JP2001335679A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ハロゲン系難燃剤、アンチモン化合物を含ま
ず、硬化性、難燃性、高温保管特性、及び耐半田クラッ
ク性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供す
ること。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材、（Ｅ）一
般式（１）で示される金属水酸化物固溶体、及び（Ｆ）
ホスファゼン化合物を必須成分とすることを特徴とする
半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 Ｍｇ_1-xＭ²⁺ _x（ＯＨ）₂ （１） （式中、Ｍ²⁺は、Ｍｎ²⁺、Ｆｅ²⁺、Ｃｏ²⁺、Ｎｉ²⁺、Ｃ
ｕ²⁺及びＺｎ²⁺からなる群から選ばれた少なくとも１種
の二価金属イオンを示し、ｘは０．０１≦ｘ≦０．５の
数を示す）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、難燃性、高温保管
特性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び半
導体装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスタ、集積
回路等の電子部品は、主にエポキシ樹脂組成物で封止さ
れている。これらのエポキシ樹脂組成物中には、難燃性
を付与するためにハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化
合物が配合されている。ところが、環境・衛生の点から
ハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化合物を使用しない
で、難燃性に優れたエポキシ樹脂組成物の開発が要求さ
れている。又、ハロゲン系難燃剤及びアンチモン化合物
を含むエポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置を高
温下で保管した場合、これらの難燃剤成分から熱分解し
たハロゲン化物が遊離し、半導体素子の接合部を腐食
し、半導体装置の信頼性を損なうことが知られており、
難燃剤としてハロゲン系難燃剤とアンチモン化合物を使
用しなくても難燃グレードがＵＬ−９４のＶ−０を達成
できるエポキシ樹脂組成物が要求されている。このよう
に、半導体装置を高温下（例えば、１８５℃等）に保管
した後の半導体素子の接合部（ボンディングパッド部）
の耐腐食性のことを高温保管特性といい、この高温保管
特性を改善する手法としては、五酸化二アンチモンを使
用する方法（特開昭５５−１４６９５０号公報）や、酸
化アンチモンと有機ホスフィンとを組み合わせる方法
（特開昭６１−５３３２１号公報）等が提案され、効果
が確認されているが、最近の半導体装置に対する高温保
管特性の高い要求レベルに対して、エポキシ樹脂組成物
の種類によっては不満足なものもある。

【０００３】そこで難燃剤として、特定の金属水酸化物
と特定の金属酸化物の併用、或いは特定の金属水酸化物
と特定の金属酸化物の複合化金属水酸化物を用いること
により、難燃性と耐湿信頼性を解決する提案がされてい
るが（特開平１０−２５１４８６号公報、特開平１１−
１１９４５号公報等）、高温保管特性は問題ないが十分
な難燃性を発現させるためには、多量の添加を必要と
し、そのため硬化性、耐半田クラック性の低下を引きお
こす問題がある。又、特開平１０−２５９２９２号公報
で提案されている様な環状ホスファゼン化合物を使用す
ることにより、ハロゲン系難燃剤及びアンチモン化合物
を使用せずに十分な難燃性を達成できてはいたが、硬化
性の低下、吸湿率の増加、強度の低下等の不具合が発生
していた。このため、ホスファゼン化合物の添加量を少
なくしても難燃性を得ることができるエポキシ樹脂組成
物が望まれている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、ハロゲン系
難燃剤、アンチモン化合物を含まず、難燃性、高温保管
特性、硬化性、及び耐半田クラック性に優れた半導体封
止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置
を提供するものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）エポキ
シ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、
（Ｄ）無機充填材、（Ｅ）一般式（１）で示される金属
水酸化物固溶体、及び（Ｆ）ホスファゼン化合物を必須
成分とし、より好ましくは、一般式（１）で示される金
属水酸化物固溶体のＭ²⁺が、Ｚｎ²⁺又はＮｉ²⁺であるこ
とを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び
これを用いて半導体素子を封止してなることを特徴とす
る半導体装置である。 Ｍｇ_1-xＭ²⁺ _x（ＯＨ）₂ （１） （式中、Ｍ²⁺は、Ｍｎ²⁺、Ｆｅ²⁺、Ｃｏ²⁺、Ｎｉ²⁺、Ｃ
ｕ²⁺及びＺｎ²⁺からなる群から選ばれた少なくとも１種
の二価金属イオンを示し、ｘは０．０１≦ｘ≦０．５の
数を示す）

