KR100536091B1 - 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 - Google Patents

반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR100536091B1
KR100536091B1 KR10-2000-0043398A KR20000043398A KR100536091B1 KR 100536091 B1 KR100536091 B1 KR 100536091B1 KR 20000043398 A KR20000043398 A KR 20000043398A KR 100536091 B1 KR100536091 B1 KR 100536091B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
formula
epoxy resin
curing agent
resin composition
weight
Prior art date
Application number
KR10-2000-0043398A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020009860A (ko
Inventor
최병준
Original Assignee
제일모직주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제일모직주식회사 filed Critical 제일모직주식회사
Priority to KR10-2000-0043398A priority Critical patent/KR100536091B1/ko
Publication of KR20020009860A publication Critical patent/KR20020009860A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100536091B1 publication Critical patent/KR100536091B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C08L63/04—Epoxynovolacs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/4007—Curing agents not provided for by the groups C08G59/42 - C08G59/66
    • C08G59/4014—Nitrogen containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C08G59/621—Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2201/00—Properties
    • C08L2201/02—Flame or fire retardant/resistant

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명은
(1)하기 화학식 1의 다방향족 에폭시 수지 5.0-15.0 중량%,
(2)하기 화학식 2의 아미노 트리아진 노볼락 경화제 또는
하기 화학식 2의 아미노 트리아진 노볼락 경화제와 하기 화학식 3의
인변성 페놀 경화제의 혼합 경화제 2.0-8.0 중량%,
(3)하기 화학식 4의 비할로겐계 난연제 0.1-1.0 중량%,
(4)커플링제 0.2-0.6 중량%,
(5)경화 촉진제 0.1-0.3 중량% 및
(6)무기 충진제 76 - 90 중량%
를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것으로서, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 인체 및 환경에 유해한 부산물을 발생시키는 난연제를 사용하지 않고서도 우수한 난연성을 달성할 수 있으며, 이외에도 흡습성, 내열성 및 성형성이 우수한 이점을 갖는다.
[화학식 1]
(상기 화학식중 n은 0-7임)
[화학식 2]
[화학식 3]
(상기 화학식중 n은 0-7임)
[화학식 4]

