JP2725513B2 - エポキシ樹脂封止材 - Google Patents
エポキシ樹脂封止材Info
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- JP2725513B2 JP2725513B2 JP3301492A JP3301492A JP2725513B2 JP 2725513 B2 JP2725513 B2 JP 2725513B2 JP 3301492 A JP3301492 A JP 3301492A JP 3301492 A JP3301492 A JP 3301492A JP 2725513 B2 JP2725513 B2 JP 2725513B2
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- resin sealing
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の
高集積半導体素子を保護するために用いられるエポキシ
樹脂封止材に関する。
高集積半導体素子を保護するために用いられるエポキシ
樹脂封止材に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の大型の半導体チッ
プを保護するために用いられるエポキシ樹脂封止材で
は、封止後の製品にかかる熱応力により半導体チップあ
るいは封止材の硬化物が損傷を受けることを防止するた
めに、硬化物の熱膨張率を半導体チップの原料であるシ
リコンの熱膨張率に近づけること、すなわち、低熱膨張
率にすることが要求されている。また、この用途の封止
材はトランスファー成型のプロセスで使用されるので、
溶融した封止剤が金型内を充分に充填するように良好な
流動性を持つことと、半導体チップとリードフレームを
つなぐワイヤーが変形しないように封止剤の溶融粘度が
低いことが必須となっている。
プを保護するために用いられるエポキシ樹脂封止材で
は、封止後の製品にかかる熱応力により半導体チップあ
るいは封止材の硬化物が損傷を受けることを防止するた
めに、硬化物の熱膨張率を半導体チップの原料であるシ
リコンの熱膨張率に近づけること、すなわち、低熱膨張
率にすることが要求されている。また、この用途の封止
材はトランスファー成型のプロセスで使用されるので、
溶融した封止剤が金型内を充分に充填するように良好な
流動性を持つことと、半導体チップとリードフレームを
つなぐワイヤーが変形しないように封止剤の溶融粘度が
低いことが必須となっている。
【０００３】エポキシ樹脂封止材の硬化物の低熱膨張率
化のためには、エポキシ樹脂封止材中に熱膨張率の小さ
い非晶質シリカ（アモルファスシリカともいう）粉末を
できるだけ多量に含有させることが有効であるが、非晶
質シリカ粉末の含有率を上げると封止材の溶融粘度が指
数関数的に上昇し、それにつれて流動性も著しく低下す
るという問題が生じる。従って、非晶質シリカ粉末の含
有率が高くて、且つ、封止材の溶融粘度が低く、流動性
が良好に保たれている封止剤の開発が望まれている。こ
の要求に対して、溶融粘度の低いエポキシ樹脂や硬化剤
を使用することや、シリカ粉末に工夫を加えることが検
討されている。シリカ粉末についての工夫としては、球
状シリカ粉末を使用したり、連続粒度分布で最密充填状
態を与えるフューラー（Fuller）やアンドレーゼン（An
dreasen ）などの経験式を基本に粒度分布関数のパラメ
ーターに着目して粒度分布の幅を広くしたり、無機粉末
充填材のタッピング充填特性を利用したものがあるが、
いまだ、非晶質シリカ粉末の含有率が高くて、且つ、溶
融粘度が低く、流動性が良好に保たれている封止剤は得
られていない。
化のためには、エポキシ樹脂封止材中に熱膨張率の小さ
い非晶質シリカ（アモルファスシリカともいう）粉末を
できるだけ多量に含有させることが有効であるが、非晶
