JPS59182546A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS59182546A JPS59182546A JP58057345A JP5734583A JPS59182546A JP S59182546 A JPS59182546 A JP S59182546A JP 58057345 A JP58057345 A JP 58057345A JP 5734583 A JP5734583 A JP 5734583A JP S59182546 A JPS59182546 A JP S59182546A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- semiconductor device
- hardener
- flame
- molybdenum trioxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は発燃時の煙発生抑制効果に没れる半導体装置に
関するものである。
関するものである。
近年IC,LSI、トランジスター等の半導体素子を熱
硬化性樹脂組成物、特tこエポキシ樹脂組成物でモール
ドしてなる半導体装置が用いられるようになった。
硬化性樹脂組成物、特tこエポキシ樹脂組成物でモール
ドしてなる半導体装置が用いられるようになった。
しかしながらこのような半導体装置では、難燃性に劣る
ため、この改良として難燃性エポキシ樹脂組成物で半導
体素子を被覆モールドして半導体装置とする試みかなさ
れている。
ため、この改良として難燃性エポキシ樹脂組成物で半導
体素子を被覆モールドして半導体装置とする試みかなさ
れている。
この半導体装置によると、難燃化という点では、従来の
ものより改良されてはいるか、発燃時の煙発注は避は難
い不都合がるC)、煙抑制効果に鰻れる半導体装置の出
現が望まれていた。
ものより改良されてはいるか、発燃時の煙発注は避は難
い不都合がるC)、煙抑制効果に鰻れる半導体装置の出
現が望まれていた。
本発明はこのような要求を満たすべく為されたもので、
エポキシ樹脂(4)、硬化印1(B)および三酸モリブ
デン(Oを含む組成系であって、−11−(4)+(8
)+(Oが 0.01〜0.3好ましくは0.05〜0.15である
エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子を被覆モール
ドしてなる半導体装置に関するものである。
エポキシ樹脂(4)、硬化印1(B)および三酸モリブ
デン(Oを含む組成系であって、−11−(4)+(8
)+(Oが 0.01〜0.3好ましくは0.05〜0.15である
エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子を被覆モール
ドしてなる半導体装置に関するものである。
本発明において、三酸化モリブデンの添加量を、前記の
如<0.01〜0.3と限定した理由は、0.1以下で
は煙抑制効呆に劣るからであり、一方0.3以上では、
得ら2する半導体装置の高温信頼性および耐湿信頼性に
劣るからである。
如<0.01〜0.3と限定した理由は、0.1以下で
は煙抑制効呆に劣るからであり、一方0.3以上では、
得ら2する半導体装置の高温信頼性および耐湿信頼性に
劣るからである。
本発明tこおいては、難燃効果を制めるために、上記エ
ポキシ組成物中に、ブロム化エボギシ樹脂、テトラブロ
ムベンゼン等のハロゲン化物、トリクロルホスフィン等
のリン化合物の如き一般にエポキシ樹脂組成物の難燃化
剤としで知られている化合物あるいは材料を添加できる
。
ポキシ組成物中に、ブロム化エボギシ樹脂、テトラブロ
ムベンゼン等のハロゲン化物、トリクロルホスフィン等
のリン化合物の如き一般にエポキシ樹脂組成物の難燃化
剤としで知られている化合物あるいは材料を添加できる
。
その場脅、通常の添加量は、三酸化モリブデン便用喰の
5倍以下、好ましくは2焙り、下である。
5倍以下、好ましくは2焙り、下である。
本発明で用いられるエポキシ樹脂としては、ビスフェノ
ール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂等公知
のエポキシ樹脂が使用可能で、一般的にエポキシ当量1
70〜300程度のものを用いる。
ール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂等公知
のエポキシ樹脂が使用可能で、一般的にエポキシ当量1
70〜300程度のものを用いる。
硬化剤としては、一般tこ知られているアミン類、イミ
ダゾール類、酸無水物、ノボラック型フェノール樹脂等
をエポキシ樹脂の1当量当?)フ勇常0.5〜2当量好
ましくは0.7〜1.2当喰使用で永る。
ダゾール類、酸無水物、ノボラック型フェノール樹脂等
をエポキシ樹脂の1当量当?)フ勇常0.5〜2当量好
ましくは0.7〜1.2当喰使用で永る。
本発明において前記エポキシ樹脂組成物中1・こは、所
望により、シリカ、アルミナ、ガラス繊維等の無機質充
填剤、顔料、シランカップリング剤等の添加剤を含有さ
せることができる。
望により、シリカ、アルミナ、ガラス繊維等の無機質充
填剤、顔料、シランカップリング剤等の添加剤を含有さ
せることができる。
本発明で用いるエポキシ樹脂組成物は、前記配合成分を
)1里合(好ましくは熱混合)して均−系とし、通常粉
末状とされ、使用に供せられる、本発明の半導体装置は
、上2エポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトラン
スファモールド等するこ、とによ1〕製造できる。
)1里合(好ましくは熱混合)して均−系とし、通常粉
末状とされ、使用に供せられる、本発明の半導体装置は
、上2エポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトラン
スファモールド等するこ、とによ1〕製造できる。
以下発明を実施例eこより説明する。
実施例1〜2、比較例1〜2
上記第1麦ンこ示す配合成分を、8()℃〜9()℃の
焦ロールで10分間混練し、冷却後粉砕し、エポキシ樹
脂組成物粉末を得た。
焦ロールで10分間混練し、冷却後粉砕し、エポキシ樹
脂組成物粉末を得た。
第 1 表
実施例1.2および比較例1.2よ1)得られた粉末を
用いて、170℃、2分、70kg/c遺の条件で低圧
トランスファーモールドし、厚さ3.2闘のUL94用
試験片および厚み10 mmのJIS i 1321−
1970用試験片を役だ。
用いて、170℃、2分、70kg/c遺の条件で低圧
トランスファーモールドし、厚さ3.2闘のUL94用
試験片および厚み10 mmのJIS i 1321−
1970用試験片を役だ。
上記試験片を用いて煙発生度試験および難燃性試験を行
なった。
なった。
その結果を下記第2表に示す。
第2表
特許出願人
日東電気工業株式会社
代表者土方三部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 エポキシ樹脂(2)、硬化剤CB)および三酸化モリブ
