JPS59182546A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS59182546A
JPS59182546A JP58057345A JP5734583A JPS59182546A JP S59182546 A JPS59182546 A JP S59182546A JP 58057345 A JP58057345 A JP 58057345A JP 5734583 A JP5734583 A JP 5734583A JP S59182546 A JPS59182546 A JP S59182546A
Authority
JP
Japan
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epoxy resin
semiconductor device
hardener
flame
molybdenum trioxide
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Pending
Application number
JP58057345A
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English (en)
Inventor
Saburo Omori
大森 三郎
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Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は発燃時の煙発生抑制効果に没れる半導体装置に
関するものである。
近年IC,LSI、トランジスター等の半導体素子を熱
硬化性樹脂組成物、特tこエポキシ樹脂組成物でモール
ドしてなる半導体装置が用いられるようになった。
しかしながらこのような半導体装置では、難燃性に劣る
ため、この改良として難燃性エポキシ樹脂組成物で半導
体素子を被覆モールドして半導体装置とする試みかなさ
れている。
この半導体装置によると、難燃化という点では、従来の
ものより改良されてはいるか、発燃時の煙発注は避は難
い不都合がるC)、煙抑制効果に鰻れる半導体装置の出
現が望まれていた。
本発明はこのような要求を満たすべく為されたもので、
エポキシ樹脂(4)、硬化印1(B)および三酸モリブ
デン(Oを含む組成系であって、−11−(4)+(8
)+(Oが 0.01〜0.3好ましくは0.05〜0.15である
エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子を被覆モール
ドしてなる半導体装置に関するものである。
本発明において、三酸化モリブデンの添加量を、前記の
如<0.01〜0.3と限定した理由は、0.1以下で
は煙抑制効呆に劣るからであり、一方0.3以上では、
得ら2する半導体装置の高温信頼性および耐湿信頼性に
劣るからである。
本発明tこおいては、難燃効果を制めるために、上記エ
ポキシ組成物中に、ブロム化エボギシ樹脂、テトラブロ
ムベンゼン等のハロゲン化物、トリクロルホスフィン等
のリン化合物の如き一般にエポキシ樹脂組成物の難燃化
剤としで知られている化合物あるいは材料を添加できる
その場脅、通常の添加量は、三酸化モリブデン便用喰の
5倍以下、好ましくは2焙り、下である。
本発明で用いられるエポキシ樹脂としては、ビスフェノ
ール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂等公知
のエポキシ樹脂が使用可能で、一般的にエポキシ当量1
70〜300程度のものを用いる。
硬化剤としては、一般tこ知られているアミン類、イミ
ダゾール類、酸無水物、ノボラック型フェノール樹脂等
をエポキシ樹脂の1当量当?)フ勇常0.5〜2当量好
ましくは0.7〜1.2当喰使用で永る。
本発明において前記エポキシ樹脂組成物中1・こは、所
望により、シリカ、アルミナ、ガラス繊維等の無機質充
填剤、顔料、シランカップリング剤等の添加剤を含有さ
せることができる。
本発明で用いるエポキシ樹脂組成物は、前記配合成分を
)1里合(好ましくは熱混合)して均−系とし、通常粉
末状とされ、使用に供せられる、本発明の半導体装置は
、上2エポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトラン
スファモールド等するこ、とによ1〕製造できる。
以下発明を実施例eこより説明する。
実施例1〜2、比較例1〜2 上記第1麦ンこ示す配合成分を、8()℃〜9()℃の
焦ロールで10分間混練し、冷却後粉砕し、エポキシ樹
脂組成物粉末を得た。
第     1     表 実施例1.2および比較例1.2よ1)得られた粉末を
用いて、170℃、2分、70kg/c遺の条件で低圧
トランスファーモールドし、厚さ3.2闘のUL94用
試験片および厚み10 mmのJIS i 1321−
1970用試験片を役だ。
上記試験片を用いて煙発生度試験および難燃性試験を行
なった。
その結果を下記第2表に示す。
第2表 特許出願人 日東電気工業株式会社 代表者土方三部

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 エポキシ樹脂(2)、硬化剤CB)および三酸化モリブ
    デン(0を含む組成系であって、−11−が0101〜
    囚十の)+(0 0,3であるエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子
    を被覆モールドしてなる半導体装置。
JP58057345A 1983-03-31 1983-03-31 半導体装置 Pending JPS59182546A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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