2／ｇ、望ましくは０．７〜１０ｍ2／ｇである。
【００２５】
なお、本発明において、この平均粒径は、例えばレーザー光回折法等による重量平均値（又はメディアン径）等として求めることができる。
【００２６】
また、無機質充填剤にモリブデン酸亜鉛等のモリブデン化合物を担持させた難燃剤中のモリブデン化合物の含有量は、通常、２〜５０重量％、好ましくは５〜４０重量％、特に１０〜３０重量％であることが好ましい。モリブデン化合物の含有量が少なすぎると十分な難燃効果が得られない場合があり、また多すぎると成形時の流動性、硬化性が低下する場合がある。
【００２７】
このようなモリブデン酸亜鉛担持無機質充填剤としては、例えばＳＨＥＲＷＩＮ−ＷＩＬＬＩＡＭＳ社のＫＥＭＧＡＲＤ １２６０，１２６１，１２７０，１２７１，９１１Ｃ等のＫＥＭＧＡＲＤシリーズなどが挙げられる。
【００２８】
上記（Ｃ）成分、特に上記モリブデン酸亜鉛等のモリブデン化合物を無機質充填剤に担持させた難燃剤の配合量は適宜選定されるが、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤の総量１００重量部に対して５〜５０重量部が好ましい。この場合、難燃剤中のモリブデン酸亜鉛等のモリブデン化合物自体の配合量（なお（Ｃ）成分としてモリブデン化合物を無機質充填剤に担持させることなくそのまま配合する場合には、該モリブデン化合物自体の配合量）は、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤との総量１００重量部に対して０．３〜２０重量部、特に０．６〜１０重量部、とりわけ０．８〜１０重量部であることが好ましい。配合量が少なすぎると十分な難燃効果が得られず、多すぎると得られる組成物の流動性、硬化特性の低下を引き起こすおそれがある。
【００２９】
本発明のエポキシ樹脂組成物中に配合される（Ｃ）成分以外の無機質充填剤（（Ｄ）成分）としては、通常エポキシ樹脂組成物に配合されるものを使用することができる。例えば、球状又は破砕状の溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、酸化チタン、ガラス繊維等が挙げられる。なお、これら無機質充填剤の平均粒径や形状は特に限定されないが、通常は平均粒子径が０．５〜４０μｍ、特には１〜２０μｍ程度のものが好ましく、特に球状の溶融シリカが好適に使用される。
【００３０】
（Ｄ）無機質充填剤の添加量としては、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤の総量１００重量部に対して、３００〜９００重量部が望ましい。３００重量部未満では十分な難燃効果が得られず、９００重量部より多いと、流動性の低下を引き起こす。
【００３１】
なお、本発明に用いられる無機質充填剤は、樹脂と無機質充填剤との結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤などのカップリング剤で予め表面処理したものを配合することが好ましい。
【００３２】
このようなカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性基含有アルコキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ官能性基含有アルコキシシラン、γ−メルカプトトリメトキシシラン等のメルカプト官能性基含有アルコキシシランなどのシランカップリング剤を用いることが好ましい。ここで、表面処理に用いるカップリング剤配合量及び表面処理方法については特に制限されるものではない。
【００３３】
本発明において、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤との硬化反応を促進させるため、硬化促進剤を用いることが好ましい。この硬化促進剤は、硬化反応を促進させるものであれば特に制限されず、例えば、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートなどの有機リン系化合物、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７などの第３級アミン化合物、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾールなどのイミダゾール化合物等を使用することができる。
【００３４】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、更に必要に応じて、各種の添加剤を配合することができる。例えば窒素原子含有熱可塑性樹脂、窒素原子含有熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム等の低応力化剤、カルナバワックス、高級脂肪酸、合成ワックス等のワックス類、カーボンブラック等の着色剤、ハロゲントラップ剤等の添加剤を添加配合することができる。
【００３５】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を成形材料として調製する場合の一般的な方法としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、モリブデン化合物、無機質充填剤、その他の添加物を所定の組成比で配合し、これをミキサー等によって十分均一に混合した後、熱ロール、ニーダー、エクストルーダー等による溶融混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とすることができる。
【００３６】
このようにして得られた成形材料は、各種の半導体装置の封止用に有効に利用することができる。この場合、半導体装置の最も一般的な封止方法としては、低圧トランスファー成形法が挙げられる。なお、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物の成形条件は、１５０〜１８０℃で３０〜１８０秒とすることが好ましく、この後硬化は、１５０〜１８０℃で２〜１６時間行うことが望ましい。
【００３７】
