JP2002012741A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化合物を
含まず、成形性、及び難燃性、高温保管特性、耐湿信頼
性、及び半田クラック性に優れた半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材、（Ｅ）ホ
スファゼン化合物、及び（Ｆ）モリブデン酸亜鉛を必須
成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂
組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハロゲン系難燃
剤、アンチモン化合物を含まず、難燃性、高温保管特性
に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスタ、集積
回路等の電子部品は、主にエポキシ樹脂組成物で封止さ
れている。これらのエポキシ樹脂組成物中には、難燃性
を付与するためにハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化
合物が配合されている。ところが、環境・衛生の点から
ハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化合物を使用しない
で、難燃性に優れたエポキシ樹脂組成物の開発が求めら
れている。又、ハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化合
物を含むエポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置を
高温下で保管した場合、これらの難燃剤成分から熱分解
したハロゲン化物が遊離し、半導体素子の接合部を腐食
し、半導体装置の信頼性を損なうことが知られており、
難燃剤としてハロゲン系難燃剤とアンチモン化合物を使
用しなくても難燃グレードＶ−０を達成できるエポキシ
樹脂組成物が求められている。このように、半導体装置
を高温下（例えば、１８５℃等）に保管した後の半導体
素子の接合部（ボンディングパッド部）の耐腐食性のこ
とを高温保管特性といい、この高温保管特性を改善する
手法としては、五酸化二アンチモンを使用する方法（特
開昭５５−１４６９５０号公報）や、酸化アンチモンと
有機ホスフィンとを組み合わせる方法（特開昭６１−５
３３２１号公報）等が提案され、効果があることが確認
されているが、最近の半導体装置に対する高温保管特性
の高い要求レベルに対して、エポキシ樹脂組成物の種類
によっては不満足なものもある。又、難燃剤としてモリ
ブデン酸亜鉛が提案されており、多量に配合することに
より難燃グレードＶ−０を達成でき、高温保管特性も問
題ないが、添加量が多いことにより耐湿信頼性、成形
性、耐半田クラック性が低下するという問題がある。即
ち、難燃性を維持し、成形性、高温保管特性、耐湿信頼
性、及び耐半田クラック性に優れ、ハロゲン系難燃剤、
及びアンチモン化合物を使用しないエポキシ樹脂組成物
が求められている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、ハロゲン系
難燃剤、アンチモン化合物を含まず、成形性、難燃性、
高温保管特性、耐湿信頼性、及び耐半田クラック性に優
れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用い
て半導体素子を封止してなる半導体装置を提供するもの
である。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）エポキ
シ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、
（Ｄ）無機充填材、（Ｅ）ホスファゼン化合物、及び
（Ｆ）モリブデン酸亜鉛を必須成分とすることを特徴と
する半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用い
て半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装
置である。

【０００５】

【発明の実施の形態】本発明に用いるエポキシ樹脂とし
ては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、その分子量、分
子構造を特に限定するものではないが、例えば、ビフェ
ニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、
スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ト
リフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリ
フェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エ
ポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エ
ポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂（フ
ェニレン骨格、ジフェニレン骨格等を有する）、ナフト
ール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混
合して用いても差し支えない。

【０００６】本発明に用いるフェノール樹脂としては、
１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、その分子量、分
子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノ
ールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシ
クロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性フ
ェノール樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、フェノー
ルアラルキル樹脂（フェニレン骨格、ジフェニレン骨格
等を有する）、ナフトールアラルキル樹脂等が挙げら
れ、これらは単独でも混合して用いても差し支えない。
特に、フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエ
ン変性フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、テ
ルペン変性フェノール樹脂、ナフトールアラルキル樹脂
等が好ましい。これらの配合量としては、全エポキシ樹
脂のエポキシ基数と全フェノール樹脂のフェノール性水
酸基数の比が０．８〜１．３が好ましい。

【０００７】本発明に用いる硬化促進剤としては、エポ
キシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させる
ものであればよく、一般に封止材料に使用するものを使
用することができる。例えば、１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７、トリフェニルホスフィ
ン、２−メチルイミダゾール、テトラフェニルホスホニ
ウム・テトラフェニルボレート等が挙げられ、これらは
単独でも混合して用いても差し支えない。

【０００８】本発明に用いる無機充填材としては、一般
に封止材料に使用されているものを使用することができ
る。例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、タルク、アルミ
ナ、窒化珪素等が挙げられ、これらは単独でも混合して
用いても差し支えない。これらの内では、特に溶融球状
シリカが好ましい。粒子の形状は限りなく真球状である
ことが好ましい。無機充填材の最大粒径としては７４μ
ｍ以下が好ましい。平均粒径としては５〜２５μｍが好
ましい。又、粒子の大きさの異なるものを混合すること
により充填量を多くすることができる。無機充填材は、
予めシランカップリング剤等で表面処理されているもの
を用いてもよい。無機充填材の配合量としては、前記の
無機充填材とモリブデン酸亜鉛との合計量、もしくは前
記の無機充填材とモリブデン酸亜鉛と後述のモリブデン
酸亜鉛のコア材として用いる無機系物質との合計量が、
成形性と耐半田クラック性のバランスから、全エポキシ
樹脂組成物中に６０〜９５重量％含有することが好まし
い。６０重量％未満だと、吸水率の上昇に伴う耐半田ク
ラック性が低下し、９５重量％を越えると、ワイヤース
ィープ、及びパッドシフト等の成形性の問題が生じ、好
ましくない。

【０００９】本発明に用いるホスファゼン化合物は、化
合物中にホスファゼン構造を有するものであればよく、
例えば、式（２）で示される構造を有する化合物等を挙
げることができ、難燃剤として作用する。

【化２】 式（２）中のｎは３〜１０００の整数であり、Ｒとして
は、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ
基、アリール基、アリールオキシ基等が一般的である
が、又、アミノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、フル
オロアルキル基等に代表される様に、Ｎ、Ｓ、Ｏ、Ｆ原
子等を含有していても差し支えない。これらのホスファ
ゼン化合物は、単独でも混合して用いてもよい。ホスフ
ァゼン化合物の難燃機構は、その含有しているリンによ
る炭化促進効果、即ち、硬化物の表面に不燃性の炭化層
を形成することにより、硬化物表面の保護、及び酸素を
遮断する効果が得られること、又、含有している窒素に
より、熱分解時に窒素ガスが発生し、気相においても酸
素を遮断することによる。この固相と気相の両方で働く
難燃効果から、ホスファゼン化合物は高い難燃性を付与
することができる。

【００１０】好ましいホスファゼン化合物としては、本
発明のエポキシ樹脂組成物の流動性の点から、環状ホス
ファゼン化合物である。環状ホスファゼン化合物として
は、例えば、式（１）で示される環状ホスファゼン化合
物

【化３】 （式中、ｎは３〜７の整数、Ｒは互いに同一もしくは異
なる有機基を示す。）等があり、式（１）中のＲはアル
キル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、ア
リールオキシ基等が一般的であるが、又、アミノ基、メ
ルカプト基、ヒドロキシ基、フルオロアルキル基等に代
表される様に、Ｎ、Ｓ、Ｏ、Ｆ原子等を含有していても
差し支えない。これらの環状ホスファゼン化合物は、単
独でも混合して用いてもよい。更に、３量体の６員環を
主成分としていることがより好ましい。式（１）で示さ
れる環状ホスファゼン化合物としては、具体的には、例
えば、ヘキサプロピルシクロトリホスファゼン、テトラ
エトキシジプロポキシシクロトリホスファゼン、ヘキサ
フェノキシシクロトリホスファゼン、ヘキサアニリノシ
クロトリホスファゼン、ヘキサキス（３−メルカプトプ
ロピル）シクロトリホスファゼン、ヘキサキス（ヘプタ
フルオロプロピルオキシ）シクロトリホスファゼン等が
一例として挙げられる。式（２）、式（１）中のＲとし
ては、耐熱性、耐湿性の観点からはアリールオキシ基が
好ましく、エポキシ樹脂との相溶性やエポキシ樹脂組成
物の流動性の観点から、２ｎ個のＲのうち、少なくとも
ｎ個がフェノキシ基であることが、より好ましい。

【００１１】又、別の環状ホスファゼン化合物の例とし
て、難燃性を高めるために、一つの環状ホスファゼンが
別の有機基を介して他の環状ホスファゼンと結合した形
態の化合物も好ましい。この場合、環状ホスファゼンは
同じ種類でもよく、異なった種類でもよい。例えば、式
（１）で示される一つの環状ホスファゼンのＲの一部が
他の環状ホスファゼンのＲの一部との間で別の有機基を
介して結合した形態の化合物でもよく、これらの別の有
機基は、単独の基だけではなく、他の基との複合の基で
もよい。例えば、有機基の両末端にホスファゼン基を有
している化合物でもよい。これらの環状ホスファゼン同
士を結合する別の有機基又はＲとしては、例えば、１，
６−ジオキシヘキサン等の様にジオール化合物の水酸基
から水素原子を除いた有機基、あるいはハイドロキノ
ン、４，４’−ビフェノール、ビスフェノールＦ等の２
官能フェノール化合物等のジヒドロキシ化合物から水素
原子を除いた基等を好ましく用いることができる。

