JP3537082B2 - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Info

Publication number
JP3537082B2
JP3537082B2 JP03074499A JP3074499A JP3537082B2 JP 3537082 B2 JP3537082 B2 JP 3537082B2 JP 03074499 A JP03074499 A JP 03074499A JP 3074499 A JP3074499 A JP 3074499A JP 3537082 B2 JP3537082 B2 JP 3537082B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
resin composition
zinc
zinc molybdate
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP03074499A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000230111A (ja
Inventor
彩子 水島
賢 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP03074499A priority Critical patent/JP3537082B2/ja
Publication of JP2000230111A publication Critical patent/JP2000230111A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3537082B2 publication Critical patent/JP3537082B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハロゲン系難燃
剤、アンチモン化合物を含まず、難燃性、高温保管特性
に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを
用いて半導体素子を封止してなる半導体装置に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスタ、集積
回路等の電子部品は、主にエポキシ樹脂組成物(以下、
樹脂組成物という)で封止されている。これらの樹脂組
成物中には、難燃性を付与するためにハロゲン系難燃
剤、及びアンチモン化合物が配合されている。しかしな
がら、この樹脂組成物で封止された半導体装置を高温下
で保管した場合、これらの難燃剤成分から熱分解したハ
ロゲン化物が遊離し、半導体素子の接合部を腐食し、装
置の信頼性を損なうことが知られており、難燃剤として
ハロゲン系難燃剤とアンチモン化合物を使用しなくても
難燃グレードV−0を達成できる樹脂組成物が要求され
ている。このように、半導体装置を高温下(例えば18
5℃等)に保管した後の半導体素子の接合部(ボンディ
ングパッド部)の耐腐食性のことを高温保管特性とい
い、この高温保管特性を改善する手法としては、五酸化
二アンチモンを使用する方法(特開昭55−14695
0号公報)や、酸化アンチモンと有機ホスフィンとを組
み合わせる方法(特開昭61−53321号公報)等が
検討され、効果が確認されているが、最近の半導体装置
に対する高温保管特性の高い要求レベルに対し、樹脂組
成物の種類によっては不満足なものもある。又、赤リン
系の難燃剤は少量の添加で効果があり、樹脂組成物の難
燃化に有用であるが、赤リンは微量の水分と反応し、ホ
スフィンや腐食性のリン酸を生じるため、耐湿信頼性に
問題がある。難燃性、高温保管特性、及び耐湿信頼性が
両立し、ハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化合物を使
用しない樹脂組成物が求められている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、成形性、難
燃性、高温保管特性、及び耐湿信頼性に優れた半導体封
止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて半導体素子
を封止してなる半導体装置を提供するものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、(A)エポキ
シ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤、
(D)無機充填材、(E)モリブデン酸亜鉛で被覆され
た溶融球状シリカ、又はモリブデン酸亜鉛で被覆された
タルク、及び(F)ほう酸亜鉛を必須成分とするエポキ
シ樹脂組成物であって、上記モリブデン酸亜鉛で被覆さ
れた溶融球状シリカ、又はモリブデン酸亜鉛で被覆され
たタルクにおける溶融球状シリカ又はタルクに対するモ
リブデン酸亜鉛の被覆量が5〜40重量%であり、上記
モリブデン酸亜鉛で被覆された溶融球状シリカ、又はモ
リブデン酸亜鉛で被覆されたタルクの平均粒径が0.5
〜30μm、最大粒径が75μm以下であり、かつ全エ
ポキシ樹脂組成物中に対し、上記モリブデン酸亜鉛が
0.1〜3重量%含まれ、上記ほう酸亜鉛が1〜5重量
%含まれることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂
組成物、及びこれを用いて半導体素子を封止してなる半
導体装置である。
【0005】
【発明の実施の形態】本発明に用いるエポキシ樹脂とし
