KR100611442B1 - 티타늄 함유 유기질소화합물을 난연제로 포함하는 에폭시수지 조성물 - Google Patents

티타늄 함유 유기질소화합물을 난연제로 포함하는 에폭시수지 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에폭시 수지, 경화제, 비할로겐계 난연제, 경화촉진제 및 무기충전제를 포함하는 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 연소 시 인체 및 환경에 유해한 부산물을 발생시키는 할로겐계 난연제를 사용하지 않고서도 우수한 난연성을 달성할 수 있으며 성형성 및 신뢰성도 충분히 달성되는 이점을 갖는다.
비할로겐계 난연제, 난연성, 성형성, 신뢰성

Description

티타늄 함유 유기질소화합물을 난연제로 포함하는 에폭시 수지 조성물{EPOXY RESIN COMPOSITION COMPRISING ORGANIC NITROGEN COMPOUND CONTAINING TITANIUM AS FLAME RETARDANTS}
본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 비할로겐계 난연제로서 티타늄 함유 유기질소화합물을 포함하는 난연성이 우수한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지를 제조함에 있어서 대부분의 반도체 업체에서 난연성과 관련하여 UL-94 V-0를 요구하고 있다. 이러한 난연성을 확보하기 위해, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 제조 시에 난연제로는 일반적으로 브롬에폭시 등의 할로겐계 난연제 또는 삼산화안티몬(Sb2O3)을 사용하였다.
그러나, 이러한 할로겐계 난연제 또는 삼산화안티몬을 사용하여 난연성을 확보한 반도체 봉지재용 에폭시 수지의 경우 소각 시나 화재 시 다이옥신(dioxin)이나 다이퓨란(difuran) 등의 유독성 발암물질이 발생하는 것으로 알려져 있다. 또한 할로겐계 난연제의 경우, 연소시 발생하는 HBr 및 HCl 등의 가스로 인해 인체에 유독할 뿐만 아니라 반도체 칩(chip)이나 와이어(wire) 및 리드 프레임(lead frame)의 부식(corrosion)을 발생시키는 주요한 원인으로 작용하는 점 등의 문제가 있었다.
이에 대한 대책으로서 포스파젠(phosphazene)이나 인산 에스테르와 같은 인계 난연제 또는 질소원소 함유 수지와 같은 새로운 난연제가 검토되고 있으나, 인계 난연제의 경우 수분과 결합하여 생성되는 인산 및 폴리인산이 반도체 장기 신뢰성 시험 시 패드나 칩 부분에 부식을 일으킴으로써 신뢰성에 문제를 발생시키는 단점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 비할로겐계 난연제로서 티타늄 함유 유기질소화합물을 사용함으로써 인체 및 환경에 유해한 부산물의 발생 우려가 없으면서도 우수한 난연성을 나타내는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
즉, 본 발명은 난연제로서 하기 화학식 1 또는 2의 티타늄 함유 유기질소화합물을 0.5 내지 10 중량% 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112005040631609-pat00001
(상기식에서, R,R'는 각각 같거나 다른 알킬기 또는 1차 아민기이다)
[화학식 2]
Figure 112005040631609-pat00002
(상기식에서, R,R'는 각각 같거나 다른 알킬기 또는 1차 아민기이다)
이하에서, 본 발명에 관하여 보다 상세하게 설명한다.
본 발명의 비할로겐계 난연제는 하기 화학식 1 및 2로 표현되는 티타늄 함유 유기질소화합물을 포함한다.
Figure 112005040631609-pat00003
(상기식에서, R,R'는 각각 같거나 다른 알킬기 또는 1차 아민기이다)
Figure 112005040631609-pat00004
(상기식에서, R,R'는 각각 같거나 다른 알킬기 또는 1차 아민기이다)
본 발명에서 특징적으로 도입하는 티타늄 함유 유기질소화합물은 열적, 화학적으로 매우 안정한 구조로서 고온의 열이 가해질 경우, 질소가스가 발생하여 분해된 수지의 라디칼을 안정화시킬 뿐만 아니라, 티타늄 함유 유기질소화합물이 분해될 때의 흡열반응에 의한 난연효과를 동시에 나타낸다. 또한 분해된 연소물이 안정적인 탄소층(Char)을 형성하기 때문에 우수한 난연 효과가 나타난다. 상기 티타늄함유 유기질소화합물의 총 함량은 전체 수지 조성물에 대하여 0.5 ~ 10 중량%가 바람직하다. 사용량이 0.5 중량% 미만일 때는 난연 효과를 얻기가 어렵고, 10 중량%를 초과하면 유동성 저하로 인해 성형성이 나빠지는 문제점이 발생할 수 있다.
본 발명의 구성 성분 중 에폭시 수지는 하기 화학식 3의 구조를 갖는 당량이 180 ~ 300인 다방향족 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 다방향족 에폭시 수지는 페놀 골격을 바탕으로 하면서 중간에 바이페닐을 가지고 있는 구조를 형성하여, 금속리드프레임 및 칩과의 밀착성이 우수하고, 흡습성, 인성, 내산화성 및 내크랙성도 우수하다. 또한, 가교 밀도가 낮아서 고온에서 연소 시 탄소층 (char)을 형성하기 때문에 그 자체로도 어느 정도 수준의 난연성을 확보할 수 있다. 상기 다방향족 에폭시 수지에 오르소크레졸노볼락 수지를 병용하여 사용할 수 있으며, 오르소크레졸노볼락 수지의 양은 다방향족 에폭시 수지에 대하여 10:90 ~ 80:20의 중량비로 사용하는 것이 바람직하다. 또한 본 발명에서는 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 나프탈렌계 에폭시 수지 등이 추가로 사용될 수 있다.
본 발명에서 상기 에폭시 수지의 사용량은 전체 수지 조성물 중 3.5 ~ 15 중량%가 바람직하다.
Figure 112005040631609-pat00005
(상기식에서, n은 1 내지 7의 정수이다)
본 발명에 적용되는 경화제로는 하기 화학식 4의 다방향족 경화제를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 다방향족 경화제는 에폭시 수지와 반응하여 탄소층(char)을 형성하면서 주변의 열 및 산소의 전달을 차단함으로써 난연성을 향상시킨다. 상기 다방향족 경화제에 자일록 수지 또는 페놀 노볼락 수지와 같은 경화제를 병용할 수 있는데, 추가적으로 사용되는 경화제는 다방향족 경화제에 대하여 10:90 ~ 80:20의 중량비로 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 경화제는 전체 수 지 조성물 중 2 ~ 10.5 중량%가 바람직하다.