Description

반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물{EPOXY MOLDING COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR ENCAPSULENT}
본 발명은 난연성이 우수한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 다방향족 에폭시 수지, 경화제, 비할로겐계 난연제, 커플링제, 경화촉진제 및 무기 충진제를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자 밀봉용 소재의 난연성은 UL 94 V-0 정도로 요구되고 있다. 이와 같은 난연성을 확보하기 위하여 보통 난연제로서 브롬이나 염소계의 할로겐계 난연제와 난연 상승효과가 뛰어난 Sb203가 많이 사용되고 있는 실정이다. 그러나 상기와 같은 할로겐계 난연제를 사용하여 난연성을 갖는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지를 제조할 경우에는 소각시 또는 화재시에 다이옥신이나 다이퓨란등의 유독성 발암 물질이 발생된다는 문제점이 있다. 뿐만 아니라, 할로겐계 난연제의 경우 연소시 발생하는 HBr 및 HCl등의 가스는 인체에 유독하며 반도체 칩이나 리드 프레임의 부식을 초래한다는 문제점을 가지고 있다.
따라서 상기의 문제점들을 해결할 수 있는 반도체 소자 밀봉용 소재의 개발이 시급한 실정이다.
상기의 문제점들을 해결하기 위하여 본 발명의 목적은 다방향족 에폭시 수지, 경화제, 비할로겐계 난연제, 커플링제, 경화촉진제 및 무기 충진제를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것이다.
즉, 본 발명은
(1)하기 화학식 1의 다방향족 에폭시 수지 5.0-15.0 중량%,
(2)하기 화학식 2의 아미노 트리아진 노볼락 경화제 또는 하기 화학식 2의 아미노 트리아진 노볼락 경화제와 하기 화학식 3의 인변성 페놀 경화제의 혼합 경화제 2.0-8.0 중량%,
삭제
삭제
(3)하기 화학식 4의 비할로겐계 난연제 0.1-1.0 중량%,
(4)커플링제 0.2-0.6 중량%,
(5)경화 촉진제 0.1-0.3 중량% 및
(6)무기 충진제 76 - 90 중량%
를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것이다.
(상기 화학식중 n은 0-7임)
(상기 화학식중 n은 0-7임)
이하 본 발명의 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 각 구성 성분에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
본 발명에서 사용된 다방향족(Multi-aromatic) 에폭시 수지(이하 성분(1)이라 칭함)는 당량이 250 - 300이고 하기 화학식 1의 구조를 갖는다.
[화학식 1]
(상기 화학식중 n은 0-7임)
상기 성분(1)은 페놀 골격을 기본으로 하여 중간에 비페닐기를 가지고 있는 구조를 하고 있기 때문에 수분 흡수율이 낮고 인성이 우수하며 내산화성이 좋고 접착력이 우수할 뿐만 아니라, 난연성이 우수한 에폭시 수지이다.
상기 성분(1)의 함량은 전체 조성물에 대하여 5.0-15.0중량%인 것이 바람직하며, 상기 범위를 벗어나면 본 발명의 목적을 달성할 수 없다.
본 발명에서 사용된 경화제(이하 성분(2)라 칭함)는 하기 화학식 2의 아미노 트리아진 노볼락 경화제 또는 하기 화학식 2의 아미노 트리아진 노볼락 경화제와 하기 화학식 3의 인변성 페놀 경화제를 혼합한 것이다.
[화학식 2]
[화학식 3]
(상기 식에서 n은 0-7임)
상기 성분(2)중 아미노 트리아진 노볼락 경화제는 상기 성분(1)과 반응하여 연소시에 에폭시 수지 조성물에 발포층을 형성시키는데, 이로써 주변의 산소 및 연소열의 전달을 차단함으로써 난연성을 얻을 수 있게 된다. 상기 성분(1)은 가교 밀도가 낮아서 착화시 고온에서 고무 형태의 발포층이 형성된다. 이와 같은 가교 구조에 의한 다방향족 구조의 내열분해성과 발포층의 안정성에 의해서 난연성이 확보되는 것으로 파악되고 있다.
상기 아미노 트리아진 노볼락 경화제는 트리아진 고리와 아미노 관능기의 형태에 질소를 포함하는 구조를 취하고 있으며, 열안정성, 흡습성 및 구리 리드프레임과의 접착력이 우수한 특징을 갖는다.