【発明の効果】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、難燃性、高温特性に優れる硬化物を与えることができるものであり、しかもハロゲン化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン等のアンチモン化合物といった有害物質を樹脂組成物中に含有しないので、人体・環境に対する悪影響がないものである。
【００３８】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、下記の例において部は重量部を示す。
【００３９】
［実施例１〜６、比較例１，２］
表１に示す成分を熱２本ロールにて均一に溶融混合し、冷却、粉砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
【００４０】
これらの組成物につき、下記方法によりその性能を評価した。結果を表２に示す。
《スパイラルフロー値》
ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して、成形温度１７５℃，成形圧力６．８６ＭＰａ、成形時間９０秒の条件で成形し、測定した。
《成形硬度》
ＪＩＳ−Ｋ６９１１に準じて成形温度１７５℃，成形圧力６．８６ＭＰａ、成形時間９０秒の条件で１０×４×１００ｍｍの棒を成形したときの熱時硬度をバーコール硬度計で測定した。
《難燃性》
ＵＬ−９４規格に基づき、１／１６インチ厚の板を成形し、難燃性を調べた。
《高温特性》
シリコンチップ上にアルミ配線を形成した模擬素子と部分金メッキされた４２アロイリードフレームとを、太さ３０μｍの金線でボンディングし、成形温度１７５℃，成形圧力６．８６ＭＰａ、成形時間１２０秒の条件で１４ｐｉｎＤＩＰを成形した。１８０℃，４時間ポストキュアしたものを２００℃の乾燥機に５００時間放置した後、樹脂硬化物を発煙硝酸で溶かし、チップ側のボンディング部の引張り強度を測定した。この引張り強度の値が初期値の５０％以下になったものを不良とした。
【００４１】
【表１】
＊（Ａ）成分のエポキシ樹脂と（Ｂ）成分のフェノール樹脂硬化剤の総量に対して組成物全体に含有されている窒素原子の含有割合（重量％）
エポキシ樹脂（イ）：ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；ＥＯＣＮ１０２０−５５（日本化薬（株）製、エポキシ当量２００）
硬化剤（ロ）：下記式（７）で表されるベンゾグアナミン骨格を含有するフェノールノボラック樹脂（窒素原子含有率８重量％，軟化点９４℃，フェノール性水酸基当量１３０）
【化７】
硬化剤（ハ）：式（７）で表されるベンゾグアナミン骨格を含有するフェノールノボラック樹脂（窒素原子含有率３５重量％，軟化点１２７℃，フェノール性水酸基当量１６５）
硬化剤（ニ）：下記式（８）で表されるメラミン骨格を含有するフェノール樹脂（窒素原子含有率８重量％，軟化点９０℃，フェノール性水酸基当量１１７）
【化８】
硬化剤（ホ）：下記式（９）で表されるフェノール樹脂（窒素原子含有率１２重量％，軟化点１１９℃，水酸基当量１１９）
【化９】
ＫＥＭＧＡＲＤ１２６０：モリブデン酸亜鉛担持無機質充填剤（ＳＨＥＲＷＩＮ−ＷＩＬＬＩＡＭＳ製 コア材：球状シリカ；平均粒径０．５μｍ，比表面積５．５ｍ2／ｇ） モリブデン酸亜鉛担持量１８重量％
無機質充填剤：球状溶融シリカ（（株）龍森製，平均粒径１５μｍ）
硬化促進剤：トリフェニルホスフィン（北興化学（株）製）
離型剤：カルナバワックス（日興ファインプロダクツ（株）製）
シランカップリング剤：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン ＫＢＭ４０３（信越化学工業（株）製）
【００４３】
【表２】
表２の結果より、本発明のエポキシ樹脂組成物は、難燃性、高温特性に優れたエポキシ樹脂組成物を与えることが可能である。しかもハロゲン化エポキシ樹脂、三酸化アンチモンを樹脂組成物中に含有しないので、人体・環境に対する悪影響もないものである。
Claims (4)
- （Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、
（Ｃ）モリブデン化合物を無機質充填剤に２〜５０重量％の含有量で担持させた難燃剤を（Ａ），（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して５〜５０重量部、
（Ｄ）上記（Ｃ）成分以外の無機質充填剤を（Ａ），（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して３００〜９００重量部
を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、
上記（Ａ）、（Ｂ）成分のいずれか一方又は双方が樹脂骨格中に窒素原子を含有するものであり、該窒素原子を、（Ａ），（Ｂ）成分の総量に対し該窒素原子の含有量が１．５〜２０重量％となる割合で含有させたものであると共に、ハロゲン化エポキシ樹脂及びアンチモン化合物を含有しないことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - （Ａ）成分及び／又は（Ｂ）成分として下記式（１）〜（６）で示される１種又は２種以上の樹脂を使用した請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- モリブデン化合物が、モリブデン酸亜鉛であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項１乃至３のいずれか１項記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物にて封止された半導体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000183054A JP3714399B2 (ja) | 2000-06-19 | 2000-06-19 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| KR1020010034263A KR100781042B1 (ko) | 2000-06-19 | 2001-06-18 | 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 |