質シリカ粉末の含有率を上げると封止材の溶融粘度が指
数関数的に上昇し、それにつれて流動性も著しく低下す
るという問題が生じる。従って、非晶質シリカ粉末の含
有率が高くて、且つ、封止材の溶融粘度が低く、流動性
が良好に保たれている封止剤の開発が望まれている。こ
の要求に対して、溶融粘度の低いエポキシ樹脂や硬化剤
を使用することや、シリカ粉末に工夫を加えることが検
討されている。シリカ粉末についての工夫としては、球
状シリカ粉末を使用したり、連続粒度分布で最密充填状
態を与えるフューラー（Fuller）やアンドレーゼン（An
dreasen ）などの経験式を基本に粒度分布関数のパラメ
ーターに着目して粒度分布の幅を広くしたり、無機粉末
充填材のタッピング充填特性を利用したものがあるが、
いまだ、非晶質シリカ粉末の含有率が高くて、且つ、溶
融粘度が低く、流動性が良好に保たれている封止剤は得
られていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の事情に鑑み、本
発明が解決しようとする課題は、従来、エポキシ樹脂封
止材の硬化物の低熱膨張率化を達成しようとすると、封
止材の溶融粘度が上昇し、それにつれて流動性も低下す
るという問題点を解決することである。すなわち、本発
明は溶融粘度が低く、流動性が良好に保たれている封止
剤であって、その硬化物の熱膨張率が低い封止剤を提供
することを目的とする。
発明が解決しようとする課題は、従来、エポキシ樹脂封
止材の硬化物の低熱膨張率化を達成しようとすると、封
止材の溶融粘度が上昇し、それにつれて流動性も低下す
るという問題点を解決することである。すなわち、本発
明は溶融粘度が低く、流動性が良好に保たれている封止
剤であって、その硬化物の熱膨張率が低い封止剤を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、非晶質シリカ
粉末、エポキシ樹脂、フェノール系硬化剤及び硬化促進
剤を必須成分として含有するエポキシ樹脂封止材におい
て、前記の非晶質シリカ粉末として、非晶質シリカ粉末
のみを３００ｋｇ／ｃｍ 2 で圧縮成形して成形体とした
際に、圧縮成形前の非晶質シリカ粉末の平均粒子径が圧
縮成形後も保持され、且つ、前記成形体における非晶質
シリカ粉末の体積分率が７８％以上である非晶質シリカ
粉末を、エポキシ樹脂封止材の全重量に対して８０重量
％以上含有していることを特徴とするエポキシ樹脂封止
材である。
粉末、エポキシ樹脂、フェノール系硬化剤及び硬化促進
剤を必須成分として含有するエポキシ樹脂封止材におい
て、前記の非晶質シリカ粉末として、非晶質シリカ粉末
のみを３００ｋｇ／ｃｍ 2 で圧縮成形して成形体とした
際に、圧縮成形前の非晶質シリカ粉末の平均粒子径が圧
縮成形後も保持され、且つ、前記成形体における非晶質
シリカ粉末の体積分率が７８％以上である非晶質シリカ
粉末を、エポキシ樹脂封止材の全重量に対して８０重量
％以上含有していることを特徴とするエポキシ樹脂封止
材である。
【０００６】以下、本発明をさらに詳しく説明する。本
発明のエポキシ樹脂封止材に使用する非晶質シリカ粉末
とは結晶構造をもたないシリカ粉末のことで、石英を溶
融して作られるシリカ粉末や合成法で作られるシリカ粉
末等があり、その形状については破砕状や、球状等の種
類がある。
発明のエポキシ樹脂封止材に使用する非晶質シリカ粉末
とは結晶構造をもたないシリカ粉末のことで、石英を溶
融して作られるシリカ粉末や合成法で作られるシリカ粉
末等があり、その形状については破砕状や、球状等の種
類がある。
【０００７】本発明で使用するエポキシ樹脂は１分子内
にエポキシ基を２個以上有する化合物であって、例えば
フェノールノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラ
ックエポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキ
シ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹
脂などがある。
にエポキシ基を２個以上有する化合物であって、例えば
フェノールノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラ
ックエポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキ
シ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹
脂などがある。
【０００８】また、本発明で使用するフェノール系硬化
剤はＳＰ２タイプの電子軌道を持つ、炭素原子６個から
形成される６員環に水酸基が１個以上結合した原子団を
持つ化合物であり、例えばフェノールノボラック樹脂及
びその誘導体、クレゾールノボラック樹脂及びその誘導
体、フェノールとジシクロペンタジエンの共重合体、ヒ
ドロキシスチレン及びその誘導体の重合体、モノ又はジ
ヒドロキシナフタレン及びその誘導体のモノマー又は重
合体などがある。
剤はＳＰ２タイプの電子軌道を持つ、炭素原子６個から
形成される６員環に水酸基が１個以上結合した原子団を
持つ化合物であり、例えばフェノールノボラック樹脂及
びその誘導体、クレゾールノボラック樹脂及びその誘導
体、フェノールとジシクロペンタジエンの共重合体、ヒ
ドロキシスチレン及びその誘導体の重合体、モノ又はジ
ヒドロキシナフタレン及びその誘導体のモノマー又は重
合体などがある。
【０００９】また、本発明で使用する硬化促進剤として
は、例えばトリフェニルフォスフィン及びその誘導体、
ジアザビシクロウンデセン及びその誘導体、イミダゾー
ル及びその誘導体等が挙げられる。
は、例えばトリフェニルフォスフィン及びその誘導体、
ジアザビシクロウンデセン及びその誘導体、イミダゾー
ル及びその誘導体等が挙げられる。
【００１０】次に、本発明で使用する非晶質シリカ粉末
の性質として取り上げている、「圧縮成形して得られる
成形体における非晶質シリカ粉末の体積分率」について
説明する。非晶質シリカ粉末として使用するｎ種（ｎは
１以上の整数）の非晶質シリカ粉末のそれぞれの真比重
をｄi 、各非晶質シリカ粉末のそれぞれの配合重量をｗ
i （i は１〜ｎの中の整数）とした場合の非晶質シリカ
粉末全体の真比重ｄは下記の式（Ａ）で算出される値と
なる。なお、ボイドの無い状態での非晶質シリカの真比
重は一般に2.21であるが、非晶質シリカ粉末では粒子内
部にボイド等の欠陥を有する場合があり、非晶質シリカ
粉末の真比重としては2.21未満の場合もある。 ｄ＝Σｗi ／Σ（ｗi ／ｄi ） −−−−（Ａ） そして、圧縮成形して得られる成形体における非晶質シ
リカ粉末の体積分率Ｐは、非晶質シリカ粉末Ｗグラムを
圧縮して得られる成型体の体積Ｖｃｃから下記の式
（Ｂ）で算出される値である。 Ｐ＝１００（Ｗ／ｄ）／Ｖ −−−−（Ｂ） そして、本発明では、体積分率Ｐを測定するために行う
非晶質シリカ粉末の圧縮成形の成形圧力は、３００ｋｇ
／ｃｍ 2 に限定している。そして、本発明で使用する非
晶質シリカ粉末は、圧縮成形前の非晶質シリカ粉末の平
均粒径が圧縮成形後も保持されるものである。
の性質として取り上げている、「圧縮成形して得られる
成形体における非晶質シリカ粉末の体積分率」について
説明する。非晶質シリカ粉末として使用するｎ種（ｎは
１以上の整数）の非晶質シリカ粉末のそれぞれの真比重
をｄi 、各非晶質シリカ粉末のそれぞれの配合重量をｗ
i （i は１〜ｎの中の整数）とした場合の非晶質シリカ
粉末全体の真比重ｄは下記の式（Ａ）で算出される値と
なる。なお、ボイドの無い状態での非晶質シリカの真比
重は一般に2.21であるが、非晶質シリカ粉末では粒子内
部にボイド等の欠陥を有する場合があり、非晶質シリカ
粉末の真比重としては2.21未満の場合もある。 ｄ＝Σｗi ／Σ（ｗi ／ｄi ） −−−−（Ａ） そして、圧縮成形して得られる成形体における非晶質シ
リカ粉末の体積分率Ｐは、非晶質シリカ粉末Ｗグラムを
圧縮して得られる成型体の体積Ｖｃｃから下記の式
（Ｂ）で算出される値である。 Ｐ＝１００（Ｗ／ｄ）／Ｖ −−−−（Ｂ） そして、本発明では、体積分率Ｐを測定するために行う
非晶質シリカ粉末の圧縮成形の成形圧力は、３００ｋｇ
／ｃｍ 2 に限定している。そして、本発明で使用する非
晶質シリカ粉末は、圧縮成形前の非晶質シリカ粉末の平
均粒径が圧縮成形後も保持されるものである。
【００１１】本発明のエポキシ樹脂封止材は、上記の圧
力及び計算式を用いて得られる体積分率Ｐが７８体積％
以上である非晶質シリカ粉末を８０重量％以上含んでい
ることが重要である。なぜならば、体積分率Ｐが７８体
積％未満である非晶質シリカ粉末を用いた場合にはエポ
キシ樹脂封止材の溶融粘度が上昇して、流動性について
の問題が生じ、また、非晶質シリカ粉末の含有率が８０
重量％未満である場合にはエポキシ樹脂封止材の硬化物
の低熱膨張率化について、４メガビット・ダイナミック
・ランダム・アクセス・メモリーのクラスの超ＬＳＩ用
の封止材に要求される線膨張率1.5 ×10-5／℃以下のレ
ベルを達成するのが困難であるという問題が生じるから
である。
力及び計算式を用いて得られる体積分率Ｐが７８体積％
以上である非晶質シリカ粉末を８０重量％以上含んでい
ることが重要である。なぜならば、体積分率Ｐが７８体
積％未満である非晶質シリカ粉末を用いた場合にはエポ
キシ樹脂封止材の溶融粘度が上昇して、流動性について
の問題が生じ、また、非晶質シリカ粉末の含有率が８０
重量％未満である場合にはエポキシ樹脂封止材の硬化物
の低熱膨張率化について、４メガビット・ダイナミック
・ランダム・アクセス・メモリーのクラスの超ＬＳＩ用
の封止材に要求される線膨張率1.5 ×10-5／℃以下のレ
ベルを達成するのが困難であるという問題が生じるから
である。
【００１２】そして、本発明のエポキシ樹脂封止材にお
いて、前記の体積分率Ｐが８０体積％以上である非晶質
シリカ粉末を８３重量％以上含有するようにしたもの
は、硬化物の低熱膨張率化について、１６メガビット・
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリーのクラス
の超ＬＳＩ用の封止材に要求される線膨張率1.2 ×10-5
／℃未満のレベルを達成し、且つ、エポキシ樹脂封止材
の溶融粘度が低く、流動性についての問題が生じないこ
とも見出した。
いて、前記の体積分率Ｐが８０体積％以上である非晶質
シリカ粉末を８３重量％以上含有するようにしたもの
は、硬化物の低熱膨張率化について、１６メガビット・
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリーのクラス
の超ＬＳＩ用の封止材に要求される線膨張率1.2 ×10-5
／℃未満のレベルを達成し、且つ、エポキシ樹脂封止材
の溶融粘度が低く、流動性についての問題が生じないこ
とも見出した。
【００１３】なお、本発明のエポキシ樹脂封止材におい
ては、前記の必須成分の他に、必要に応じて離型剤、難
燃剤、顔料等を添加するようにしても構わない。
ては、前記の必須成分の他に、必要に応じて離型剤、難
燃剤、顔料等を添加するようにしても構わない。
【００１４】
【作用】非晶質シリカ粉末を圧縮成形して得られる成形
体における非晶質シリカ粉末の密な充填状態は、流動可
能な状態にある封止材中の非晶質シリカ粉末の充填状態
に近似している。そして、成形体における非晶質シリカ
粉末の体積分率Ｐが大きいということは、成形体中に残
っている空隙が小さいことを意味している。この空隙部
分を液状成分で埋めた複合材を考えると、液状成分の体
積が空隙部分の体積と等しいか又は小さい場合には、粒
子同士の接触により複合材全体の変形が妨げられ、全く
流動しないものとなり、一方、液状成分の体積が空隙部
分の体積よりも大きい場合には、粒子は液状成分により
隔てられるので、粒子はある程度自由に動くことが可能
であり、複合材全体としては変形可能、つまり流動可能
な状態となる。従って、非晶質シリカ粉末の含有率が同
じ封止材では、体積分率Ｐが大きい非晶質シリカ粉末を
使用することは、エポキシ樹脂封止材の流動性を良く
し、流動状態の粘度を低くする働きをする。
体における非晶質シリカ粉末の密な充填状態は、流動可
能な状態にある封止材中の非晶質シリカ粉末の充填状態
に近似している。そして、成形体における非晶質シリカ
粉末の体積分率Ｐが大きいということは、成形体中に残
っている空隙が小さいことを意味している。この空隙部
分を液状成分で埋めた複合材を考えると、液状成分の体
積が空隙部分の体積と等しいか又は小さい場合には、粒
子同士の接触により複合材全体の変形が妨げられ、全く
流動しないものとなり、一方、液状成分の体積が空隙部
分の体積よりも大きい場合には、粒子は液状成分により
隔てられるので、粒子はある程度自由に動くことが可能
であり、複合材全体としては変形可能、つまり流動可能
な状態となる。従って、非晶質シリカ粉末の含有率が同
じ封止材では、体積分率Ｐが大きい非晶質シリカ粉末を
使用することは、エポキシ樹脂封止材の流動性を良く
し、流動状態の粘度を低くする働きをする。
【００１５】そして、非晶質シリカ粉末の含有率が８０
重量％以上となるように高充填化されたエポキシ樹脂封
止材では、上記の非晶質シリカ粉末の体積分率Ｐが７８
％以上であることがエポキシ樹脂封止材の粘度を低く保
持して、流動性を良好に保つのに有効であり、また、非
晶質シリカ粉末の含有率が８３重量％以上となるよう
に、さらに高充填化されたエポキシ樹脂封止材では、上
記の非晶質シリカ粉末の体積分率Ｐが８０％以上である
ことがエポキシ樹脂封止材の粘度を低く保持して、流動
性を良好に保つのに有効である。
重量％以上となるように高充填化されたエポキシ樹脂封
止材では、上記の非晶質シリカ粉末の体積分率Ｐが７８
％以上であることがエポキシ樹脂封止材の粘度を低く保
持して、流動性を良好に保つのに有効であり、また、非
晶質シリカ粉末の含有率が８３重量％以上となるよう
に、さらに高充填化されたエポキシ樹脂封止材では、上
記の非晶質シリカ粉末の体積分率Ｐが８０％以上である
ことがエポキシ樹脂封止材の粘度を低く保持して、流動
性を良好に保つのに有効である。
【００１６】なお、熱膨張率が低いという好ましい性質
を有する非晶質シリカ粉末の含有率を高めることは、当
然のことながら、硬化物の低熱膨張率化をする働きをす
るものである。
を有する非晶質シリカ粉末の含有率を高めることは、当
然のことながら、硬化物の低熱膨張率化をする働きをす
るものである。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき説明する。勿
論、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
論、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【００１８】非晶質シリカ粉末として、下記の３種類を
以下の実施例及び比較例において使用した。 非晶質シリカ粉末Ｓ−１────電気化学工業（株）製
のＦＢ７４を空気分級して得られた平均粒径３５μｍの
シリカ粉末 非晶質シリカ粉末Ｓ−２────電気化学工業（株）製
のＦＢ７４を空気分級して得られた平均粒径１０μｍの
シリカ粉末 非晶質シリカ粉末Ｓ−３────電気化学工業（株）製
のＦＢ７４を空気分級して得られた平均粒径２μｍのシ
リカ粉末 （実施例１〜４及び比較例１〜５） 前記の３種類の非晶質シリカ粉末を表１に示した混合量
（重量部）で混合し、混合シリカ粉末を得た。この混合
シリカ粉末を圧縮成型し、得られた成型体における混合
シリカ粉末の体積分率Ｐ（体積％）を測定し、その結果
を表１に示した。なお、混合シリカ粉末の圧縮成型は３
００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で単軸加圧により行い、円筒状
の成形体を得るようにした。得られた成型体を解砕して
圧縮成型後の粉末の平均粒径を測定した結果、成型に供
した粉末の平均粒径の測定結果と同じであったので、こ
の圧力では圧縮成型による粒子の破壊は生じていないと
いえる。また、圧縮成型して得られる成型体における混
合シリカ粉末の体積分率Ｐは成型体の直径と厚みから算
出される成型体の体積Ｖと重量Ｗ及び混合シリカ粉末の
真比重ｄからすでに述べた式（Ｂ）で算出した。
以下の実施例及び比較例において使用した。 非晶質シリカ粉末Ｓ−１────電気化学工業（株）製
のＦＢ７４を空気分級して得られた平均粒径３５μｍの
シリカ粉末 非晶質シリカ粉末Ｓ−２────電気化学工業（株）製
のＦＢ７４を空気分級して得られた平均粒径１０μｍの
シリカ粉末 非晶質シリカ粉末Ｓ−３────電気化学工業（株）製
のＦＢ７４を空気分級して得られた平均粒径２μｍのシ
リカ粉末 （実施例１〜４及び比較例１〜５） 前記の３種類の非晶質シリカ粉末を表１に示した混合量
（重量部）で混合し、混合シリカ粉末を得た。この混合
シリカ粉末を圧縮成型し、得られた成型体における混合
シリカ粉末の体積分率Ｐ（体積％）を測定し、その結果
を表１に示した。なお、混合シリカ粉末の圧縮成型は３
００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で単軸加圧により行い、円筒状
の成形体を得るようにした。得られた成型体を解砕して
圧縮成型後の粉末の平均粒径を測定した結果、成型に供
した粉末の平均粒径の測定結果と同じであったので、こ
の圧力では圧縮成型による粒子の破壊は生じていないと
いえる。また、圧縮成型して得られる成型体における混
合シリカ粉末の体積分率Ｐは成型体の直径と厚みから算
出される成型体の体積Ｖと重量Ｗ及び混合シリカ粉末の
真比重ｄからすでに述べた式（Ｂ）で算出した。
【００１９】次いで、混合シリカ粉末、エポキシ樹脂、
硬化剤、硬化促進剤及び離型剤をそれぞれ表１に示す配
合量（重量部）で配合し、混合してエポキシ樹脂封止材
を作製した。なお、エポキシ樹脂としてはビフェニル型
エポキシ樹脂である油化シェル（株）製のエポキシ樹脂
ＹＸ−４０００を、硬化剤としてはフェノール系硬化剤
である日本化薬（株）製のナフタレンノボラック樹脂Ｏ
ＣＮ７０００を、硬化促進剤しては北興化学（株）製の
トリフェニルフォスフィンを、離型剤としては天然カル
ナバワックスをそれぞれ使用し、また、エポキシ樹脂封
止材の作製は、各原料を配合したものを９０℃のミキシ
ングロールで１０分間混練後、室温まで冷却し、粉砕す
る方法を取った。
硬化剤、硬化促進剤及び離型剤をそれぞれ表１に示す配
合量（重量部）で配合し、混合してエポキシ樹脂封止材
を作製した。なお、エポキシ樹脂としてはビフェニル型
エポキシ樹脂である油化シェル（株）製のエポキシ樹脂
ＹＸ−４０００を、硬化剤としてはフェノール系硬化剤
である日本化薬（株）製のナフタレンノボラック樹脂Ｏ
ＣＮ７０００を、硬化促進剤しては北興化学（株）製の
トリフェニルフォスフィンを、離型剤としては天然カル
ナバワックスをそれぞれ使用し、また、エポキシ樹脂封
止材の作製は、各原料を配合したものを９０℃のミキシ
ングロールで１０分間混練後、室温まで冷却し、粉砕す
る方法を取った。
【００２０】得られたエポキシ樹脂封止材の溶融粘度を
島津製作所（株）製のフローテスターを用いて、温度１
７５℃、荷重１０ｋｇの条件で測定し、その結果を表１
に示す。また、上記のようにして得られたエポキシ樹脂
封止材を成型温度１７０℃でトランスファー成型した
後、１７５℃、６時間のアフターキュアーを行い硬化物