우수한 난연성을 확보하기 위해서 상기 성분(1)과 아미노 트리아진 노볼락 경화제 이외에 인변성 페놀 노볼락 경화제가 병용하여 사용될 수 있다. 상기 인변성 페놀 노볼락 경화제는 기존의 페놀 노볼락 경화제에 인을 함유한 형태의 경화제로서 내산화성, 내후성, 내열성 및 난연성이 우수한 특징을 갖는다.
상기 성분(2)의 함량은 전체 조성물에 대하여 2.0-8.0중량%인 것이 바람직하다. 만일 상기 함량이 2.0중량% 미만일 경우에는 경화 반응이 충분히 수행되지 않고 물성이 현저하게 저하되어 좋지 않으며, 상기 함량이 8.0중량%를 초과하는 경우에는 밀봉 소재내에 잔류물이 형성되어 신뢰성이 저하되고 비경제적이므로 좋지 않다.
본 발명에서 사용된 비할로겐계 난연제(이하 성분(3)이라 칭함)는 하기 화학식 4의 구조를 갖는 적인이다.
[화학식 4]
상기 적인은 인(P)원소 단독으로 이루어진 것으로서, 미량으로도 우수한 난연 효과를 얻을 수 있으나, 수분의 양과 온도가 상승하면 산소산과 포스핀을 서서히 방출하는 것으로 알려져 있다. 그러므로 본 발명에서 사용된 적인은 통상의 것과는 다르게 적인에 페놀 수지와 수산화알루미늄을 미세 코팅한 것(FE-140 ; 인 화학 社)을 사용하였다. 따라서 추출시 전기 전도도가 우수하고 내습성이 우수한 것이 특징이다.
상기 성분(3) 즉, 적인의 함량은 전체 조성물에 대해서 0.1-1.0중량%인 것이 바람직하며, 상기 범위를 벗어나면 본 발명의 목적을 달성할 수 없다.
본 발명에서 커플링제(이하 성분(4)라 칭함)로서는 아민계 실란 화합물이 사용되었다. 상기 성분(4)의 함량은 전체 조성물에 대해서 0.2-0.6중량%인 것이 바람직한다. 만일 상기 성분이 0.2중량% 미만일 경우에는 분산성이 떨어져서 니딩(Kneading) 수행시 겔이 발생하여 반도체 조립시 성형성이 나빠져 좋지 않다.
본 발명에서 경화촉진제(이하 성분(5)라 칭함)로서는 인계 촉매인 TPP(Triphenylphosphine; 트리페닐포스핀)를 사용하였다. 상기 성분(5)는 단독으로 사용되거나 또는 경화제와 혼합하여 용융시킨후 멜트 마스타베치(MMB)를 만들어서 사용될 수 있다. 상기 성분(5)의 함량은 전체 조성물에 대해서 0.1-0.3중량%인 것이 바람직하다. 만일 상기 함량이 0.1중량% 미만일 경우에는 본 발명의 목적을 달성하기 어려우므로 좋지 않고, 만일 상기 함량이 0.3중량%를 초과하는 경우에는 경화 반응에 이상이 생겨서 물성이 저하될 수 있으므로 좋지 않다. 상기 함량은 본 발명의 에폭시 수지 조성물의 공정 조건에 따라서 상기 함량 범위내에서 조절 가능하다.
본 발명에서 무기 충진제(이하 성분(6)이라 칭함)로서는 평균 입도가 0.1-40㎛인 용융 실리카를 사용하였다. 상기 성분(6)의 함량은 조성물 전체에 대해서 76-90중량%인 것이 바람직하다. 만일 상기 함량이 76중량% 미만일 경우에는 충분한 강도를 얻기 어려울 뿐만아니라 수분 흡수로 인하여 알루미늄 패드가 부식될 가능성이 높아져서 좋지 않고, 만일 상기 함량이 90중량%를 초과하는 경우에는 유동성이 떨어짐으로 인하여 성형성이 불량해져서 좋지 않다.
상기 성분(6)을 직접 투입할 경우 혼합시 분산이 잘되지 않고 다른 성분들과의 상용성도 좋지 않기 때문에 반도체 조립시 성형성이 불량해 진다는 문제점이 있다. 이에 따라서 커플링제를 무기 충진제에 코팅시켜 사용함으로써 상기 문제점을 해결하였다.
또한 상기 성분(1) 내지 성분(6)이외에 착색제, 변성 실리콘 오일, 카르복실계 왁스, 에스테르계 왁스 및 응력 저감화제등을 필요에 따라서 사용할 수 있다.
이상과 같은 성분들을 일정량 개랑후 믹서로 균일하게 혼합시켜(드라이 믹싱) 롤밀이나 니더로 용융 혼련시킨후 냉각 및 분쇄시켜서 타블렛 형태의 최종 산물을 수득할 수 있다.
이하 실시예를 들어 본 발명을 구체화할 것이며 다음의 실시예는 어디까지나 본 발명을 예시하기 위한 목적으로 기재된 것이지 본 발명의 보호 범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
실시예 1.
표 1에 나타낸 각각의 성분들을 정확히 계량하여(오차 범위:±0.1%) 헨셀 믹서로 균일하게 혼합시킨후 투 롤밀(2 roll mill)을 사용하여 100℃에서 7분 동안 용융 혼련시켜 공기중에서 냉각시켰다. 이후 후드 믹서를 사용하여 분쇄시켜 에폭시 수지 조성물을 제조하였다. 이때 커플링제로서는 무기 충진제에 커플링제를 처리한 상태의 것을 사용하였다. 이렇게 하여 얻어진 에폭시 수지 조성물에 대해서 물성 평가를 하였으며 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