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明に用いるエポキシ樹脂とし
ては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、その分子量、分
子構造を特に限定するものではないが、例えば、ビフェ
ニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、
スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ト
リフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリ
フェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エ
ポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エ
ポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂（フ
ェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する）、ナフト
ール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混
合して用いても差し支えない。

【０００７】本発明に用いるフェノール樹脂としては、
１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、その分子量、分
子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノ
ールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシ
クロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性フ
ェノール樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、フェノー
ルアラルキル樹脂（フェニレン骨格、ビフェニレン骨格
等を有する）、ナフトールアラルキル樹脂等が挙げら
れ、これらは単独でも混合して用いても差し支えない。
これらの内では特に、フェノールノボラック樹脂、ジシ
クロペンタジエン変性フェノール樹脂、フェノールアラ
ルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、テルペン変性
フェノール樹脂等が好ましい。これらの配合量として
は、全エポキシ樹脂のエポキシ基数と全フェノール樹脂
のフェノール性水酸基数の比が０．８〜１．３が好まし
い。

【０００８】本発明に用いる硬化促進剤としては、エポ
キシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させる
ものであればよく、一般に封止材料に使用するものを使
用することができる。例えば、１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７、トリフェニルホスフィ
ン、２−メチルイミダゾール、テトラフェニルホスホニ
ウム・テトラフェニルボレート等が挙げられ、これらは
単独でも混合して用いても差し支えない。

【０００９】本発明に用いる無機充填材としては、一般
に封止材料に使用されているものを使用することができ
る。例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、タルク、アルミ
ナ、窒化珪素等が挙げられ、これらは単独でも混合して
用いても差し支えない。これらの内では、球形度の高い
溶融シリカを全量、あるいは一部破砕シリカを併用する
ことが好ましい。無機充填材の平均粒径としては０．５
〜３０μｍ、最大粒径としては１００μｍ以下が好まし
い。又、粒子の大きさの異なるものを混合することによ
り充填量を多くすることができる。無機充填材は、予め
シランカップリング剤等で表面処理されているものを用
いてもよい。配合量としては、本発明の金属水酸化物固
溶体と前記の無機充填材との合計量が、硬化性と耐半田
クラック性のバランスから、全エポキシ樹脂組成物中に
６０〜９５重量％が好ましい。６０重量％未満だと、吸
水率の上昇に伴う耐半田クラック性が低下し、９５重量
％を越えると、ワイヤースィープ及びパッドシフト等の
成形性の問題が生じ、好ましくない。

【００１０】本発明に用いる一般式（１）で示される金
属水酸化物固溶体は、難燃剤として作用し、その難燃機
構としては、燃焼時に金属水酸化物固溶体が脱水を開始
し、吸熱することによって燃焼反応を阻害するものであ
る。又、硬化した樹脂成分の炭化を促進することが知ら
れており、硬化物表面に酸素を遮断する難燃層を形成す
ると考えられる。更に、本発明の金属水酸化物固溶体
は、吸熱開始温度を適度に下げ、難燃性能を向上する効
果がある。吸熱開始温度が低いと成形性、信頼性に悪影
響を及ぼし、又、吸熱開始温度が樹脂成分の分解温度よ
り高いと難燃性が低下するが、本発明の金属水酸化物固
溶体の吸熱開始温度は、３００〜３５０℃近辺で適度な
値である。これらの内で特に好ましいＭ²⁺としては、Ｎ
ｉ²⁺、Ｚｎ²⁺である。本発明の金属水酸化物固溶体の配
合量としては、全エポキシ樹脂組成物中に１〜１５重量
％が好ましく、更に好ましくは１〜１０重量％である。
１重量％未満だと難燃性が不足し、１５重量％を越える
と耐半田クラック性、成形性が低下するので好ましくな
い。本発明の金属水酸化物固溶体の平均粒径としては、
０．５〜３０μｍが好ましく、更に好ましくは０．５〜
１０μｍである。

