JPS60147141A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPS60147141A JPS60147141A JP59001981A JP198184A JPS60147141A JP S60147141 A JPS60147141 A JP S60147141A JP 59001981 A JP59001981 A JP 59001981A JP 198184 A JP198184 A JP 198184A JP S60147141 A JPS60147141 A JP S60147141A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- compounds
- epoxy
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は高温高湿下に於いて、長時間に亘って信頼性の
高い動作が可能な樹脂封止型半導体装置に関する。
高い動作が可能な樹脂封止型半導体装置に関する。
現在、半導体装置の封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂
をノボラック型フェノール樹脂で硬化させる系が主流を
占めている。しか（７、該組成物に用いられているエポ
キシ樹脂やフェノール樹脂中には、加水分解性塩完全は
じめ各種のイオン性不純物が含まれており、樹脂封止型
半導体装置が高温高湿下に放置された場合には、樹脂バ
ルク中や、樹脂とリード線、素子との隙間を通じて外部
の水分が、パッケージ内に浸入し、前記イオン性不純物
との相互作用により、素子上のＡｔ配線、ポンディング
パッド部のＡｌが腐食し断線する問題がある。
をノボラック型フェノール樹脂で硬化させる系が主流を
占めている。しか（７、該組成物に用いられているエポ
キシ樹脂やフェノール樹脂中には、加水分解性塩完全は
じめ各種のイオン性不純物が含まれており、樹脂封止型
半導体装置が高温高湿下に放置された場合には、樹脂バ
ルク中や、樹脂とリード線、素子との隙間を通じて外部
の水分が、パッケージ内に浸入し、前記イオン性不純物
との相互作用により、素子上のＡｔ配線、ポンディング
パッド部のＡｌが腐食し断線する問題がある。
この対策として、樹脂バルクの疎水化、素子表面のカッ
プリング剤処理、あるいけ樹脂硬化物の低応力化などの
パンケージ内部への水分の浸入阻止方策、あるいは素材
の高純度化によるイオン性不純物の低減などが図られて
きた。
プリング剤処理、あるいけ樹脂硬化物の低応力化などの
パンケージ内部への水分の浸入阻止方策、あるいは素材
の高純度化によるイオン性不純物の低減などが図られて
きた。
しかしながら、半導体装置は近年、高密度、高信頼度化
のニーズは益々大きくなってきており、樹脂封止型半導
体装置においても、更にすぐれた信頼性の付与がめられ
ている。
のニーズは益々大きくなってきており、樹脂封止型半導
体装置においても、更にすぐれた信頼性の付与がめられ
ている。
本発明は、上記の状況に鑑みてなされたものであり、本
発明の目的は高温高湿下に於いて、長時間に亘って信頼
性の高い動作が可能な樹脂封止型半導体装置全提供する
ことにある。
発明の目的は高温高湿下に於いて、長時間に亘って信頼
性の高い動作が可能な樹脂封止型半導体装置全提供する
ことにある。
上記目的を達成するだめの、本発明の費旨は、少なくと
も、一般式〔Ｉ〕 〔Ｍ、′ユＭＳ”（ＯＨ）ｍ）”・ＸＲ−・ｎＨ２Ｏ〔
１’：１〔式中、Ｍ”Ｖ！Ｍ：”、ｚｓ”、Ｎ％”、Ｍ
”Ｖ！ｋＡ”。
も、一般式〔Ｉ〕 〔Ｍ、′ユＭＳ”（ＯＨ）ｍ）”・ＸＲ−・ｎＨ２Ｏ〔
１’：１〔式中、Ｍ”Ｖ！Ｍ：”、ｚｓ”、Ｎ％”、Ｍ
”Ｖ！ｋＡ”。
Ｆｉ Ｚ Ｃ，３＋、Ｒ−はＣ１−、ＮＯｓ 、ＣｌＯ
４、Ｃ０Ｗ−２Ｓ ｏ： −、Ｆ −（ＣＮ） ｇ−１
Ｘはｌ／６．＜Ｘ＜、１／３．ｍ、ｎは正の整毅で表わ
される〕で表わされるノ・イドロタルサイド類化合物を
含む樹脂組成物により、少なくとも半導体素子及びリー
ドフレームの一部を封止してなることを特徴とする樹脂
封止型半導体装置である。また、前記樹脂組成物が多官
能エポキシ化合物とノボラック型フェノール樹脂である
場合には特に、本発明の効果が発揮される。
４、Ｃ０Ｗ−２Ｓ ｏ： −、Ｆ −（ＣＮ） ｇ−１
Ｘはｌ／６．＜Ｘ＜、１／３．ｍ、ｎは正の整毅で表わ
される〕で表わされるノ・イドロタルサイド類化合物を
含む樹脂組成物により、少なくとも半導体素子及びリー
ドフレームの一部を封止してなることを特徴とする樹脂
封止型半導体装置である。また、前記樹脂組成物が多官
能エポキシ化合物とノボラック型フェノール樹脂である
場合には特に、本発明の効果が発揮される。
本発明において、一般式（１）で表わされるハイドロタ
ルサイト類化合物の例として、最も代表的な化合物は、
Ｍｔ６Ａ、ｔ２（ＯＨＬｏＣＯｓ ・４Ｈ２０でおり、
天然に産出される。また、 Ｍｇ２．ｓ Ａｔ２ （ＯＨ）１３ｃＯ３・３．５ ｌ
−１２０があり、協和化学工業社よりＤＨＴ−４Ａなど
の高品名で市販きれている。
ルサイト類化合物の例として、最も代表的な化合物は、
Ｍｔ６Ａ、ｔ２（ＯＨＬｏＣＯｓ ・４Ｈ２０でおり、
天然に産出される。また、 Ｍｇ２．ｓ Ａｔ２ （ＯＨ）１３ｃＯ３・３．５ ｌ
−１２０があり、協和化学工業社よりＤＨＴ−４Ａなど
の高品名で市販きれている。
上記、ハイドロタルサイト類化合物は、層状化合物でｈ
す、Ｃ０１−はＣｔ−をはじめＦ−、Ｎ０ｆｆ 。
す、Ｃ０１−はＣｔ−をはじめＦ−、Ｎ０ｆｆ 。
ｓｏニー、ｂるいはギ酸、酢敵などのカルボキシルなど
のアニオンによってイオン交換する作用を有する。この
ため、エポキシ樹脂、あるいはフェノール樹脂中の加水
分解性ＣｔＷ始め、シラン系カンプリング剤などより生
成する有機酸の捕促に極めて有効であり、１ｓｏｃ以下
では捕捉イオンを解離しない。このため、Ａｌの腐食に
大きな影響ケ及ぼす封止樹脂組成物中のイオン性不純物
の挙動ケ大巾に規制す′尋が可能となり・高温高湿下
？に於ける樹脂封止型半導体装置の＠頼性向上に大きな
効果を発揮する。
のアニオンによってイオン交換する作用を有する。この
ため、エポキシ樹脂、あるいはフェノール樹脂中の加水
分解性ＣｔＷ始め、シラン系カンプリング剤などより生
成する有機酸の捕促に極めて有効であり、１ｓｏｃ以下
では捕捉イオンを解離しない。このため、Ａｌの腐食に
大きな影響ケ及ぼす封止樹脂組成物中のイオン性不純物
の挙動ケ大巾に規制す′尋が可能となり・高温高湿下
？に於ける樹脂封止型半導体装置の＠頼性向上に大きな
効果を発揮する。
本発明において、半導体装置の封止用樹脂組成物のベー
ス樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂
、不飽和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ジアリルフ
タレート樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹
脂、付加型イミド樹脂、ホリサルファイド樹脂、ポリブ
タジェンｍ脂などが挙げられる。
ス樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂
、不飽和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ジアリルフ
タレート樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹
脂、付加型イミド樹脂、ホリサルファイド樹脂、ポリブ
タジェンｍ脂などが挙げられる。
上記の中でも、特に多官能エポキシ化合物をノボランク
型フェノール樹脂で硬化して得られる樹脂組成物系は、
本発明の効果全発揮する上で有効である。
型フェノール樹脂で硬化して得られる樹脂組成物系は、
本発明の効果全発揮する上で有効である。
本発明において多官能エポキシ化合物としては、例えば
ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル、ブタジエン
ジェポキサイド、３．４−エボキシシクロヘキシルメテ
ルー（３，４−エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレ
ート、ビニルシクロヘキサンジオキシド、４，４′−ジ
（ｌ、２−エポキシエチル）ジフェニルエーテル、４．
４’ −（１，２−エポキシエチル）ビフェニル、２，
２−ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロパノ
、レソルシンのグリシジルエーテル、フロログルシンの
ジグリシジルエーテル、メチルフロログルシンのジグリ
シジルエーテル、ビス−（２゜３−エポキシシクロベン
チル）エーテル、２−（３，４−エポキシ）シクロヘキ
サン−５，５−スビロ（３，４−エポキシ）−シクロヘ
キサン−ｍ−ジオキサン、ビス−（３８４−エポキシ−
６−ｌｆルシクロヘキシル）アジベー）、Ｎ、Ｎ’−ｍ
−フェニレンビス（４，５−エポキシ−１゜２−シクロ
ヘキサン）ジカルボキシイミドなどの２官能のエポキシ
化合物、パラアミノフェノールのトリグリシジルエーテ
ル、ポリアリルグリシジルエーテル、ｉ、３．５−）す
（１，２−エポキシエチル）ベンゼン、２．２’ 、４
．４’−テトシグリシドキシベンゾフエノン、テトラグ
リシドキシテトラフェニルエタン、フェノールホルムア
ルデヒドノボラックのポリグリシジルエーテル、グリセ
リンのトリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパ
ンのトリグリシジルエーテルなど３官能以上のエポキシ
化合物が用いられる。
ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル、ブタジエン
ジェポキサイド、３．４−エボキシシクロヘキシルメテ
ルー（３，４−エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレ
ート、ビニルシクロヘキサンジオキシド、４，４′−ジ
（ｌ、２−エポキシエチル）ジフェニルエーテル、４．
４’ −（１，２−エポキシエチル）ビフェニル、２，
２−ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロパノ
、レソルシンのグリシジルエーテル、フロログルシンの
ジグリシジルエーテル、メチルフロログルシンのジグリ
シジルエーテル、ビス−（２゜３−エポキシシクロベン
チル）エーテル、２−（３，４−エポキシ）シクロヘキ
サン−５，５−スビロ（３，４−エポキシ）−シクロヘ
キサン−ｍ−ジオキサン、ビス−（３８４−エポキシ−
６−ｌｆルシクロヘキシル）アジベー）、Ｎ、Ｎ’−ｍ
−フェニレンビス（４，５−エポキシ−１゜２−シクロ
ヘキサン）ジカルボキシイミドなどの２官能のエポキシ
化合物、パラアミノフェノールのトリグリシジルエーテ
ル、ポリアリルグリシジルエーテル、ｉ、３．５−）す
（１，２−エポキシエチル）ベンゼン、２．２’ 、４
．４’−テトシグリシドキシベンゾフエノン、テトラグ
リシドキシテトラフェニルエタン、フェノールホルムア
ルデヒドノボラックのポリグリシジルエーテル、グリセ
リンのトリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパ
ンのトリグリシジルエーテルなど３官能以上のエポキシ
化合物が用いられる。
次に、フェノールとアルデヒドとの縮合反応物としては
、各種のフェノール系化合物とアルデヒド系化合物と金
、酸性もしくは塩基性触媒の存在において、付加縮合反
応させることにより生成される樹脂類が使用され、特に
フェノール、クレゾールなどとホルムアルデヒドとを用
いて、酸性触媒反応によって合成されるノボラック樹脂
が有用でろ乞。
、各種のフェノール系化合物とアルデヒド系化合物と金
、酸性もしくは塩基性触媒の存在において、付加縮合反
応させることにより生成される樹脂類が使用され、特に
フェノール、クレゾールなどとホルムアルデヒドとを用
いて、酸性触媒反応によって合成されるノボラック樹脂
が有用でろ乞。
さらに、本発明においては、前記３成分を含む組成物の
硬化反応を促進する目的で各種の触媒を添加することが
でき、この触媒としては、例えばトリエタノールアミン
、テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペンタン
ジアミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレ
ンジアミン及びジメチルアニリン等の第３級アミン、ジ
メチルアミンエタノール及びジメチルアミノペンタノー
ル等のオキシアルキルアミンならびにトリス（ジメチル
アミノメチル）フェノール及びメチルモルホリン等のア
ミン類を適用することができる。
硬化反応を促進する目的で各種の触媒を添加することが
でき、この触媒としては、例えばトリエタノールアミン
、テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペンタン
ジアミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレ
ンジアミン及びジメチルアニリン等の第３級アミン、ジ
メチルアミンエタノール及びジメチルアミノペンタノー
ル等のオキシアルキルアミンならびにトリス（ジメチル
アミノメチル）フェノール及びメチルモルホリン等のア
ミン類を適用することができる。
又、同じ目的で、触媒として、例えばセチルトリメチル
アンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニウ
ムクロ２イド、ドデシルトリメチルアンモニウムアイオ
ダイド、トリメテルドデシルアンモニクムクロライド、
ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド
、ベンジルメチルパルミチルアンモニウムクロライド、
アリルドデシルトリメチルアンモニウムブロマイド、ベ
ンジルジメチルステアリルアンモニウムブロマイド、ス
テアリルトリメチルアンモニウムクロライド及びベンジ
ルジメチルテトラデシルアンモニウムアセテート等の第
４級アンモニウム塩を適用することができ、更には、２
−ウンデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、
２−エチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾー
ル、２−メチル−４−エチルイミダゾール、ｌ−ブチル
イミダゾール、ｌ−プロピル−２−メチルイミダゾール
、ｌ−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ｙアノ
”テ″−２−メチ″イミタ゛シー″副 ？−シアノエチ
ルー２−ウンデシルイミダゾール、１−シアンエチル−
２−フェニルイミダゾール、ｌ−アジン−２−メチルイ
ミダゾール及びｌ−アジン−２−ワンデシルイミダゾー
ル等のイミダゾール化合物あるいは又、トリフェニルホ
スフィンテトラフェニルボレート、トリエチルアミンテ
トラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリンテトラフ
ェニルボレート、ピリジンテトラフェニルボレート２−
エチル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレー
ト及び２−エチル−１，４−ジメチル、イミダゾールテ
トラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩等が
有用である。
アンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニウ
ムクロ２イド、ドデシルトリメチルアンモニウムアイオ
ダイド、トリメテルドデシルアンモニクムクロライド、
ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド
、ベンジルメチルパルミチルアンモニウムクロライド、
アリルドデシルトリメチルアンモニウムブロマイド、ベ
ンジルジメチルステアリルアンモニウムブロマイド、ス
テアリルトリメチルアンモニウムクロライド及びベンジ
ルジメチルテトラデシルアンモニウムアセテート等の第
４級アンモニウム塩を適用することができ、更には、２
−ウンデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、
２−エチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾー
ル、２−メチル−４−エチルイミダゾール、ｌ−ブチル
イミダゾール、ｌ−プロピル−２−メチルイミダゾール
、ｌ−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ｙアノ
”テ″−２−メチ″イミタ゛シー″副 ？−シアノエチ
ルー２−ウンデシルイミダゾール、１−シアンエチル−
２−フェニルイミダゾール、ｌ−アジン−２−メチルイ
ミダゾール及びｌ−アジン−２−ワンデシルイミダゾー
ル等のイミダゾール化合物あるいは又、トリフェニルホ
スフィンテトラフェニルボレート、トリエチルアミンテ
トラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリンテトラフ
ェニルボレート、ピリジンテトラフェニルボレート２−
エチル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレー
ト及び２−エチル−１，４−ジメチル、イミダゾールテ
トラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩等が
有用である。
上記の触媒はその２種以上？併用することもでき、その
量は、多官能エポキシ化合物（Ａ）１００に対して、重
量比で、０．０１〜２０の範囲で用いればよい。
量は、多官能エポキシ化合物（Ａ）１００に対して、重
量比で、０．０１〜２０の範囲で用いればよい。
また、本発明のエポキシ樹脂組成物には、その用途、使
用目的に応じて、例えば炭酸カルシウム、シリカ、アル
ミナ、チタニア、水酸化アルミニウム、ケイ酸アルミニ
ウム、ケイ酸ジルコニウム、ジルコン、ガラス、メルク
、マイカ、黒鉛、アルミニウム、銅、鉄などの粉末や短
繊維状充填剤、脂肪酸及びワックス類等の離型剤、エポ
キシシラン、ビニルシラン、ボラン系化合物及びアルキ
ルチタネート系化合物等のカンプリング剤、そしてさら
に、アンチモンやリンの化合物及びハロゲン含有化合物
のような難燃剤ケ加えることができる。
用目的に応じて、例えば炭酸カルシウム、シリカ、アル
ミナ、チタニア、水酸化アルミニウム、ケイ酸アルミニ
ウム、ケイ酸ジルコニウム、ジルコン、ガラス、メルク
、マイカ、黒鉛、アルミニウム、銅、鉄などの粉末や短
繊維状充填剤、脂肪酸及びワックス類等の離型剤、エポ
キシシラン、ビニルシラン、ボラン系化合物及びアルキ
ルチタネート系化合物等のカンプリング剤、そしてさら
に、アンチモンやリンの化合物及びハロゲン含有化合物
のような難燃剤ケ加えることができる。
本発明の樹脂組成物は、上記した成分をロール、ニーグ
ー、コニーダ−１ｔたはヘンシェルミキサー等を用いて
加熱（約７０〜８０Ｃ）混練することによって調製され
る。また、成分化合物が固体である場合には、微粉化し
た後混合するトライブレンド法によって配合することも
できる。得られた組成物は約１５０〜２００Ｃの温度で
短時間に硬化できる。
ー、コニーダ−１ｔたはヘンシェルミキサー等を用いて
加熱（約７０〜８０Ｃ）混練することによって調製され
る。また、成分化合物が固体である場合には、微粉化し
た後混合するトライブレンド法によって配合することも
できる。得られた組成物は約１５０〜２００Ｃの温度で
短時間に硬化できる。
実施例 １〜４
多官能エポキシ化合物として、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂ＥＣＮ１２７３（テハ社製：エボキシ尚量
：２２５）１００部、ノボラック型フェノール樹脂ＨＰ
６０７Ｎ（日立化成社製）５５部に、ハイドロタルサイ
ト類化合物として、Ｍｇ４．ｓＡ４ （ＯＨ）＋ａ Ｃ
Ｏｓ・３．５ＨｚＯ（協和化学工業社製：商品名ｉ Ｄ
ＨＴ−４Ａ）を、第１表に示した所定量をそれぞれ別個
に配合した４種類の配合組成物を作った。
エポキシ樹脂ＥＣＮ１２７３（テハ社製：エボキシ尚量
：２２５）１００部、ノボラック型フェノール樹脂ＨＰ
６０７Ｎ（日立化成社製）５５部に、ハイドロタルサイ
ト類化合物として、Ｍｇ４．ｓＡ４ （ＯＨ）＋ａ Ｃ
Ｏｓ・３．５ＨｚＯ（協和化学工業社製：商品名ｉ Ｄ
ＨＴ−４Ａ）を、第１表に示した所定量をそれぞれ別個
に配合した４種類の配合組成物を作った。
これらにそれぞれ、促進剤としてトリエチルアミンテト
ラフェニルボレー） （ＴＥＡ−Ｋ）２部、カンプリン
グ剤としてエポキシシランＫ Ｂ Ｍ ３０３（信越化
学社製）２部、フィシとして耐融石英ガラス粉４８０部
、離型剤としてステアリン酸カルシウム２部、着色剤と
してカーボンブラック１部、難燃剤として付加型イミド
コート赤リン４部を添加した。
ラフェニルボレー） （ＴＥＡ−Ｋ）２部、カンプリン
グ剤としてエポキシシランＫ Ｂ Ｍ ３０３（信越化
学社製）２部、フィシとして耐融石英ガラス粉４８０部
、離型剤としてステアリン酸カルシウム２部、着色剤と
してカーボンブラック１部、難燃剤として付加型イミド
コート赤リン４部を添加した。
上記、種類の配合物ケ、それぞれ別個に８インチ径の２
本ロールで、７０〜８０Ｃ，７分間混練した後、冷却粗
粉砕して半導体封止用樹脂組成物？得た。
本ロールで、７０〜８０Ｃ，７分間混練した後、冷却粗
粉砕して半導体封止用樹脂組成物？得た。
該組成物金剛いて、６４にビットメモリ用Ｄ・ＲＡＭＬ
Ｓ Ｉ ｋ、１８ ＱＣ，７０ｋ ｇ／ｃｍ２．１，
５分の条件でトランスファ成形して、目的の樹脂封止型
半導体装置（メモリ用ＬＳＩ）Ｔｈそれぞれ１００個ず
つ作成した。
Ｓ Ｉ ｋ、１８ ＱＣ，７０ｋ ｇ／ｃｍ２．１，
５分の条件でトランスファ成形して、目的の樹脂封止型
半導体装置（メモリ用ＬＳＩ）Ｔｈそれぞれ１００個ず
つ作成した。
次いで、上記樹脂封止型メモリ用ＬＳ ｉ、１２１ｃ、
２気圧過飽和水蒸気中に放置した。所定時間釜に取り出
し、ＬＳＩがＡ７配線の腐食により断線していないかど
うかチェックした。第１表に、断線故障率の結果ケ示し
た。比較例として、上記封止用樹脂組成物よＩｌｌ、Ｄ
Ｈ’ｌ’−４Ａｋ除いた場合の結果を示した。
２気圧過飽和水蒸気中に放置した。所定時間釜に取り出
し、ＬＳＩがＡ７配線の腐食により断線していないかど
うかチェックした。第１表に、断線故障率の結果ケ示し
た。比較例として、上記封止用樹脂組成物よＩｌｌ、Ｄ
Ｈ’ｌ’−４Ａｋ除いた場合の結果を示した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも、一般式（１） ％式％（） 〔式中、Ｍ” ” ｔｊ： Ｍ２ｆ”Ｌ Ｚ ”ｍ Ｚ
Ｎ”ｌ ”％ Ｍ” 囃Ａ ｌ ” ”。 Ｆ：＋、Ｃ９＋、Ｒ−はＣ１−、ＮＯｉ、Ｃ１Ｏ；、Ｃ
Ｏ±−９Ｓ Ｏ： −、Ｆ −（ＣＮ）ｇ −、ＸはＩ
／６ くＸ＜ １／３、ｍ、ｎは正一つ堅組で表わされ
る〕で表わされるハイドロタルサイト類化合物倉吉む樹
脂組成物によシ、少なくとも半導体素子及びリードフレ
ームの一部を封止してなることを特徴とする樹脂封止型
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59001981A JPS60147141A (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59001981A JPS60147141A (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60147141A true JPS60147141A (ja) | 1985-08-03 |
Family
ID=11516691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59001981A Pending JPS60147141A (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60147141A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01206656A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-18 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| JPH01206655A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-18 | Nitto Denko Corp | 半導体装置およびそれに用いるエポキシ樹脂組成物 |
| JPH0286148A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-27 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| WO2019106810A1 (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-06 | 日立化成株式会社 | コンパウンド粉 |
-
1984
- 1984-01-11 JP JP59001981A patent/JPS60147141A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01206656A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-18 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| JPH01206655A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-18 | Nitto Denko Corp | 半導体装置およびそれに用いるエポキシ樹脂組成物 |
| JPH0286148A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-27 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| WO2019106810A1 (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-06 | 日立化成株式会社 | コンパウンド粉 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100526090B1 (ko) | 에폭시 수지용 적린계 난연제, 에폭시 수지용 적린계난연제 조성물, 이들의 제조 방법, 반도체 밀봉재용에폭시 수지 조성물, 밀봉재 및 반도체 장치 | |
| JPS60147141A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2000230111A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2843244B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3032528B1 (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH10182940A (ja) | 封止材用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
| JPS60219756A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS62111453A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6369255A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6080259A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62297313A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| JPS6322616B2 (ja) | ||
| JPS63137919A (ja) | 樹脂組成物およびこの組成物で封止してなる半導体装置 | |
| JPS61174654A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS62177950A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62113451A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0563116A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS5868955A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
| JPS6333412A (ja) | エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置 | |
| JPS6351415A (ja) | エポキシ樹脂組成物、及びエポキシ組成物で被覆・封止した半導体装置 | |
| JPS6084322A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
| JPS6357632A (ja) | エポキシ樹脂組成物、半導体装置用封止剤及び積層板用材料 | |
| JPS6079032A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
| JPS62105453A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61265847A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 |