JP2001226454A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 流動性、難燃性、半田処理時の反りが小さ
く、耐半田クラック性に優れたエポキシ樹脂組成物を提
供すること。 【解決手段】 （Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ
樹脂（ａ）とビフェニル型エポキシ樹脂（ｂ）の重量割
合（ａ）／（ｂ）が、３０／７０〜７０／３０のエポキ
シ樹脂、（Ｂ）ナフトール型樹脂硬化剤を総樹脂硬化剤
中に３０〜１００重量％含む樹脂硬化剤、（Ｃ）無機充
填材、及び（Ｄ）硬化促進剤を必須成分とし、総エポキ
シ樹脂のエポキシ基と樹脂硬化剤のフェノール性水酸基
の当量比が０．５〜２であり、無機充填材(Ｃ)の含有量
が、総エポキシ樹脂組成物中７０〜９５重量％であり、
硬化促進剤の含有量が、総エポキシ樹脂と総樹脂硬化剤
の合計量１００重量部当たり０．４〜２０重量部である
ことを特徴とする半導体用エポキシ樹脂組成物。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、エリア実装型半導
体装置での成形後や半田処理時の反りが小さく、耐半田
クラック性、流動性に優れ、かつ難燃性に優れる半導体
封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子機器の小型化、軽量化、高機
能化の市場動向において、半導体の高集積化が年々進
み、又半導体装置の表面実装化が促進されるなかで、新
規にエリア実装型半導体装置が開発され、従来構造の半
導体装置から移行し始めている。エリア実装型半導体装
置としては、ボールグリッドアレイ（以下、ＢＧＡとい
う）、あるいは更に小型化を追求したチップサイズパッ
ケージ（以下、ＣＳＰという）が代表的であるが、これ
らは従来ＱＦＰ、ＳＯＰに代表される表面実装型半導体
装置では限界に近づいている多ピン化・高速化への要求
に対応するために開発されたものである。構造として
は、ビスマレイミド・トリアジン（以下、ＢＴという）
樹脂／銅箔回路基板に代表される硬質回路基板あるいは
ポリイミド樹脂フィルム／銅箔回路基板に代表されるフ
レキシブル回路基板の片面上に半導体素子を搭載し、そ
の素子搭載面、即ち基板の片面のみが樹脂組成物等で成
形・封止されている。又基板の素子搭載面の反対面には
半田ボールを２次元的に並列して形成し、半導体装置を
実装する回路基板との接合を行う特徴を有している。更
に素子を搭載する基板としては、上記有機回路基板以外
にもリードフレーム等の金属基板を用いる構造も考案さ
れている。

【０００３】これらエリア実装型半導体装置の構造は基
板の素子搭載面のみを樹脂組成物で封止し、半田ボール
形成面側は封止しないという片面封止の形態をとってい
る。ごく希に、リードフレーム等の金属基板等では、半
田ボール形成面でも数十μｍ程度の封止樹脂層が存在す
ることもあるが、素子搭載面では数百μｍから数ｍｍ程
度の封止樹脂層が形成されるため、実質的に片面封止と
なっている。このため有機基板や金属基板と樹脂組成物
の硬化物との間での熱膨張・熱収縮の不整合あるいは樹
脂組成物の成形・硬化時の硬化収縮による影響により、
これらの半導体装置では成形直後から反りが発生しやす
い。又これらの半導体装置を実装する回路基板上に半田
接合を行う場合、２００℃以上の加熱工程を経るが、こ
の際に半導体装置の反りが発生し、多数の半田ボールが
平坦とならず、半導体装置を実装する回路基板から浮き
上がってしまい、電気的接合信頼性が低下する問題も起
こる。