| US09/883,276 US6894091B2 (en) | 2000-06-19 | 2001-06-19 | Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000183054A JP3714399B2 (ja) | 2000-06-19 | 2000-06-19 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002003577A JP2002003577A (ja) | 2002-01-09 |
| JP3714399B2 true JP3714399B2 (ja) | 2005-11-09 |
Family
ID=18683695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000183054A Expired - Fee Related JP3714399B2 (ja) | 2000-06-19 | 2000-06-19 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6894091B2 (ja) |
| JP (1) | JP3714399B2 (ja) |
| KR (1) | KR100781042B1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI228639B (en) * | 2000-11-15 | 2005-03-01 | Vantico Ag | Positive type photosensitive epoxy resin composition and printed circuit board using the same |
| KR20040071513A (ko) * | 2003-02-06 | 2004-08-12 | 주식회사 금강고려화학 | 반도체소자 봉지용 에폭시수지 조성물 |
| TWI282259B (en) | 2004-01-30 | 2007-06-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Adhesion assisting agent-bearing metal foil, printed wiring board, and production method of printed wiring board |
| TW200842135A (en) * | 2007-04-23 | 2008-11-01 | Chang Chun Plastics Co Ltd | Flame retardant resin composition |
| KR101429839B1 (ko) * | 2010-03-26 | 2014-08-12 | 파나소닉 주식회사 | 프리프레그용 에폭시 수지 조성물, 프리프레그, 및 다층 프린트 배선판 |
| KR101127934B1 (ko) * | 2010-04-28 | 2012-03-23 | 주식회사 케이씨씨 | 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물 |
| CN107641290A (zh) * | 2016-07-21 | 2018-01-30 | 广东广山新材料股份有限公司 | 一种阻燃树脂组合物、热固性树脂组合物、阻燃性工程塑料及复合金属基板 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6214455B1 (en) * | 1995-09-29 | 2001-04-10 | Toshiba Chemical Corporation | Bisphenol A and novolak epoxy resins with nitrogen-containing phenolic resin |
| JP3714377B2 (ja) * | 1997-05-23 | 2005-11-09 | 信越化学工業株式会社 | 難燃性エポキシ樹脂組成物 |
| CN1099441C (zh) * | 1997-07-02 | 2003-01-22 | 住友电木株式会社 | 半导体密封用的环氧树脂组合物和半导体器件 |
| JP3479827B2 (ja) * | 1998-04-27 | 2003-12-15 | 信越化学工業株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
-
2000
- 2000-06-19 JP JP2000183054A patent/JP3714399B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-06-18 KR KR1020010034263A patent/KR100781042B1/ko active IP Right Grant
- 2001-06-19 US US09/883,276 patent/US6894091B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010113532A (ko) | 2001-12-28 |
| KR100781042B1 (ko) | 2007-11-29 |
| US6894091B2 (en) | 2005-05-17 |
| US20020016398A1 (en) | 2002-02-07 |
| JP2002003577A (ja) | 2002-01-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050318 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050610 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050803 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050816 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080902 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |