JP2001172365A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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- JP2001172365A JP2001172365A JP35564799A JP35564799A JP2001172365A JP 2001172365 A JP2001172365 A JP 2001172365A JP 35564799 A JP35564799 A JP 35564799A JP 35564799 A JP35564799 A JP 35564799A JP 2001172365 A JP2001172365 A JP 2001172365A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 難燃剤としてハロゲン化有機物、酸化アンチ
モンを含まず、難燃性、半田耐熱性に優れたエポキシ樹
脂組成物を提供すること。 【解決手段】 （Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ
樹脂、（Ｂ）一般式（２）で示されるフェノール樹脂、
（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）全樹脂組成物中に溶融シリカ
粉末を８５〜９３重量％含むことを特徴とする半導体封
止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式中のＲ1は、炭素数１〜４のアルキル基、ａは０〜
３の整数で、Ｒ2は、炭素数１〜４のアルキル基、ｂは
０〜４の整数で、それらは互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。ｎは平均値で、１〜１０の正数。） 【化２】 （式中のＲ3は、炭素数１〜４のアルキル基、ｃは０〜
３の整数で、Ｒ4は、炭素数１〜４のアルキル基、ｄは
０〜４の整数で、それらは互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。Ｘは、ベンゼン又はナフタレンより２個
の水素を除いた残基で、Ｒ5は、水素、炭素数１〜４の
アルキル基又は水酸基であり、ｌ、ｍは平均値で、いず
れも１〜１０の正数。）
モンを含まず、難燃性、半田耐熱性に優れたエポキシ樹
脂組成物を提供すること。 【解決手段】 （Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ
樹脂、（Ｂ）一般式（２）で示されるフェノール樹脂、
（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）全樹脂組成物中に溶融シリカ
粉末を８５〜９３重量％含むことを特徴とする半導体封
止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式中のＲ1は、炭素数１〜４のアルキル基、ａは０〜
３の整数で、Ｒ2は、炭素数１〜４のアルキル基、ｂは
０〜４の整数で、それらは互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。ｎは平均値で、１〜１０の正数。） 【化２】 （式中のＲ3は、炭素数１〜４のアルキル基、ｃは０〜
３の整数で、Ｒ4は、炭素数１〜４のアルキル基、ｄは
０〜４の整数で、それらは互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。Ｘは、ベンゼン又はナフタレンより２個
の水素を除いた残基で、Ｒ5は、水素、炭素数１〜４の
アルキル基又は水酸基であり、ｌ、ｍは平均値で、いず
れも１〜１０の正数。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、難燃性、半田耐熱
性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体
装置に関するものである。
性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、軽量化、高性
能化の市場動向において、半導体の高集積化が年々進
み、又半導体装置の表面実装化が促進されてきている。
一方で地球環境へ配慮した企業活動が重要視され、有害
性のおそれのある物質の削減・撤廃の動きがあり、ハロ
ゲン化有機物、鉛等の使用を全廃する動きがある。半導
体素子を封止する材料の主流であるエポキシ樹脂組成物
には、難燃剤としてハロゲン化有機物、酸化アンチモン
が主に使用されて難燃性を高め、又半導体装置を基板に
