JPS6148421A - 高純度シリカおよびその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は珪酸アルカリから造られる高純度シリカおよび
その製法に関する。

文に詳しくは、工Ｃ封止剤用樹脂の充填材、基板、電子
材料や半導体製造装置用高純度シリカガラスの原料等の
用途に適する低放射性で侃めて高純度のシリカおよびそ
の製造方法に関する。

従来の技術 近年、電子産業の急速な発展につれて電子材料量や半導
体製造用などに高純度のシリカが使用されるようになっ
たが、製品の高度化につれてシリカに対する高純度化へ
の要望は一層強まっている。たとえば、ＬＢ工或は超Ｌ
ＳＩの封止剤用のエポキシ樹脂の充填剤として純度のよ
いシリカ粉末が使用されているが、工Ｃの高性能化すな
わち集積度の増大に伴って封止剤中のＵ（ウラン）やＴ
ｈ（）リウム）から放射されるα−線に起因する工Ｃの
誤動作すなわちソフトエラーの問題が重要視されるよう
になった。このトラブルを回避するためにはエポキシ樹
脂組成物中に５０〜９０％もの比率で配合される充填剤
としてのシリカ中のα−放射線源となる放射性元素、特
にＵおよびＴｈ　の低減が不可欠の要件となる。

従来、この種のエポキシ樹脂用充填剤のシリ、　　　　
力としてはＵ、Ｔｈ　等の放射性元素の含有率が低い良
質の天然珪砂を化学的に処理したものや良質の天然水晶
を溶融粉砕したものが主として使用されていたが、天然
の珪砂や水晶中には酸処理や精製処理を施した後でもＵ
やＴｈ　がそれぞれ数／　０−　／　００　ｐｐｂ程度
含まれており、このようなシリカはソフトエラーのため
にコｓ６キロビツト以上の高集積度を対象とする工Ｃの
封止剤用の充填剤には全く不適当となる。

天然の水晶の中にはＵ、Ｔｈ　　の含有量の特に少いも
のも稀には産出するが、その入手は年々困難になりつつ
ある。

一方、ＵやＴｈ　が／　ｐｐｂ以下の極めて高純度のシ
リカの製法としては、特に精製した四塩化珪素やテトラ
エチルシリケート等のシリカ源を加水分解して焼成する
方法や気相分解する方法があるが、いづれも原料自体が
高価であるとともに腐食性や可燃性を有するため取扱い
には特別な配慮を要し、極めて高価となる。

従来、珪酸アルカリをシリカ源として高純度のシリカを
製造する方法としては、■珪酸アルカリ水溶液をイオン
交換して酸性シリカゾルとし、これに塩類や界面活性剤
を加えてシリカを沈殿状に析出させて回収する方法（特
公昭８−／ｌ：３１３号、特公昭Ｊ？−ダ、ｙｏｑ号）
、■珪酸アルカリ水溶液をイオン交換してシリカゾルと
し、これにアンモニアを加えてｐＨを調整した後、冷却
凍結し、さらに加温融解してシリカを析出させて回収す
る方法（特公昭Ｊｌａ−９ｔＩＩＪ号）等が知られてい
るが何れも析出するシリカ沈殿の含水率が３０％以上に
も達しｆ過、洗浄等が困難であって、５ｉｎ２　　純度
が９９．３−９　？、？Ｓ程度、不純物含有量はＮａ　
　Ｉ！ｒＯ〜３００　ｐｐｍとされているが、本発明者
等の検討結果ではＦθ！ｉ０−／；Ｏｐｐｍ　、　　Ｔ
ｈ　／　００〜２　ｊ　Ｏｐｐ’ｂ程度であり、更に酸
による処理を加えてもＦｅ　Ｊ　ｐｐｍ以下、’ｒ：ｈ
ｉ。

ｐｐｂ以下のシリカを得ることは困難であった。

■しかして、最近水素イオン振度／、ｊ以下の条件でア
ルカリ金属ないしアルカリ土類金属の珪酸塩と鉱酸から
Ｕ　／　ｐｐｂ以下の石英ガラスを製造する方法が提案
され７’ｃ（％囲昭５　？−ｊｉ、７Ｊ号）。しかしな
がら、この発明には最も除去が困難となっているＴｈ　
の除去手段については全く開示がなされていない。

ところで鉱酸中に珪酸アルカリ水溶液を添加してシリカ
ゲルを沈殿させる方法は高純度シリカゲルを製造する手
段としては、その逆の添加方法に比べて不純物が若しく
少なくなる有利な方法であるが、反応条件の微妙な差異
によつ【シリカゲルの沈殿性状に著しい差異が認められ
【分離回収の際の操作に大きな影響があると同時に不純
物含有量についてもｐｐｍ　−？　ｐｐｂの単位で論す
る場合に、反応条件により著しいバラツキが生じ、洗浄
操作では分離し得ない不純物が残留し、再現性にも欠け
る。

このように、アルカリ分、Ｕ、Ｔｈ　　などの不純物を
最少にし、しかもバラツキがなく再現性のある高純度の
シリカを珪酸アルカリ水溶液から製造することについて
いずれも従来の方法には開示がない。　。

発明が解決しようとする問題点 珪酸アルカリ水溶液から高純度シリカを製造するに当り
、シリカ中の不純物としてＡ１　が重要な成分であるこ
とが本発明者らの実験により確認された。

即ち、シリカ中にＡＪ　分が残留する場合、付着または
吸着ではな（、シリカ骨格構造中の８１のゴ部をＡＬ　
で置換する状態で残留するものと推定され、かかるＡｌ
　分は単なる水洗または酸洗浄では除去されない。

しかして、この人１　の挙動を追跡すると、他の不純物
、例えばアルカリ、ＵおよびＴｈ　　との相関性が大き
いことがわかり、特にシリカ中のＡＪ　がｊ　ｐｐｍ以
下の場合には、Ｔｈ　　もまた１ｐｐｂ以下となる事実
を知見した。

このようなことから本発明は、上記の新たな知見に基づ
いて、硝酸水溶液と珪酸アルカリ水溶液との反応により
高純度のシリカを再現性よく工業的に製造することにあ
る。

問題点を解決するための手段および作用本発明は珪酸ア
ルカリおよび酸との湿式法によるシリカであって、アル
ミニウムが八１　　としてｊ　ｐｐｍ以下であることを
特徴とする高純度シリカである。

更に云えば、他の不純物とにＮａｌｏｐｐｍ以下、Ｕ　
／　ｐｐｂ以下およびＴｈ　／　ｐｐｂ以下の高純度シ
リカである。

即ち、本発明にかかる高純度シリカにおいて、ムＪがｊ
　ｐｐｍ以下の場合、殆んどＵおよびＴｈも同時に上記
の関係にあり、特にＴｈ　については強い相関関係にあ
る。

これは、本発明者らの興味ある新らしい知見に基づいた
ものであり、シリカ中のＡｌ成分を追跡し、その量がＪ
　ｐｐｍ以下にあれば極めて高純度のシリカとなってい
るということである。

かかる高純度シリカは、特にＮａ　、　ＵおよびＴｈ等
の不純物成分の少い点において、従来電子材料用や高純
度シリカガラス用の原料として使用されていた良質の天
然珪砂や水晶の純度を上回るものであるため、それらに
代って使用可能であるばかりでなく、より高純度を必要
とする高集積度前ＩＣ用の封止剤、充填剤など高性能電
子材料用にも安定供給が可能となる点で良質のシリカ資
源に恵まれぬ我国にとって画期的な意義を有するもので
ある。

他方、上記高純度シリカは封止剤用充填剤として用いる
場合、これを溶融してシリカガラス体とするが含水率が
０．３−２０重量％、二次粒子の平均粒子径がコ〜１ｏ
ｏｏμｍの範囲にあることが好ましい。この理由は含水
率について云えば、この範囲外では二次粒子の粉体とし
ての流動性が悪く、例えば、火炎溶融法によって球状化
する場合にトラブルの原因となり、また発泡の原因とも
なる。

また、二次粒子の平均半粒子径も上記範囲を越えること
は充填剤用原料として不適当になる傾向にあるからであ
る。

かかる高純度シリカは珪酸ナトリウムと硝酸との反応に
よりシリカを生成させる方法において、硝酸酸性溶液中
に珪酸ナトリウム溶液を添加反応させ、かつ反応系の母
液組成を１０．−ＮａＮＯｌ−Ｈ２Ｏ系で表わした場合
、反応終了時における母液組成が第１図および下記の表
に示される如＜、Ａ、Ｂ、Ｏ及びＤで囲まれた組成領域
内となるようにシリカの沈殿を生成させ、次いで該沈殿
を分離回収することを特徴とすることにより製造できろ
。

表 各点の組成（２に量チ） 本発明の方法で使用する珪酸ナトリウムとしては、モル
比５ｉ０２／Ｎａ２Ｏがｌ−ダの市販の珪酸ナトリウム
溶液（水ガラス）あるいはそれらに予め何らかの精製処
理を施したもの等の何れも使用することができるが、モ
ル比の値が比較的大きいものが反応に必要とする硝酸の
量が少くてすむので経済的である。珪酸ナトリウム溶液
は水または硝酸す）ＩＪウム水溶液で適宜希釈して使用
してもよい。使用濃度は、　Ｓｉｎ、　　としてλθＭ
量チ以上、好ましくは一５ｋｉ−以上が好適である。

一方、本発明の方法で使用する硝酸酸性溶液としては硝
酸そのものの水溶液あるいは硝酸ナトリウムを含有する
硝酸の水溶液を使用することができる。使用濃度はＨＮ
Ｏ、としてよ重量％以上、好ましくは７０重量％以上が
好適である。

かかる原料を用いて、高純度シリカを製造するに当り、
本発明にかかる方法では、原料の添加順序および反応系
の母液組成、特に反応終了時の母液組成が上記のように
特定した状態でシリカの沈殿を生成させることが重要で
ある。

原料の添加順序を本発明とは逆にして珪酸ナトリウム溶
液中に硝酸酸性溶液を添加すると珪酸ナトリウム中の各
種の不純物が生成シリカの沈殿中にアルミニウムととも
に強固に捕捉されるためか本発明の目的とする高純度シ
リカは得！　　　　られない。

このことは、反応終了時の母液組成が上記組成領域内で
あっても同様である。

しかしながら、硝酸酸性溶液中へ珪酸す）ＩＪウム溶液
を添加する限りにおいては、反応終了時の母液組成であ
れば反応当初は必ずしも上記組成領域内である必要はな
い。

本発明の方法におい【、反応終了時の母液の組成を（Ｈ
ＮＯｉ−ＮａＮＯｉ−Ｈ２Ｏ）　　系の点Ａ、Ｂ、Ｃ！
、Ｄに囲まれた特定の領域内となるような量的割合に限
定する理由は本発明者らの実験研究の結果に基くもので
ある。すなわち、図において反応終了時の母液の組成が
点Ａ、Ｄを結ぶ線より外側（左上）となる場合は、ムＪ
の除去が著しく不充分となるとともに分離できないＴｈ
　やシリカ沈殿へのｌＪａ　　の吸着傾向が増大し、点
Ａ、Ｂを結ぶ線の外側（左下）となる場合は多量の水分
を含む寒天状のシリカが析出して濾過分離や洗浄が困難
で各不純物成分の除去が極めて不充分となる傾向を示し
、一方、反応終了時の母液の組成を点Ｃ，Ｄを結ぶ線よ
り外側（右）とする場合は多量の硝酸が必要となるばか
りでなく廃液としての反応母液の中和処理に多量のアル
カリを必要とするので経済的に著しく不利となる。

つまり、硝酸酸性溶液からシリカを沈殿させる場合に母
液組成を上記に特定した範囲の領域で生成させることに
よりアルミニウム分の不純物量が実質的に最少となり、
また後述する洗浄処理により除去できると共に、粒子も
適度に凝集した二次粒子の形成によりｆ過性がよいので
、再現性よく高純度のシリカの沈殿を得ることができる
。

この詳細な作用については明らかではないが、恐らくは
、この領域内ではシリカの骨格構造へアルミナ成分の結
合によるアルミノシリケートへの反応が生じ難いために
、これに基づく洗浄による分離除去し難い他の不純物、
特にＮａ　やＴｈ　の吸着等も結果的に生じないものと
推定される。

なお、反応時の温度は余り重要ではなく常温ないし約９
０℃の任意の温度で行うことができ、また、反応終了後
は暫時熟成攪拌を続けることが望ましい。

次いで、シリカの沈殿を常法により母液と分離、洗浄お
よび乾燥し人後回収する。

この場合、本発明においては母液分離後のシリカを再び
硝酸水溶液にて酸処理することが特に好ましい。

この処理によってアＮ　ｉす成分をＡ、ｌ　　としてｊ
　ｐｐｍ以下に信頼性よく保証することができ、この場
合に、Ｔｈ　は殆んど高い相関性をもって／　ｐｐｂ以
下、Ｈａ　　も／　Ｏｐｐｍ以下となる。

もつとも、シリカの沈殿においてＡＪ、が３’ｐｐｍ以
下のものが回収される場合には酸処理を必ずしも必要と
するものではなく、水洗のみでも可能であることは云う
までもない。

かくして、精製した高純度シリカは乾燥または焼成した
後回収する。乾燥に当っては、含水率が００Ｓ−一〇重
ｉｔチの範囲となるよ５に行うことが好ましい。この理
由は、流動性のよい粉末となってその後の使用の際に好
適な物性を与えることによる。

実施例 以下実施例にて本発明を更に具体的に説明する。

実施例１ 攪拌器付き反応種に硝酸水溶液（ＨＩＪＯ，／９，３重
量％）３コｎ４をとり、７０℃に加温し、これに攪拌し
ながら珪酸ソーダ：ｒｘｓ　、７号（Ｎａｎｏ　９．２
重量％、５ｉｎ２コｇ、ｒ重量％、８１０２ハａ２０−
ｅル比Ｊ、１０）コ１００１１　　を約３０分間を要し
て添加し、この間反応種の温度を７０〜１０℃に保持し
た。

溢加後、反応スラリーを９０℃で１時間攪拌して熟成を
行った。このときの母液組成はＨＮＯ。

ｊ、０重量％、Ｎａ１ＪＪ　／　／、／　　重量％であ
った。

この反応終了スラリーからシリカの沈殿ｆ過分離し、こ
れを水中にリパルプして洗浄したのち、再びクリ力の沈
殿を濾過分離した。

分離したシリカを攪拌器付き酸処理槽にとり、ｊ　　　
　３れに水と硝酸を加えて８ラリ−全量Ｓ′・７ラリー
中の硝酸濃度／Ｎとなるようにして調整し、攪拌しなが
らこのシリカスラリーを９０℃で３時間加熱して酸処理
したのち、スラリーからシリカを濾過分離し、以下常温
により水によるりパルプ洗浄、固液分離、乾燥を行ない
、さらに９００℃で２時間焼成した。

シリカ中の不純物含量その他を後記味１に示す。

実施例λ 実施例７と同様に、硝酸と珪酸ソーダを使用して低放射
性高純度シリカを合成した。反応にはＨ’ＭＯ，λＪ、
１重量％の硝酸浴液Ｊλｚｚｐと３号珪酸ソーダ（Ｎａ
２０デ、−重量％、５１０２λｇ、５重量％、Ｓ　Ｌ　
Ｏｚ／’Ｎａ　２０　％ル比３．コｏ）ｘｉｏｏｇを用
い、実施例１と同様の方法で反応を行なった。反応終了
後の母液組成はＨＮＯ，？、？憲量チ、　ＮａＮ０ｉ／
／、／　＊量チであった。次いで、実施例１と同様にし
てＯＪＮの硝酸にて？Ｏ℃で３時間攪拌して酸処理を行
った。

以下実施例１と同様に常法通つリパルプ水洗、固液分離
、乾燥、焼成の工程を経てシリカを得た。クリ力中の不
純物富有量その他を表１に併せて示す。

表１より明らかなように、シリカ中のＡＬ　はＪ　ｐｐ
ｍ以下であり、Ｕ、’ｌ”ｈ　　もそれぞれ／　ｐｐ’
ｂ以下の低放射性高純度シリカが得られた。

実施例Ｊ 実施例１と同様に硝酸と珪酸ソーダを使用して低放射性
高純度シリカを合成した。反応にはＨＩＪＯ、コロ、ダ
重ｉ％の硝酸溶液コＪ？／７７と、水で希釈して５１０
２　　コＯＸ量チに調製した３号珪酸ソーダＣＮａ２Ｏ
Ａ、＜＜ｊ　ｉ量チ、５ｉＣｈ　２０．０Ｍ１１％　）
−？？≠９を用い実施例１と同様の方法で反応を行なっ
た。反応終了後の母液組成はＨｘｏｓ：ｓ、。

ＮｆｉｋＺ、およびＮａＮＯ３ｔ　ｔ、ｔ　Ｋｍ　％で
あった。

医いで実施例１と同様の方法でシリカゲルの酸による処
理を行なった。使用し７１ｃ酸の種類と濃度１４．温度
、時間の条件は全て実施例／と同様に操作した。焼成後
得られたシリカ中の不純物含有量を表１に併せて示す。

表１より明らかなように、シリカ中のムＬはｊ　ｐｐｍ
以下であり、Ｕ、Ｔｈもそれぞれ／　ｐｐｂ以下の低放
射性高純度シリカが得られた。

実施例亭 硝酸と珪酸ソーダを使用し、実施例１と同様にして低放
射性高純度シリカを合成した。反応にはＨＮＯｓ／ｌ！
１重量％の硝酸溶液コ９００／ｉと３号珪酸ソーダ（Ｎ
ａ２Ｑり、−重Ｅｋ％、１９１０２２ｇ、５ｆｊ（量チ
）／６１０１１を用い、実施例１と同様の方法で反応を
行なった。反応終了後の母液組成はＨＮＯ，１０，コ重
量％およびＮａＮＯ３Ｊ、１重−ｉｓであった。次いで
、固液分離したシリカを水でリパルプ洗浄してシリカに
付着するＮａ　なとの不純物を洗い流した。乾燥、焼成
を経て得られたシリカ中の不純物は、Ｎａ／／、λｐｐ
ｍ、　ＡＪ、　　３．７ｐｐｍ　、　Ｕ　／　ｐｐｂ以
下、Ｔｈ　２．１ｐｐｂテ；ｆｒ）　ッｆｃ。次に焼成
前の乾燥シリカ５ｏｏｎをｓｌビーカーにとり、ＩＮ−
硝ｒＲｓｔを加えて９ｏ”Ｃで、７時間酸洗浄したのち
、固液分離したシリカなりパルプ水洗、固液分離、乾燥
、焼成して得られたシリカ中の不純物を分析したところ
、Ｒａ　／、ｊｐｐｍ　、　Ａｌ　Ｊ、／ｐｐｍ、　Ｕ
　／　ｐｐｂ以下、Ｔｈ　／　ｐｐｂ以下であった。こ
れより、反応終了の段階でＡＬがＪ　ｐｐｍ以上残留し
た場合でも酸処理でＡＪ　をｊ　ｐｐｍ以下に除去でき
る場合は、Ｔｈ　　も／　ｐｐｂ以下に除去できること
が明らかである。

比較例１ 実施例１と同様に硝酸と珪酸ソーダを使用して低放射性
高純度シリカを合成した。反応にはＨＮＯ，Ｉ！ｒ、！
ｒ重ｆチの硝酸溶液−デＪ亨Ｉと３号珪酸ソーダ（Ｎａ
２０　？、−重量％、ＳｉＯｚ　λＩ　、ｊ　’Ｘｉ：
Ｅ％　）λ１ｑｏｌｉを用い、実施例／と同様の方法で
反応を行なった。このときの反応終了後の母液組成はＨ
ＭＯｉ１０重量％および１ＪａＮＯ１／コ、Ｊ重ｔチで
あった。次いで実施例１と同様の方法で酸による処理を
行なった。使用した酸の種類と濃度、温度と時間等の条
件は全文実施例１と同様に操作した。焼成後、得られた
シリカ中の不純物含有量を表１に併せて示す。表１より
明らかなように反応終了時の母液組成が点Ａ、Ｂ、Ｃ，
Ｄ　で！　　　凹まれた領域外となる本比較例ではＵは
／　ｐｐｂ以下になっているが、ＡＪは／Ｊ、Ｊ　ｐｐ
ｍ残留しており、Ｔｈ　　も４．／ｐｐｂ残留すること
が明らかである。

比較例コ 比較例１より得られた焼成前の乾燥シリカ３０θｌを５
！ビーカーにとり、／Ｎ硝酸Ｊｊを加えて？０℃で３時
間酸処理したのち、固液分離したクリ力をりパルプ水洗
、固液分離、乾燥、焼成した。得られたシリカ中の不純
物を分析したところ、Ｎａ　　Ｏ，デＰｐｍ、　Ａｌ　
　ｌ／、ｌ　ｐｐｍ　、　Ｕ　／ｐｐｂ以下Ｔｈ　ｊ、
４ＩＩ）Ｉ）ｂであった。この結果より、反応終了時の
母液組成が点ム、Ｂ、Ｃ，Ｄ　　で囲まれた領域外とな
る本比較例ではシリカの酸洗浄をくり返した′場合でも
ＡＪ　がシリカ中にｊ　ｐｐｍ以上残留し、Ｔｈ・も／
ｐｐｂ以上残留しており、目的とする低放射性高純度シ
リカは得られないことが明らかである。

比較例Ｊ 攪拌器付き反応種に、ＨＮＯＳ／？１．７３Ｉ量チの硝
酸溶液−７ダｊｌをとり、７０℃に加温した。

攪拌しなうｔら、５１８３号珪酸ソーダ（Ｎａ、０り、
−重量チ、５１０２コｔ、ｚ電量チ）−り／よｌを約２
０分間で添加した。添加終了時のスラリーの１）１１は
０．Ｓであつｆｃ（なお、このときの反応終了母液中の
ＨＮＯ，酸度はｏ、ｓＴｔ量％、ＮａＮ０ｉ　ｒＩｋ度
はｔｓ、６Ｘｆｊｋチであり、図のＡ、Ｄ線の外側の組
成であった〕。珪酸ソーダ添加終了後、反応終了スラリ
ーを９０℃で１時間攪拌して熟成を行なった。以下実施
例／と同様の方法により固液分離、酸による洗浄、水に
ょろりパルプ洗浄、乾燥を行なったのち、シリカの一部
をｔｏｏ”ｃで２時間焼成した。得られたシリカ中の不
純物を表１に併せて示す。表１より、硝酸溶液に珪酸を
添加する反応において、反応終了スラリーのｐＨかＯｏ
Ｓになるまで珪酸を添加しｆｃ場合は、得られたシリカ
中のＡＪ　がＪ　ｐｐｍ以上残留し、またＴｈ　　も／
　ｐｐｂ以上残留することが明らかである。

発静憾果 本発明の製造方法によれば、従来珪酸アルカリと酸との
反応では得られていない次の諸効果が達成される。

（１）不純物含有量が８％Ｔｈ　　ともＫ　／　ｐｐ′
ｂ以下Ｈａ１０ｐｐｍ以下、ＡＬ３ｐｐｍ以下という極
めて高純駁のシリカが得られる。

（２）析出するシリカ沈殿は含水率が゛低くｆ過性もよ
く、分離や洗浄が容易である。

（３）　　常に酸性域での反応ではあるが、必ずしも大
過剰の硝酸の使用を必要とせず経済的にも有利である。

（４）　　本発明にかかる高純度シリカにおいて不純物
は実質的にＡｌ　を測定し追跡してＡＬｔｌ３ｐｐｍに
すれば他の不純物も実験的に存在しないことがわかるの
でＡｌ　をパラメーターとして扱えることに意義がある
。

【図面の簡単な説明】

図は珪酸ナトリウムと硝酸との反応における反応終了時
の母液の組成をＨＮＯｓ−ＮａｌＪＯ３−Ｈ２Ｏ系で表
わしたものであり、点ム、Ｂ、Ｃ及びＤで囲まれた母液
組成における高純度シリカが本発明の方法において高純
度シリカの生成を表わす。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、珪酸アルカリおよび酸との湿式法によるシリカであ
   って、アルミニウムがＡｌとして３ｐｐｍ以下であるこ
   とを特徴とする高純度シリカ。 ２、Ｎａ１０ｐｐｍ以下、Ｕ／ｐｐｂ以下およびＴｈ／
   ｐｐｂ以下である特許請求の範囲第１項記載の高純度シ
   リカ。 ３、珪酸ナトリウム水溶液と硝酸との反応によりシリカ
   を生成させる方法において、硝酸酸性溶液中に珪酸ナト
   リウム溶液を添加反応させ、かつ反応系の母液組成をＨ
   ＮＯ＿３−ＮａＮＯ＿３−Ｈ＿２Ｏ系で表わした場合、
   反応終了時における母液組成が下記の点Ａ、Ｂ、Ｃ及び
   Ｄで囲まれた組成領域内となるようにシリカの沈殿を生
   成させ、次いで該沈殿を分離回収することを特徴とする
   高純度シリカの製法。 ▲数式、化学式、表等があります▼ ４、シリカの分離回収において、酸処理する特許請求の
   範囲第３項記載の高純度シリカの製法。