ては、1分子内にエポキシ基を2個以上有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、その分子量、分
子構造を特に限定するものではないが、例えば、ビフェ
ニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、
スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ト
リフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリ
フェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エ
ポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エ
ポキシ樹脂、ビフェニレンを含有するノボラック型エポ
キシ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用い
ても差し支えない。
【0006】本発明に用いるフェノール樹脂としては、
1分子内にフェノール性水酸基を2個以上有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、その分子量、分
子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノ
ールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシ
クロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性フ
ェノール樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、ビフェニ
レンを含有するノボラック型フェノール樹脂等が挙げら
れ、これらは単独でも混合して用いても差し支えない。
特に、フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエ
ン変性フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、テ
ルペン変性フェノール樹脂等が好ましい。これらの配合
量としては、全エポキシ樹脂のエポキシ基数と全フェノ
ール樹脂のフェノール性水酸基数の比が0.8〜1.3
が好ましい。
【0007】本発明に用いる硬化促進剤としては、エポ
キシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させる
ものであればよく、一般に封止材料に使用するものを使
用することができる。例えば、1,8−ジアザビシクロ
(5,4,0)ウンデセン−7、トリフェニルホスフィ
ン、2−メチルイミダゾール、テトラフェニルホスホニ
ウム・テトラフェニルボレート等が挙げられ、これらは
単独でも混合して用いても差し支えない。
【0008】本発明に用いる無機充填材としては、一般
に封止材料に使用されているものを使用することができ
る。例えば、溶融シリカ粉末、結晶シリカ粉末、タル
ク、アルミナ、窒化珪素等が挙げられ、これらは単独で
も混合して用いても差し支えない。これらの配合量とし
ては、後述のモリブデン酸亜鉛のコア材として用いる無
機系物質も含め、成形性と耐半田クラック性のバランス
から、全樹脂組成物中に60〜95重量%含有すること
が好ましい。60重量%未満だと、吸水率の上昇に伴う
耐半田クラック性が低下し、95重量%を越えると、ワ
イヤースィープ及びパッドシフト等の成形性の問題が生
じ、好ましくない。
【0009】本発明に用いるモリブデン酸亜鉛は、難燃
剤として作用する。モリブデン酸亜鉛は、従来、塩化ビ
ニル樹脂の発煙抑制剤、難燃剤として有効であることが
知られていたが、半導体用封止材料には適用されていな
かった。モリブデン酸亜鉛の難燃機構については、燃焼
時にモリブデン酸亜鉛が、硬化した樹脂成分の炭化を促
進することが知られており、空気中の酸素との遮断が起
こり、燃焼が止まり難燃化が達成されると考えられる。
【0010】又、モリブデン酸亜鉛は単独で用いてもよ
いが、吸湿し易い傾向があり、配合量が多くなると半導
体装置の吸湿率が高くなり、耐湿信頼性が低下するおそ
れがあり、又、成形性が低下する。従って、無機系物
質、例えば、遷移金属、シリカ、アルミナクレー、タル
ク、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、窒化アルミニウム、窒
化珪素、珪酸アルミニウム、珪酸マグネシウム等のコア
材をモリブデン酸亜鉛で被覆したものが挙げられるが、
コア材としては、溶融球状シリカ又はタルクが取り扱い
易さ、コストの点から好ましい。コア材を被覆すること
により、難燃剤として表面のモリブデン酸亜鉛のみが作
用することになり、モリブデン酸亜鉛を多量に配合せず
に済むので吸湿率の上昇を抑え、成形性も改良すること
ができる。
【0011】溶融球状シリカ又はタルクに対するモリブ
デン酸亜鉛の被覆量としては、5〜40重量%が好まし
い。溶融球状シリカ又はタルクをモリブデン酸亜鉛で被
覆したものの平均粒径としては、0.5〜30μm、最
大粒径としては75μm以下が好ましい。全樹脂組成物
中のモリブデン酸亜鉛の配合量は、0.05〜5重量%
が好ましく、更に好ましくは0.1〜3重量%である。
0.05重量%未満だと難燃性が得られず、5重量%を
越えると樹脂組成物中のイオン性不純物が増加し、プレ
ッシャークッカーテスト等における耐湿信頼性が低下
し、成形性も低下するので好ましくない。本発明の、溶