【０００４】基板上の実質的に片面のみを樹脂組成物で
封止した半導体装置において、反りを低減させるには、
基板の線膨張係数と樹脂組成物の硬化物の線膨張係数を
近づけること、及び樹脂組成物の硬化収縮を小さくする
二つの方法が重要である。基板としては有機基板では、
ＢＴ樹脂やポリイミド樹脂のような高いガラス転移温度
（以下、Ｔｇという）の樹脂が広く用いられており、こ
れらは樹脂組成物の成形温度である１７０℃近辺よりも
高いＴｇを有する。従って、成形温度から室温までの冷
却過程では有機基板のα１の領域のみで収縮するので、
樹脂組成物の硬化物もＴｇが高く、かつα１が回路基板
と同じであり、更に硬化収縮がゼロであれば反りはほぼ
ゼロであると考えられる。このため、トリフェノールメ
タン型エポキシ樹脂とトリフェノールメタン型フェノー
ル樹脂との組合せによりＴｇを高くし、無機充填材の配
合量でα１を合わせる手法が既に提案されている。

【０００５】又、赤外線リフロー、ベーパーフェイズソ
ルダリング、半田浸漬等の手段での半田処理による半田
接合を行う場合、樹脂組成物の硬化物並びに有機基板か
らの吸湿により半導体装置内部に存在する水分が高温で
急激に気化することによる応力で半導体装置にクラック
が発生したり、基板の半導体素子搭載面と樹脂組成物の
硬化物との界面で剥離が発生することもあり、硬化物の
高強度化、低応力化、低吸湿化とともに、基板との高密
着も求められる。従来のＢＧＡやＣＳＰ等のエリア実装
型半導体装置には、反りの低減のためにトリフェノール
メタン型エポキシ樹脂とトリフェノールメタン型フェノ
ール樹脂を樹脂成分とする樹脂組成物が用いられてき
た。この樹脂組成物は、Ｔｇが高く、硬化性、熱時曲げ
強度に優れた特性を有しているが、硬化物の吸水率が高
く、又樹脂組成物の溶融粘度が比較的高く、無機充填材
の高充填化には限界があり、低吸湿化が不十分で、耐半
田クラック性には問題があった。

【０００６】一方、従来のＱＦＰやＳＯＰ等の表面実装
型半導体装置では、半田実装時のクラックや各素材界面
での剥離防止のために、ビフェニル型エポキシ樹脂に代
表されるような結晶性エポキシ樹脂を使用して無機質充
填材の高充填化を図っているが、トリフェノールメタン
型エポキシ樹脂を用いた樹脂組成物の硬化物と比較して
熱時曲げ強度が低く、かつ硬化が遅いのが問題であっ
た。そこで、反りが小さく、硬化性、熱時曲げ強度に優
れ、かつ低吸湿、耐半田クラック性に優れる樹脂組成物
を得るため、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂と結
晶性エポキシ樹脂の特徴を生かすべく、樹脂組成物の製
造時に両方のエポキシ樹脂を適正量併用したり、予め両
方のエポキシ樹脂を溶融混合したものを用いても、トリ
フェノールメタン型エポキシ樹脂を用いた時の反りが小
さく、硬化性、熱時曲げ強度に優れるという特徴と、結
晶性エポキシ樹脂を用いて無機質充填材の高充填化を図
った時の低吸湿、耐半田クラック性に優れるという特徴
を両立することはできておらず、不十分であった。

