JP2000129092A - 難燃性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents

難燃性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置

Info

Publication number
JP2000129092A
JP2000129092A JP10299606A JP29960698A JP2000129092A JP 2000129092 A JP2000129092 A JP 2000129092A JP 10299606 A JP10299606 A JP 10299606A JP 29960698 A JP29960698 A JP 29960698A JP 2000129092 A JP2000129092 A JP 2000129092A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cured product
epoxy resin
resin composition
weight
inorganic filler
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10299606A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3349963B2 (ja
Inventor
Yukihiro Kiuchi
幸浩 木内
Masatoshi Ichi
正年 位地
Katsushi Terajima
克司 寺島
Isao Katayama
功 片山
Yasuo Matsui
泰雄 松井
Masaru Ota
賢 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
NEC Corp
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP29960698A priority Critical patent/JP3349963B2/ja
Application filed by NEC Corp, Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to AT99949323T priority patent/ATE350411T1/de
Priority to EP06018889A priority patent/EP1739112B1/en
Priority to DE69934716T priority patent/DE69934716T8/de
Priority to AT06018889T priority patent/ATE442394T1/de
Priority to EP99949323A priority patent/EP1142923B1/en
Priority to KR10-2001-7004927A priority patent/KR100443110B1/ko
Priority to DE69941409T priority patent/DE69941409D1/de
Priority to PCT/JP1999/005787 priority patent/WO2000023494A1/ja
Priority to US09/830,016 priority patent/US7098276B1/en
Priority to MYPI99004547A priority patent/MY145752A/en
Priority to TW088118357A priority patent/TWI225074B/zh
Publication of JP2000129092A publication Critical patent/JP2000129092A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3349963B2 publication Critical patent/JP3349963B2/ja
Priority to US11/477,524 priority patent/US7799852B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L61/00Compositions of condensation polymers of aldehydes or ketones; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L61/04Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C08L61/06Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体封止樹脂等として使用されるエポキシ
樹脂組成物であって、難燃剤を一切使用せずに、また無
機質充填剤を特に高充填化せずに、その硬化物の架橋構
造自体によって難燃性の向上を達成した難燃性エポキシ
樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 エポキシ樹脂(A)、フェノール系樹脂
(B)、無機質充填剤(C)及び硬化促進剤(D)を含
有し、かつ、その硬化物中の無機質充填剤(C)の含有
量をW(重量%)、この硬化物の240±20℃での曲
げ弾性率をE(kgf/mm2)とした場合において、
前記曲げ弾性率Eが、30≦W<60のときに0.01
5W+4.1≦E≦0.27W+21.8となる数値、
60≦W≦95のときに0.30W−13≦E≦3.7
W−184となる数値を示すエポキシ樹脂組成物とす
る。この組成物の硬化物は、熱分解時及び着火時に発泡
層を形成して難燃性を示す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体封止樹脂と
して好適に使用されるエポキシ樹脂組成物に関し、さら
に詳述すると、難燃性に優れるとともに、半導体封止樹
脂としての信頼性、特に耐半田クラック性、耐湿性及び
高温での耐配線腐食性に優れた難燃性エポキシ樹脂組成
物に関する。また、本発明は、上記難燃性エポキシ樹脂
組成物を用いた半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスタ、集積
回路などの電子部品は、主にエポキシ樹脂組成物で封止
されている。この半導体封止樹脂として使用されるエポ
キシ樹脂組成物には、安全性確保のために、UL規格で
難燃性の付与が義務付けられている。そのため、上記エ
ポキシ樹脂組成物には、通常、難燃剤としてハロゲン系
難燃剤が、また難燃助剤として三酸化アンチモンが配合
されている。しかし、近年の環境問題に対する意識の高
まりとともに、各種半導体装置の封止樹脂に使用されて
いる難燃剤や難燃助剤にも高度な安全性が要求されてい
る。
【0003】ハロゲン系難燃剤は燃焼時に有害なハロゲ
ン系ガス等を発生すること、難燃助剤である三酸化アン
チモンは慢性毒性を有する疑いがあることから、これら
難燃剤、難燃助剤の環境・衛生面での問題が指摘されて
おり、そのため従来の半導体封止樹脂は安全性が不十分
であると現在考えられている。また、高温下では、前記
の難燃剤や難燃助剤に由来するハロゲンやアンチモン
が、半導体装置の配線の腐食、特に金(Au)ワイヤと
アルミニウム(Al)パッドとの界面(異種金属の界
面)等の腐食を促進するため、AuワイヤとAlパッド
の接合部の接触抵抗が大きくなって断線に至る現象が起
こり、半導体装置の信頼性、特に高温での耐配線腐食性
を低下させる原因となっている。したがって、ハロゲン
系難燃剤や三酸化アンチモンを使用することなく、難燃
特性及び信頼性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を開発することが要求されている。
【0004】前記の要求に対して、現在、一部で使用さ
れ始めている赤リンやリン酸エステルなどのリン系難燃
剤は、エポキシ樹脂組成物の難燃化に有用であるが、微
量の水分と反応してホスフィンや腐食性のリン酸を生じ
るので、耐湿性に問題があり、したがって耐湿性に対す
る要求が特に厳しい電子部品の封止用途には適さない。
【0005】また、水酸化アルミニウム、水酸化マグネ
シウム等の金属水酸化物や、硼素系化合物を難燃剤とし
て用いることも検討されてきたが、これら金属水酸化物
や硼素系化合物は、エポキシ樹脂組成物に対して多量に
配合しないと十分な難燃性の効果が発現しないため、こ
れらの添加によってエポキシ樹脂組成物の成形性が低下
してしまうという問題があった。
【0006】さらに、前述したハロゲン系やリン系等の
難燃剤を使用する代わりに、エポキシ樹脂組成物に対し
て無機質充填剤を高充填化すること、例えば87〜95
重量%添加することにより難燃性を改善した半導体封止
用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置(特開平8−30
1984号公報)や、エポキシ樹脂組成物に対して無機
質充填剤を83容量%(球状シリカ粉末で91重量%)
以上の割合で高充填化することで耐燃焼性を改善したエ
ポキシ樹脂組成物及び半導体封止装置(特開平9−20
8808号公報)が提案されている。しかし、これらの
エポキシ樹脂組成物は、無機質充填剤が高充填化されて
いるために、半導体装置の封止に使用する際の成形性が
不十分であるという問題があった。
【0007】これに対して、難燃剤を添加しないで樹脂
自体を難燃化することに関しては、従来主として、エポ
キシ樹脂硬化物を構成する樹脂構造の耐熱性 (耐熱分解
性)を向上させることが検討されてきた。これは、エポ
キシ樹脂硬化物中の樹脂成分、例えばエポキシ樹脂とフ
ェノール系樹脂との硬化反応によって形成される架橋構
造の密度を高くすることにより、加熱時や着火時に起こ
るこれら樹脂成分の分子振動を制限して、この樹脂成分
の熱分解を抑制するとともに、この時に発生する可燃成
分を含む分解ガスの発生量を低減することで、樹脂成分
の燃焼を最小限に止めてエポキシ樹脂硬化物の難燃性を
向上させようとするものである。しかし、これらの検討
では、十分な難燃性は得られていなかった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前述した問
題点に鑑みてなされたもので、難燃剤を一切使用せず
に、また無機質充填剤を特に高充填化せずに、その硬化
物の架橋構造自体によって難燃性の向上を達成したエポ
キシ樹脂組成物を提供することを目的としている。この
難燃性エポキシ樹脂組成物は、その硬化物が熱分解時や
着火時に発泡層を形成することで高度な難燃性を示すと
ともに、半導体封止樹脂としての信頼性、例えば耐半田
クラック性や耐湿性等、特に高温での耐配線腐食性に優
れたものである。また、本発明は、前記難燃性エポキシ
樹脂組成物を用いた半導体装置を提供することを目的と
している。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、下記(1)〜(4)のエポキシ樹脂組成
物を提供する。
【0010】(1)エポキシ樹脂(A)、フェノール系
樹脂(B)、無機質充填剤(C)及び硬化促進剤(D)
を含有するエポキシ樹脂組成物であって、該組成物を硬
化させてなる硬化物中の無機質充填剤(C)の含有量を
W(重量%)、この硬化物の240±20℃での曲げ弾
性率をE(kgf/mm2)とした場合において、前記
曲げ弾性率Eが、30≦W<60のときに0.015W
+4.1≦E≦0.27W+21.8となる数値、60
≦W≦95のときに0.30W−13≦E≦3.7W−
184となる数値を示し、前記硬化物が熱分解時及び着
火時に発泡層を形成して難燃性を示すことを特徴とする