融球状シリカ又はタルクをモリブデン酸亜鉛で被覆した
ものは、例えば、以下のようにして得られる。酸化モリ
ブデンと溶融球状シリカ又はタルクを水に混合してスラ
リーを作り、70℃に加熱し、このスラリーに酸化亜鉛
のスラリーをゆっくり混合し、1時間ほど攪拌する。濾
過により固形物を取り出し、110℃で水分を除去した
後、粉砕する。その後550℃で8時間焼成することに
より得られる。
【0012】本発明に用いるほう酸亜鉛は、モリブデン
酸亜鉛と同様に、難燃剤として作用する。ほう酸亜鉛は
難燃性と耐湿信頼性との兼ね合いから4ZnO・B23
・H2Oや2ZnO・3B23・3.5H2Oが好まし
く、特に、成形性との兼ね合いから4ZnO・B23
2Oがより好ましい。本発明のほう酸亜鉛は、市場よ
り容易に入手することができる。ほう酸亜鉛の配合量と
しては、全樹脂組成物中に1〜20重量%含有すること
が好ましく、更に好ましくは1〜5重量%である。1重
量%未満だと難燃性が不足し、20重量%を超えると耐
湿信頼性、成形性が低下するので好ましくない。
【0013】なお、モリブデン酸亜鉛とほう酸亜鉛は、
それぞれ単独でも難燃性を有するが、併用することによ
り更に難燃性が向上し、添加量を低減させることが可能
である。モリブデン酸亜鉛の難燃機構は硬化した樹脂成
分の炭化の促進であり、ほう酸亜鉛の難燃機構は水分の
放出と炭化層の強度向上であり、いずれかを単独で使用
するよりも、これらを併用することで、それぞれ少量ず
つの添加でも難燃性が向上する。又、モリブデン酸亜鉛
も、ほう酸亜鉛も、硬化促進剤を失活させやすい構造で
あるため、樹脂組成物の硬化性が低下する傾向がある
が、これらの難燃剤を組み合わせることによって、難燃
剤の配合量の少ない樹脂組成物が得られるため、硬化性
の低下を最小限にとどめることができる。なお、モリブ
デン酸亜鉛は高価であるため、ほう酸亜鉛と併用するこ
とで使用量を少なく抑えられるので、コストを低くする
ことができる。
【0014】本発明に用いるイオン捕捉剤は、ハロゲン
アニオン、有機酸アニオン等を捕捉することにより樹脂
成分等に含まれるイオン性不純物を減少させるものであ
る。これらのイオン性不純物は、アルミニウムの配線や
パッドを腐食することが知られているが、本発明のイオ
ン捕捉剤を使用することにより、イオン性不純物を捕捉
し、アルミニウムの腐食を防止することができる。本発
明のイオン捕捉剤としては、式(1)〜式(3)が挙げ
られ、これらは単独でも混合して用いても差し支えな
い。配合量としては、全樹脂組成物中に0.1〜5重量
%が好ましい。0.1重量%未満だと樹脂組成物中のイ
オン性不純物の捕捉が不十分で、プレッシャークッカー
テスト等における耐湿信頼性が不足し、5重量%を越え
ると難燃性が低下するので好ましくない。 BiOa(OH)b(NO3c (1) (式中、a=0.9〜1.1、b=0.6〜0.8、c
=0〜0.4) BiOa(OH)b(NO3c(HSiO3d (2) (式中、a=0.9〜1.1、b=0.6〜0.8、c
+d=0.2〜0.4) MgxAly(OH)2x+3y-2z(CO3z・mH2O (3) (式中、0<y/x≦1、0≦z/y<1.5、mは正
数)
【0015】本発明の樹脂組成物は、(A)〜(F)成
分、又は(A)〜(G)成分を必須成分とするが、これ
以外に必要に応じてシランカップリング剤、カーボンブ
ラック等の着色剤、天然ワックス、合成ワックス等の離
型剤、及びシリコーンオイル、ゴム等の低応力添加剤等
の種々の添加剤を適宜配合しても差し支えない。又、本
発明の樹脂組成物は、(A)〜(F)成分、又は(A)
〜(G)成分、及びその他の添加剤等をミキサー等を用
いて充分に均一に混合した後、更に熱ロール又はニーダ
ー等で溶融混練し、冷却後粉砕して得られる。本発明の
樹脂組成物を用いて、半導体等の各種の電子部品を封止
し、半導体装置を製造するには、トランスファーモール
ド、コンプレッションモールド、インジェクションモー
ルド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。
【0016】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。配合割合は重量部とす
る。なお、実施例、及び比較例で用いたエポキシ樹脂、
フェノール樹脂の略号及び構造を、以下にまとめて示
す。 エポキシ樹脂(E−1):式(E−1)で示される構造
を主成分とするエポキシ樹脂(エポキシ当量190g/
eq)
【化1】
【0017】エポキシ樹脂(E−2):式(E−2)で
示されるエポキシ樹脂(エポキシ当量210g/eq)
【化2】
【0018】フェノール樹脂(H−1):式(H−1)
で示されるフェノール樹脂(水酸基当量175g/e
q)
【化3】
【0019】フェノール樹脂(H−2):式(H−2)
で示されるフェノール樹脂(水酸基当量104g/e
q)
【化4】
【0020】 実施例1 エポキシ樹脂(E−1) 85重量部 フェノール樹脂(H−1) 60重量部 1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7(以下、DBUという ) 2重量部 溶融球状シリカ 740重量部 難燃剤A(平均粒径18μm、比表面積2.0m2/gの溶融球状シリカ8重 量部当たり、モリブデン酸亜鉛2重量部で被覆したもの。難燃剤Aの平均粒径2 4μm、最大粒径74μm。) 50重量 部 ほう酸亜鉛(4ZnO・B23・H2O) 50重量部 エポキシシランカップリング剤 5重量部 カーボンブラック 3重量部 カルナバワックス 5重量部 を常温でスーパーミキサーを用いて混合し、70〜10