【００１１】本発明に用いるホスファゼン化合物は、化
合物中にホスファゼン構造を有するものであればよく、
例えば、一般式（３）で示される構造を有する化合物等
を挙げることができ、難燃剤として作用する。

【化２】 （式中、ｎは３〜１０００の整数であり、Ｒとしては、
例えば、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、ア
リール基、アリールオキシ基等が一般的であるが、又、
アミノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、フルオロアル
キル基等に代表される様に、Ｎ、Ｓ、Ｏ、Ｆ原子等を含
有していても差し支えない。これらのホスファゼン化合
物は、単独でも混合して用いてもよい。） ホスファゼン化合物の難燃機構は、その含有しているリ
ンによる炭化促進効果、即ち、硬化物の表面に不燃性の
炭化層を形成することにより、硬化物表面の保護、及び
酸素を遮断する効果が得られること、又、含有している
窒素により、熱分解時に窒素ガスが発生し、気相におい
ても酸素を遮断することによる。この固相と気相の両方
で働く難燃効果から、ホスファゼン化合物は高い難燃性
を付与することができる。

【００１２】好ましいホスファゼン化合物としては、本
発明のエポキシ樹脂組成物の流動性の点から、環状ホス
ファゼン化合物である。環状ホスファゼン化合物として
は、例えば、一般式（２）で示される環状ホスファゼン
化合物

【化３】 （式中、ｎは３〜７の整数、Ｒは互いに同一もしくは異
なる有機基を示す。）等があり、一般式（２）中のＲ
は、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリー
ル基、アリールオキシ基等が一般的であるが、又、アミ
ノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、フルオロアルキル
基等に代表される様に、Ｎ、Ｓ、Ｏ、Ｆ原子等を含有し
ていても差し支えない。これらの環状ホスファゼン化合
物は、単独でも混合して用いてもよい。更に、３量体の
６員環を主成分としていることがより好ましい。一般式
（２）で示される環状ホスファゼン化合物としては、具
体的には、例えば、ヘキサプロピルシクロトリホスファ
ゼン、テトラエトキシジプロポキシシクロトリホスファ
ゼン、ヘキサフェノキシシクロトリホスファゼン、ヘキ
サアニリノシクロトリホスファゼン、ヘキサキス（３−
メルカプトプロピル）シクロトリホスファゼン、ヘキサ
キス（ヘプタフルオロプロピルオキシ）シクロトリホス
ファゼン等が一例として挙げられる。一般式（３）、一
般式（２）中のＲとしては、耐熱性、耐湿性の観点から
はアリールオキシ基が好ましく、エポキシ樹脂との相溶
性やエポキシ樹脂組成物の流動性の観点から、２ｎ個の
Ｒのうち、少なくともｎ個がフェノキシ基であること
が、より好ましい。

【００１３】又、別の環状ホスファゼン化合物の例とし
て、難燃性を高めるために、一つの環状ホスファゼンが
別の有機基を介して他の環状ホスファゼンと結合した形
態の化合物も好ましい。この場合、環状ホスファゼンは
同じ種類でもよく、異なった種類でもよい。例えば、一
般式（２）で示される一つの環状ホスファゼンのＲの一
部が他の環状ホスファゼンのＲの一部との間で別の有機
基又はＲを介して結合した形態の化合物でもよく、これ
らの別の有機基は、単独の基だけではなく、他の基との
複合の基でもよい。例えば、有機基の両末端にホスファ
ゼン基を有している化合物でもよい。これらの環状ホス
ファゼン同士を結合する別の有機基としては、例えば、
１，６−ジオキシヘキサン等の様にジオール化合物の水
酸基から水素原子を除いた有機基、あるいはハイドロキ
ノン、４，４’−ビフェノール、ビスフェノールＦ等の
２官能フェノール化合物等のジヒドロキシ化合物から水
素原子を除いた基等を好ましく用いることができる。

【００１４】本発明のホスファゼン化合物の配合量とし
ては、全エポキシ樹脂組成物中に０．０１〜１０重量％
が好ましく、更に好ましくは０．１〜５重量％である。
０．０１重量％未満だと難燃性が不足し、１０重量％を
越えると硬化性、耐熱性及び強度が低下し、吸水率が増
加するので好ましくない。

【００１５】金属水酸化物固溶体及びホスファゼン化合
物は、各々単独でも難燃性を付与する性質があるが、十
分な難燃性を発現させるには、多量の配合量が必要とな
る。しかし多量に配合すると、成形性及び強度の低下、
吸水率の増加を引き起こす傾向にあり、耐半田クラック
性が低下する。これらの諸物性の低下を防ぐためにも、
配合量は極力少なくする必要がある。本発明者は、金属
水酸化物固溶体とホスファゼン化合物とを併用すること
により、その相乗効果として更に難燃性が向上し、各々
の配合量を低減できることを見出した。金属水酸化物固
溶体は、硬化した樹脂成分の炭化を促進させ、ホスファ
ゼン化合物は、燃焼時にポリ燐酸層と炭化層を形成する
ことによって燃焼反応を阻害するものである。理由は定
かでないが、両者を併用することにより、互いの能力を
補い合い、その相乗効果として高い難燃性を得ることが
できる。その結果として、配合量を少なくしても難燃性
を維持し、成形性及び強度の低下、吸水率の増加等を防
ぐことができる。

【００１６】本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｆ）成分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、三
酸化アンチモン等の難燃剤を含有することは差し支えな
いが、半導体装置の１５０〜２００℃の高温下での電気
特性の安定性が要求される用途では、臭素原子、アンチ
モン原子の含有量が、それぞれ全エポキシ樹脂組成物中
に０．１重量％未満であることが好ましく、完全に含ま
れない方がより好ましい。臭素原子、アンチモン原子の
いずれかが０．１重量％以上だと、高温下に放置したと
きに半導体装置の抵抗値が時間と共に増大し、最終的に
は半導体素子の金線が断線する不良が発生する可能性が
ある。又、環境保護の観点からも、臭素原子、アンチモ
ン原子のそれぞれの含有量が０．１重量％未満で、極力
含有されていないことが望ましい。臭素原子の含有量
は、蛍光Ｘ線分析法、イオンクロマトグラフ分析法等の
元素分析で測定することができる。アンチモン原子の含
有量は、原子吸光分析法、発光分析法、蛍光Ｘ線分光
法、イオンクロマトグラフ分析法等の元素分析で測定す
ることができる。本発明のエポキシ樹脂組成物は、
（Ａ）〜（Ｆ）成分を必須成分とするが、これ以外に必
要に応じてシランカップリング剤、カーボンブラック等
の着色剤、天然ワックス、合成ワックス等の離型剤、及
びシリコーンオイル、ゴム等の低応力添加剤等の種々の
添加剤を適宜配合しても差し支えない。又、本発明のエ
ポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｆ）成分、及びその他
の添加剤等をミキサー等を用いて充分に均一に混合した
後、更に熱ロール又はニーダー等で溶融混練し、冷却後
粉砕して得られる。本発明のエポキシ樹脂組成物を用い
て、半導体素子等の各種の電子部品を封止し、半導体装
置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレ
ッションモールド、インジェクションモールド等の従来
からの成形方法で硬化成形すればよい。