エポキシ樹脂組成物。
【0011】(2)エポキシ樹脂(A)、フェノール系
樹脂(B)、無機質充填剤(C)及び硬化促進剤(D)
を含有するエポキシ樹脂組成物であって、該組成物を硬
化させてなる硬化物中の無機質充填剤(C)の含有量を
W(重量%)とし、かつ、前記硬化物を計り入れた耐熱
性容器を、一定流量の不活性ガスを用いてその雰囲気を
不活性状態にした管状炉内にセットして、700±10
℃で10分間、前記硬化物を熱分解させた時に発生する
一酸化炭素及び二酸化炭素の前記硬化物に対する重量割
合をq1(重量%)、この熱分解が終了した時の残渣、
すなわち前記硬化物中の樹脂成分(無機質充填剤(C)
以外の成分)のうちで熱分解せずに残った炭化物と無機
質充填剤の前記硬化物に対する重量割合をq2(重量
%)、前記硬化物に含まれる前記樹脂成分の前記硬化物
に対する重量割合をq3(重量%)としたときに、下記
式 Q1(重量%)=(q1/q3)×100 Q2(重量%)={(100−q1−q2)/q3}×10
0 で表される値Q1及びQ2が、それぞれQ1≧5、5≦Q2
≦50の数値を示し、前記硬化物が熱分解時及び着火時
に発泡層を形成して難燃性を示すことを特徴とするエポ
キシ樹脂組成物。
【0012】(3)エポキシ樹脂(A)、フェノール系
樹脂(B)、無機質充填剤(C)及び硬化促進剤(D)
を含有するエポキシ樹脂組成物であって、該組成物を硬
化させてなる硬化物中の無機質充填剤(C)の含有量を
W(重量%)、この硬化物の240±20℃での曲げ弾
性率をE(kgf/mm2)とした場合において、前記
曲げ弾性率Eが、30≦W<60のときに0.015W
+4.1≦E≦0.27W+21.8となる数値、60
≦W≦95のときに0.30W−13≦E≦3.7W−
184となる数値を示すとともに、前記硬化物を計り入
れた耐熱性容器を、一定流量の不活性ガスを用いてその
雰囲気を不活性状態にした管状炉内にセットして、70
0±10℃で10分間、前記硬化物を熱分解させた時に
発生する一酸化炭素及び二酸化炭素の前記硬化物に対す
る重量割合をq1(重量%)、この熱分解が終了した時
の残渣、すなわち前記硬化物中の樹脂成分(無機質充填
剤(C)以外の成分)のうちで熱分解せずに残った炭化
物と無機質充填剤の前記硬化物に対する重量割合をq2
(重量%)、前記硬化物に含まれる前記樹脂成分の前記
硬化物に対する重量割合をq3(重量%)としたとき
に、下記式 Q1(重量%)=(q1/q3)×100 Q2(重量%)={(100−q1−q2)/q3}×10
0 で表される値Q1及びQ2が、それぞれQ1≧5、5≦Q2
≦50の数値を示し、前記硬化物が熱分解時及び着火時
に発泡層を形成して難燃性を示すことを特徴とするエポ
キシ樹脂組成物。
【0013】(4)エポキシ樹脂(A)、フェノール系
樹脂(B)、無機質充填剤(C)及び硬化促進剤(D)
を含有するエポキシ樹脂組成物であって、該組成物を硬
化させてなる硬化物が、熱分解時及び着火時に発泡層を
形成して難燃性を示すことを特徴とするエポキシ樹脂組
成物。
【0014】また、本発明は、前記(1)〜(4)のエ
ポキシ樹脂組成物を封止樹脂として用いたことを特徴と
する半導体装置を提供する。
【0015】本発明による難燃性エポキシ樹脂組成物の
難燃メカニズムを以下に述べる。本発明に係るエポキシ
樹脂組成物の硬化物では高度な難燃性が得られるが、そ
の理由は、この硬化物の高温(240±20℃)での曲
げ弾性率Eが所定範囲の数値である場合には、熱分解時
又は着火時に硬化物の内部で発生する熱分解ガスが、硬
化物の層をゴムのように膨張させて発泡層を形成し、こ
の発泡層による未燃焼部への酸素の遮断及び断熱作用に
よって、硬化物が自己消火性を示すためである。なお、
上記発泡層は、フェノールフォーム樹脂などに含まれて
いるような発泡成形法によって人為的に形成されたもの
とは全く異なり、本発明のエポキシ樹脂硬化物が熱分解
したり、着火したりした時に新たに発生するものであ
る。
【0016】これに対し、前記弾性率Eが所定範囲より
も高い数値である場合には、硬化物の層が硬すぎるの
で、熱分解時又は着火時に硬化物の内部で発生する熱分
解ガスによって硬化物の層がゴムのように膨張できず、
発泡層を形成する代わりに硬化物中に亀裂(クラック)
が発生し、その結果、難燃性が大幅に低下するものと考
えられる。また、前記弾性率Eが所定範囲よりも低い数
値である場合には、熱分解又は着火の初期には発泡層が
形成されるが、硬化物の層が柔らかすぎるので、発泡層
が容易に壊れ、さらに硬化物全体が高い流動性を示すよ
うになって、液垂れ現象(ドリップ)を起こして燃焼が
継続するため、難燃性が大幅に低下するものと考えられ
る。
【0017】エポキシ樹脂硬化物の高温(240±20
℃)での曲げ弾性率Eを、前記のように熱分解時又は着
火時に発泡層を形成できるような所定の範囲に調整する
ことは、エポキシ樹脂硬化物の架橋構造中に、芳香族類
及び/又は多芳香族類、好ましくは、フェニル誘導体及
びビフェニル誘導体から選ばれる芳香族類及び/又は多
芳香族類を導入する方法で達成することができる。すな
わち、エポキシ樹脂硬化物の架橋構造中に芳香族類や多
芳香族類を導入して、従来のエポキシ樹脂硬化物よりも
架橋点間の距離を長くすることで、熱分解時又は着火時
のような高温下においてエポキシ樹脂硬化物中の自由体
積が増加し、その結果、硬化物中の樹脂成分の弾性率が
低下して発泡層の形成が容易になり、又、他の炭化水素
化合物、例えば飽和炭化水素化合物の導入に比べて樹脂
成分そのものの熱分解も抑制され、これにより安定した
発泡層の形成が可能になると考えられる。
【0018】また、熱分解時又は着火時に樹脂成分が分
解して発生するガス成分によって、樹脂層はゴムのよう
に膨張させられて発泡層が形成されるが、この分解ガス
が発泡層を破壊して外部に出てくると、分解ガス中に含
まれる可燃成分、すなわち低沸点の有機成分に着火して
燃焼が継続するので、上記有機成分の発生量がエポキシ
樹脂硬化物の難燃性に大きく影響する。具体的には、前
記硬化物を計り入れた耐熱性容器を、一定流量の不活性
ガスを用いてその雰囲気を不活性状態にした管状炉内に
セットして、700±10℃で10分間、前記硬化物を
熱分解させた時に発生する一酸化炭素及び二酸化炭素
(すなわち分解ガス中の非有機成分)の無機質充填剤
(C)以外の成分(樹脂成分)に対する重量割合Q
1(重量%)をQ1≧5の範囲とし、上記樹脂成分から発
生する一酸化炭素及び二酸化炭素以外のガス成分(すな
わち分解ガス中の有機成分)の樹脂成分に対する重量割
合Q2(重量%)を5≦Q2≦50の範囲とした場合に
は、分解ガスに着火して燃焼が継続する可能性が低くな
るので、難燃性が良好になる。
【0019】これに対し、Q1及びQ2が前記範囲未満の
場合には、上記硬化物の樹脂層が十分に発泡しないの
で、難燃性が低下する。また、Q2が前記範囲を超える
場合には、分解ガスに着火して燃焼が継続する可能性が
高くなるので、難燃性が低下する。
【0020】
【発明の実施の形態】本発明のエポキシ樹脂組成物
(1)は、前記成分(A)〜(D)を必須成分とし、か
つ、該組成物を硬化させてなる硬化物中の無機質充填剤
(C)の含有量をW(重量%)、この硬化物の240±
20℃での曲げ弾性率をE(kgf/mm 2)とした場
合において、前記曲げ弾性率Eが、30≦W<60のと
きに0.015W+4.1≦E≦0.27W+21.8
となる数値、60≦W≦95のときに0.30W−13
≦E≦3.7W−184となる数値を示すものである。
【0021】これに対し、前記曲げ弾性率Eが、30≦
W<60のときにE<0.015W+4.1となる数
値、60≦W≦95のときにE<0.30W−13とな
る数値である場合には、発泡層が柔らかすぎて壊れやす
く、発泡層の形成が効果的に起こらないので、十分な難
燃化を達成しにくくなる。一方、前記曲げ弾性率Eが、
30≦W<60のときにE>0.27W+21.8とな
る数値、60≦W≦95のときにE>3.7W−184
となる数値である場合には、硬化物の層が硬すぎて、発
泡層の形成が効果的に起こらないので、やはり十分な難
燃化を達成しにくくなる。
【0022】上記曲げ弾性率Eのより好ましい値は、3
0≦W<60のときに0.015W+7.1≦E≦0.
27W+6.8となる数値、60≦W≦95のときに
0.30W−10≦E≦3.7W−199となる数値で
ある。
【0023】また、本発明のエポキシ樹脂組成物(1)
では、その硬化物中の無機質充填剤(C)の含有量W
(重量%)が、30≦W≦95の領域に含まれることが
好ましい。上記含有量WがW<30の領域に含まれる場
合には、発泡層が柔らかすぎて壊れやすく、発泡層の形
成が効果的に起こらないので、十分な難燃化を達成しに
くくなる。一方、上記含有量WがW>95の領域に含ま
れる場合には、硬化物の層が硬すぎて、発泡層の形成が
効果的に起こらないので、やはり十分な難燃化を達成し
にくくなる。さらに、上記無機質充填剤(C)の含有量
Wのより好ましい値は、30≦W<87の領域に含まれ
る数値である。W≧87の場合には、エポキシ樹脂組成
物の成形性が低下するので好ましくない場合がある。
【0024】本発明のエポキシ樹脂組成物(2)は、前
記成分(A)〜(D)を必須成分とし、かつ、該組成物
を硬化させてなる硬化物中の無機質充填剤(C)の含有
量をW(重量%)とし、かつ、前記硬化物を計り入れた
耐熱性容器を、一定流量の不活性ガスを用いてその雰囲
気を不活性状態にした管状炉内にセットして、700±
10℃で10分間、前記硬化物を熱分解させた時に発生
する一酸化炭素及び二酸化炭素の前記硬化物に対する重
量割合をq1(重量%)、この熱分解が終了した時の残
渣、すなわち前記硬化物中の樹脂成分(無機質充填剤
(C)以外の成分)のうちで熱分解せずに残った炭化物
と無機質充填剤の前記硬化物に対する重量割合をq
2(重量%)、前記硬化物に含まれる前記樹脂成分の前
記硬化物に対する重量割合をq3(重量%)としたとき
に、下記式 Q1(重量%)=(q1/q3)×100 Q2(重量%)={(100−q1−q2)/q3}×10
0 で表される値Q1及びQ2が、それぞれQ1≧5、5≦Q2
≦50の数値を示すものである。
【0025】ここで、前記値Q1は、樹脂成分から発生
する一酸化炭素及び二酸化炭素、すなわち分解ガス中の
非有機成分(難燃成分)の樹脂成分に対する重量割合に
該当し、前記値Q2は、樹脂成分から発生する一酸化炭
素及び二酸化炭素以外のガス成分、すなわち、主として
分解ガス中の有機成分(可燃成分)の樹脂成分に対する
重量割合に該当する。また、樹脂成分とは、エポキシ樹
脂、フェノール系樹脂(硬化剤)及び有機成分の添加剤
(離型剤、カップリング剤、カーボンブラック等)を意
味する。
【0026】これに対し、前記値Q1及びQ2が、Q1
5及びQ2<5の領域に含まれる場合には、硬化物の樹
脂層の発泡が不十分で、硬化物を難燃化するのに十分な
発泡層が形成されないため、難燃性が低下する。前記値
2がQ2>50の領域に含まれる場合には、分解ガス中
の可燃成分の割合が高いために、分解ガスに二次的に着
火して燃焼が継続しやすくなるので、発泡層が形成され
ても、エポキシ樹脂硬化物の難燃性が低下する傾向があ
る。上記Q1及びQ2のより好ましい値は、それぞれQ1
≧10、5≦Q2≦45となる数値である。
【0027】本発明のエポキシ樹脂組成物(3)は、前
述した本発明のエポキシ樹脂組成物(1)及び(2)、
双方の構成要件及び作用効果を備えたものである。この
場合、本発明のエポキシ樹脂組成物(3)において、前
記値E、W、Q1及びQ2に関しては、本発明のエポキシ
樹脂組成物(1)及び(2)に関して述べたのと同様で
ある。
【0028】本発明のエポキシ樹脂組成物(1)〜
(4)は、芳香族類及び/又は多芳香族類をその硬化物
の架橋構造中に含むことが好ましく、これによって硬化
物の難燃性、耐熱性、耐湿性がより向上する。
【0029】また、上記芳香族類及び/又は多芳香族類
は、フェニル誘導体及びビフェニル誘導体から選ばれる
1種以上であることが特に好ましく、これによって硬化
物の難燃性、耐熱性、耐湿性がより一層向上する。
【0030】本発明のエポキシ樹脂組成物において、エ
ポキシ樹脂(A)、フェノール系樹脂(B)、無機質充
填剤(C)及び硬化促進剤(D)としては、例えば下記
のものを用いることができるが、これらに限定されるも
のではない。
【0031】エポキシ樹脂(A)としては、エポキシ樹
脂硬化物の架橋構造中に芳香族類及び/又は多芳香族類
を含ませる点、好ましくは、フェニル誘導体及びビフェ
ニル誘導体の1種以上を含ませる点で、分子中に芳香族
類及び/又は多芳香族類を含むエポキシ樹脂、好ましく
は、エポキシ基を持たないフェニル誘導体、ビフェニル
誘導体及び3〜4個のエポキシ基が結合した芳香族類の
1種以上を含むエポキシ樹脂を特に好適に用いることが
できる。この場合、エポキシ基を持たないフェニル誘導
体を含むエポキシ樹脂としては、例えば後述する式
(1)のフェノールフェニルアラルキルエポキシ樹脂等
が挙げられ、ビフェニル誘導体を含むエポキシ樹脂とし
ては、例えば後述する式(2)のフェノールビフェニル
アラルキルエポキシ樹脂、式(4)のビフェニル−4,
4'−ジグリシジルエーテルエポキシ樹脂と3,3',
5,5'−テトラメチルビフェニル−4,4'−ジグリシ
ジルエーテルエポキシ樹脂との組み合わせ等が挙げら
れ、3〜4個のエポキシ基が結合した芳香族類を含むエ
ポキシ樹脂としては、例えば後述する式(3)のテトラ
フェニロールエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。ま
た、分子中に多芳香族類を含有するエポキシ樹脂の中
で、ナフタレン誘導体を含むナフトールアラルキル型エ
ポキシ樹脂等を用いてもよい。さらに、分子中に芳香族
類を含有するエポキシ樹脂の中で、例えば後述する式
(8)のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノ
ールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹
脂及びこれらの類縁体を用いてもよい。エポキシ樹脂
(A)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合
して用いてもよい。
【0032】フェノール系樹脂(B)としては、エポキ
シ樹脂硬化物の架橋構造中に芳香族類及び/又は多芳香
族類を含ませる点、好ましくは、フェニル誘導体及びビ
フェニル誘導体の1種以上を含ませる点で、分子中に芳
香族類及び/又は多芳香族類を含むフェノール系樹脂、
好ましくは、水酸基を持たないフェニル誘導体及びビフ
ェニル誘導体の1種以上を含むフェノール系樹脂を特に
好適に用いることができる。この場合、水酸基を持たな
いフェニル誘導体を含むフェノール系樹脂としては、例
えば後述する式(9)のフェノールフェニルアラルキル
樹脂等が挙げられ、水酸基を持たないビフェニル誘導体
を含むフェノール系樹脂としては、例えば後述する式
(10)、(13)のフェノールビフェニルアラルキル
樹脂等が挙げられる。また、分子中に多芳香族類を含有
するフェノール系樹脂の中で、ナフタレン誘導体を含む
ナフトールアラルキル型樹脂等を用いてもよい。フェノ
ール系樹脂(B)は、1種を単独で用いてもよく、2種
以上を混合して用いてもよい。この中でも特に難燃性の
点でフェノールビフェニルアラルキル樹脂が好ましい。
【0033】この場合、前述した分子中に芳香族類及び
/又は多芳香族類を含むエポキシ樹脂は、総エポキシ樹
脂中に30〜100重量%含まれることが難燃性向上の
点で好ましい。同様に、前述した分子中に芳香族類及び
/又は多芳香族類を含むフェノール系樹脂は、総フェノ
ール系樹脂中に30〜100重量%含まれることが難燃
性向上の点で好ましい。
【0034】さらに、総エポキシ樹脂のエポキシ基数
(Ep)に対する総フェノール系樹脂のフェノール性水
酸基数(OH)の比(OH/Ep)が、1.0≦(OH
/Ep)≦2.5であると、これらを硬化させてなる硬
化物の難燃性を向上する上でより適当である。前記(O
H/Ep)が、(OH/Ep)<1.0であると、前記
硬化物の熱分解又は着火時に、前記硬化物中のエポキシ
樹脂とフェノール系樹脂が形成している架橋構造中に残
余しているエポキシ基に由来するアリルアルコール等の
可燃成分の発生量が増加することから、難燃性の向上を
阻害する可能性がある。また、(OH/Ep)>2.5
の場合には、前記エポキシ樹脂組成物を硬化させてなる
硬化物の架橋密度が低くなりすぎるために、この樹脂組
成物の硬化が不十分となり、前記硬化物の耐熱性や強度
が不十分となる場合がある。
【0035】無機質充填剤(C)としては、半導体封止
樹脂に一般に使用されているものを広く使用することが
でき、例えば、溶融シリカ粉末、結晶シリカ粉末、アル
ミナ粉末、窒化ケイ素、ガラス繊維等が挙げられる。無
機質充填剤(C)は、1種を単独で用いてもよく、2種
以上を混合して用いてもよい。
【0036】硬化促進剤(D)としては、半導体封止樹
脂に一般に使用されているものを広く使用することがで
き、エポキシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促
進させるものであればよく、例えば、トリフェニルホス
フィン、2−メチルイミダゾ−ル、1,8−ジアザビシ
クロ(5,4,0)ウンデセン−7等が挙げられる。硬
化促進剤(D)は、1種を単独で用いてもよく、2種以
上を混合して用いてもよい。
【0037】さらに、本発明のエポキシ樹脂組成物に
は、前記成分(A)〜(D)の他に、必要に応じて、カ
ーボンブラック等の着色剤、γ−グリシドキシプロピル
トリメトキシシラン等のシランカップリング剤、シリコ
ーンオイル、シリコーンゴム等の低応力成分、天然ワッ
クス、合成ワックス、高級脂肪酸及びその金属塩類、パ
ラフィン等の離型剤といった各種添加剤を適宣配合して
も差し支えない。
【0038】本発明のエポキシ樹脂組成物は、例えば、
構成材料をリボンブレンダーやヘンシェルミキサーなど
で予備混練した後、加熱ロールやニーダーなどを用いて
混合することで製造することができる。そして、このエ
ポキシ樹脂組成物を、必要に応じて有機溶媒や水分を脱
気してから、トランスファー成型機や加熱プレス成型機
によって所定の成形条件で加熱して、架橋反応を起こさ
せて硬化させることで、高度な難燃性を有するエポキシ
樹脂硬化物の成形体を得ることができる。
【0039】本発明の半導体装置は、本発明のエポキシ
樹脂組成物を用いて半導体等の電子部品を封止したもの
である。この場合、本発明の半導体装置としては、例え
ば、半導体素子をリードフレームのダイパッド上に搭載
し、これらをワイヤーボンディングして接続したものを
樹脂で封止してなる半導体装置、リードオンチップ方式
の樹脂封止型半導体装置、ボールグリッドアレイの樹脂
封止型半導体装置等を挙げることができるが、これらに
限定されるものではなく、本発明の半導体装置は、半導
体等の電子部品を本発明のエポキシ樹脂組成物で封止し
たものを全て包含する。
【0040】
【実施例】次に、実施例により本発明を具体的に示す
が、本発明は下記実施例に限定されるものではない。以
下の実施例及び比較例において、[%]とは[重量%]
を意味する。
【0041】実施例及び比較例で用いたエポキシ樹脂、
フェノール系樹脂の略号及び構造を、まとめて以下に示
す。 ・エポキシ樹脂1:下記式(1)のフェノールフェニル
アラルキルエポキシ樹脂(n=0〜10、軟化点55
℃、エポキシ当量238g/eq) ・エポキシ樹脂2:下記式(2)のフェノールビフェニ
ルアラルキルエポキシ樹脂(n=0〜10、軟化点57
℃、エポキシ当量274g/eq) ・エポキシ樹脂3:下記式(3)のテトラフェニロール
エタン型エポキシ樹脂を主成分とするエポキシ樹脂組成
物(軟化点92℃、エポキシ当量203g/eq) ・エポキシ樹脂4:下記式(4)のビフェニル−4,
4'−ジグリシジルエーテルエポキシ樹脂と3,3',
5,5'−テトラメチルビフェニル−4,4'−ジグリシ
ジルエーテルエポキシ樹脂との組み合わせを主成分とす
るエポキシ樹脂組成物(融点111℃、エポキシ当量1
70g/eq) ・エポキシ樹脂5:下記式(5)のクレゾールノボラッ
クエポキシ樹脂(n=0〜10、軟化点68℃、エポキ
シ当量194g/eq) ・エポキシ樹脂6:下記式(6)のジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂(n=0〜10、軟化点56℃、エポ
キシ当量241g/eq) ・エポキシ樹脂7:下記式(7)のビスフェノールA型
エポキシ樹脂と臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂
との組み合わせ(n=0〜10、軟化点70℃、エポキ
シ当量357g/eq、臭素含有率=臭素/エポキシ樹
脂=20重量%) ・エポキシ樹脂8:下記式(8)のビスフェノールA型
エポキシ樹脂(n=0〜0.8、25℃の粘度6500
cps、エポキシ当量176g/eq)
【0042】・フェノール系樹脂1:下記式(9)のフ
ェノールフェニルアラルキル樹脂(n=0〜10、軟化
点83℃、水酸基当量175g/eq) ・フェノール系樹脂2:下記式(10)のフェノールビ
フェニルアラルキル樹脂(n=0〜10、軟化点120
℃、水酸基当量208g/eq) ・フェノール系樹脂3:下記式(11)のフェノールノ
ボラック樹脂(n=0〜10、軟化点106℃、水酸基
当量106g/eq) ・フェノール系樹脂4:下記式(12)のジシクロペン
タジエン型フェノール樹脂(n=0〜10、軟化点92
℃、水酸基当量170g/eq) ・フェノール樹脂5:下記式(13)のフェノールビフ
ェニルアラルキル樹脂(n=0〜2、軟化点100℃、
水酸基当量196g/eq) ・アミン系硬化剤1:下記式(14)のジアミノジフェ
ニルメタン(軟化点89℃、活性水素当量49.5g/
eq)
【0043】
【化1】
【化2】
【化3】
【化4】
【化5】
【化6】
【化7】
【化8】
【化9】
【化10】
【化11】
【化12】
【化13】
【化14】
【0044】なお、実施例1,2,5,6,9,10,
13,14,18,21,22、比較例1〜5,11,
12で用いた溶融破砕シリカは、平均粒径15μm、比
表面積2.2m2/gである。また、実施例3,4,
7,8,11,12,15,16,17,19,20,
23、比較例6〜10,13〜15で用いた溶融球状シ
リカは、平均粒径22μm、比表面積5.0m2/gで
ある。
【0045】[実施例1]エポキシ樹脂4を16.58
%、フェノール系樹脂2を20.23%、溶融破砕シリ
カ粉末60.0%、カルナバワックス0.51%、トリ
フェニルホスフィン(T.P.P.)0.40%、シラ
ンカップリング剤1.57%及びカーボンブラック0.
71%を、常温で予備混合した後、100℃のロール上
で約5分間混練したものを、冷却後粉砕して樹脂組成物
とした。
【0046】上記実施例1に示した樹脂組成物を錠剤状
に固めたもの(タブレット)を、所定の条件(シングル
プランジャータイプのトランスファー成形機、成形温度
175℃、タブレット予熱85℃、成形時間120秒、
注入時間15秒、注入圧力100kg/cm2(実行
圧))で成形した後、後硬化(175℃、4時間)させ
て硬化物を得た。
【0047】前記硬化物を用いて、JIS K6911
に従って曲げ弾性率測定用の成形板を、UL94難燃規
格に従って難燃性試験用の成形板をそれぞれ作成した。
前記成形板を用いて、曲げ弾性率の測定及び難燃性試験