0℃でロール混練し、冷却後粉砕して樹脂組成物とし
た。得られた樹脂組成物を以下の方法で評価した。結果
を表1に示す。
【0021】評価方法 難燃性:低圧トランスファー成形機を用いて175℃、
70kg/cm2、120秒で試験片(127mm×1
2.7mm×3.2mm)を成形し、175℃で8時間
処理した後、UL94垂直法に準じてΣF、Fmaxを測
定し、難燃性の判定を行った。 硬化性:(株)オリエンテック・製、JSRキュラスト
メーターIVPSを用いて、ダイスの直径35mm、振
幅角1°、成形温度175℃、成形開始90秒後のトル
ク値を測定した。単位はkgf・cm。 高温保管特性:低圧トランスファー成形機を用いて17
5℃、70kg/cm2、120秒で16pDIP(チ
ップサイズ3.0mm×3.5mm)を成形し、175
℃で8時間処理した後、高温保管試験(185℃、10
00時間)を行い、配線間の電気抵抗値が初期値に対し
20%増加したパッケージを不良と判定した。15パッ
ケージ中の不良率を百分率で示した。単位は%。
【0022】実施例2〜9、比較例1〜3 表1、表2の配合に従い、実施例1と同様にして樹脂組
成物を作製し、実施例1と同様にして評価した。結果を
表1、表2に示す。なお、実施例4のイオン捕捉剤1
は、BiO1.0(OH)0.7(NO30.3である。実施例
5のイオン捕捉剤2は、BiO1.0(OH)0.7(N
3c(HSiO3d(式中、c+d=0.3)であ
る。実施例6、比較例1ではイオン捕捉剤として協和化
学工業(株)・製DHT−4H(ハイドロタルサイト系
化合物)を使用した。実施例8の難燃剤Bは、タルク7
重量部当たり、モリブデン酸亜鉛3重量部で被覆したも
の(平均粒径2.1μm、最大粒径10μm)である。
比較例1では難燃剤として臭素化ビスフェノールA型エ
ポキシ樹脂(エポキシ当量365g/eq.)を使用し
た。
【表1】
【0023】
【表2】
【0024】
【発明の効果】本発明に従うと、ハロゲン、及びアンチ
モンを含まず、成形性に優れた半導体封止用エポキシ樹
脂組成物が得られ、これを用いた半導体装置は難燃性、
高温保管特性、耐湿信頼性に優れる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI C08K 3/38 C08K 3/38 9/02 9/02 H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール
    樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機充填材、(E)モ
    リブデン酸亜鉛で被覆された溶融球状シリカ、又はモリ
    ブデン酸亜鉛で被覆されたタルク、及び(F)ほう酸亜
    鉛を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、上記
    モリブデン酸亜鉛で被覆された溶融球状シリカ、又はモ
    リブデン酸亜鉛で被覆されたタルクにおける溶融球状シ
    リカ又はタルクに対するモリブデン酸亜鉛の被覆量が5
    〜40重量%であり、上記モリブデン酸亜鉛で被覆され
    た溶融球状シリカ、又はモリブデン酸亜鉛で被覆された
    タルクの平均粒径が0.5〜30μm、最大粒径が75
    μm以下であり、かつ全エポキシ樹脂組成物中に対し、
    上記モリブデン酸亜鉛が0.1〜3重量%含まれ、上記
    ほう酸亜鉛が1〜5重量%含まれることを特徴とする半
    導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  2. 【請求項2】 ほう酸亜鉛が、4ZnO・B23・H2
    Oである請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
    物。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹
    脂組成物が、更に(G)式(1)、式(2)、及び式
    (3)で示されるイオン捕捉剤から選ばれる1種以上を
    含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成
    物。
  4. 【請求項4】 請求項1、2、又は3記載の半導体封止
    用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してな
    ることを特徴とする半導体装置。
JP03074499A 1999-02-09 1999-02-09 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 Expired - Fee Related JP3537082B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03074499A JP3537082B2 (ja) 1999-02-09 1999-02-09 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03074499A JP3537082B2 (ja) 1999-02-09 1999-02-09 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000230111A JP2000230111A (ja) 2000-08-22
JP3537082B2 true JP3537082B2 (ja) 2004-06-14