固定するため、鉛／スズ系半田が殆ど使用されているこ
とから、これらの削減・撤廃の動きが非常に高まってき
ている。鉛は、封止材用のエポキシ樹脂組成物には含ま
れていないが、今後主流となる鉛を含まない半田は、鉛
／スズ系半田に比べて融点が２０℃程度高く、赤外線リ
フロー、半田浸漬等の半田表面実装時の温度も従来の２
２０〜２６０℃から、今後２４０℃〜２８０℃と高くな
る。このように実装温度の上昇により、実装時に半導体
装置にクラックが入り、信頼性が保証できないという問
題が生じるおそれかある。特に、近年の半導体装置は、
ＴＳＯＰ、ＴＱＦＰ等の薄型が主流になっており、これ
らの問題が重要となってきている。以上述べたようにハ
ロゲン化有機物、酸化アンチモンを含まず、かつ従来よ
りも半田耐熱性に優れたエポキシ樹脂組成物及び半導体
装置が要求されている。
能化の市場動向において、半導体の高集積化が年々進
み、又半導体装置の表面実装化が促進されてきている。
一方で地球環境へ配慮した企業活動が重要視され、有害
性のおそれのある物質の削減・撤廃の動きがあり、ハロ
ゲン化有機物、鉛等の使用を全廃する動きがある。半導
体素子を封止する材料の主流であるエポキシ樹脂組成物
には、難燃剤としてハロゲン化有機物、酸化アンチモン
が主に使用されて難燃性を高め、又半導体装置を基板に
固定するため、鉛／スズ系半田が殆ど使用されているこ
とから、これらの削減・撤廃の動きが非常に高まってき
ている。鉛は、封止材用のエポキシ樹脂組成物には含ま
れていないが、今後主流となる鉛を含まない半田は、鉛
／スズ系半田に比べて融点が２０℃程度高く、赤外線リ
フロー、半田浸漬等の半田表面実装時の温度も従来の２
２０〜２６０℃から、今後２４０℃〜２８０℃と高くな
る。このように実装温度の上昇により、実装時に半導体
装置にクラックが入り、信頼性が保証できないという問
題が生じるおそれかある。特に、近年の半導体装置は、
ＴＳＯＰ、ＴＱＦＰ等の薄型が主流になっており、これ
らの問題が重要となってきている。以上述べたようにハ
ロゲン化有機物、酸化アンチモンを含まず、かつ従来よ
りも半田耐熱性に優れたエポキシ樹脂組成物及び半導体
装置が要求されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ハロゲン化
有機物、酸化アンチモンを含まずとも、環境に対して優
しく、かつ難燃性、半田耐熱性に優れたエポキシ樹脂組
成物及び半導体装置を提供するものである。
有機物、酸化アンチモンを含まずとも、環境に対して優
しく、かつ難燃性、半田耐熱性に優れたエポキシ樹脂組
成物及び半導体装置を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）一般式
（１）で示されるエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（２）で
示されるフェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）全
樹脂組成物中に溶融シリカ粉末を８５〜９３重量％含
み、特に一般式（１）のエポキシ樹脂が軟化点５５〜６
５℃で、更にエポキシ樹脂組成物の１７５℃での溶融粘
度が３００ポイズ以下であることを特徴とする半導体封
止用エポキシ樹脂組成物及びこのエポキシ樹脂組成物に
よって半導体素子が封止されてなることを特徴とする半
導体装置である。
（１）で示されるエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（２）で
示されるフェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）全
樹脂組成物中に溶融シリカ粉末を８５〜９３重量％含
み、特に一般式（１）のエポキシ樹脂が軟化点５５〜６
５℃で、更にエポキシ樹脂組成物の１７５℃での溶融粘
度が３００ポイズ以下であることを特徴とする半導体封
止用エポキシ樹脂組成物及びこのエポキシ樹脂組成物に
よって半導体素子が封止されてなることを特徴とする半
導体装置である。
【化３】 （式中のＲ1は、炭素数１〜４のアルキル基、ａは０〜
３の整数で、Ｒ2は、炭素数１〜４のアルキル基、ｂは
０〜４の整数で、それらは互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。ｎは平均値で、１〜１０の正数。）
３の整数で、Ｒ2は、炭素数１〜４のアルキル基、ｂは
０〜４の整数で、それらは互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。ｎは平均値で、１〜１０の正数。）
【０００５】
【化４】 （式中のＲ3は、炭素数１〜４のアルキル基、ｃは０〜
３の整数で、Ｒ4は、炭素数１〜４のアルキル基、ｄは
０〜４の整数で、それらは互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。Ｘは、ベンゼン又はナフタレンより２個
の水素を除いた残基で、Ｒ5は、水素、炭素数１〜４の
アルキル基又は水酸基であり、ｌ、ｍは平均値で、いず
れも１〜１０の正数。）
３の整数で、Ｒ4は、炭素数１〜４のアルキル基、ｄは
０〜４の整数で、それらは互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。Ｘは、ベンゼン又はナフタレンより２個
の水素を除いた残基で、Ｒ5は、水素、炭素数１〜４の
アルキル基又は水酸基であり、ｌ、ｍは平均値で、いず
れも１〜１０の正数。）
【０００６】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
本発明で用いる一般式（１）で示されるエポキシ樹脂
は、従来のオルソクレーゾールノボラック型エポキシ樹
脂に較べ骨格中に芳香族環を多く含むことにより燃焼時
に炭化が進行し易く、このエポキシ樹脂を用いた樹脂組
成物の硬化物は架橋密度が低く、燃焼時に熱分解した低
沸点成分が気体化し、表面の樹脂層を泡立たせることで
酸素遮断層を形成することから、難燃効果が得られ、こ
の硬化物は、実装温度での弾性率が低く、発生応力が減
少し、半導体装置の構成部材との密着性が向上し、更に
低吸水で低弾性であることから、耐半田リフロー性を大
幅に向上させることができる。一般式（１）の樹脂の軟
化点としては、５５〜６５℃が好ましく、５５℃未満で
は樹脂自体がブロッキングを引き起こしたり、製造工程
において融着を引き起こたりして取り扱い作業性に難点
がある。又６５℃を越えると樹脂粘度が高くなり流動性
が低下するので溶融シリカ粉末の充填材量を多くできな
いので好ましくない。なお、本発明の軟化点の測定は、
ＪＩＳ Ｋ ２２０７による。一般式（１）のｎは平均
値で、１〜１０の正数であるが、１０を越えると高粘度
化して溶融シリカ粉末の充填材量を多くできなかった
り、流動性が低下し好ましくない。一般式（１）で示さ
れるエポキシ樹脂の具体例を以下に示す。
本発明で用いる一般式（１）で示されるエポキシ樹脂
は、従来のオルソクレーゾールノボラック型エポキシ樹
脂に較べ骨格中に芳香族環を多く含むことにより燃焼時
に炭化が進行し易く、このエポキシ樹脂を用いた樹脂組
成物の硬化物は架橋密度が低く、燃焼時に熱分解した低
沸点成分が気体化し、表面の樹脂層を泡立たせることで
酸素遮断層を形成することから、難燃効果が得られ、こ
の硬化物は、実装温度での弾性率が低く、発生応力が減
少し、半導体装置の構成部材との密着性が向上し、更に
低吸水で低弾性であることから、耐半田リフロー性を大
幅に向上させることができる。一般式（１）の樹脂の軟
化点としては、５５〜６５℃が好ましく、５５℃未満で
は樹脂自体がブロッキングを引き起こしたり、製造工程
において融着を引き起こたりして取り扱い作業性に難点
がある。又６５℃を越えると樹脂粘度が高くなり流動性
が低下するので溶融シリカ粉末の充填材量を多くできな
いので好ましくない。なお、本発明の軟化点の測定は、
ＪＩＳ Ｋ ２２０７による。一般式（１）のｎは平均
値で、１〜１０の正数であるが、１０を越えると高粘度
化して溶融シリカ粉末の充填材量を多くできなかった
り、流動性が低下し好ましくない。一般式（１）で示さ
れるエポキシ樹脂の具体例を以下に示す。
【化５】
【０００７】一般式（１）のエポキシ樹脂の特性を損な
わない範囲で、他のエポキシ樹脂と併用することができ
るが、一般式（１）のエポキシ樹脂の特性を最大限に引
き出すためには、全エポキシ樹脂量に対して２０重量
％、より好ましくは５０重量％以上の配合量である。２
０重量％未満では難燃性が低下し、吸湿量増大のおそれ
があり好ましくない。併用する場合のエポキシ樹脂とし
ては、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジ
シクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ビ
フェニル型エポキシ樹脂等が挙げられる。
わない範囲で、他のエポキシ樹脂と併用することができ
るが、一般式（１）のエポキシ樹脂の特性を最大限に引
き出すためには、全エポキシ樹脂量に対して２０重量
％、より好ましくは５０重量％以上の配合量である。２
０重量％未満では難燃性が低下し、吸湿量増大のおそれ
があり好ましくない。併用する場合のエポキシ樹脂とし
ては、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジ
シクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ビ
フェニル型エポキシ樹脂等が挙げられる。
【０００８】本発明で用いる一般式（２）のフェノール
樹脂は、従来のフェノールノボラック樹脂に較べ骨格中
に芳香族環を多く含むことにより、燃焼時に炭化が進行
し易く、難燃性を向上でき、更に低吸水性で、低弾性で
あることから、半田耐熱性を大幅に向上させることがで
きる。一般式（２）のｌ、ｍは平均値で、いずれも１〜
１０の正数であるが、１０を越えると高粘度化して溶融
シリカ粉末の充填材量を多くできなかったり、流動性が
低下し好ましくない。一般式（２）のフェノール樹脂の
特性を損なわない範囲で、他のフェノール樹脂と併用す
ることができるが、一般式（２）のフェノール樹脂の特
性を最大限に引き出すためには、全フェノール樹脂量に
対して２０重量％、より好ましくは５０重量％以上の配
合量である。２０重量％未満では難燃性が低下し、硬化
収縮率も大きくなり、半導体装置の反りが大きくなるお
それがあり好ましくない。併用する場合のフェノール樹
脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレ
ゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、ジ
シクロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性
フェノール樹脂等が挙げられる。一般式（２）で示され
るフェノール樹脂の具体例を以下に示す。
樹脂は、従来のフェノールノボラック樹脂に較べ骨格中
に芳香族環を多く含むことにより、燃焼時に炭化が進行
し易く、難燃性を向上でき、更に低吸水性で、低弾性で
あることから、半田耐熱性を大幅に向上させることがで
きる。一般式（２）のｌ、ｍは平均値で、いずれも１〜
１０の正数であるが、１０を越えると高粘度化して溶融
シリカ粉末の充填材量を多くできなかったり、流動性が
低下し好ましくない。一般式（２）のフェノール樹脂の
特性を損なわない範囲で、他のフェノール樹脂と併用す
ることができるが、一般式（２）のフェノール樹脂の特
性を最大限に引き出すためには、全フェノール樹脂量に
対して２０重量％、より好ましくは５０重量％以上の配
合量である。２０重量％未満では難燃性が低下し、硬化
収縮率も大きくなり、半導体装置の反りが大きくなるお
それがあり好ましくない。併用する場合のフェノール樹
脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレ
ゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、ジ
シクロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性
フェノール樹脂等が挙げられる。一般式（２）で示され
るフェノール樹脂の具体例を以下に示す。
【化６】
【０００９】一般式（１）のエポキシ樹脂と一般式
（２）のフェノール樹脂とを組み合わせすることによ
り、難燃性を発現させ、低吸湿化が図れ、低粘度化が達
成できるため溶融シリカ粉末の充填材量を多くすること
ができる。これにより樹脂組成物の硬化物の低吸湿化や
熱膨張係数の調整が可能となること、又半田処理温度で
の熱時弾性率が低減できるため発生応力が減少し、半導
体装置の各構成部材との密着性を向上することができ
る。
（２）のフェノール樹脂とを組み合わせすることによ
り、難燃性を発現させ、低吸湿化が図れ、低粘度化が達
成できるため溶融シリカ粉末の充填材量を多くすること
ができる。これにより樹脂組成物の硬化物の低吸湿化や
熱膨張係数の調整が可能となること、又半田処理温度で
の熱時弾性率が低減できるため発生応力が減少し、半導
体装置の各構成部材との密着性を向上することができ
る。
【００１０】本発明で用いる硬化促進剤は、エポキシ樹
脂とフェノール樹脂との架橋反応の触媒となり得るもの
を指し、具体的にはトリブチルアミン等のアミン系化合
物、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォ
ニウム・テトラフェニルボレート塩等の有機リン系化合
物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等
が例示できるがこれらに限定されるものではない。これ
らの硬化促進剤は単独であっても混合して用いても差し
支えない。本発明で用いる溶融シリカ粉末は、破砕状、
球状のいずれでも使用可能であるが、溶融シリカ粉末の
配合量を高め、かつ樹脂組成物の溶融粘度の上昇を抑え
るためには、球状溶融シリカ粉末を主に用いる方が好ま
しい。更に球状溶融シリカ粉末の配合量を高めるために
は、球状溶融シリカ粉末の粒度分布がより広くなるよう
調整することが望ましい。配合量としては８５〜９３重
量％が好ましく、８５重量％未満だと樹脂成分の割合が
多くなり、難燃性の低下を引き起こす。９３重量％を越
えると流動性が低下し成形性が劣るので好ましくない。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、１７５℃での溶融粘度
が３００ポイズ以下であることが好ましい。３００ポイ
ズを越えると薄型パッケージへの充填性及びパッドシフ
ト・ワイヤー流れ等の成形不具合を起こすおそれがあり
好ましくない。本発明での溶融粘度とは、（株）島津製
作所・製の高化式フローテスターにより、１７５℃で荷
重１０ｋｇで測定した時の最低値を言う。
脂とフェノール樹脂との架橋反応の触媒となり得るもの
を指し、具体的にはトリブチルアミン等のアミン系化合
物、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォ
ニウム・テトラフェニルボレート塩等の有機リン系化合
物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等
が例示できるがこれらに限定されるものではない。これ
らの硬化促進剤は単独であっても混合して用いても差し
支えない。本発明で用いる溶融シリカ粉末は、破砕状、
球状のいずれでも使用可能であるが、溶融シリカ粉末の
配合量を高め、かつ樹脂組成物の溶融粘度の上昇を抑え
るためには、球状溶融シリカ粉末を主に用いる方が好ま
しい。更に球状溶融シリカ粉末の配合量を高めるために
は、球状溶融シリカ粉末の粒度分布がより広くなるよう
調整することが望ましい。配合量としては８５〜９３重
量％が好ましく、８５重量％未満だと樹脂成分の割合が
多くなり、難燃性の低下を引き起こす。９３重量％を越
えると流動性が低下し成形性が劣るので好ましくない。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、１７５℃での溶融粘度
が３００ポイズ以下であることが好ましい。３００ポイ
ズを越えると薄型パッケージへの充填性及びパッドシフ
ト・ワイヤー流れ等の成形不具合を起こすおそれがあり
好ましくない。本発明での溶融粘度とは、（株）島津製
作所・製の高化式フローテスターにより、１７５℃で荷
重１０ｋｇで測定した時の最低値を言う。
【００１１】本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｄ）成分以外に必要に応じてリン系難燃剤、カップリ
ング剤、カーボンブラックに代表される着色剤、天然ワ
ックス及び合成ワックス等の離型剤等が適宜配合可能で
ある。樹脂組成物とするには各成分を混合後、加熱ニー
ダや熱ロールにより加熱混練し、続いて冷却、粉砕する
ことで目的とする樹脂組成物が得られる。
（Ｄ）成分以外に必要に応じてリン系難燃剤、カップリ
ング剤、カーボンブラックに代表される着色剤、天然ワ
ックス及び合成ワックス等の離型剤等が適宜配合可能で
ある。樹脂組成物とするには各成分を混合後、加熱ニー
ダや熱ロールにより加熱混練し、続いて冷却、粉砕する
ことで目的とする樹脂組成物が得られる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を実施例で具体的に説明する。 《実施例１》 ・式（３）のエポキシ樹脂（軟化点６２℃、エポキシ当量２７４） ６．０８重量部 ・式（６）のフェノール樹脂（軟化点７２℃、水酸基当量１３８） ３．０６重量部 ・トリフェニルホスフィン ０．１６重量部 ・球状溶融シリカ粉末（平均粒径１７μｍ） ９０重量部 ・カルナバワックス ０．４重量部 ・カーボンブラック ０．３重量部 上記の全成分をミキサーにより混合した後、表面温度が
９０℃と４５℃の２本ロールを用いて３０回混練し、得
られた混練物シートを冷却後粉砕して、樹脂組成物とし
た。得られた樹脂組成物の特性を以下の方法で評価をし
た。評価結果を表１に示す。なお、実施例及び比較例で
用いた式（４）、式（５）のエポキシ樹脂の構造は、前
記した樹脂と同一の構造である。その性状を以下に示
す。 ・式（４）のエポキシ樹脂（軟化点５８℃、エポキシ当
量２９０） ・式（５）のエポキシ樹脂（軟化点６４℃、エポキシ当
量３６０） ・オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点
６２℃、エポキシ当量２００） ・ビフェニル型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ
（株）・製、ＹＸ−４０００Ｈ、融点１０５℃、エポキ
シ当量１９５） ・パラキシリレン変性フェノール樹脂（軟化点７８℃、
水酸基当量１７５） ・フェノールノボラック樹脂（軟化点８１℃、水酸基当
量１０４）
９０℃と４５℃の２本ロールを用いて３０回混練し、得
られた混練物シートを冷却後粉砕して、樹脂組成物とし
た。得られた樹脂組成物の特性を以下の方法で評価をし
た。評価結果を表１に示す。なお、実施例及び比較例で
用いた式（４）、式（５）のエポキシ樹脂の構造は、前
記した樹脂と同一の構造である。その性状を以下に示
す。 ・式（４）のエポキシ樹脂（軟化点５８℃、エポキシ当
量２９０） ・式（５）のエポキシ樹脂（軟化点６４℃、エポキシ当
量３６０） ・オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点
６２℃、エポキシ当量２００） ・ビフェニル型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ
（株）・製、ＹＸ−４０００Ｈ、融点１０５℃、エポキ
シ当量１９５） ・パラキシリレン変性フェノール樹脂（軟化点７８℃、
水酸基当量１７５） ・フェノールノボラック樹脂（軟化点８１℃、水酸基当
量１０４）
【００１３】《評価方法》 ・スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパ
イラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５
℃、注入圧力７０ｋｇｆ／ｃｍ2 、硬化時間１２０秒で
測定した。 ・難燃性：ＵＬ−９４に準拠し、テストピース厚１／８
ｉｎｃｈで測定した。 ・溶融粘度：（株）島津製作所・製、高化式フローテス
ターにより、１７５℃で荷重１０ｋｇで測定した時の最
低粘度。 ・半田耐熱性：１４４ｐＬＱＦＰ（パッケージサイズ：
２０×２０×１．４（厚み）ｍｍ、フレーム：Ｃｕ、パ
ッド：十字スリット（サイズ：９．５×９．５ｍｍ）、
搭載チップサイズ：９×９×０．２５（厚み）ｍｍ、パ
ッシベーション膜：ポリイミド）を金型温度１８０℃、
注入圧力１００ｋｇｆ／ｃｍ2、注入７秒、硬化１２０
秒でトランスファー成形を行い、更に１８０℃で８時間
の後硬化を行い評価パッケージを得た。前記パッケージ
を８５℃、相対湿度６０％の環境下で１６８時間放置し
た後、別々のテストピースを２４０℃と、２６０℃
の半田槽に１０秒間浸漬した。超音波探傷機を用いてパ
ッケージを観察し、内部クラック数、及び基板と樹脂組
成物の硬化物の界面の剥離数［（発生パッケージ数）／
（全パッケージ数）］×１００を％で表示した。
イラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５
℃、注入圧力７０ｋｇｆ／ｃｍ2 、硬化時間１２０秒で
測定した。 ・難燃性：ＵＬ−９４に準拠し、テストピース厚１／８
ｉｎｃｈで測定した。 ・溶融粘度：（株）島津製作所・製、高化式フローテス
ターにより、１７５℃で荷重１０ｋｇで測定した時の最
低粘度。 ・半田耐熱性：１４４ｐＬＱＦＰ（パッケージサイズ：
２０×２０×１．４（厚み）ｍｍ、フレーム：Ｃｕ、パ
ッド：十字スリット（サイズ：９．５×９．５ｍｍ）、
搭載チップサイズ：９×９×０．２５（厚み）ｍｍ、パ
ッシベーション膜：ポリイミド）を金型温度１８０℃、
注入圧力１００ｋｇｆ／ｃｍ2、注入７秒、硬化１２０
秒でトランスファー成形を行い、更に１８０℃で８時間
の後硬化を行い評価パッケージを得た。前記パッケージ
を８５℃、相対湿度６０％の環境下で１６８時間放置し
た後、別々のテストピースを２４０℃と、２６０℃
の半田槽に１０秒間浸漬した。超音波探傷機を用いてパ
ッケージを観察し、内部クラック数、及び基板と樹脂組
成物の硬化物の界面の剥離数［（発生パッケージ数）／
（全パッケージ数）］×１００を％で表示した。
【００１４】《実施例２〜７及び比較例１〜６》表１、
表２の処方に従い配合し、実施例１と同様に樹脂組成物
を得た。この樹脂組成物を実施例１と同様に評価を行っ
た。評価結果を表１、表２に示す。
表２の処方に従い配合し、実施例１と同様に樹脂組成物
を得た。この樹脂組成物を実施例１と同様に評価を行っ
た。評価結果を表１、表２に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】
【発明の効果】本発明は、実質的にハロゲン化有機物、
酸化アンチモンを含まないエポキシ樹脂組成物で、これ
を用いた半導体装置は難燃性、半田耐熱性に優れてい
る。
酸化アンチモンを含まないエポキシ樹脂組成物で、これ
を用いた半導体装置は難燃性、半田耐熱性に優れてい
る。
Claims (4)
- 【請求項１】 （Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ
樹脂、（Ｂ）一般式（２）で示されるフェノール樹脂、
（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）全樹脂組成物中に溶融シリカ
粉末を８５〜９３重量％含むことを特徴とする半導体封
止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式中のＲ1は、炭素数１〜４のアルキル基、ａは０〜
３の整数で、Ｒ2は、炭素数１〜４のアルキル基、ｂは
０〜４の整数で、それらは互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。ｎは平均値で、１〜１０の正数。） 【化２】 （式中のＲ3は、炭素数１〜４のアルキル基、ｃは０〜
３の整数で、Ｒ4は、炭素数１〜４のアルキル基、ｄは
０〜４の整数で、それらは互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。Ｘは、ベンゼン又はナフタレンより２個
の水素を除いた残基で、Ｒ5は、水素、炭素数１〜４の
アルキル基又は水酸基であり、ｌ、ｍは平均値で、いず
れも１〜１０の正数。） - 【請求項２】 一般式（１）のエポキシ樹脂が、軟化点
５５〜６５℃である請求項１記載の半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物。 - 【請求項３】 エポキシ樹脂組成物が、１７５℃で溶融
粘度３００ポイズ以下である請求項１又は２記載の半導
体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項４】 請求項１、２又は３記載のエポキシ樹脂
組成物によって半導体素子が封止されてなることを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35564799A JP2001172365A (ja) | 1999-12-15 | 1999-12-15 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35564799A JP2001172365A (ja) | 1999-12-15 | 1999-12-15 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001172365A true JP2001172365A (ja) | 2001-06-26 |
Family
ID=18445053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35564799A Pending JP2001172365A (ja) | 1999-12-15 | 1999-12-15 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001172365A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003040981A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2003055438A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-02-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
-
1999
- 1999-12-15 JP JP35564799A patent/JP2001172365A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003040981A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2003055438A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-02-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP4686935B2 (ja) * | 2001-08-21 | 2011-05-25 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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