を行った。難燃性試験後の成形板は切削、加工して断面
の観察を反射蛍光顕微鏡で行った。また、前記硬化物を
用いてガス分析(Q1及びQ2の測定)を行った。
【0048】耐半田クラック性は、7.5mm×7.5
mm×350μmのシリコン製チップを、上記実施例1
に示した樹脂組成物を錠剤状に固めたもの(タブレッ
ト)を用いて、所定の条件(シングルプランジャータイ
プのトランスファー成形機、成形温度175℃、タブレ
ット予熱85℃、成形時間120秒、注入時間15秒、
注入圧力100kg/cm2(実行圧))で封入して得
られた80ピンQFP型(14×20×2.7mm)の
半導体装置を、後硬化(175℃、4時間)させたもの
を用いて評価した。
【0049】耐湿性及び耐配線腐食性は、線幅及び線間
隔10μmのアルミニウム製の配線(但し、パッド部は
一辺70μm角)を施した3.0mm×3.5mm×3
50μmのシリコン製チップを、16ピンDIP用の4
2アロイ(ニッケル42%、コバルト・クロム約1%、
残りが鉄の合金)のフレームにマウントした後、前記パ
ッド部に直径が28μmの金線をワイヤボンドしたもの
を、上記実施例1に示した樹脂組成物を錠剤状に固めた
もの(タブレット)を用いて、所定の条件(シングルプ
ランジャータイプのトランスファー成形機、成形温度1
75℃、タブレット予熱85℃、成形時間120秒、注
入時間15秒、注入圧力100kg/cm2(実行
圧))で封入して得られた16ピンDIP型(18×5
×3mm)の半導体装置を、後硬化(175℃、4時
間)させたものを用いて評価した。
【0050】[実施例21]エポキシ樹脂8を32.0
7%、フェノール系樹脂5を35.59%、溶融破砕シ
リカ粉末30.0%、1,8−ジアザビシクロ(5,
4,0)ウンデセン−7(D.B.U)0.34%、シ
ランカップリング剤2.0%を、回分式の攪拌機で混合
しながら加熱溶解した後、真空脱泡して樹脂組成物を得
た。前記のようにして得られた樹脂組成物を、減圧状態
の鋳型に注型した後、所定の条件(80℃×2時間+1
20℃×2時間+200℃×5時間)で硬化させて硬化
物を得た。
【0051】[比較例11]エポキシ樹脂8を53.0
9%、アミン系硬化剤1を14.91%、溶融破砕シリ
カ粉末30.0%、シランカップリング剤2.0%を、
回分式の攪拌機で混合しながら加熱・溶解した後、真空
脱泡して樹脂組成物を得た。前記のようにして得られた
樹脂組成物を、減圧状態の鋳型に注型した後、所定の条
件(80℃×2時間+120℃×2時間+200℃×5
時間)で硬化させて硬化物を得た。
【0052】前記実施例21及び比較例11の硬化物を
用いて、JIS K6911に従って曲げ弾性率測定用
の成形板を、UL94難燃規格に従って難燃性試験用の
成形板をそれぞれ作成した。前記成形板を用いて、曲げ
弾性率の測定及び難燃性試験を行った。難燃性試験後の
成形板は切削、加工して断面の観察を反射蛍光顕微鏡で
行った。また、前記硬化物を用いてガス分析(Q1及び
2の測定)を行った。
【0053】以下に、各試験項目とその評価基準をまと
めて示す。 曲げ弾性率測定 240℃での曲げ弾性率E(kgf/mm2)の測定試
験をJISK6911に準拠して行った。評価基準は下
記の通りとした。 ○印…Eの数値が前記の領域内=自己消火機能が発現 ×印…Eの数値が前記の領域外=燃焼が継続
【0054】難燃性試験 UL−94垂直試験を行って難燃性を評価した。以下に
試験の手順を示す。成形板(長さ127mm×幅12.
7mm×厚み1.6mm)の長さ方向と地面が垂直にな
るように、サンプル支持具(クランプ)で成形板を固定
する。次に、クランプと反対側の成形板の端面にバーナ
ーで10秒間接炎した後、バーナーを遠ざけて成形板上
に炎が残っている時間(残炎時間、秒)を測定する(一
回目の残炎時間=F1)。この炎が消えたら、再度バー
ナーで10秒間接炎した後、バーナーを遠ざけて、一回
目と同じように残炎時間(二回目の残炎時間=F2)を
測定する。この試験を、一つのエポキシ樹脂硬化物につ
き5枚の成形板を用いて行い、難燃性を評価した。ただ
し、難燃性の判定基準を最高のものから最低のものの順
に並べると、UL94V−0、V−1、V−2、NOT
V−2の順番になる。
【0055】(UL94V−0) ・ΣF≦50秒(ΣF=5枚の成形板を用いて行った試
験の残炎時間の合計) ・Fmax≦10秒(Fmax=試験で得られたF1又
はF2の中で最長の残炎時間) ・ドリップ(接炎により硬化物が液滴れする現象)な
し、クランプまで燃えない。 (UL94V−1) ・ΣF≦250秒、Fmax≦30秒、ドリップなし、
クランプまで燃えない。 (UL94V−2) ・ΣF≦250秒、Fmax≦30秒、ドリップあり、
クランプまで燃えない。 (UL94NOTV−2) ・ΣF>250秒、Fmax>30秒、クランプまで燃
えきる。
【0056】燃焼後の成形板断面の反射蛍光顕微鏡によ
る観察 ○印…発泡層の形成あり。 ×1印…発泡層の形成なし、クラック(亀裂)が発生。 ×2印…発泡層の形成なし、硬化物が溶融。
【0057】耐半田クラック性の評価試験 80ピンQFP型に封止したテスト用の半導体装置10
個を、高温高湿度条件、すなわち、85℃、85%に所
定時間(80時間、120時間)暴露した後、IRリフ
ローを240℃、10秒の条件で3回行って、クラック
(内部クラックと外部クラック)の発生の有無を超音波
探査映像装置で観察した。この結果から、クラックが発
生したパッケージ数を測定し、これを耐半田クラック性
の指標とした。すなわち、この数が少ないほど耐半田ク
ラック性に優れているといえる。
【0058】耐湿性の評価試験 16ピンDIP型に封止したテスト用の半導体装置10
個を用いて、125℃、100RH%、所定時間(10
0時間、200時間)、印可電圧20Vの条件で、プレ
ッシャー・クッカー・バイアス(PCBT)試験を行
い、回路のオープン不良が発生した装置の個数を不良率
とし、これを耐湿性の指標とした。すなわち、この数値
が低いほど耐湿性に優れているといえる。
【0059】耐配線腐食性の評価試験 16ピンDIP型に封止したテスト用の半導体装置10
個を、185℃の恒温槽で所定時間(500時間、72
0時間)の処理をした後、この装置のチップを挟んで左
右対称の位置にある各ピン間の抵抗値を測定し(計8
点)、これらの平均値を求めた。この数値と上記処理を
施していない装置の抵抗値(ブランク)との差が、ブラ
ンクに対して20%以上の場合に、その装置を不良とみ
なした。ここでは、不良とみなされた装置の個数を不良
率とし、これを耐配線腐食性の指標とした。すなわち、
この数値が低いほど耐配線腐食性に優れているといえ
る。
【0060】ガス分析(Q1及びQ2の測定) 無機質充填剤の含有量がW(重量%)の硬化物(ここで
は0.1g)を計り入れた磁性ボートを、管状炉(LIND
OBERG社製)内にセットして、熱分解温度:700±1
0℃、熱分解時間:10分間、雰囲気ガス:窒素
(N2)、雰囲気ガス供給量:0.5L/minの条件
で、硬化物を熱分解させた時に発生するガス成分をガス
バッグに採取して、ガスクロマトグラフィー/熱伝導度
検出器(GC/TCD)で、硬化物の単位重量当たりに
発生した一酸化炭素及び二酸化炭素の重量割合q1(重
量%)を定量し、さらに熱分解が終了した時の硬化物に
対する残渣、すなわち樹脂成分(例:エポキシ樹脂、フ
ェノール系樹脂、カルナバワックス、T.P.P.シラ
ンカップリング剤、カーボンブラック)のうちで分解せ
ずに残った炭化物と無機質充填剤の重量割合q2(重量
%)を秤量した。硬化物に含まれる無機質充填剤(C)
以外の成分(前記樹脂成分)の重量割合をq3(重量
%)としたときに、下記式 Q1(重量%)=(q1/q3)×100 Q2(重量%)={(100−q1−q2)/q3}×10
0 で表される値Q1及びQ2をそれぞれ算出した。
【0061】[実施例2〜20、23、比較例1〜1
0、13〜15]表1〜表8の配合に従い、実施例1と
同様の方法で各試料を作製したのち、実施例1と同様の
方法で各種特性を評価した。評価結果を表1〜表8及び
図1に示す。
【0062】[実施例22]表5の配合に従い、実施例
21と同様の方法で各試料を作成したのち、実施例21
と同様の方法で各種特性を評価した。評価結果を表5及
び図1に示す。
【0063】[比較例12]表8の配合に従い、比較例
11と同様の方法で各試料を作成したのち、比較例11
と同様の方法で各種特性を評価した。評価結果を表8及
び図1に示す。
【0064】
【表1】
【表2】
【表3】
【表4】
【表5】
【表6】
【表7】
【表8】
【0065】以上、実施例で示したように、本発明のエ
ポキシ樹脂組成物の硬化物は、高温(240±20℃)
での曲げ弾性率が所定の範囲にあり、熱分解時又は着火
時に発泡層を形成するので、比較例に示す高温の曲げ弾
性率が所定の範囲外にあるエポキシ樹脂組成物の硬化物
よりも、高い難燃性を達成できたことが分かる。また、
熱分解時又は着火時に樹脂成分が分解して発生するガス
成分によって、樹脂層はゴムのように膨張させられて発
泡層が形成されるが、この分解ガスが発泡層を破壊して
外部に出てくると、これに含まれる可燃成分、すなわち
低沸点の有機成分に着火して燃焼が継続するので、この
有機成分の発生量の多寡が難燃性に大きく影響する。実
施例に示したように、本発明のエポキシ樹脂組成物の硬
化物は、前記数値Q1及びQ2が、それぞれQ1≧5、5
≦Q2≦50の数値を示したために、良好な難燃性が得
られたが、比較例に示したエポキシ樹脂組成物の硬化物
は、Q1及びQ2が前記の範囲外の数値を示したために、
特に難燃性に支障を生じたことも明らかになった。さら
に、この難燃性が良好なエポキシ樹脂組成物を用いた半
導体装置は、信頼性、例えば耐半田クラック性、耐湿性
及び高温での耐配線腐食性に優れていた。
【0066】
【発明の効果】本発明の効果は、従来のハロゲン系難燃
剤、リン系難燃剤などの難燃剤を一切使用することな
く、また、無機質充填剤を特に高充填化することなく、
高い難燃性を有し、かつ信頼性、特に耐半田クラック性
や耐湿性に優れた、エポキシ樹脂組成物及びこれを用い
た半導体装置を提供できることである。さらに、ハロゲ
ン系難燃剤や三酸化アンチモンを使用しないので、従来
のように高温下で難燃剤、難燃助剤に由来するハロゲン
やアンチモンが半導体装置の配線の腐食を促進するとい
う問題を解消でき、半導体装置の信頼性の向上を図れる
ことである。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例及び比較例のエポキシ樹脂組成物の24
0℃±20℃での曲げ弾性率Eを示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 位地 正年 東京都港区芝5丁目7番1号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 寺島 克司 東京都港区芝5丁目7番1号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 片山 功 東京都港区芝5丁目7番1号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 松井 泰雄 東京都品川区東品川2丁目5番8号 住友 ベークライト株式会社内 (72)発明者 太田 賢 東京都品川区東品川2丁目5番8号 住友 ベークライト株式会社内 Fターム(参考) 4J002 CC04X CC06X CD04W CD05W CD07W CD11W DE146 DJ016 DL006 EU117 EU207 EW017 FA046 FA086 FD016 FD090 FD157 GQ05 4M109 AA01 BA01 CA21 EA03 EB03 EB06 EB08 EB12 EC04 EC20

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 エポキシ樹脂(A)、フェノール系樹脂
    (B)、無機質充填剤(C)及び硬化促進剤(D)を含
    有するエポキシ樹脂組成物であって、該組成物を硬化さ
    せてなる硬化物中の無機質充填剤(C)の含有量をW
    (重量%)、この硬化物の240±20℃での曲げ弾性
    率をE(kgf/mm2)とした場合において、前記曲
    げ弾性率Eが、30≦W<60のときに0.015W+
    4.1≦E≦0.27W+21.8となる数値、60≦
    W≦95のときに0.30W−13≦E≦3.7W−1
    84となる数値を示し、前記硬化物が熱分解時及び着火
    時に発泡層を形成して難燃性を示すことを特徴とするエ
    ポキシ樹脂組成物。
  2. 【請求項2】 芳香族類及び/又は多芳香族類を前記硬
    化物の架橋構造中に含む請求項1に記載のエポキシ樹脂
    組成物。
  3. 【請求項3】 フェニル誘導体及びビフェニル誘導体か
    ら選ばれる芳香族類及び/又は多芳香族類を前記硬化物
    の架橋構造中に含む請求項2に記載のエポキシ樹脂組成
    物。
  4. 【請求項4】 エポキシ樹脂(A)、フェノール系樹脂
    (B)、無機質充填剤(C)及び硬化促進剤(D)を含
    有するエポキシ樹脂組成物であって、該組成物を硬化さ
    せてなる硬化物中の無機質充填剤(C)の含有量をW
    (重量%)とし、かつ、前記硬化物を計り入れた耐熱性
    容器を、一定流量の不活性ガスを用いてその雰囲気を不
    活性状態にした管状炉内にセットして、700±10℃
    で10分間、前記硬化物を熱分解させた時に発生する一
    酸化炭素及び二酸化炭素の前記硬化物に対する重量割合
    をq1(重量%)、この熱分解が終了した時の残渣、す
    なわち前記硬化物中の樹脂成分(無機質充填剤(C)以
    外の成分)のうちで熱分解せずに残った炭化物と無機質
    充填剤の前記硬化物に対する重量割合をq2(重量
    %)、前記硬化物に含まれる前記樹脂成分の前記硬化物
    に対する重量割合をq3(重量%)としたときに、下記
    式 Q1(重量%)=(q1/q3)×100 Q2(重量%)={(100−q1−q2)/q3}×10
    0 で表される値Q1及びQ2が、それぞれQ1≧5、5≦Q2
    ≦50の数値を示し、前記硬化物が熱分解時及び着火時
    に発泡層を形成して難燃性を示すことを特徴とするエポ
    キシ樹脂組成物。
  5. 【請求項5】 芳香族類及び/又は多芳香族類を前記硬
    化物の架橋構造中に含む請求項4に記載のエポキシ樹脂
    組成物。
  6. 【請求項6】 フェニル誘導体及びビフェニル誘導体か
    ら選ばれる芳香族類及び/又は多芳香族類を前記硬化物
    の架橋構造中に含む請求項5に記載のエポキシ樹脂組成
    物。
  7. 【請求項7】 エポキシ樹脂(A)、フェノール系樹脂
    (B)、無機質充填剤(C)及び硬化促進剤(D)を含
    有するエポキシ樹脂組成物であって、該組成物を硬化さ
    せてなる硬化物中の無機質充填剤(C)の含有量をW
    (重量%)、この硬化物の240±20℃での曲げ弾性
    率をE(kgf/mm2)とした場合において、前記曲
    げ弾性率Eが、30≦W<60のときに0.015W+
    4.1≦E≦0.27W+21.8となる数値、60≦
    W≦95のときに0.30W−13≦E≦3.7W−1
    84となる数値を示すとともに、前記硬化物を計り入れ
    た耐熱性容器を、一定流量の不活性ガスを用いてその雰
    囲気を不活性状態にした管状炉内にセットして、700
    ±10℃で10分間、前記硬化物を熱分解させた時に発
    生する一酸化炭素及び二酸化炭素の前記硬化物に対する
    重量割合をq1(重量%)、この熱分解が終了した時の
    残渣、すなわち前記硬化物中の樹脂成分(無機質充填剤
    (C)以外の成分)のうちで熱分解せずに残った炭化物
    と無機質充填剤の前記硬化物に対する重量割合をq
    2(重量%)、前記硬化物に含まれる前記樹脂成分の前
    記硬化物に対する重量割合をq3(重量%)としたとき
    に、下記式 Q1(重量%)=(q1/q3)×100 Q2(重量%)={(100−q1−q2)/q3}×10
    0 で表される値Q1及びQ2が、それぞれQ1≧5、5≦Q2
    ≦50の数値を示し、前記硬化物が熱分解時及び着火時
    に発泡層を形成して難燃性を示すことを特徴とするエポ
    キシ樹脂組成物。
  8. 【請求項8】 芳香族類及び/又は多芳香族類を前記硬
    化物の架橋構造中に含む請求項7に記載のエポキシ樹脂
    組成物。
  9. 【請求項9】 フェニル誘導体及びビフェニル誘導体か
    ら選ばれる芳香族類及び/又は多芳香族類を前記硬化物
    の架橋構造中に含む請求項8に記載のエポキシ樹脂組成
    物。
  10. 【請求項10】 エポキシ樹脂(A)、フェノール系樹
    脂(B)、無機質充填剤(C)及び硬化促進剤(D)を
    含有するエポキシ樹脂組成物であって、該組成物を硬化
    させてなる硬化物が、熱分解時及び着火時に発泡層を形
    成して難燃性を示すことを特徴とするエポキシ樹脂組成
    物。
  11. 【請求項11】 芳香族類及び/又は多芳香族類を前記
    硬化物の架橋構造中に含む請求項10に記載のエポキシ
    樹脂組成物。
  12. 【請求項12】 フェニル誘導体及びビフェニル誘導体
    から選ばれる芳香族類及び/又は多芳香族類を前記硬化
    物の架橋構造中に含む請求項11に記載のエポキシ樹脂
    組成物。
  13. 【請求項13】 請求項1〜12のいずれか1項に記載
    のエポキシ樹脂組成物を封止樹脂として用いたことを特
    徴とする半導体装置。
JP29960698A 1998-10-21 1998-10-21 難燃性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 Expired - Lifetime JP3349963B2 (ja)

Priority Applications (13)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29960698A JP3349963B2 (ja) 1998-10-21 1998-10-21 難燃性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
DE69941409T DE69941409D1 (de) 1998-10-21 1999-10-20 Flammhemmende Harzzusammensetzung und die daraus hergestellte Halbleitervorrichtung
DE69934716T DE69934716T8 (de) 1998-10-21 1999-10-20 Flammhemmende harzzusammensetzung und die daraus hergestellte halbleitervorrichtung
AT06018889T ATE442394T1 (de) 1998-10-21 1999-10-20 Flammhemmende harzzusammensetzung und die daraus hergestellte halbleitervorrichtung
EP99949323A EP1142923B1 (en) 1998-10-21 1999-10-20 Flame-retardant epoxy resin composition and semiconductor device made using the same
KR10-2001-7004927A KR100443110B1 (ko) 1998-10-21 1999-10-20 난연성 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용한 반도체 장치
AT99949323T ATE350411T1 (de) 1998-10-21 1999-10-20 Flammhemmende harzzusammensetzung und die daraus hergestellte halbleitervorrichtung
PCT/JP1999/005787 WO2000023494A1 (en) 1998-10-21 1999-10-20 Flame-retardant epoxy resin composition and semiconductor device made using the same
US09/830,016 US7098276B1 (en) 1998-10-21 1999-10-20 Flame-retardant epoxy resin composition and semiconductor device made using the same
EP06018889A EP1739112B1 (en) 1998-10-21 1999-10-20 Flame retardant epoxy resin composition and semiconductor device using the same
MYPI99004547A MY145752A (en) 1998-10-21 1999-10-21 Flame retardant epoxy resin composition and semiconductor device using the same
TW088118357A TWI225074B (en) 1998-10-21 1999-10-21 Flame retardant epoxy resin composition and semiconductor device using the same
US11/477,524 US7799852B2 (en) 1998-10-21 2006-06-30 Composition of biphenyl epoxy resin, phenolbiphenylaralkyl resin and filler