【０００７】又これらエポキシ樹脂組成物中には、難燃
性を確保するために難燃剤として、通常ブロム化エポキ
シ樹脂と三酸化アンチモンが配合されている。ところ
が、環境・衛生の点からブロム化エポキシ樹脂、三酸化
アンチモン、四酸化アンチモン、五酸化アンチモン等の
酸化アンチモンを使用しない難燃性に優れたエポキシ樹
脂組成物の開発が要求されている。この要求に対して、
水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウム等の水酸化
物、硼素系化合物が検討されてきたが多量に配合しない
と難燃性の効果が発現しない、不純物が多く耐湿性に問
題があることから実用化されていない。更に赤燐系の難
燃剤は少量の添加で効果がありエポキシ樹脂組成物の難
燃化に有用であるが、赤燐は微量の水分と反応しフォス
フィンや腐食性の燐酸を生じるため、耐湿性に問題があ
り、耐湿性に対する要求が極めて厳しい半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物には使用できない。このため、赤燐粒
子を水酸化アルミニウム、金属酸化物、その他無機化合
物、熱硬化性樹脂等の有機化合物で被覆し、赤燐の安定
化をはかっているが、依然耐湿性に問題があり、ブロム
化エポキシ樹脂、酸化アンチモンを使用せずに難燃性、
耐湿性を両立できるエポキシ樹脂組成物がないのが現状
である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、エリア実装
型半導体装置での成形後や半田処理時の反りが小さく、
耐半田クラック性、流動性に優れ、かつ難燃性に優れる
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置を提供
するところにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、［１］（Ａ）
一般式（１）で示されるエポキシ樹脂（ａ）と式（２）
で示されるエポキシ樹脂（ｂ）の重量割合（ａ）／
（ｂ）が、３０／７０〜７０／３０のエポキシ樹脂、
（Ｂ）一般式（３）で示される樹脂硬化剤を総樹脂硬化
剤中に３０〜１００重量％含む樹脂硬化剤、（Ｃ）無機
充填材、及び（Ｄ）硬化促進剤を必須成分し、総エポキ
シ樹脂のエポキシ基と樹脂硬化剤のフェノール性水酸基
の当量比が０．５〜２であり、無機充填材(Ｃ)の含有量
が、総エポキシ樹脂組成物中７０〜９５重量％であり、
硬化促進剤の含有量が、総エポキシ樹脂と総樹脂硬化剤
の合計量１００重量部当たり０．４〜２０重量部である
ことを特徴とする半導体用エポキシ樹脂組成物、

【化４】 （式中のＲ₁、Ｒ₂は、炭素数１〜４のアルキル基を示
し、互いに同一であっても異なっていてもよい。ａは０
〜３、ｂは０〜４の整数、ｎは平均値で１〜１０の正
数。）

【００１０】

【化５】

【００１１】

【化６】 （式中のＲ₃、Ｒ₄は、炭素数１〜４のアルキル基を示
し、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｃは０
〜３、ｄは０〜４の整数、ｎは平均値で１〜１０の正
数。）

【００１２】［２］（Ａ）一般式（１）で示されるエポ
キシ樹脂（ａ）と式（２）で示されるエポキシ樹脂
（ｂ）の重量割合（ａ）／（ｂ）が、３０／７０〜７０
／３０のエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（３）で示される
樹脂硬化剤を総樹脂硬化剤中に３０〜１００重量％含む
樹脂硬化剤、（Ｃ）無機充填材、及び（Ｄ）硬化促進剤
を必須成分とし、ブロム化エポキシ樹脂、酸化アンチモ
ンを配合しないエポキシ樹脂組成物であって、総エポキ
シ樹脂のエポキシ基と樹脂硬化剤のフェノール性水酸基
の当量比が０．５〜２であり、無機充填材(Ｃ)の含有量
が、総エポキシ樹脂組成物中７０〜９５重量％であり、
硬化促進剤の含有量が、総エポキシ樹脂と総樹脂硬化剤
の合計量１００重量部当たり０．４〜２０重量部である
ことを特徴とする半導体用エポキシ樹脂組成物、［３］
基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が
搭載された基板面側の実質的に片面のみが第［１］項、
又は第［２］項記載のエポキシ樹脂組成物によって封止
されてなることを特徴とする半導体装置、を提供するも
のであり、エリア実装型半導体装置での成形後や半田処
理時の反りが小さく、耐半田クラック性、流動性に優
れ、かつ難燃性に優れる。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明では、特定のエポキシ樹脂
と特定の樹脂硬化剤を組合せすることにより、流動性、
低成形収縮性、耐湿信頼性、難燃性に優れるエポキシ樹
脂組成物が得られることを見出した。本発明に用いるエ
ポキシ樹脂とは、分子中にビフェニル誘導体を含むノボ
ラック構造のことであり、樹脂硬化剤とは分子中にナフ
タレン誘導体を含むノボラック構造の樹脂のことであ
り、エポキシ樹脂、樹脂硬化剤の分子中にビフェニル誘
導体やナフタレン誘導体等の芳香族環を含有するもので
ある。エポキシ樹脂及び樹脂硬化剤にビフェニル誘導体
やナフタレン誘導体のような芳香族環が含まれると分子
間の結合エネルギーが大きくなり燃焼による分解が起こ
りにくくなり難燃性が発現する。エポキシ樹脂あるいは
樹脂硬化剤の分子中に芳香族環の数が多いもの、即ちナ
フタレンよりアントラセンの方が燃えにくくなり難燃性
は向上するが、軟化点が高くなり過ぎ、流動性の問題が
あり、ビフェニル誘導体、ナフタレン誘導体が難燃性と
流動性のバランスがよく最適である。

【００１４】又本発明に用いるエポキシ樹脂、樹脂硬化
剤は疎水性の芳香族環を有していることと、架橋間距離
が汎用のオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂と
フェノールノボラック樹脂と比較して大きいために吸水
率が比較的低く、従って、本発明の樹脂組成物を用いた
半導体装置は、実装時の半田処理下でも高い信頼性を得
ることができる。本発明で用いる一般式（１）で示され
るエポキシ樹脂は、分子中にビフェニル誘導体を含むノ
ボラック構造のエポキシ樹脂であり、具体的にはフェノ
ール類とビス（メトキシメチレン）ビフェノール類をフ
リーデル・クラフツ・アルキル化反応により得られたフ
ェノール樹脂をグリシジルエーテル化させて得られる樹
脂である。一般式（１）のｎは１〜１０であり、ｎが１
０を越えると樹脂粘度が高くなり過ぎ流動性が低下す
る。

【００１５】本発明で用いる一般式（３）で示される樹
脂硬化剤は、剛直なナフトール骨格を１分子中に少なく
とも２個以上有するため、これを用いた樹脂組成物の硬
化物の吸水率が低いという特性を有している。更に従来
のβ−ナフトール骨格の樹脂硬化剤と比較して、硬化時
の樹脂組成物の成形収縮率が小さく、接着強度の低下あ
るいは硬化物のＴｇの低下等が生じにくい特徴を有して
いる。本発明では、一般式（１）及び式（２）で示され
るエポキシ樹脂と一般式（３）で示される樹脂硬化剤が
必須であるが、エポキシ樹脂（ａ）と式（２）で示され
るエポキシ樹脂（ｂ）の重量割合（ａ）／（ｂ）として
は、３０／７０〜７０／３０、より好ましくは５０／５
０〜７０／３０であり、樹脂組成物中にブロム化エポキ
シ樹脂、酸化アンチモンを含まなくともＶ−０レベルの
難燃性を得易くなる。一般式（１）のエポキシ樹脂
（ａ）が、３０重量％未満であると良好な難燃性が得ら
れず、７０重量％を越えると流動性が悪くなる。又式
（２）のエポキシ樹脂（ｂ）が、３０重量％未満である
と流動性が悪くなり、７０重量％を越えると良好な難燃
性が得られない。一般式（１）と式（２）のエポキシ樹
脂の特性を最大限引きだすためには、総エポキシ樹脂中
に５０重量％以上含んでいることが好ましく、これによ
り優れた流動性、低成形収縮性、耐湿信頼性、難燃性を
得ることができる。併用するエポキシ樹脂としては、ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エ
ポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールノ
ボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹
脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペ
ンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、テルペン変
性フェノール型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキ
シ樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものでは
ない。