【００１７】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。配合割合は重量部とす
る。なお、実施例、及び比較例で用いたエポキシ樹脂、
フェノール樹脂の略号を以下にまとめて示す。 エポキシ樹脂（Ｅ−１）：ビフェニル型エポキシ樹脂
［４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−
３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニルを主成分
とする。エポキシ当量１９０ｇ／ｅｑ、融点１０５
℃］、 エポキシ樹脂（Ｅ−２）：ジシクロペンタジエン変性フ
ェノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量２６５ｇ／ｅ
ｑ、軟化点６０℃）、 フェノール樹脂（Ｈ−１）：フェノールアラルキル樹脂
（水酸基当量１６５ｇ／ｅｑ、軟化点６２℃）、 フェノール樹脂（Ｈ−２）：フェノールノボラック樹脂
（水酸基当量１０４ｇ／ｅｑ、軟化点８０℃）

【００１８】 実施例１ エポキシ樹脂（Ｅ−１） ７．７重量部 フェノール樹脂（Ｈ−１） ６．８重量部 １，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという ） ０．２重量部 溶融球状シリカ ７６．０重量部 金属水酸化物固溶体（Ｍｇ_0.8Ｚｎ_0.2（ＯＨ）₂、平均粒径１μｍ） ５．０重量部 式（４）で示される環状ホスファゼン化合物 ３．０重量部

【化４】 エポキシシランカップリング剤 ０．５重量部 カーボンブラック ０．３重量部 カルナバワックス ０．５重量部 を常温でスーパーミキサーを用いて混合し、７０〜１０
０℃でロール混練し、冷却後粉砕してエポキシ樹脂組成
物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を以下の方法で
評価した。結果を表１に示す。

【００１９】評価方法 スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイ
ラルフロー測定用金型を用いて、金型温度１７５℃、圧
力７０ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間１２０秒で測定した。 硬化性：（株）オリエンテック・製、ＪＳＲキュラスト
メーターＩＶＰＳを用いて、ダイスの直径３５ｍｍ、振
幅角１°、成形温度１７５℃、成形開始９０秒後のトル
ク値を測定した。数値が小さいほど硬化が遅い。単位は
Ｎ・ｍ。 難燃性：低圧トランスファー成形機を用いて、成形温度
１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間１２０秒で
試験片（１２７ｍｍ×１２．７ｍｍ×３．２ｍｍ）を成
形し、アフターベークとして１７５℃、８時間処理した
後、ＵＬ−９４垂直法に準じてΣＦ、Ｆmaxを測定し、
難燃性を判定した。 熱時強度：低圧トランスファー成形機を用いて、成形温
度１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間１２０秒
で試験片（８０ｍｍ×１０ｍｍ×４ｍｍ）を成形し、ア
フターベークとして１７５℃、８時間処理した後、２４
０℃での曲げ強度をＪＩＳ Ｋ ６９１１に準じて測定
した。単位はＮ／ｍｍ²。 吸水率：低圧トランスファー成形機を用いて、成形温度
１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間１２０秒で
円板（直径５０ｍｍ、厚さ４ｍｍ）を成形し、アフター
ベークとして１７５℃、８時間処理した後、１５０℃で
１６時間乾燥処理を行い、８５℃、相対湿度８５％で１
６８時間吸水処理を行ったものについて、初期重量に対
する増加重量の百分率を求めた。単位は％。 耐半田クラック性：低圧トランスファー成形機を用い
て、成形温度１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ²、硬化時
間１２０秒で８０ｐＱＦＰ（２ｍｍ厚、チップサイズ
９．０ｍｍ×９．０ｍｍ）を成形し、アフターベークと
して１７５℃、８時間処理した後、８５℃、相対湿度８
５％で９６時間の処理を行い、ＩＲリフロー処理（２４
０℃、１０秒）を行った。超音波探傷機を用いて、パッ
ケージ内部の剥離、クラック等の不良を観察した。６個
のパッケージ中の不良パッケージ数を示す。 高温保管特性：低圧トランスファー成形機を用いて、成
形温度１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間１２
０秒で１６ｐＤＩＰ（チップサイズ３．０ｍｍ×３．５
ｍｍ）を成形し、アフターベークとして１７５℃、８時
間処理した後、高温保管試験（１８５℃、１０００時
間）を行い、配線間の電気抵抗値が初期値に対し２０％
増加したパッケージを不良と判定した。１５個のパッケ
ージ中の不良率を百分率で示した。単位は％。 臭素原子、アンチモン原子の含有量：圧力６０ｋｇ／ｃ
ｍ²で直径４０ｍｍ、厚さ５〜７ｍｍに圧縮成形し、蛍
光Ｘ線分析装置を用いて、全エポキシ樹脂組成物中の臭
素原子、アンチモン原子の含有量を定量した。単位は重
量％。