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29960698A JP3349963B2 (ja) 1998-10-21 1998-10-21 難燃性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002183587A Division JP4421810B2 (ja) 2002-06-24 2002-06-24 難燃性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000129092A true JP2000129092A (ja) 2000-05-09
JP3349963B2 JP3349963B2 (ja) 2002-11-25

Family

ID=17874818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP29960698A Expired - Lifetime JP3349963B2 (ja) 1998-10-21 1998-10-21 難燃性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置

Country Status (9)

Country Link
US (2) US7098276B1 (ja)
EP (2) EP1142923B1 (ja)
JP (1) JP3349963B2 (ja)
KR (1) KR100443110B1 (ja)
AT (2) ATE442394T1 (ja)
DE (2) DE69941409D1 (ja)
MY (1) MY145752A (ja)
TW (1) TWI225074B (ja)
WO (1) WO2000023494A1 (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001226454A (ja) * 2000-02-17 2001-08-21 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002012741A (ja) * 2000-06-27 2002-01-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002105172A (ja) * 2000-10-04 2002-04-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002226557A (ja) * 2001-01-30 2002-08-14 Dainippon Ink & Chem Inc 難燃性エポキシ樹脂組成物
JP2003268079A (ja) * 2002-03-18 2003-09-25 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US6730402B2 (en) 1999-12-08 2004-05-04 Nec Corporation Flame-retardant epoxy resin composition and laminate made with the same
US7799852B2 (en) 1998-10-21 2010-09-21 Nec Corporation Composition of biphenyl epoxy resin, phenolbiphenylaralkyl resin and filler
US7994271B2 (en) 2005-10-14 2011-08-09 Air Water Inc. Phenolic resin, production method and use thereof
KR20140129227A (ko) 2012-02-23 2014-11-06 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 다가 하이드록시 수지, 에폭시 수지, 그들의 제조방법, 에폭시 수지 조성물 및 그 경화물
KR20150111850A (ko) 2014-03-26 2015-10-06 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 변성 다가 하이드록시 수지, 에폭시 수지, 에폭시 수지 조성물 및 그 경화물
KR20160127665A (ko) 2015-04-27 2016-11-04 에아.워타 가부시키가이샤 조성물, 에폭시 수지 경화제, 에폭시 수지 조성물, 열경화성 조성물, 경화물, 반도체 장치 및 층간 절연 재료
KR20200022379A (ko) 2017-06-22 2020-03-03 에아.워타 가부시키가이샤 조성물, 에폭시 수지 경화제, 에폭시 수지 조성물, 열경화성 조성물, 경화물, 반도체 장치, 및 층간 절연 재료

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4251612B2 (ja) * 2003-01-30 2009-04-08 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. エポキシ含有物質を含むネガ型感光性樹脂組成物
JP4397601B2 (ja) * 2003-02-06 2010-01-13 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. フェノール−ビフェニレン樹脂を含むネガ型感光性樹脂組成物
US7300796B2 (en) * 2003-09-09 2007-11-27 International Business Machines Corporation Pressurized oxygen for evaluation of molding compound stability in semiconductor packaging
JPWO2010053207A1 (ja) * 2008-11-07 2012-04-05 住友ベークライト株式会社 感光性樹脂組成物、感光性接着フィルムおよび受光装置
KR101385005B1 (ko) * 2012-04-25 2014-04-16 국도화학 주식회사 에폭시몰딩컴파운드용 자기소화성 에폭시 수지 및 그 제법, 에폭시몰딩컴파운드용 에폭시 수지 조성물