실시예 2.
아미노 트리아진 노볼락 경화제를 5.66중량%에서 3.95중량%로 감소시키는 대신 인변성 페놀 노볼락 경화제를 1.72중량% 추가한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 수행하였다. 이렇게 하여 얻어진 에폭시 수지 조성물에 대해서 물성 평가를 하였으며 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
실시예 3.
아미노 트리아진 노볼락 경화제를 5.66중량%에서 4.48중량%로 감소시키는 대신 인변성 페놀 노볼락 경화제를 1.18중량% 추가한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 수행하였다. 이렇게 하여 얻어진 에폭시 수지 조성물에 대해서 물성 평가를 하였으며 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
실시예 4.
아미노 트리아진 노볼락 경화제를 5.66중량%에서 5.02중량%로 감소시키는 대신 인변성 페놀 노볼락 경화제를 0.65중량% 추가한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 수행하였다. 이렇게 하여 얻어진 에폭시 수지 조성물에 대해서 물성 평가를 하였으며 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
비교예 1.
다방향족 에폭시 수지 대신에 올소크레졸 노볼락 수지를 6.50중량% 사용하였으며 아미노 트리아진 노볼락 경화제 대신에 페놀 노볼락 경화제를 6.16중량%를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 수행하였다. 이렇게 하여 얻어진 에폭시 수지 조성물에 대해서 물성 평가를 하였으며 평가 결과를 표 2에 나타내었다.
비교예 2.
다방향족 에폭시 수지 대신에 올소크레졸 노볼락 수지를 7.00중량% 사용하였으며 아미노 트리아진 노볼락 경화제 1.18중량% 및 다방향족 경화제 4.48중량%를 혼합하여 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 수행하였다. 이렇게 하여 얻어진 에폭시 수지 조성물에 대해서 물성 평가를 하였으며 평가 결과를 표 2에 나타내었다.
비교예 3.
다방향족 에폭시 수지 7.0중량% 및 페놀 노볼락 경화제 5.66중량%를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 수행하였다. 이렇게 하여 얻어진 에폭시 수지 조성물에 대해서 물성 평가를 하였으며 평가 결과를 표 2에 나타내었다.
[물성 평가 방법]
*난연성 : UL94 실험법(수직 난연 실험법)으로 측정하였다.
*유리 전이 온도 : 굴곡 실험용 몰드를 사용하여 시험편을 제작한후 175℃에서 6시간 후경화시켜 측정하였다.
*성형성 : 50/44TSOP 패키지에 조립 시편을 만들어 스티킹(sticking)횟수 및 틸트(tilt)를 평가하였다.
*흡습률 : 6시간동안 후경화시킨후 PCT(Pressure Cooker Test)로 2기압하, 120℃, 100%RH의 항온 항습 조건하 각각 24시간 동안 처리한후 흡습률을 평가하였다.
*부식 발생 : 조립 시편을 IR Reflow에서 245℃, 10초 동안 통과시킨후 121℃, 100%RH의 PCT(Pressure Cooker Test)로 168시간 동안 처리한후 칩 패드의 부식 발생 상태를 평가하였다.
상기 실시예 및 표1의 결과를 통하여 확인되는 바와 같이, 본 발명의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 연소시 인체 및 환경에 유해한 부산물을 발생시킬 뿐만 아니라 상기 부산물이 반도체 칩 및 리드 프레임의 부식을 초래하는 할로겐계 난연제를 사용하지 않고도 우수한 난연성을 달성할 수 있다. 또한 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 기존의 수지 조성물 보다 흡습성, 내열분해성이 더욱 우수하며 무기 충진제를 커플링제로 코팅하여 사용하므로 분산 문제로 인한 반도체 조립시 나타나는 성형성 불량을 개선할 수 있다.