【００１２】本発明のホスファゼン化合物の配合量は、
全エポキシ樹脂組成物中に０．０１〜１０重量％が好ま
しく、更に好ましくは０．１〜５重量％である。０．０
１重量％未満だと難燃性が不足し、１０重量％を越える
と硬化性、耐熱性、及び強度が低下し、吸水率が増加す
るので好ましくない。

【００１３】本発明に用いるモリブデン酸亜鉛は、ホス
ファゼン化合物と同様に、難燃剤として作用する。モリ
ブデン酸亜鉛の難燃機構については、燃焼時にモリブデ
ン酸亜鉛が硬化した樹脂成分の炭化を促進し、空気中の
酸素との遮断が起こり、燃焼が止まり難燃化が達成され
ると考えられる。モリブデン酸亜鉛は単独で用いてもよ
いが、吸水し易い傾向があり、配合量が多くなると半導
体装置の吸水率が高くなり、耐湿信頼性が低下するおそ
れがあり、又、成形性が低下する。吸水率を低くするた
めには、例えば、遷移金属、クレー、酸化亜鉛、炭酸カ
ルシウム、窒化アルミニウム、珪酸アルミニウム、珪酸
マグネシウム、前記の無機充填材（溶融シリカ、結晶シ
リカ、タルク、アルミナ、窒化珪素等）等の無機系物質
をモリブデン酸亜鉛で被覆したものを用いることが好ま
しい。コア材としては、特に前記の無機充填材が好まし
く、更に溶融球状シリカ、又はタルクが取り扱い易さ、
コストの点から最も好ましい。コア材を被覆することに
より、難燃剤として表面のモリブデン酸亜鉛のみが作用
することになり、モリブデン酸亜鉛を多量に配合せずに
済むので、吸水率の上昇を抑え、成形性も改良すること
ができる。

【００１４】コア材に対するモリブデン酸亜鉛の被覆量
としては、５〜４０重量％が好ましい。コア材をモリブ
デン酸亜鉛で被覆したものの平均粒径としては、０．５
〜３０μｍ、最大粒径としては７５μｍ以下が好まし
い。全エポキシ樹脂組成物中のモリブデン酸亜鉛の配合
量は、０．０５〜５重量％が好ましく、更に好ましくは
０．１〜３重量％である。０．０５重量％未満だと難燃
性が得られず、５重量％を越えるとエポキシ樹脂組成物
中のイオン性不純物が増加し、プレッシャークッカーテ
スト等における耐湿信頼性が低下し、成形性も低下する
ので好ましくない。本発明のコア材をモリブデン酸亜鉛
で被覆したものは、例えば、以下のようにして得られ
る。酸化モリブデンとコア材（溶融球状シリカ、又はタ
ルク等）を水に混合してスラリーを作り、７０℃に加熱
し、このスラリーに酸化亜鉛のスラリーをゆっくりと混
合し、１時間程攪拌する。濾過により固形物を取り出
し、１１０℃で水分を除去した後、粉砕する。その後５
５０℃で８時間焼成することにより得られる。

【００１５】ホスファゼン化合物、及びモリブデン酸亜
鉛は、各々単独でも難燃性を付与する特性を有している
が、十分な難燃性を発現させるには、各々を単独で配合
すると多量の配合量が必要となる。しかし多量に配合す
ると、成形性、及び強度の低下、吸水率の増加を引き起
こす傾向にあり、耐半田クラック性が低下する。これら
の諸物性の低下を防ぐためにも配合量は極力少なくする
必要がある。本発明者は、ホスファゼン化合物とモリブ
デン酸亜鉛を併用することにより、その相乗効果として
更に難燃性が向上し、配合量を低減できることを見いだ
した。

【００１６】本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｆ）成分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、三
酸化アンチモン等の難燃剤を含有することは差し支えな
いが、半導体装置の１５０〜２００℃の高温下での電気
特性の安定性が要求される用途では、臭素原子、アンチ
モン原子の含有量が、それぞれ全エポキシ樹脂組成物中
に０．１重量％未満であることが好ましく、完全に含ま
れない方がより好ましい。臭素原子、アンチモン原子の
いずれかが０．１重量％以上だと、高温下に放置したと
きに半導体装置の抵抗値が時間と共に増大し、最終的に
は半導体素子の金線が断線する不良が発生する可能性が
ある。又、環境保護の観点からも、臭素原子、アンチモ
ン原子のそれぞれの含有量が０．１重量％未満で、極力
含有されていないことが望ましい。本発明のエポキシ樹
脂組成物は、（Ａ）〜（Ｆ）成分を必須成分とするが、
これ以外に必要に応じてシランカップリング剤、カーボ
ンブラック等の着色剤、天然ワックス、合成ワックス等
の離型剤、及びシリコーンオイル、ゴム等の低応力添加
剤等の種々の添加剤を適宜配合しても差し支えない。
又、本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｆ）成
分、及びその他の添加剤等をミキサー等を用いて充分に
均一に混合した後、更に熱ロール又はニーダー等で溶融
混練し、冷却後粉砕して得られる。本発明のエポキシ樹
脂組成物を用いて、半導体等の各種の電子部品を封止
し、半導体装置を製造するには、トランスファーモール
ド、コンプレッションモールド、インジェクションモー
ルド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。

【００１７】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。配合割合は重量部とす
る。 実施例１ ビフェニル型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ（株）・製、ＹＸ４０００Ｈ Ｋ、融点１０５℃、エポキシ当量１９０） ７７重量部 フェノールアラルキル樹脂（軟化点７５℃、水酸基当量１７５） ６８重量部 １，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという ） ２重量部 溶融球状シリカ ７８０重量部 式（３）で示される環状ホスファゼン化合物１ ３０重量部

【化４】 難燃材Ａ（平均粒径１８μｍ、比表面積２．０ｍ²／ｇの溶融球状シリカ８重 量部当たり、モリブデン酸亜鉛２重量部で被覆したもの。平均粒径２４μｍ、最 大粒径７４μｍ） ３０重量部 エポキシシランカップリング剤 ５重量部 カーボンブラック ３重量部 カルナバワックス ５重量部 を常温でスーパーミキサーを用いて混合し、７０〜１０
０℃でロール混練し、冷却後粉砕してエポキシ樹脂組成
物とした。得られたエポキシ樹脂組成物を以下の方法で
評価した。結果を表１に示す。

【００１８】評価方法 スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイ
ラルフロー測定用金型を用いて、金型温度１７５℃、圧
力７ＭＰａ、硬化時間１２０秒で測定した。 硬化性：（株）オリエンテック・製、ＪＳＲキュラスト
メーターＩＶＰＳを用いて、ダイスの直径３５ｍｍ、振
幅角１°、成形温度１７５℃、成形開始９０秒後のトル
ク値を測定した。数値が小さい程硬化が遅い。単位はＮ
・ｍ。 難燃性：低圧トランスファー成形機を用いて成形温度１
７５℃、圧力７ＭＰａ、硬化時間１２０秒で試験片（１
２７ｍｍ×１２．７ｍｍ×３．２ｍｍ）を成形し、アフ
ターベークとして１７５℃、８時間処理した後、ＵＬ−
９４垂直法に準じてΣＦ、Ｆmaxを測定し、難燃性の判
定をした。 熱時強度：低圧トランスファー成形機を用いて成形温度
１７５℃、圧力７ＭＰａ、硬化時間１２０秒で試験片
（８０ｍｍ×１０ｍｍ×４ｍｍ）を成形し、アフターベ
ークとして１７５℃、８時間処理した後、２４０℃での
曲げ強度をＪＩＳＫ ６９１１に準じて測定した。単位
はＮ／ｍｍ²。 吸水率：低圧トランスファー成形機を用いて成形温度１
７５℃、圧力７ＭＰａ、硬化時間１２０秒で試験円盤
（直径５０ｍｍ、厚さ４ｍｍ）を成形し、アフターベー
クとして１７５℃、８時間処理した後、１５０℃で１６
時間乾燥処理を行い、８５℃、相対湿度８５％で１６８
時間処理を行ったものについて、吸水前後の増加重量の
百分率を求めた。単位は％。 耐半田クラック性：低圧トランスファー成形機を用い、
成形温度１７５℃、圧力７ＭＰａ、硬化時間１２０秒
で、８０ｐＱＦＰ（２ｍｍ厚、チップサイズ９．０ｍｍ
×９．０ｍｍ）を成形し、アフターベークとして１７５
℃、８時間処理した後、８５℃、相対湿度８５％で９６
時間の処理を行い、ＩＲリフロー処理（２４０℃、１０
秒）を行った。処理済みのパッケージを超音波探傷機を
用いて観察し、パッケージ内部の剥離、クラック等の不
良を観察。６個のパッケージ中の不良パッケージ数を示
す。 高温保管特性：低圧トランスファー成形機を用いて成形
温度１７５℃、圧力７ＭＰａ、硬化時間１２０秒で１６
ｐＤＩＰ（チップサイズ３．０ｍｍ×３．５ｍｍ）を成
形し、アフターベークとして１７５℃、８時間処理した
後、高温保管試験（１８５℃、１０００時間）を行い、
配線間の電気抵抗値が初期値に対し２０％増加したパッ
ケージを不良と判定した。１５パッケージ中の不良率を
百分率で示した。単位は％。 Ｂｒ原子、Ｓｂ原子の含有量：圧力５．９ＭＰａで直径
４０ｍｍ、厚さ５〜７ｍｍに圧縮成形し、蛍光Ｘ線分析
装置を用いて、全エポキシ樹脂組成物中の臭素原子、ア
ンチモン原子の含有量を定量した。単位は重量％。

【００１９】実施例２〜７、比較例１〜６ 表１、表２の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキ
シ樹脂組成物を作製し、実施例１と同様にして評価し
た。結果を表１、表２に示す。実施例１以外に用いたエ
ポキシ樹脂は、オルソクレゾールノボラック型エポキシ
樹脂（軟化点６５℃、エポキシ当量２１０）、臭素化ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（軟化点８４℃、エポキ
シ当量２８５）で、フェノール樹脂は、フェノールノボ
ラック樹脂（軟化点８１℃、水酸基当量１０４）であ
る。難燃材Ｂは、タルク７重量部当たり、モリブデン酸
亜鉛３重量部で被覆したもので、平均粒径２．１μｍ、
最大粒径１０μｍである。実施例６では式（４）で示さ
れる環状ホスファゼン化合物２を用いた。実施例７では
モリブデン酸亜鉛を単独で用いた。

【化５】

【００２０】

【表１】

【００２１】

【表２】

【００２２】

【発明の効果】本発明に従うと、ハロゲン系難燃剤、及
びアンチモン化合物を含まず、成形性に優れた半導体封
止用エポキシ樹脂組成物が得られ、これを用いた半導体
装置は難燃性、高温保管特性、耐湿信頼性、及び半田ク
ラック性に優れている。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 Ｆターム(参考） 4J002 CC032 CC072 CD001 CD031 CD041 CD051 CD061 CD131 CE002 DE147 DE189 DJ007 DJ017 DJ047 EU096 EU116 EW016 EW158 EY016 FA087 FD017 FD138 FD139 FD142 FD156 GQ05 4J036 AA01 AD01 AD07 AD08 AF01 AF06 AF08 AJ18 AK19 DA01 DA02 DA04 DC38 DC41 DD07 DD09 FA01 FA03 FA05 FA06 FA12 FB07 FB08 JA07 4M109 AA01 CA21 EA02 EB03 EB04 EB07 EB12 EC20

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
   樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材、（Ｅ）ホ
   スファゼン化合物、及び（Ｆ）モリブデン酸亜鉛を必須
   成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂
   組成物。
2. 【請求項２】 ホスファゼン化合物が、環状ホスファゼ
   ン化合物である請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹
   脂組成物。
3. 【請求項３】 環状ホスファゼン化合物が、式（１）で
   示される環状ホスファゼン化合物である請求項２記載の
   半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式中、ｎは３〜７の整数、Ｒは互いに同一もしくは異
   なる有機基を示す。）
4. 【請求項４】 式（１）で示される環状ホスファゼン化
   合物の２ｎ個のＲのうち、少なくともｎ個がフェノキシ
   基である請求項３記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
   物。
5. 【請求項５】 （Ｆ）成分が、無機系物質をモリブデン
   酸亜鉛で被覆したものである請求項１、２、３、又は４
   記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
6. 【請求項６】 無機充填材の一部又は全てが、モリブデ
   ン酸亜鉛で被覆されている請求項１、２、３、４、又は
   ５記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
7. 【請求項７】 無機充填材が、溶融球状シリカ、又はタ
   ルクである請求項１、２、３、４、５、又は６記載の半
   導体封止用エポキシ樹脂組成物。
8. 【請求項８】 全エポキシ樹脂組成物中に含有される臭
   素原子及びアンチモン原子が、それぞれ０．１重量％未
   満である請求項１、２、３、４、５、６、又は７記載の
   半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
9. 【請求項９】 請求項１〜８記載のいずれかのエポキシ
   樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特
   徴とする半導体装置。