デン(0を含む組成系であって、−11−が0101〜
囚十の)+(0 0,3であるエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子
を被覆モールドしてなる半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58057345A JPS59182546A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58057345A JPS59182546A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59182546A true JPS59182546A (ja) | 1984-10-17 |
Family
ID=13052980
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58057345A Pending JPS59182546A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59182546A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0953603A3 (en) * | 1998-04-27 | 2001-04-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Flame retardant semiconductor encapsulating epoxy resin compositions |
US6432540B1 (en) * | 2000-03-23 | 2002-08-13 | Loctite Corporation | Flame retardant molding compositions |
US6610406B2 (en) | 2000-03-23 | 2003-08-26 | Henkel Locktite Corporation | Flame retardant molding compositions |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP58057345A patent/JPS59182546A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0953603A3 (en) * | 1998-04-27 | 2001-04-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Flame retardant semiconductor encapsulating epoxy resin compositions |
US6518332B2 (en) * | 1998-04-27 | 2003-02-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Semiconductor encapsulating epoxy resin compositions, and semiconductor devices encapsulated therewith |
US6432540B1 (en) * | 2000-03-23 | 2002-08-13 | Loctite Corporation | Flame retardant molding compositions |
US6610406B2 (en) | 2000-03-23 | 2003-08-26 | Henkel Locktite Corporation | Flame retardant molding compositions |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101126416B1 (ko) | 4급 유기 포스포늄 염 함유 성형 조성물 | |
JPH11140166A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPS59182546A (ja) | 半導体装置 | |
US5854316A (en) | Epoxy resin composition | |
JPH09241483A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
JPH10152599A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
JPS58176237A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
KR100497065B1 (ko) | 반도체 봉지제용 에폭시 수지 조성물 | |
JPH0977958A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
KR100407209B1 (ko) | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 | |
JPS62292828A (ja) | 半導体装置用封止組成物 | |
JPS6181427A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
JPH03119049A (ja) | 樹脂組成物 | |
JPS6225118A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JPH0249329B2 (ja) | ||
JPS61216452A (ja) | 半導体装置 | |
KR920000743B1 (ko) | 반도체 봉지용 에폭시수지 조성물 | |
JPS63309A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JP2680389B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
KR100536091B1 (ko) | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 | |
JPH11100492A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
JPH0567704A (ja) | 半導体装置 | |
JP3064636B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
KR930008189B1 (ko) | 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 | |
JP2534330B2 (ja) | 半導体装置 |