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5738814A (en) * 1980-08-20 1982-03-03 Mitsubishi Petrochem Co Ltd Production of polyepoxy compound
JPS58150581A (ja) * 1982-03-02 1983-09-07 Mitsubishi Petrochem Co Ltd ポリエポキシ化合物の製造方法
JPH0788418B2 (ja) * 1987-05-08 1995-09-27 宇部興産株式会社 エポキシ樹脂組成物
JP2568584B2 (ja) * 1987-10-15 1997-01-08 日東電工株式会社 半導体装置
JP2843612B2 (ja) * 1989-09-21 1999-01-06 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 エポキシ樹脂組成物
JPH03210322A (ja) * 1990-01-11 1991-09-13 Toshiba Chem Corp 封止用樹脂組成物および半導体装置
JP2823633B2 (ja) * 1990-02-20 1998-11-11 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物
KR950011902B1 (ko) 1990-04-04 1995-10-12 도오레 가부시끼가이샤 반도체 장치 캡슐 봉입 에폭시 수지 조성물
JPH08333428A (ja) 1990-07-10 1996-12-17 Mitsui Toatsu Chem Inc 低軟化点フェニルフェノールアラルキル樹脂およびその樹脂を用いたエポキシ樹脂組成物
JP3205566B2 (ja) 1991-02-08 2001-09-04 新日鐵化学株式会社 多官能エポキシ樹脂及びその製造方法
JPH04258624A (ja) * 1991-02-09 1992-09-14 Toshiba Chem Corp 封止用樹脂組成物及び半導体封止装置
JP2922672B2 (ja) 1991-05-08 1999-07-26 日東電工株式会社 半導体装置の製法
JPH0597965A (ja) 1991-10-04 1993-04-20 Mitsui Toatsu Chem Inc エポキシ樹脂組成物
JPH0597970A (ja) * 1991-10-07 1993-04-20 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置
JP2978313B2 (ja) 1991-11-15 1999-11-15 日東電工株式会社 半導体装置およびそれに用いる半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP3147317B2 (ja) 1991-12-24 2001-03-19 三井化学株式会社 エポキシ樹脂組成物
DE69307442T2 (de) * 1992-09-21 1997-08-21 Sumitomo Bakelite Co Epoxidharzzusammensetzung auf Basis des Diglycidylethers von Biphenyldiol
US5416138A (en) * 1992-09-24 1995-05-16 Sumitomo Bakelite Company Limited Epoxy resin composition
JP2948056B2 (ja) 1993-05-12 1999-09-13 住金ケミカル株式会社 半導体封止用樹脂組成物
JP3010110B2 (ja) 1993-11-04 2000-02-14 日東電工株式会社 半導体装置
JPH07153873A (ja) 1993-11-26 1995-06-16 Nitto Denko Corp 半導体装置
JPH07196772A (ja) * 1993-12-30 1995-08-01 Hitachi Chem Co Ltd 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料
JPH07216059A (ja) 1994-01-26 1995-08-15 Mitsui Toatsu Chem Inc エポキシ樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置
JP3305097B2 (ja) * 1994-03-02 2002-07-22 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物
EP0749996B1 (en) * 1995-01-05 2004-08-18 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Epoxy resin composition
JP3632936B2 (ja) * 1995-01-18 2005-03-30 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2896634B2 (ja) * 1995-03-02 1999-05-31 富士ゼロックス株式会社 全文登録語検索装置および全文登録語検索方法
JPH08301984A (ja) 1995-03-09 1996-11-19 Toray Ind Inc 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JPH08245754A (ja) * 1995-03-13 1996-09-24 Toshiba Chem Corp エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
JPH08253551A (ja) * 1995-03-14 1996-10-01 Yuka Shell Epoxy Kk 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH093161A (ja) * 1995-06-20 1997-01-07 Toshiba Chem Corp エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
JP3573530B2 (ja) * 1995-06-22 2004-10-06 日本化薬株式会社 エポキシ樹脂混合物、エポキシ樹脂組成物およびその硬化物
WO1997003129A1 (en) * 1995-07-10 1997-01-30 Toray Industries, Inc. Epoxy resin composition
JPH09208808A (ja) 1996-02-07 1997-08-12 Toshiba Chem Corp エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
JPH09268219A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Nippon Kayaku Co Ltd ノボラック型樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物及びその硬化物
JP3611002B2 (ja) 1996-08-08 2005-01-19 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物、その製造方法及び半導体装置
JP3618182B2 (ja) 1996-10-29 2005-02-09 日東電工株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP3649540B2 (ja) * 1996-12-27 2005-05-18 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物
US6054222A (en) * 1997-02-20 2000-04-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Epoxy resin composition, resin-encapsulated semiconductor device using the same, epoxy resin molding material and epoxy resin composite tablet
JP3806222B2 (ja) * 1997-04-18 2006-08-09 新日鐵化学株式会社 エポキシ樹脂組成物及びその硬化物
JP3074155B2 (ja) 1997-10-20 2000-08-07 日東電工株式会社 半導体装置
JPH11140277A (ja) * 1997-11-10 1999-05-25 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置
JPH11140166A (ja) * 1997-11-11 1999-05-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3388537B2 (ja) * 1998-05-15 2003-03-24 信越化学工業株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2000103839A (ja) 1998-09-25 2000-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 封止用樹脂組成物及び半導体装置
JP3349963B2 (ja) 1998-10-21 2002-11-25 日本電気株式会社 難燃性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP4421810B2 (ja) 2002-06-24 2010-02-24 日本電気株式会社 難燃性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7799852B2 (en) 1998-10-21 2010-09-21 Nec Corporation Composition of biphenyl epoxy resin, phenolbiphenylaralkyl resin and filler
US6730402B2 (en) 1999-12-08 2004-05-04 Nec Corporation Flame-retardant epoxy resin composition and laminate made with the same
JP2001226454A (ja) * 2000-02-17 2001-08-21 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002012741A (ja) * 2000-06-27 2002-01-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002105172A (ja) * 2000-10-04 2002-04-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4742414B2 (ja) * 2000-10-04 2011-08-10 住友ベークライト株式会社 半導体装置
JP2002226557A (ja) * 2001-01-30 2002-08-14 Dainippon Ink & Chem Inc 難燃性エポキシ樹脂組成物
JP2003268079A (ja) * 2002-03-18 2003-09-25 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US7994271B2 (en) 2005-10-14 2011-08-09 Air Water Inc. Phenolic resin, production method and use thereof
US8349989B2 (en) 2005-10-14 2013-01-08 Air Water Inc. Method of sealing a semiconductor element with an epoxy resin composition
KR20140129227A (ko) 2012-02-23 2014-11-06 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 다가 하이드록시 수지, 에폭시 수지, 그들의 제조방법, 에폭시 수지 조성물 및 그 경화물
KR20150111850A (ko) 2014-03-26 2015-10-06 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 변성 다가 하이드록시 수지, 에폭시 수지, 에폭시 수지 조성물 및 그 경화물
KR20160127665A (ko) 2015-04-27 2016-11-04 에아.워타 가부시키가이샤 조성물, 에폭시 수지 경화제, 에폭시 수지 조성물, 열경화성 조성물, 경화물, 반도체 장치 및 층간 절연 재료
KR20200022379A (ko) 2017-06-22 2020-03-03 에아.워타 가부시키가이샤 조성물, 에폭시 수지 경화제, 에폭시 수지 조성물, 열경화성 조성물, 경화물, 반도체 장치, 및 층간 절연 재료

Also Published As

Publication number Publication date
US7799852B2 (en) 2010-09-21
EP1142923A4 (en) 2002-06-26
ATE350411T1 (de) 2007-01-15
DE69934716T2 (de) 2007-10-25
DE69934716D1 (de) 2007-02-15
DE69934716T8 (de) 2008-04-30
EP1739112B1 (en) 2009-09-09
US7098276B1 (en) 2006-08-29
ATE442394T1 (de) 2009-09-15
MY145752A (en) 2012-03-30
KR100443110B1 (ko) 2004-08-04
TWI225074B (en) 2004-12-11
KR20010080252A (ko) 2001-08-22
US20060247393A1 (en) 2006-11-02
JP3349963B2 (ja) 2002-11-25
WO2000023494A1 (en) 2000-04-27
EP1739112A1 (en) 2007-01-03
DE69941409D1 (de) 2009-10-22
EP1142923B1 (en) 2007-01-03
EP1142923A1 (en) 2001-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3349963B2 (ja) 難燃性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP4380272B2 (ja) エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP2004067717A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4421810B2 (ja) 難燃性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
US7825528B2 (en) Epoxy resin composition for packaging a semiconductor device, method of making the same, and semiconductor device using the same
JP4312275B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP2002060591A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4622030B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2000248050A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4145438B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2004027062A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4788034B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2001329142A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2004035781A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2001122943A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2001172365A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2001213942A (ja) 難燃性のエポキシ樹脂組成物
JP2004010800A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH1149933A (ja) エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置
JP2005029757A (ja) 熱硬化性樹脂組成物及びこの硬化物を用いた半導体装置
JP2004043613A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH06177284A (ja) 半導体装置
JP2004018783A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2000290470A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002145992A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913

Year of fee payment: 6

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090913

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090913

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100913

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110913

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120913

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130913

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term