Family

ID=12312201

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03074499A Expired - Fee Related JP3537082B2 (ja) 1999-02-09 1999-02-09 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3537082B2 (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4543533B2 (ja) * 2000-10-17 2010-09-15 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4759883B2 (ja) * 2001-08-23 2011-08-31 日立化成工業株式会社 絶縁樹脂組成物及びこれを用いた多層配線板の製造方法
MY148463A (en) 2004-07-29 2013-04-30 Sumitomo Bakelite Co Epoxy resin composition and semiconductor device
JP4844725B2 (ja) * 2005-04-25 2011-12-28 信越化学工業株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5124808B2 (ja) 2005-08-05 2013-01-23 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
KR100686886B1 (ko) 2005-12-27 2007-02-26 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
JP5410095B2 (ja) 2006-12-22 2014-02-05 電気化学工業株式会社 非晶質シリカ質粉末、その製造方法及び半導体封止材
JP5275295B2 (ja) * 2010-07-21 2013-08-28 信越化学工業株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5904078B2 (ja) * 2011-10-07 2016-04-13 信越化学工業株式会社 プリプレグ、金属張積層板、プリント配線板及び半導体装置
JP5579764B2 (ja) * 2012-03-05 2014-08-27 信越化学工業株式会社 アンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物、及び該組成物で封止された半導体装置
JP2015012273A (ja) * 2013-07-02 2015-01-19 Tdk株式会社 圧粉磁心および電子部品
CN105018079A (zh) * 2015-07-17 2015-11-04 辽宁大学 一种掺杂稀土元素的4ZnO·B2O3·H2O:RE3+型硼酸锌的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000230111A (ja) 2000-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0926196B1 (en) Epoxy resin compositions for encapsulating semiconductors, and semiconductor devices
JP3537082B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4779270B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法
JP3377933B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置
JP3389095B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4677761B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4961635B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002212397A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4345174B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2000273281A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2001354839A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4765150B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2001323050A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2001158852A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2001226564A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2001329144A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2001192533A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002179773A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2004027062A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2001226561A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4543533B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2001049084A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2001354840A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2001335679A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003292731A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040312

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040312

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090326

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100326

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100326

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110326

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110326

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120326

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140326

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees