JPS60219756A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS60219756A JPS60219756A JP59075849A JP7584984A JPS60219756A JP S60219756 A JPS60219756 A JP S60219756A JP 59075849 A JP59075849 A JP 59075849A JP 7584984 A JP7584984 A JP 7584984A JP S60219756 A JPS60219756 A JP S60219756A
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- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/02—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule
- C08G59/12—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule of polycarboxylic acids with epihalohydrins or precursors thereof
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
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- C08G59/42—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof
- C08G59/4284—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof together with other curing agents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
未発間離、高温高湿下において、信頼性の高い動作が可
能な樹脂封止型半導体装置に関する。
能な樹脂封止型半導体装置に関する。
樹脂封止型半導体装置は、主として、ノボラック型フェ
ノール樹脂を硬化剤としたエポキシ樹脂系組成物で封止
されている。しかし、上記半導体装置を高温高湿下に放
置した場合、樹脂バルク中や、樹脂とリード線、素子と
の隙間を通じて外部の水分が、パッケージ内部に浸入し
、素子上のアルミニウム（Ａ／ と記す）配線、ポンデ
ィングパッド部のＡ／ を腐食し、断線させる問題があ
る。
ノール樹脂を硬化剤としたエポキシ樹脂系組成物で封止
されている。しかし、上記半導体装置を高温高湿下に放
置した場合、樹脂バルク中や、樹脂とリード線、素子と
の隙間を通じて外部の水分が、パッケージ内部に浸入し
、素子上のアルミニウム（Ａ／ と記す）配線、ポンデ
ィングパッド部のＡ／ を腐食し、断線させる問題があ
る。
この対策として、樹脂バルク中の疎水化、素子表面のカ
ップリング剤処理、あるいは樹脂硬化物の低応力化、木
材の高純度化（イオン性不純物の除去）などの対策が図
られてきた。
ップリング剤処理、あるいは樹脂硬化物の低応力化、木
材の高純度化（イオン性不純物の除去）などの対策が図
られてきた。
しかし、上２ミックス封止型半導体装置が従来用いられ
てきた分野へも、その低コスト化を図る上から、樹脂封
止型半導体装置の用途拡大が進んでおり、樹脂封止型半
導体装置には、更に優れた耐湿信頼性の付与が必要とな
ってきている。
てきた分野へも、その低コスト化を図る上から、樹脂封
止型半導体装置の用途拡大が進んでおり、樹脂封止型半
導体装置には、更に優れた耐湿信頼性の付与が必要とな
ってきている。
本発明は、上記の状況Ｋかんがみてなされたもので、そ
の目的は、高温高湿下において信頼性の高い動作が可能
な半導体装置を提供することＫある。
の目的は、高温高湿下において信頼性の高い動作が可能
な半導体装置を提供することＫある。
本発明を概説すれは、本発明は樹脂封止型半導体装置に
関する発明であって、マロン酸、ｎ−プチルマｐン酸、
アコニット酸、アセチレンジカルボン厳、グリオキシル
酸、オキサミド酸、！レイン酸、トリメリド酸、ピロメ
リト酸、及びそれらの酸無水物よりなる群から選択した
少なくとも１種の有機カルボン酸又は酸無水物（以下、
有機カルボン酸化合物と総称する）を硬化剤効果を発揮
する量未満の有効量含有する樹脂組成物で封止してなる
ことを特徴とする。
関する発明であって、マロン酸、ｎ−プチルマｐン酸、
アコニット酸、アセチレンジカルボン厳、グリオキシル
酸、オキサミド酸、！レイン酸、トリメリド酸、ピロメ
リト酸、及びそれらの酸無水物よりなる群から選択した
少なくとも１種の有機カルボン酸又は酸無水物（以下、
有機カルボン酸化合物と総称する）を硬化剤効果を発揮
する量未満の有効量含有する樹脂組成物で封止してなる
ことを特徴とする。
上記の有機カルボン酸イし金物は、半導体装置の動作電
圧以下（メモリ用ＬＳＩの場合１００Ｖ以下）で、素子
上のＡＩ！の表面に１μｍ以下の厚さの均質な酸化皮膜
を形成可能な、特定のカルボン酸化合物である。
圧以下（メモリ用ＬＳＩの場合１００Ｖ以下）で、素子
上のＡＩ！の表面に１μｍ以下の厚さの均質な酸化皮膜
を形成可能な、特定のカルボン酸化合物である。
上記有機カルボン酸化合物の配合量は、半導体封止用樹
脂組成物の総量に対して、１，０重量％以下で配合する
ことが、本発明の効果を発揮する上で有効である。上記
有機カルボン酸化合物の配合量が１．０重量％超となっ
た場合には、ＡＩ！上の陽極酸化皮膜の厚さが不均質と
なったり。
脂組成物の総量に対して、１，０重量％以下で配合する
ことが、本発明の効果を発揮する上で有効である。上記
有機カルボン酸化合物の配合量が１．０重量％超となっ
た場合には、ＡＩ！上の陽極酸化皮膜の厚さが不均質と
なったり。
ピッチングを引起すなどの問題の他、封止用材料の成形
時の流動性、硬化性、あるいは材料貯蔵時の安定性に悪
影響を及ばす。
時の流動性、硬化性、あるいは材料貯蔵時の安定性に悪
影響を及ばす。
また、封止用樹脂組成物への上記有機カルボン酸化合物
の添加方法については、特定方法に制限されるものでは
ないが、他の素材である樹脂、フィラーなどと共Ｋ、ロ
ール、ニーダなとＫより加熱混練して、均一に分散させ
る方法が良い結果をもたらす。
の添加方法については、特定方法に制限されるものでは
ないが、他の素材である樹脂、フィラーなどと共Ｋ、ロ
ール、ニーダなとＫより加熱混練して、均一に分散させ
る方法が良い結果をもたらす。
本発明において、半導体封止用樹脂としては、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂、尿素ｍ脂、メラミン樹脂、不飽
和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、シア〜リルフタレ
ート樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂など公知の
熱硬化型樹脂をベースとしたものの他に、ポリアミド、
ポリイミド、ポリスルフィド、ポリフルオライド、ポリ
エーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリプロピレ
ン、ポリエチレンなど公知の熱可塑型樹脂をベースとし
たものも使用することができる。
樹脂、フェノール樹脂、尿素ｍ脂、メラミン樹脂、不飽
和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、シア〜リルフタレ
ート樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂など公知の
熱硬化型樹脂をベースとしたものの他に、ポリアミド、
ポリイミド、ポリスルフィド、ポリフルオライド、ポリ
エーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリプロピレ
ン、ポリエチレンなど公知の熱可塑型樹脂をベースとし
たものも使用することができる。
上記の樹脂の中でも、特にエポキシ樹脂が最も一般的に
用いられており、ノボラック型フェノール樹脂を硬化剤
として用いた樹脂組成物が、本発明の効果を発揮する上
で有効である。
用いられており、ノボラック型フェノール樹脂を硬化剤
として用いた樹脂組成物が、本発明の効果を発揮する上
で有効である。
本発明において多官能性エポキシ化合物としては、例工
ばビスフェノール人のジグリシジルエーテル、ブタジエ
ンジエボキシド、３．４−エポキシシクロヘキシルメチ
ル−（５，４−エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレ
ート、ビニルシフ日ヘキサンジオキシド、４．４’−ジ
（＋、２−エポキシエチル）ジフェニルエーテル％ ４
１４’−（１，２−ｘｙＮキシエチル）ビフェニル、２
．２−ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロパ
ン、レゾルシンのグリシジルエーテル、フロログルシン
のジグリシジルエーテル、メチルフロログルシンのジグ
リシジルエーテル、ビス−（２，３−エポキシシクロベ
ンチル）エーテル、２− （５，４−エポキシ）シクロ
ヘキサン−５，５−スピロ（５，４−エポキシ）−シク
ロヘキサン−ｍ−ジオキサン、ビス−（３，４−エポキ
シ−６−メチルシクロヘキシル）アジペート％ＮＩＮ’
−ｍ−フェニレンビス（４，５−エポキシ−１，２−シ
クロヘキサン）ジカルボキシイミドなどの２官能性のエ
ポキシ化合物、Ｎ、Ｎ−ジグリシジル−ｐ−７ミノフエ
ノールのグリシジルエーテル、ポリアリルグリシジルエ
ーテル、１ｊ、５−トリ（１，２−エポキシエチル）ベ
ンゼン、２．２’。
ばビスフェノール人のジグリシジルエーテル、ブタジエ
ンジエボキシド、３．４−エポキシシクロヘキシルメチ
ル−（５，４−エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレ
ート、ビニルシフ日ヘキサンジオキシド、４．４’−ジ
（＋、２−エポキシエチル）ジフェニルエーテル％ ４
１４’−（１，２−ｘｙＮキシエチル）ビフェニル、２
．２−ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロパ
ン、レゾルシンのグリシジルエーテル、フロログルシン
のジグリシジルエーテル、メチルフロログルシンのジグ
リシジルエーテル、ビス−（２，３−エポキシシクロベ
ンチル）エーテル、２− （５，４−エポキシ）シクロ
ヘキサン−５，５−スピロ（５，４−エポキシ）−シク
ロヘキサン−ｍ−ジオキサン、ビス−（３，４−エポキ
シ−６−メチルシクロヘキシル）アジペート％ＮＩＮ’
−ｍ−フェニレンビス（４，５−エポキシ−１，２−シ
クロヘキサン）ジカルボキシイミドなどの２官能性のエ
ポキシ化合物、Ｎ、Ｎ−ジグリシジル−ｐ−７ミノフエ
ノールのグリシジルエーテル、ポリアリルグリシジルエ
ーテル、１ｊ、５−トリ（１，２−エポキシエチル）ベ
ンゼン、２．２’。
４．４′−テトラグリシドキシベンゾフェノン、テトラ
クリシトキシテトラフェニルエタン、フェノールホルム
アルデヒドノボラックのポリグリシジルエーテル、グリ
セリンのトリグリシジルエーテル、トリメチロールプロ
パンのトリグリシジｋ ｘ−チルなど３官能性以上のエ
ポキシ化合物が用いられる。
クリシトキシテトラフェニルエタン、フェノールホルム
アルデヒドノボラックのポリグリシジルエーテル、グリ
セリンのトリグリシジルエーテル、トリメチロールプロ
パンのトリグリシジｋ ｘ−チルなど３官能性以上のエ
ポキシ化合物が用いられる。
次Ｋ、フェノールとアルデヒドとの縮合反応物としてＬ
、各種のフェノール系化合物とアルデヒド系化合物とを
、酸性若しくは塩基性触媒の存在において、付加縮合反
応させることにより生成される樹脂類が使用され、特に
フェノール、クレゾールなどとホルムアルデヒドとを用
いて、酸性触媒反応によって合成されるノボラック型樹
脂が有用である。
、各種のフェノール系化合物とアルデヒド系化合物とを
、酸性若しくは塩基性触媒の存在において、付加縮合反
応させることにより生成される樹脂類が使用され、特に
フェノール、クレゾールなどとホルムアルデヒドとを用
いて、酸性触媒反応によって合成されるノボラック型樹
脂が有用である。
更Ｋ、本発明におい１は、前記３成分を含む組成物の硬
化反応を促進する目的で各種の触媒を添加することがで
き、この触媒としては、例えばトリエタノールアミン、
テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペンタンジ
アミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレン
ジアミン及びジメチルアニリン等の第６級アミン、ジメ
チルアミノエタノール及びジメチルアミノペンタノール
等のオキシアルキルアミン並びにトリス（ジメチルアミ
ノメチル）フェノール及びメチルモルホリン等のアミン
類を適用することができる。
化反応を促進する目的で各種の触媒を添加することがで
き、この触媒としては、例えばトリエタノールアミン、
テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペンタンジ
アミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレン
ジアミン及びジメチルアニリン等の第６級アミン、ジメ
チルアミノエタノール及びジメチルアミノペンタノール
等のオキシアルキルアミン並びにトリス（ジメチルアミ
ノメチル）フェノール及びメチルモルホリン等のアミン
類を適用することができる。
また、同じ目的で、触媒として、例えばセチルトリメチ
ルアンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニ
ウムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムアイ
オダイド、トリメチルドデシルアンモニウムクロライド
、ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライ
ド、ベンジルジメチルバルミチルアンモニウムクロライ
ド、アリルドデシルジメチルアンモニウムブロマイド、
ベンジルジメチルステアリルアンモニウムブロマイド、
ステアリルトリメチルアンモニラムク四うイド及びベン
ジルジメチルテトラデシルアンモニウムアセテート等の
第４級アンモニウム塩を適用することができ、更には、
２−ウンデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール
、２−エチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾ
ール、２−メチル−４−エチルイミダゾール、１−ブチ
ルイミダゾール、１−プロピル−２−メチルイミダゾー
ル、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シア
ンエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアンエチル
−２−ウンデシルイミダゾール。
ルアンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニ
ウムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムアイ
オダイド、トリメチルドデシルアンモニウムクロライド
、ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライ
ド、ベンジルジメチルバルミチルアンモニウムクロライ
ド、アリルドデシルジメチルアンモニウムブロマイド、
ベンジルジメチルステアリルアンモニウムブロマイド、
ステアリルトリメチルアンモニラムク四うイド及びベン
ジルジメチルテトラデシルアンモニウムアセテート等の
第４級アンモニウム塩を適用することができ、更には、
２−ウンデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール
、２−エチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾ
ール、２−メチル−４−エチルイミダゾール、１−ブチ
ルイミダゾール、１−プロピル−２−メチルイミダゾー
ル、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シア
ンエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアンエチル
−２−ウンデシルイミダゾール。
１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール。
１−７ジンー２−メチルイミダゾール及び１−・アジン
−２−ウンデシルイミダゾール等のイミダゾール化合物
あるいはまた、トリフェニルホスフィンテトラフェニル
ボレー）、）！７エチルアミンテト２フェニルボレート
、Ｎ−メチルモルホリンテトラフェニルボレート、ピリ
ジンテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチル
イミダゾールテトラフェニルボレート及び２−エチル−
１，４−ジメチルイミダゾールテトラフェニルボレート
等のテトラフェニルボロン塩等が有用である。
−２−ウンデシルイミダゾール等のイミダゾール化合物
あるいはまた、トリフェニルホスフィンテトラフェニル
ボレー）、）！７エチルアミンテト２フェニルボレート
、Ｎ−メチルモルホリンテトラフェニルボレート、ピリ
ジンテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチル
イミダゾールテトラフェニルボレート及び２−エチル−
１，４−ジメチルイミダゾールテトラフェニルボレート
等のテトラフェニルボロン塩等が有用である。
上記の触媒はその２種以上を併用することもでき、その
量は、多官能性エポキシ化合物１００に対して、重量比
で、０，０１〜２０の範囲で用いればよい。
量は、多官能性エポキシ化合物１００に対して、重量比
で、０，０１〜２０の範囲で用いればよい。
また１本発明のエポキシ樹脂組成物には、その用途、使
用目的に応じて、例えば炭酸カルシウム、シリカ、アル
ミナ、チタニア、水酸化アルミニウム、ケイ醗アルミニ
ウム、ケイ酸ジルコニウム、ジルコン、ガラス、タルク
、マイカ、黒鉛、アルミニウム、銅、鉄などの粉末や短
繊維状充てん剤、脂肪酸及びワックス類等の離型剤、エ
ポキシシラン、ビニルシラン、ボラン系化合物及びアル
キルチタネート系化合物等のカップリング剤、そして更
に、アンチモンやリンの化合物及び・・エタン含有化合
物のような離燃剤を加えることができる。
用目的に応じて、例えば炭酸カルシウム、シリカ、アル
ミナ、チタニア、水酸化アルミニウム、ケイ醗アルミニ
ウム、ケイ酸ジルコニウム、ジルコン、ガラス、タルク
、マイカ、黒鉛、アルミニウム、銅、鉄などの粉末や短
繊維状充てん剤、脂肪酸及びワックス類等の離型剤、エ
ポキシシラン、ビニルシラン、ボラン系化合物及びアル
キルチタネート系化合物等のカップリング剤、そして更
に、アンチモンやリンの化合物及び・・エタン含有化合
物のような離燃剤を加えることができる。
本発明の樹脂組成物は、上記した成分をロール、ニーダ
−１コニーダー、又ハヘンシエルミキサー等を用いて加
熱（約７０〜８０Ｃ）混練することＫよって調製される
。また、成分化合物が固体である場合ＫＦｉ、微粉化し
た後混合するトライブレンド法によって配合することも
できる。得られた組成物は約１５０〜２００Ｃの温度で
短時間に硬化できる。
−１コニーダー、又ハヘンシエルミキサー等を用いて加
熱（約７０〜８０Ｃ）混練することＫよって調製される
。また、成分化合物が固体である場合ＫＦｉ、微粉化し
た後混合するトライブレンド法によって配合することも
できる。得られた組成物は約１５０〜２００Ｃの温度で
短時間に硬化できる。
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが本
発明はこれら実施例に限定されない。
発明はこれら実施例に限定されない。
実施例１〜１６
エポキシ樹脂として、ＲＯＮ １２７５ （チバ社製、
エポキシ当量；２２５）１００重量部、硬、化削として
ノボラック型フェノール樹脂、ＨＰ６０７Ｎ（日立化成
社８！りｓｓ重量部、硬化促進剤としてトリフェニルホ
スフィン３重量部、カップリング剤としてエポキシシラ
ンＫＢＭ ３０５（信越化学社製）２重量部、フィラー
として溶融石英ガラス粉３００重量部、疎水性シリカ粉
（日本シリカニ業社製；平均粒径１３μｍ） １５０重
量部を添加した１６種類の配合物を作った。
エポキシ当量；２２５）１００重量部、硬、化削として
ノボラック型フェノール樹脂、ＨＰ６０７Ｎ（日立化成
社８！りｓｓ重量部、硬化促進剤としてトリフェニルホ
スフィン３重量部、カップリング剤としてエポキシシラ
ンＫＢＭ ３０５（信越化学社製）２重量部、フィラー
として溶融石英ガラス粉３００重量部、疎水性シリカ粉
（日本シリカニ業社製；平均粒径１３μｍ） １５０重
量部を添加した１６種類の配合物を作った。
これらＫ、それぞれ別個Ｋ、下記第１表に記載の有機カ
ルボン酸化合物を所定量添加した。また、比較例として
、シュウ酸を添加した場合についても併記した。
ルボン酸化合物を所定量添加した。また、比較例として
、シュウ酸を添加した場合についても併記した。
次いで、これらの配合物は％７０〜８５Ｃの２本ロール
で、約８分間加熱混線した後、冷却。
で、約８分間加熱混線した後、冷却。
粗粉砕して、目的の半導体封止用樹脂組成物を得た。
上記封止用樹脂組成物を用いて、６４にピッ）Ｄ−ＲＡ
Ｍメモリ用ＬＳＩ（１４ビン）を、１８０Ｃ，１，５分
、ｙｏｉｒ１７ａｎ２の条件でトランスファ成形して、
それぞれ１００個の樹脂封止型半導体装置を得た。
Ｍメモリ用ＬＳＩ（１４ビン）を、１８０Ｃ，１，５分
、ｙｏｉｒ１７ａｎ２の条件でトランスファ成形して、
それぞれ１００個の樹脂封止型半導体装置を得た。
次いで、これらを１２１Ｃ１２気圧の過飽和水蒸気釜（
プレッシャ・フッカ釜）中に放置した後、所定時間ごと
に取出して、ＬＳＩの電気的動作の異常の有無をチェッ
クした。それらの結果を第１表に示した。
プレッシャ・フッカ釜）中に放置した後、所定時間ごと
に取出して、ＬＳＩの電気的動作の異常の有無をチェッ
クした。それらの結果を第１表に示した。
第１表から明らかなよ５Ｋ、本発明の樹脂組成物による
耐湿信頼性向上の効果は顕著でおる。
耐湿信頼性向上の効果は顕著でおる。
ただし、有機カルボン酸化合物の添加量が多過ぎると効
果が劣ってくるので、それぞれの装置により、壱効量が
決定される。
果が劣ってくるので、それぞれの装置により、壱効量が
決定される。
以上説明したように、本発明の樹脂封止型半導体装ｍＦ
ｉ、高温高湿下において信頼性の高い動作が可能である
と℃・５顕著な効果を奏するものである。
ｉ、高温高湿下において信頼性の高い動作が可能である
と℃・５顕著な効果を奏するものである。
特許出願人 株式会社日立與作所
代理人中本 宏
第１頁の続き
Ｏ発明者 全域 徳幸 日立車輪３丁１所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 マロン酸、ｎ−ブチルマロン酸、アコニット酸、
アセチレンジカルボン酸、グリオキシル酸、オキサミド
酸、マレイン酸、トリメリド酸、ピロメリト酸、及びそ
れらの酸無水物よりなる群から選択した少なくとも１種
の有機カルボン酸又は酸無水物を、硬化剤効果を発揮す
る量未満の有効量含有する樹脂組成物で封止してなるこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 ２、 該樹脂組成物が、多官能性エポキシ化合物及びノ
ボラック型フェノール樹脂を含有するものである特許請
求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置。 ６ 該鳴機カルボン酸又は酸無水物の配合量が。 樹脂組成物の総ｉＫ対して、１．０重量％以下である特
許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59075849A JPS60219756A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59075849A JPS60219756A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60219756A true JPS60219756A (ja) | 1985-11-02 |
Family
ID=13588072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59075849A Pending JPS60219756A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60219756A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5041507A (en) * | 1985-11-26 | 1991-08-20 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Thermosetting resin composition composed of a polymaleimide compound, a phenolic novolac resin and an epoxy resin |
| JP2006137838A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-01 | Fujikura Ltd | エポキシ系樹脂組成物、エポキシ樹脂系接着剤組成物、フレキシブルプリント回路基板用カバーレイ、フレキシブルプリント回路基板用銅張積層板、フレキシブルプリント回路基板、プリプレグ、銅張積層板、感光性ドライフィルム、感光性液状レジスト、プリント配線板 |
| US7247683B2 (en) * | 2004-08-05 | 2007-07-24 | Fry's Metals, Inc. | Low voiding no flow fluxing underfill for electronic devices |
| US8492507B2 (en) | 2008-09-23 | 2013-07-23 | Nexam Chemical Ab | Acetylenic polyamide |
| WO2021187240A1 (ja) * | 2020-03-18 | 2021-09-23 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
-
1984
- 1984-04-17 JP JP59075849A patent/JPS60219756A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5300592A (en) * | 1985-11-26 | 1994-04-05 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Thermosetting resin composition and a composite material comprising cured product and said resin composition and its matrix |
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| JP2006137838A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-01 | Fujikura Ltd | エポキシ系樹脂組成物、エポキシ樹脂系接着剤組成物、フレキシブルプリント回路基板用カバーレイ、フレキシブルプリント回路基板用銅張積層板、フレキシブルプリント回路基板、プリプレグ、銅張積層板、感光性ドライフィルム、感光性液状レジスト、プリント配線板 |
| JP4707998B2 (ja) * | 2004-11-11 | 2011-06-22 | 株式会社フジクラ | フレキシブルプリント回路基板用エポキシ樹脂系接着剤組成物、フレキシブルプリント回路基板用カバーレイ、フレキシブルプリント回路基板用銅張積層板およびフレキシブルプリント回路基板 |
| US8492507B2 (en) | 2008-09-23 | 2013-07-23 | Nexam Chemical Ab | Acetylenic polyamide |
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| JP2021147482A (ja) * | 2020-03-18 | 2021-09-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
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