Claims (3)

  1. (1)하기 화학식 1의 다방향족 에폭시 수지 5.0-15.0 중량%,
    (2)하기 화학식 2의 아미노 트리아진 노볼락 경화제 또는
    하기 화학식 2의 아미노 트리아진 노볼락 경화제와 하기 화학식 3의
    인변성 페놀 경화제의 혼합 경화제 2.0-8.0 중량%,
    (3)하기 화학식 4의 비할로겐계 난연제 0.1-1.0 중량%,
    (4)커플링제 0.2-0.6 중량%,
    (5)경화 촉진제 0.1-0.3 중량% 및
    (6)무기 충진제 76 - 90 중량%
    를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
    [화학식 1]
    (상기 화학식중 n은 0-7임)
    [화학식 2]
    [화학식 3]
    (상기 화학식중 n은 0-7임)
    [화학식 4]
  2. 제 1항에 있어서, 상기 다방향족 에폭시 수지 조성물의 당량이 250-300인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 무기 충진제가 커플링제로 코팅된 것임을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
KR10-2000-0043398A 2000-07-27 2000-07-27 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 KR100536091B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2000-0043398A KR100536091B1 (ko) 2000-07-27 2000-07-27 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2000-0043398A KR100536091B1 (ko) 2000-07-27 2000-07-27 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020009860A KR20020009860A (ko) 2002-02-02
KR100536091B1 true KR100536091B1 (ko) 2005-12-12

Family

ID=19680316

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2000-0043398A KR100536091B1 (ko) 2000-07-27 2000-07-27 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100536091B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100407209B1 (ko) * 2000-12-06 2003-11-28 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR980002151A (ko) * 1996-06-19 1998-03-30 구광시 난연성 에폭시 동박 적층판용 수지조성물
KR19980702544A (ko) * 1995-12-28 1998-07-15 히라이 가츠히코 에폭시 수지 조성물
KR19980030464A (ko) * 1996-10-30 1998-07-25 구광시 난연성 에폭시 동박 작층판용 수지조성물
JPH111547A (ja) * 1997-04-17 1999-01-06 Ajinomoto Co Inc エポキシ樹脂組成物並びに該組成物を用いた多層プリント配線板の製造法
JPH11171973A (ja) * 1997-12-05 1999-06-29 Nippon Kayaku Co Ltd 樹脂組成物及びその硬化物
KR20010017216A (ko) * 1999-08-09 2001-03-05 유현식 반도체 봉지제용 에폭시 수지 조성물

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980702544A (ko) * 1995-12-28 1998-07-15 히라이 가츠히코 에폭시 수지 조성물
KR980002151A (ko) * 1996-06-19 1998-03-30 구광시 난연성 에폭시 동박 적층판용 수지조성물
KR19980030464A (ko) * 1996-10-30 1998-07-25 구광시 난연성 에폭시 동박 작층판용 수지조성물
JPH111547A (ja) * 1997-04-17 1999-01-06 Ajinomoto Co Inc エポキシ樹脂組成物並びに該組成物を用いた多層プリント配線板の製造法
JPH11171973A (ja) * 1997-12-05 1999-06-29 Nippon Kayaku Co Ltd 樹脂組成物及びその硬化物
KR20010017216A (ko) * 1999-08-09 2001-03-05 유현식 반도체 봉지제용 에폭시 수지 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020009860A (ko) 2002-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6190787B1 (en) Epoxy resin compositions for encapsulating semiconductors, and semiconductor devices
EP1153984B1 (en) Resin composition, molded article therefrom, and utilization thereof
KR100388141B1 (ko) 에폭시수지조성물
KR100536091B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
JP4037207B2 (ja) 難燃性エポキシ樹脂組成物、並びにそれを使用する半導体封止材料及び樹脂封止型半導体装置
JP3377933B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置
KR100407209B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
KR100497065B1 (ko) 반도체 봉지제용 에폭시 수지 조성물
JPH09241483A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP5284693B2 (ja) 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物
JPH10182940A (ja) 封止材用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JPH10152599A (ja) エポキシ樹脂組成物
KR100538527B1 (ko) 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물
KR20050106253A (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
JP3858353B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JPH11279379A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003253095A (ja) 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JPH11100492A (ja) 半導体封止用樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
KR100536094B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
KR100611442B1 (ko) 티타늄 함유 유기질소화합물을 난연제로 포함하는 에폭시수지 조성물
KR100414202B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
JP2001210759A (ja) エポキシ樹脂組成物および電子部品封止装置
JP3982518B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JPH10287795A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
KR20070069386A (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111025

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121114

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee