JPS62171146A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/296—Organo-silicon compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、高温高温状態の元に長時間放置しても、信頼
性の高い機能を保持可能な、樹脂封止型半導体装置に関
する。
性の高い機能を保持可能な、樹脂封止型半導体装置に関
する。
樹脂封止型半導体装置に於いては、半導体素子の高密度
化、高集積度化、多機能化に伴ない、それらの封止用樹
脂組成物には、益々高信頼性(耐湿性並びに耐熱性の向
上など)の付与が求められている。
化、高集積度化、多機能化に伴ない、それらの封止用樹
脂組成物には、益々高信頼性(耐湿性並びに耐熱性の向
上など)の付与が求められている。
特に、樹脂封止型半導体装置は、高温高湿状態(例えば
、85℃、85%相対湿度中でのバイアス印加状、12
1℃、2気圧過飽和水蒸気中放置など)の元に長時間放
置した場合には、素子上の金属(AQ)配線(特に、電
極パッド部)が腐食して、断線故障を起し易く、これを
抑制可能な封止用樹脂組成物の開発が長い間の課題とな
ってきた。
、85℃、85%相対湿度中でのバイアス印加状、12
1℃、2気圧過飽和水蒸気中放置など)の元に長時間放
置した場合には、素子上の金属(AQ)配線(特に、電
極パッド部)が腐食して、断線故障を起し易く、これを
抑制可能な封止用樹脂組成物の開発が長い間の課題とな
ってきた。
従来、この封止用樹脂材料としては、金属との接着性に
すぐれ、電気絶縁特性にすぐれた、ノボラック型フェノ
ール樹脂を硬化剤としたエポキシ系材料が、主として使
用されてきた。この系の材料の問題点としては、4i1
脂中に含まれているイオン性不純物の腐食促進作用、素
子構成素材である無機パッシベーション膜や金属との熱
膨張係数の違いなどにより生ずる熱応力で、樹脂組成物
と素子界面に剥離が出来、そこに溜まった水(水膜)に
より腐食が促進されることがある。
すぐれ、電気絶縁特性にすぐれた、ノボラック型フェノ
ール樹脂を硬化剤としたエポキシ系材料が、主として使
用されてきた。この系の材料の問題点としては、4i1
脂中に含まれているイオン性不純物の腐食促進作用、素
子構成素材である無機パッシベーション膜や金属との熱
膨張係数の違いなどにより生ずる熱応力で、樹脂組成物
と素子界面に剥離が出来、そこに溜まった水(水膜)に
より腐食が促進されることがある。
この対象として、樹脂中の不純物イオンの除去。
カップリング剤処理、あるいは樹脂組成物の低応力化に
よる樹脂組成物に素子界面との接着性改善などがなされ
てきた。特に、低温力比に関する方策として、エポキシ
樹脂中に、ポリブタジェンやシロキサン系化合物を添加
して対処することが検討されている。しかし、この場合
には、金型汚れや、成形品外観に問題があり、必らずし
も充分な方策でない。なお、この種の関連する技術とし
ては1例えば文献エポキシレジンスII (J、 S。
よる樹脂組成物に素子界面との接着性改善などがなされ
てきた。特に、低温力比に関する方策として、エポキシ
樹脂中に、ポリブタジェンやシロキサン系化合物を添加
して対処することが検討されている。しかし、この場合
には、金型汚れや、成形品外観に問題があり、必らずし
も充分な方策でない。なお、この種の関連する技術とし
ては1例えば文献エポキシレジンスII (J、 S。
R1ff1o e t c (U、 CG) Epox
y Re5ins IfP、21 、 AC8(198
3) J 、 of、 AppQ、 polym。
y Re5ins IfP、21 、 AC8(198
3) J 、 of、 AppQ、 polym。
Sci、4.&20,184−192 (1962))
ら記載がある。
ら記載がある。
本発明は、上記の状況に鑑みてなされたもので、本発明
の目的は、高温高湿の状態に長時間放置しても、信頼性
の高い機能を保持可能な、樹脂封止型半導体装置を提供
することにある。
の目的は、高温高湿の状態に長時間放置しても、信頼性
の高い機能を保持可能な、樹脂封止型半導体装置を提供
することにある。
本発明の要旨は、耐湿信頼性にすぐれ、しかも成形品外
観や成形金型の汚れの少ない樹脂封止型半導体装置を提
供する手段として、次の項目を必要とする。
観や成形金型の汚れの少ない樹脂封止型半導体装置を提
供する手段として、次の項目を必要とする。
1、少なくとも、多官能エポキシ化合物、ジメチルポリ
シロキサン骨格を有するアミン塩、および又はピペラジ
ン基を含む樹脂組成物で封止してなることを特徴とする
樹脂封止型半導体装置。
シロキサン骨格を有するアミン塩、および又はピペラジ
ン基を含む樹脂組成物で封止してなることを特徴とする
樹脂封止型半導体装置。
2、ジメチルポリシロキサン骨格を有するアミン塩が、
ジメチルポリシロキサンテトラメチルアミ〔式中、nは
8〜35である。〕 であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の樹
脂封止型半導体装置。
ジメチルポリシロキサンテトラメチルアミ〔式中、nは
8〜35である。〕 であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の樹
脂封止型半導体装置。
3、ジメチルボッシロキサン骨格を有するピペラジンが
、 禮 禮 であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の樹
脂封止型半導体装置である。
、 禮 禮 であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の樹
脂封止型半導体装置である。
本発明において、多官能エポキシ化合物とは、例えば、
ビスフェノールAのジグリシジルエーテル、ブダジエン
ジエポキサイド、3,4−エポキシシクロホキシルメチ
ル−(3,4−エポキシ)シクロヘキサンカルボキシレ
ート、ビニルシクロヘキサンジオキサイド、4.47−
ジ(1,2−エポキシエチル)ジフェニルエーテル、4
.4′−(1,2−エポキシエチル)ビフェニル、2゜
2−ビス(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロパン
、レゾルシンのグリシジルエーテル、フロログルシンの
ジグリシジルエーテル、メチルフロログルシンのジグリ
シジルエーテル、ビス−(2゜3′−エポキシシクロペ
ンチル)エーテル、2−(3,4−エポキシ)シクロヘ
キサン−5,5−スピロ(3,4−エポキシ)−シクロ
ヘキサン−m−ジオキサン、ビス−(3,4−エポキシ
−6−メチルシクロヘキシル)アジペート、N、N’−
m−フ二二しンビス(4,5−エポキシ−1゜2−シク
ロヘキサン)ジカルボキシイミドなどの2官能のエポキ
シ化合物、バラアミノフェノールのトリグリシジルエー
テル、ポリアリルグリシジルエーテル、1,3.5−ト
リ(1,2−エポキシエチル)ベンゼン、2.2’ 、
4.4’ −テトラグリシドキシベンゾフェノン、フェ
ノールホルムデヒドノボラックのポリグリシジエーテル
、グリセリンのトリグリシジルエーテル、トリメチロー
ルプロパンのトリグリシジルエーテルなど3官能以上の
エポキシ化合物が用いられる。
ビスフェノールAのジグリシジルエーテル、ブダジエン
ジエポキサイド、3,4−エポキシシクロホキシルメチ
ル−(3,4−エポキシ)シクロヘキサンカルボキシレ
ート、ビニルシクロヘキサンジオキサイド、4.47−
ジ(1,2−エポキシエチル)ジフェニルエーテル、4
.4′−(1,2−エポキシエチル)ビフェニル、2゜
2−ビス(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロパン
、レゾルシンのグリシジルエーテル、フロログルシンの
ジグリシジルエーテル、メチルフロログルシンのジグリ
シジルエーテル、ビス−(2゜3′−エポキシシクロペ
ンチル)エーテル、2−(3,4−エポキシ)シクロヘ
キサン−5,5−スピロ(3,4−エポキシ)−シクロ
ヘキサン−m−ジオキサン、ビス−(3,4−エポキシ
−6−メチルシクロヘキシル)アジペート、N、N’−
m−フ二二しンビス(4,5−エポキシ−1゜2−シク
ロヘキサン)ジカルボキシイミドなどの2官能のエポキ
シ化合物、バラアミノフェノールのトリグリシジルエー
テル、ポリアリルグリシジルエーテル、1,3.5−ト
リ(1,2−エポキシエチル)ベンゼン、2.2’ 、
4.4’ −テトラグリシドキシベンゾフェノン、フェ
ノールホルムデヒドノボラックのポリグリシジエーテル
、グリセリンのトリグリシジルエーテル、トリメチロー
ルプロパンのトリグリシジルエーテルなど3官能以上の
エポキシ化合物が用いられる。
また、次式
%式%
ロー鵠
票
\δ
で表わされるトリス(ヒドロキシフェニル)メタンベー
スのエポキシ化合物を用いることが出来る。
スのエポキシ化合物を用いることが出来る。
本発明においては、特に、トリス(ヒドロキシフェニル
)メタンベースのエポキシ化合物が有用である。
)メタンベースのエポキシ化合物が有用である。
また、本発明において、ジメチルポリシロキサン骨格を
有するアミン塩、あるいはピペラジン基を有するオリゴ
マーとしては、ジメチルポリシロキサンテトニメチルア
ミン塩、特に、 が有用である。また、ジメチルポリシロキサン骨格を有
するピペラジンオリゴマ、例えばなどかある。これらの
オリゴマの製造は従来の方法(J 、 S 、 R1f
f1e etc Epoxy Re5ins H。
有するアミン塩、あるいはピペラジン基を有するオリゴ
マーとしては、ジメチルポリシロキサンテトニメチルア
ミン塩、特に、 が有用である。また、ジメチルポリシロキサン骨格を有
するピペラジンオリゴマ、例えばなどかある。これらの
オリゴマの製造は従来の方法(J 、 S 、 R1f
f1e etc Epoxy Re5ins H。
page 30〜54. A、C,S (1983)に
記載〕により行うことができる。
記載〕により行うことができる。
上記、シナチルポリシロキサン骨格を有するアミン塩、
あるいはピペラジン基を有するオリゴマは、多官能エポ
キシ化合物に対して、0.1〜20重量%の範囲で、特
に好ましくは0.5〜5重量%の範囲で使用することが
好ましい。
あるいはピペラジン基を有するオリゴマは、多官能エポ
キシ化合物に対して、0.1〜20重量%の範囲で、特
に好ましくは0.5〜5重量%の範囲で使用することが
好ましい。
本発明で用いる封止用樹脂組成物には、もちろん、公知
のエポキシ樹脂用硬化剤、並びに触媒を併用することも
出来る。
のエポキシ樹脂用硬化剤、並びに触媒を併用することも
出来る。
(上記化合物は、用途、目的に応じて1種以上併用して
使用することも出来る。これらのエポキシ樹脂には硬化
剤が併用される。)それらは、次記文献〔垣内弘著;エ
ポキシ樹脂(昭和45年9月発行)109〜149ペー
ジ、Les 、 Neville著; Epoxy R
e5ins (Me Graw−Hill Book
CompanyInc 、 New York、 11
157年発行)63〜141ページ、P、E、Brun
is著; Epoxy Re5ins Technol
ogy(Tnterscience Publishe
rs、 New York、 1968年発行)45〜
111ページなど〕に記載の化合物であり、例えば脂肪
族ポリアミン、芳香族ポリアミン、第2および第3アミ
ンを含むアミン類、カルボン酸類、トリメリット酸トリ
グリセライド(リカレジンTMTAなど)を含む、カル
ボン酸無水物類。
使用することも出来る。これらのエポキシ樹脂には硬化
剤が併用される。)それらは、次記文献〔垣内弘著;エ
ポキシ樹脂(昭和45年9月発行)109〜149ペー
ジ、Les 、 Neville著; Epoxy R
e5ins (Me Graw−Hill Book
CompanyInc 、 New York、 11
157年発行)63〜141ページ、P、E、Brun
is著; Epoxy Re5ins Technol
ogy(Tnterscience Publishe
rs、 New York、 1968年発行)45〜
111ページなど〕に記載の化合物であり、例えば脂肪
族ポリアミン、芳香族ポリアミン、第2および第3アミ
ンを含むアミン類、カルボン酸類、トリメリット酸トリ
グリセライド(リカレジンTMTAなど)を含む、カル
ボン酸無水物類。
脂肪族および芳香族ポリアミドオリゴマーおよびポリマ
ー類、三フッ化ホウ素−アミンコンプレックス類、フェ
ノール樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ウレタン樹脂
などの合成樹脂初期縮合物類、その他、ジシアンジアミ
ド、カルボン酸ヒドラジド、ポリアミノマレイミド類な
どがある。
ー類、三フッ化ホウ素−アミンコンプレックス類、フェ
ノール樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ウレタン樹脂
などの合成樹脂初期縮合物類、その他、ジシアンジアミ
ド、カルボン酸ヒドラジド、ポリアミノマレイミド類な
どがある。
上記硬化剤は、用途、目的に応じて1種以上使用するこ
とが出来る。
とが出来る。
特に、フェノールボラック樹脂は、硬化樹脂の金属イン
サートに対する密着性、成形時の作業性などの点から、
上記半導体封止用材料の硬化剤成分として、好適である
。
サートに対する密着性、成形時の作業性などの点から、
上記半導体封止用材料の硬化剤成分として、好適である
。
該樹脂組成物には、エポキシ化合物とノボラック型フェ
ノール樹脂の硬化反応を促進する効果が知られている公
知の触媒を使用することが出来る。
ノール樹脂の硬化反応を促進する効果が知られている公
知の触媒を使用することが出来る。
かかる触媒としては、例えば、トリエタノールアミン、
テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペタンジア
ミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレンジ
アミン、ジメチルアニリンなどの三級アミン、ジメチル
アミノエタノール、ジメチルアミノペタノールなどのオ
キシアルキルアミンやトリス(ジメチルアミノメチル)
フェノール、N−メチルモルホリン、N−エチルモルホ
リンなどのアミン類がある。
テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペタンジア
ミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレンジ
アミン、ジメチルアニリンなどの三級アミン、ジメチル
アミノエタノール、ジメチルアミノペタノールなどのオ
キシアルキルアミンやトリス(ジメチルアミノメチル)
フェノール、N−メチルモルホリン、N−エチルモルホ
リンなどのアミン類がある。
また、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、セチ
ルトリメチルアンモニウムクロライド、ドデシルトリメ
チルアンモニウムアイオダイド、トリメチルドデシルア
ン舌ニウムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシル
アンモニウムクロライド、ベンジルメチルパルミチルア
ンモニウムクロライド、アリルドデシルトリメチルアン
モニウムブロマイド、ベンジルジメチルステアリルアン
モニウムブロマイド、ステリアルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシルアンモニ
ウムアセテートなどの第4級アンモニウム塩がある。
ルトリメチルアンモニウムクロライド、ドデシルトリメ
チルアンモニウムアイオダイド、トリメチルドデシルア
ン舌ニウムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシル
アンモニウムクロライド、ベンジルメチルパルミチルア
ンモニウムクロライド、アリルドデシルトリメチルアン
モニウムブロマイド、ベンジルジメチルステアリルアン
モニウムブロマイド、ステリアルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシルアンモニ
ウムアセテートなどの第4級アンモニウム塩がある。
また、2−エチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダ
ゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−メチル−
4−エチルイミダゾール、1−ブチルイミダゾール、1
−プロピル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−
2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチ
ルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイ
ミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾ
ール、1−アジン−2−メチルイミダゾール、1−アジ
ン−2−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール類
、トリフェニルホスフィンテトラフェニルポレート、テ
トラフェニルホスホニウムテトラフェニルポレート、ト
リエタルアミンテトラフェニルポレート、N−メチルモ
ルホリンテトラフェニルポレート、2−エチル−4−メ
チルイミダゾールテトラフェニルポレート、2−エチル
−1,4−ジメチルイミダゾールテトラフェニルポレー
トなどのテトラフェニルボロン塩などがある。
ゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−メチル−
4−エチルイミダゾール、1−ブチルイミダゾール、1
−プロピル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−
2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチ
ルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイ
ミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾ
ール、1−アジン−2−メチルイミダゾール、1−アジ
ン−2−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール類
、トリフェニルホスフィンテトラフェニルポレート、テ
トラフェニルホスホニウムテトラフェニルポレート、ト
リエタルアミンテトラフェニルポレート、N−メチルモ
ルホリンテトラフェニルポレート、2−エチル−4−メ
チルイミダゾールテトラフェニルポレート、2−エチル
−1,4−ジメチルイミダゾールテトラフェニルポレー
トなどのテトラフェニルボロン塩などがある。
本発明においては樹脂組成物に、目的と用途に応じて、
各種の無機物質や添加剤を配合して用いることが出来る
。それらの具体例をあげればジルコン、シリカ、溶融石
英ガラス、アルミナ、水酸化アルミニウム、ガラス、石
英ガラス、ケイ酸カルシウム、石コウ、炭酸カルシウム
、マグネサイト、クレー、カオリン、タルク、鉄粉、銅
粉、マイカ、アスベスト、炭化珪素、窒化ホウ素、二硫
化モリブデン、鉛化合物、鉛酸化物、亜鉛華、チタン白
、カーボンブラックなどの充填剤、あるいは、高級脂肪
酸、ワックス類などの離型剤、エポキシシラン、ビニル
シラン、アミノシラン、ポラン系化合物、アルコキシチ
タネート系化合物、アルミニウムキレート化合物などの
カップリング剤などである。さらに、アンチモン、隣化
合物、臭素や塩基を含む公知の難燃化剤を用いることが
出来る。
各種の無機物質や添加剤を配合して用いることが出来る
。それらの具体例をあげればジルコン、シリカ、溶融石
英ガラス、アルミナ、水酸化アルミニウム、ガラス、石
英ガラス、ケイ酸カルシウム、石コウ、炭酸カルシウム
、マグネサイト、クレー、カオリン、タルク、鉄粉、銅
粉、マイカ、アスベスト、炭化珪素、窒化ホウ素、二硫
化モリブデン、鉛化合物、鉛酸化物、亜鉛華、チタン白
、カーボンブラックなどの充填剤、あるいは、高級脂肪
酸、ワックス類などの離型剤、エポキシシラン、ビニル
シラン、アミノシラン、ポラン系化合物、アルコキシチ
タネート系化合物、アルミニウムキレート化合物などの
カップリング剤などである。さらに、アンチモン、隣化
合物、臭素や塩基を含む公知の難燃化剤を用いることが
出来る。
実施例1〜3.比較例
多官能エポキシ化合物として、XD−9053(ダウ・
ケミカル社製、エポキシ当量、225)100重量部、
硬化剤として、ノボラック型フェノール樹脂(日立化成
社製、軟化点78〜81℃)55重量部、解媒として、
ジメチルポリシロキサ並びに、ジメチルポリシロキサン
のピペラジン末端基を有するオリボア を、それぞれ第1表に記した所定配合量、カップリング
剤として、エポキシシランKBM303(信越化学社製
)2重量部、離型剤として、ステアリン酸カルシウム1
重量部、ヘキストワックスE(ヘキストジャバン社製)
1.5重量部、難燃材として、付加型イミドコート赤リ
ン5重量部、充填材として、溶融石英ガラス粉480重
量部、着色材として、カーボンブラック(キャボット社
製)2重量部を配合した。
ケミカル社製、エポキシ当量、225)100重量部、
硬化剤として、ノボラック型フェノール樹脂(日立化成
社製、軟化点78〜81℃)55重量部、解媒として、
ジメチルポリシロキサ並びに、ジメチルポリシロキサン
のピペラジン末端基を有するオリボア を、それぞれ第1表に記した所定配合量、カップリング
剤として、エポキシシランKBM303(信越化学社製
)2重量部、離型剤として、ステアリン酸カルシウム1
重量部、ヘキストワックスE(ヘキストジャバン社製)
1.5重量部、難燃材として、付加型イミドコート赤リ
ン5重量部、充填材として、溶融石英ガラス粉480重
量部、着色材として、カーボンブラック(キャボット社
製)2重量部を配合した。
次いで、該配合物は、75〜85℃、8インチ径の2本
ロールで、7分間混練した後、冷却、粗粉砕して半導体
封止用樹脂組成物を得た。
ロールで、7分間混練した後、冷却、粗粉砕して半導体
封止用樹脂組成物を得た。
次いで、256にビットメモリ用LSI(D−RAM)
を、上記樹脂組成物を用いて、175℃。
を、上記樹脂組成物を用いて、175℃。
70kgf/cxl、 1.5分の条件でトランスファ
成形して、目的の樹脂封止型半導体装置を得た。
成形して、目的の樹脂封止型半導体装置を得た。
これらの樹脂封止型半導体装置は、121℃。
2気圧過飽和水蒸気中(プレッシャ・フッカ釜)に、所
定時間放置された後、取り出してLSIの動作が正常か
否かをチェックした。不良の状況については、第1表に
示した。
定時間放置された後、取り出してLSIの動作が正常か
否かをチェックした。不良の状況については、第1表に
示した。
なお、比較のために、本発明の樹脂組成物の触媒を、イ
ミダゾール系(7) C1,I Z AZINE
(四国化成社製)2重量部に置き換えた場合のLSIの
耐湿信頼性も示した。
ミダゾール系(7) C1,I Z AZINE
(四国化成社製)2重量部に置き換えた場合のLSIの
耐湿信頼性も示した。
Claims (1)
- 1、少なくとも、多官能エポキシ化合物、ジメチルポリ
シロキサン骨格を有するアミン塩、および/又はピペラ
ジン基を含む樹脂組成物で封止してなることを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61011916A JPS62171146A (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61011916A JPS62171146A (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62171146A true JPS62171146A (ja) | 1987-07-28 |
Family
ID=11791023
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61011916A Pending JPS62171146A (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62171146A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013102006A1 (en) * | 2011-12-29 | 2013-07-04 | Dow Global Technologies Llc | Epoxy coating systems using polycyclic polyamines as epoxy hardeners |
-
1986
- 1986-01-24 JP JP61011916A patent/JPS62171146A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013102006A1 (en) * | 2011-12-29 | 2013-07-04 | Dow Global Technologies Llc | Epoxy coating systems using polycyclic polyamines as epoxy hardeners |
US9688875B2 (en) | 2011-12-29 | 2017-06-27 | Dow Global Technologies Llc | Epoxy coating systems using polycyclic polyamines as epoxy hardeners |
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