Figure 112005040631609-pat00006
(상기식에서, n은 1 내지 7의 정수이다.)
본 발명에서의 경화촉진제는 상기 에폭시 수지와 경화제의 경화반응을 촉진하기 위한 촉매 성분으로, 예를 들면 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 트리에틸렌디아민, 디메틸아미노에탄올, 트리(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3급 아민류; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸 등의 이미다졸류; 트리페닐포스핀, 디페닐포스핀, 페닐포스핀 등의 유기 포스핀류; 테트라페닐포스포니움 테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀 테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐보론염 등이 사용될 수 있다. 이 중에서 1종 또는 2종 이상을 병용할 수 있으며, 사용량은 전체 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.1 - 0.3 중량%가 바람직하다. 경화촉진제의 함량이 0.1 중량% 이하일 경우에는 성형 시 미경화로 인한 몰드 스티킹 발생의 우려가 있고, 0.3 중량% 이상일 경우에는 겔 발생으로 인해 성형 시 불완전성형과 같은 불량이 발생할 수 있다.
본 발명에서는 무기충전제로서 평균입자가 0.1 - 35㎛인 천연실리카 또는 용융 및 합성실리카를 사용하는 것이 바람직하며, 충전량은 조성물 전체에 대해 70~90 중량%가 바람직하다. 70 중량% 미만으로 무기충전제를 사용하는 경우에는 내열성이 저하되고 수분의 침투가 용이해져서 신뢰성 특성에 치명적인 문제점이 발생할 수 있다. 또한, 무기충전제의 함량이 90 중량%을 초과하면 유동 특성의 저하로 인하여 성형성이 나빠질 우려가 있다.
본 발명의 성형재료에는 고급 지방산, 고급 지방산 금속염, 에스테르계 왁스 등의 이형제, 카본블랙, 유·무기염료 등의 착색제, 에폭시 실란, 아미노 실란, 알킬 실란과 같은 커플링제 등이 필요에 따라 사용될 수 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 상기와 같은 원재료를 헨셀믹서나 뢰디게 믹서를 이용하여 균일하게 충분히 혼합하고, 롤밀 또는 니이더로 용융 혼련한 뒤, 냉각 및 분쇄과정을 거쳐 최종 분말 제품으로 얻어진다.
본 발명에서 수득된 에폭시 수지 조성물을 사용하여 반도체 소자를 밀봉하는 방법으로서는 저압 트랜스퍼 성형법이 가장 일반적으로 사용되는 방법이나, 인젝션(Injection) 성형법이나 캐스팅(Casting) 등의 방법도 가능하다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 하나, 이러한 실시예들은 단지 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명을 제한하는 것으로 해석되어져서는 안 된다.
실시예 1 내지 5
본 발명의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제조하기 위해, 표 1에 나타낸 바와 같이 각 성분들을 평량한 뒤, 헨셀 믹서를 이용하여 균일하게 혼합함으로써 분말 상태의 1차 조성물을 제조하고, 2-롤밀을 이용하여 100에서 7분간 용융혼련한 뒤, 냉각 및 분쇄과정을 거쳐 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.
상기와 같이 수득된 에폭시 수지 조성물에 대하여 저압 트랜스퍼 몰드 프레스를 이용하여 175에서 80초간 성형 후, 175에서 6시간 동안 후경화시켜 시편을 제조하여 기본 물성 및 난연성을 평가 하였다. 또한, 성형성 및 신뢰성을 평가하기 위하여 Auto Mold System 성형기를 이용하여 SOP(Small Outlined Package) 반도체 소자를 제작하였다. 이에 대한 시험결과를 표 2에 나타내었다.
* 물성평가 방법
1) 스파이럴 플로우(Spiral Flow)
EMMI 규격을 기준으로 금형을 제작하여 성형온도 175, 성형압력 70Kgf/cm2에서 몰딩 후의 유동 길이를 측정하였다.
2) 유리전이온도(Tg)
TMA(Thermomechanical Analyser)를 이용하여 측정하였다.
3) 굴곡강도 및 굴곡 탄성율
경화된 EMC 성형시편(125*12.6*6.4 mm)을 준비한 후 UTM 시험기를 이용하여 측정하였다.
4) 난연성
UL 94 V-0 규격에 준하여, 시편두께 1/8인치를 기준으로 평가하였다.
5) 신뢰성
SOP(Small Outlined Package) 반도체 소자를 조립하고 PCT(Pressure cooker test) 설비에서 121℃, 2기압의 조건으로 96시간 담지한 후 칩의 부식 여부를 평가 하였다.
비교예 1 내지 2
하기 표 1에 나타난 바와 같이 각 성분을 주어진 조성대로 평량하여 실시예와 같은 방법으로 에폭시 수지 조성물을 제조하였으며, 각 물성 및 신뢰성 평가결과를 표 2에 나타내었다.
표 1
Figure 112005040631609-pat00007
1) 화학식 1 구조 화합물(제조사: 고엔 상품명: GY-FR-EDS)
2) 화학식 2 구조 화합물(제조사: 고엔 상품명: GY-AT-1 )
3) 화학식 3 구조 화합물(제조사: 일본화약 상품명: NC-3000 )
4) 화학식 4 구조 화합물(제조사: 메이와 화성 상품명: MEH-7851 )
표 2
Figure 112005040631609-pat00008
상기 표 2에 나타난 바와 같이 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물이 비교예에 나타난 기존의 에폭시 수지 조성물과 비교하여 무기물 함량이 낮은 조성물에서도 난연성 확보가 가능하며, 성형성, 신뢰성 측면에서도 우수한 특성을 나타내고 있음을 확인할 수 있다.
본 발명에 따른 티타늄 함유 유기질소화합물을 난연제로 사용하여 제조된 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 연소 시에 인체 및 환경에 유해한 부산물을 발생시키지 않을 뿐만 아니라, 반도체 칩 및 리드 프레임의 부식을 초래하지 않으면서도 난연성이 확보되고, 성형성 및 신뢰성이 우수한 에폭시수지 조성물을 제공한다.

Claims (8)

  1. 에폭시 수지, 경화제, 난연제, 경화촉진제 및 무기충전제를 포함하는 에폭시 수지 조성물에 있어서, 난연제로 티타늄 함유 유기질소화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 티타늄 함유 유기질소화합물이 하기 화학식 1 또는 화학식 2의 구조를 갖는 화합물인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112005040631609-pat00009
    (상기식에서, R,R'는 각각 같거나 다른 알킬기 또는 1차 아민기이다)
    [화학식 2]
    Figure 112005040631609-pat00010
    (상기식에서, R,R'는 각각 같거나 다른 알킬기 또는 1차 아민기이다)
  3. 제 1항 내지 2항에 있어서, 상기 티타늄 함유 유기질소화합물의 총 함량이 전체 수지 조성물에 대하여 0.5 ~ 10 중량%인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 에폭시 수지는 하기 화학식 3의 구조를 갖는 다방향족 에폭시수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
    [화학식 3]
    Figure 112005040631609-pat00011
    (상기식에서, n은 1 내지 7의 정수이다)
  5. 제 1항에 있어서, 상기 경화제는 하기 화학식 4의 구조를 갖는 다방향족 경 화제를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
    [화학식 4]
    Figure 112005040631609-pat00012
    (상기식에서, n은 1 내지 7의 정수이다.)
  6. 제 1항에 있어서, 상기 에폭시 수지는 3.5~15 중량%, 상기 경화제는 2~10.5 중량%, 상기 티타늄 함유 유기질소화합물은 0.5~10 중량%, 상기 경화촉진제는 0.1~0.3 중량%, 상기 무기 충전제는 70~90 중량%인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  7. 제 1항 또는 4항에 있어서, 상기 에폭시수지는 다방향족 에폭시 수지에 대하여 오르소크레졸노볼락수지가 10:90 내지 80:20의 비로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  8. 제 1항 또는 5항에 있어서, 상기 경화제는 다방향족 경화제에 대하여 페놀노볼락 수지가 10:90 내지 80:20의 비로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
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