【００２０】実施例２〜６、比較例１〜５ 表１の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂
組成物を得て、実施例１と同様にして評価した。結果を
表１に示す。実施例２では、式（５）で示される環状ホ
スファゼン化合物を用いた。

【化５】

【００２１】実施例６では、式（６）で示される環状ホ
スファゼン化合物を用いた。

【化６】

【００２２】比較例３に用いた臭素化ビスフェノールＡ
型エポキシ樹脂のエポキシ当量は、３６５ｇ／ｅｑ．。

【表１】

【００２３】

【発明の効果】本発明に従うと、ハロゲン系難燃剤、ア
ンチモン化合物を含まず、硬化性に優れた半導体封止用
エポキシ樹脂組成物が得られ、これを用いた半導体装置
は難燃性、高温保管特性、及び耐半田クラック性に優れ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｋ 5/5399 Ｃ０８Ｋ 5/5399 Ｈ０１Ｌ 23/29 (Ｃ０８Ｌ 63/00 23/31 85:02） //(Ｃ０８Ｌ 63/00 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 85:02） Ｆターム(参考） 4J002 CC042 CC052 CC062 CC072 CC082 CD031 CD041 CD051 CD061 CD131 CD201 CQ013 DE077 DE097 DE107 DE117 DE146 DJ006 DJ016 DJ046 EW158 FD016 FD033 FD137 FD138 FD142 4J036 AA01 FA01 FA02 FB07 4M109 AA01 EA02 EB03 EB04 EB07 EB12 EC20

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
   樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材、（Ｅ）一
   般式（１）で示される金属水酸化物固溶体、及び（Ｆ）
   ホスファゼン化合物を必須成分とすることを特徴とする
   半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 Ｍｇ_1-xＭ²⁺ _x（ＯＨ）₂ （１） （式中、Ｍ²⁺は、Ｍｎ²⁺、Ｆｅ²⁺、Ｃｏ²⁺、Ｎｉ²⁺、Ｃ
   ｕ²⁺及びＺｎ²⁺からなる群から選ばれた少なくとも１種
   の二価金属イオンを示し、ｘは０．０１≦ｘ≦０．５の
   数を示す）
2. 【請求項２】 一般式（１）で示される金属水酸化物固
   溶体のＭ²⁺が、Ｚｎ ²⁺、又はＮｉ²⁺である請求項１記載
   の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
3. 【請求項３】 ホスファゼン化合物が、環状ホスファゼ
   ン化合物である請求項１、又は２記載の半導体封止用エ
   ポキシ樹脂組成物。
4. 【請求項４】 環状ホスファゼン化合物が、一般式
   （２）で示される環状ホスファゼン化合物である請求項
   ３記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式中、ｎは３〜７の整数、Ｒは互いに同一もしくは異
   なる有機基を示す。）
5. 【請求項５】 一般式（２）で示される環状ホスファゼ
   ン化合物の２ｎ個のＲのうち、少なくともｎ個がフェノ
   キシ基である請求項４記載の半導体封止用エポキシ樹脂
   組成物。
6. 【請求項６】 全エポキシ樹脂組成物中に含有される臭
   素原子及びアンチモン原子がそれぞれ０．１重量％未満
   である請求項１、２、３、４、又は５記載の半導体封止
   用エポキシ樹脂組成物。
7. 【請求項７】 請求項１〜６記載のいずれかの半導体封
   止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止して
   なることを特徴とする半導体装置。