【００１６】更に一般式（３）の樹脂硬化剤を総樹脂硬
化剤中に、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは
８０重量％以上用いることにより、これを用いた樹脂組
成物で封止された半導体装置は、耐半田クラック性に優
れ、反りが小さい。更に式中のｎの値は平均値で、ｎは
１〜１０で、ｎが１０を越えるとトランスファー成形時
での流動性が低下し、成形性が劣化する傾向にある。一
般式（３）で示される樹脂硬化剤と他の樹脂硬化剤を併
用する場合は、例えばフェノールノボラック樹脂、クレ
ゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェ
ノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、テルペン変性
フェノール樹脂、トリフェノールメタン化合物等が挙げ
られる。

【００１７】総エポキシ樹脂のエポキシ基と総樹脂硬化
剤のフェノール性水酸基の当量比が０．５〜２であり、
当量比が０．５未満であっても、２を越えても、樹脂組
成物の硬化性の低下あるいは硬化物のＴｇの低下等が生
じるので好ましくない。本発明で用いる無機充填材の種
類については特に制限はなく、一般に封止材料に用いら
れているものを使用することができる。例えば、溶融破
砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリ
カ、アルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム等
が挙げられ、特に溶融球状シリカが好ましい。溶融球状
シリカの形状としては、流動性改善のために限りなく真
球状であり、かつ粒度分布がブロードであることが好ま
しい。この無機充填材の配合量としては、成形性と信頼
性のバランスから総エポキシ樹脂組成物中に７０〜９５
重量％含有することが好ましい。７０重量％未満だと難
燃性が得られず、９５重量％を越えると成形性の問題が
生じ好ましくない。本発明で用いる無機充填材は、予め
十分に混合しておくことが好ましい。又必要に応じて無
機充填材をカップリング剤やエポキシ樹脂あるいはフェ
ノール樹脂で予め処理して用いてもよく、処理の方法と
しては、溶剤を用いて混合した後に溶媒を除去する方法
や直接無機充填材に添加し、混合機を用いて処理する方
法等がある。

【００１８】本発明で用いる硬化促進剤としては、エポ
キシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させる
ものであればよく、一般に封止材料に用いられているも
のを広く用いることができる。例えば、１，８−ジアザ
ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリフェニル
ホスフィン、ベンジルジメチルアミン、２−メチルイミ
ダゾール等を単独でも混合して用いてもよい。本発明の
エポキシ樹脂組成物は、硬化促進剤を総エポキシ樹脂と
総樹脂硬化剤の合計量１００重量部あたり０．４〜２０
重量部含有する。０．４重量部未満であると、加熱成形
時において十分な硬化性が得られないおそれがある。一
方、２０重量部を越えると、硬化が速すぎて成形時に流
動性の低下により充填不良等が生ずるおそれがある。

【００１９】本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｄ）成分の他、必要に応じて酸化ビスマス水和物等の
無機イオン交換体、γ-グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン等のカップリング剤、カーボンブラック、ベ
ンガラ等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム
等の低応力化成分、天然ワックス、合成ワックス、高級
脂肪酸及びその金属塩類もしくはパラフィン等の離型
剤、酸化防止剤等の各種添加剤を適宜配合しても差し支
えない。本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｄ）成分、及びその他の添加剤等をミキサーを用いて
常温混合し、ロール、ニーダー、押出機等の混練機で溶
融混練し、冷却後粉砕して得られる。本発明の樹脂組成
物を用いて、半導体素子等の電子部品を封止し、半導体
装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプ
レッションモールド、インジェクションモールド等の成
形方法で硬化成形すればよい。

【００２０】

【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明を更に詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定
されるものではない。 実施例１ 式（４）のエポキシ樹脂（軟化点５７℃、エポキシ当量２７４ｇ／ｅｑ） ２．７重量部 式（２）の構造を主成分とするエポキシ樹脂（融点１０５℃、エポキシ基当量 １９１ｇ／ｅｑ） ２．７重量部 式（５）のフェノール樹脂（軟化点８５℃、水酸基当量２１０ｇ／ｅｑ） ５．０重量部 溶融球状シリカ（平均粒径１５μｍ、比表面積２．２ｍ²／ｇ） ８８．０重量部 トリフェニルホスフィン ０．２重量部 カーボンブラック ０．３重量部 カルナバワックス ０．５重量部 を常温においてミキサーで混合し、７０〜１２０℃で２
本ロールにより混練し、冷却後粉砕して樹脂組成物を得
た。得られた樹脂組成物を以下の方法で評価した。

【化７】

【００２１】

【化８】

【００２２】・スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６
に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用い、金型温
度１７５℃、注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間２分
で測定した。単位はｃｍ。 ・硬化トルク：キュラストメータ（（株）オリエンテッ
ク・製、ＪＳＲキュラストメータＩＶＰＳ型）を用い、
金型温度１７５℃、加熱開始９０秒後のトルクを求め
た。キュラストメータにおけるトルクは硬化性のパラメ
ータであり、数値の大きい方が硬化性が良好である。単
位はｋｇｆ−ｃｍ。 ・吸水率：トランスファー成形機を用いて、金型温度１
７５℃、注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間２分で直
径５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの成形品を成形し、１７５℃、
８時間で後硬化し、得られた成形品を８５℃、相対湿度
６０％の環境下で１６８時間放置し、重量変化を測定し
て吸水率を求めた。単位は重量％。 ・パッケージ反り量：トランスファー成形機を用いて、
金型温度１８０℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ²、硬化時
間２分で２２５ｐＢＧＡ（基板は厚さ０．３６ｍｍ、ビ
スマレイミド・トリアジン／ガラスクロス基板、パッケ
ージサイズは２４×２４ｍｍ、厚さ１．１７ｍｍ、シリ
コンチップはサイズ９×９ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍ、チ
ップと回路基板のボンディングパッドとを２５μｍ径の
金線でボンディングしている）を成形した。更にポスト
キュアとして１７５℃で８時間処理した。室温に冷却後
パッケージのゲートから対角線方向に、表面粗さ計を用
いて高さ方向の変位を測定し、変位差の最も大きい値を
反り量とした。単位はμｍ。 ・ 耐半田クラック性：トランスファー成形機を用い
て、金型温度１８０℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ²、硬
化時間２分で２２５ｐＢＧＡ（基板は厚さ０．３６ｍ
ｍ、ビスマレイミド・トリアジン／ガラスクロス基板、
パッケージサイズは２４×２４ｍｍ、厚さ１．１７ｍ
ｍ、シリコンチップはサイズ９×９ｍｍ、厚さ０．３５
ｍｍ、チップと回路基板のボンディングパッドとを２５
μｍ径の金線でボンディングしている）を成形した。ポ
ストキュアとして１７５℃で８時間処理したパッケージ
８個（各水準）を用いて評価を行った。処理条件は、６
０℃、相対湿度６０％で１２０時間処理した後、ＩＲリ
フロー処理（２４０℃）を行った水準（以下Ｌ２Ａとす
る）と、８５℃、相対湿度６０％で１６８時間処理した
後、ＩＲリフロー処理（２４０℃）を行った水準（以下
Ｌ２とする）の２水準を実施した。処理後の内部の剥
離、及びクラックの有無を超音波探傷機で観察し、不良
パッケージの個数を数えた。不良パッケージの個数がｎ
個であるとき、ｎ／８と表示する。 ・ 難燃性：得られた樹脂組成物をタブレット化し、低
圧トランスファー成型機にて１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ
²、１２０秒の成形条件で難燃性試験用試験片を作製
し、下記の難燃性試験を実施した。 難燃性試験：ＵＬ−９４垂直試験（試料厚さ１．６ｍ
ｍ） 難燃性（Ｖ−０）の判定：Ｆｍａｘ １０秒以内 ΣＦ ５０秒以内 但し、Ｆｍａｘ：フレーミング時間の最大値（秒） ΣＦ：フレーミング時間の合計（秒）

【００２３】実施例２〜５、比較例１〜５ 表１、表２の組成に従って配合し、実施例１と同様にし
て樹脂組成物を得、同様に評価した。これらの評価結果
を表１、表２に示す。なお、実施例１以外で用いたエポ
キシ樹脂及びフェノール樹脂の性状を以下に示す。 オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点５
５℃、エポキシ当量１９６ｇ／ｅｑ） 式（６）のフェノール樹脂（軟化点１１０℃、水酸基当
量９８ｇ／ｅｑ）

【化９】

【００２４】式（７）のフェノール樹脂（軟化点７４
℃、水酸基当量１７０ｇ／ｅｑ）

【化１０】

【００２５】

【表１】

【００２６】

【表２】

【００２７】

【発明の効果】本発明に従うと、流動性、難燃性に優れ
るエポキシ樹脂組成物が得られ、これを用いた半導体装
置は成形後や半田処理時の反りが小さく、耐半田クラッ
ク性に優れている。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 Ｆターム(参考） 4J002 CC033 CC043 CC053 CC073 CD05W CD06X CD07X CD20X CE003 DE136 DE146 DJ016 EN067 EU117 EU137 EW147 FD016 FD143 FD157 GQ05 4J036 AD07 AF06 DC41 DC46 DD07 FA01 FB08 HA13 JA07 4M109 AA01 BA03 CA21 EA04 EA06 EB03 EB04 EB12 EC05 EC20

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ
   樹脂（ａ）と式（２）で示されるエポキシ樹脂（ｂ）の
   重量割合（ａ）／（ｂ）が、３０／７０〜７０／３０の
   エポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（３）で示される樹脂硬化
   剤を総樹脂硬化剤中に３０〜１００重量％含む樹脂硬化
   剤、（Ｃ）無機充填材、及び（Ｄ）硬化促進剤を必須成
   分とし、総エポキシ樹脂のエポキシ基と樹脂硬化剤のフ
   ェノール性水酸基の当量比が０．５〜２であり、無機充
   填材(Ｃ)の含有量が、総エポキシ樹脂組成物中７０〜９
   ５重量％であり、硬化促進剤の含有量が、総エポキシ樹
   脂と総樹脂硬化剤の合計量１００重量部当たり０．４〜
   ２０重量部であることを特徴とする半導体用エポキシ樹
   脂組成物。 【化１】 （式中のＲ₁、Ｒ₂は、炭素数１〜４のアルキル基を示
   し、互いに同一であっても異なっていてもよい。ａは０
   〜３、ｂは０〜４の整数、ｎは平均値で１〜１０の正
   数。） 【化２】 【化３】 （式中のＲ₃、Ｒ₄は、炭素数１〜４のアルキル基を示
   し、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｃは０
   〜３、ｄは０〜４の整数、ｎは平均値で１〜１０の正
   数。）
2. 【請求項２】 （Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ
   樹脂（ａ）と一般式（２）で示されるエポキシ樹脂
   （ｂ）の重量割合（ａ）／（ｂ）が、３０／７０〜７０
   ／３０のエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（３）で示される
   樹脂硬化剤を総樹脂硬化剤中に３０〜１００重量％含む
   樹脂硬化剤、（Ｃ）無機充填材、及び（Ｄ）硬化促進剤
   を必須成分とし、ブロム化エポキシ樹脂、酸化アンチモ
   ンを配合しないエポキシ樹脂組成物であって、総エポキ
   シ樹脂のエポキシ基と樹脂硬化剤のフェノール性水酸基
   の当量比が０．５〜２であり、無機充填材(Ｃ)の含有量
   が、総エポキシ樹脂組成物中７０〜９５重量％であり、
   硬化促進剤の含有量が、総エポキシ樹脂と総樹脂硬化剤
   の合計量１００重量部当たり０．４〜２０重量部である
   ことを特徴とする半導体用エポキシ樹脂組成物。
3. 【請求項３】 基板の片面に半導体素子が搭載され、こ
   の半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみ
   が請求項１、又は２記載のエポキシ樹脂組成物によって
   封止されてなることを特徴とする半導体装置。