である成形品を得た。この成形品の５０〜１００℃の範
囲の熱膨張率（線膨張率）をＴＭＡ装置を用いて測定
し、その結果を同じく表１に示す。
島津製作所（株）製のフローテスターを用いて、温度１
７５℃、荷重１０ｋｇの条件で測定し、その結果を表１
に示す。また、上記のようにして得られたエポキシ樹脂
封止材を成型温度１７０℃でトランスファー成型した
後、１７５℃、６時間のアフターキュアーを行い硬化物
である成形品を得た。この成形品の５０〜１００℃の範
囲の熱膨張率（線膨張率）をＴＭＡ装置を用いて測定
し、その結果を同じく表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１の測定結果の比較から明らかなよう
に、体積分率Ｐが７８％以上ある非晶質シリカ粉末を８
０重量％以上含んでいる実施例１〜４の封止材は、溶融
粘度が低く、流動性についての問題がなく、且つ、得ら
れた成形品の熱膨張率（線膨張率）が、４メガビット・
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリーのクラス
の超ＬＳＩ用の封止材に要求される1.5 ×10-5／℃以下
のレベルを達成している。そして、前記の体積分率Ｐが
８０体積％以上である非晶質シリカ粉末を８３重量％以
上含有している実施例４の封止材は、得られる成形品の
熱膨張率（線膨張率）が、１６メガビット・ダイナミッ
ク・ランダム・アクセス・メモリーのクラスの超ＬＳＩ
用の封止材に要求される1.2 ×10-5／℃未満のレベルを
達成し、且つ、封止材の溶融粘度も低く、流動性につい
ての問題が生じないことを確認できた。
に、体積分率Ｐが７８％以上ある非晶質シリカ粉末を８
０重量％以上含んでいる実施例１〜４の封止材は、溶融
粘度が低く、流動性についての問題がなく、且つ、得ら
れた成形品の熱膨張率（線膨張率）が、４メガビット・
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリーのクラス
の超ＬＳＩ用の封止材に要求される1.5 ×10-5／℃以下
のレベルを達成している。そして、前記の体積分率Ｐが
８０体積％以上である非晶質シリカ粉末を８３重量％以
上含有している実施例４の封止材は、得られる成形品の
熱膨張率（線膨張率）が、１６メガビット・ダイナミッ
ク・ランダム・アクセス・メモリーのクラスの超ＬＳＩ
用の封止材に要求される1.2 ×10-5／℃未満のレベルを
達成し、且つ、封止材の溶融粘度も低く、流動性につい
ての問題が生じないことを確認できた。
【００２３】一方、体積分率Ｐが７８％未満の非晶質シ
リカ粉末を用いているか、又は非晶質シリカ粉末を８０
重量％未満しか含有していない比較例１〜５の封止材で
は、溶融粘度が 500ポイズ以上と高く、流動性について
の問題、又は、得られた成形品の熱膨張率（線膨張率）
が、４メガビット・ダイナミック・ランダム・アクセス
・メモリーのクラスの超ＬＳＩ用の封止材に要求される
1.5 ×10-5／℃以下のレベルを達成していないという熱
膨張率についての問題があるという結果であった。
リカ粉末を用いているか、又は非晶質シリカ粉末を８０
重量％未満しか含有していない比較例１〜５の封止材で
は、溶融粘度が 500ポイズ以上と高く、流動性について
の問題、又は、得られた成形品の熱膨張率（線膨張率）
が、４メガビット・ダイナミック・ランダム・アクセス
・メモリーのクラスの超ＬＳＩ用の封止材に要求される
1.5 ×10-5／℃以下のレベルを達成していないという熱
膨張率についての問題があるという結果であった。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、従来、エポキシ樹脂封
止材の硬化物の低熱膨張率化を達成しようとすると、封
止材の溶融粘度が上昇し、それにつれて流動性も低下す
るという問題点が解決でき、溶融粘度が低く、流動性が
良好に保たれている封止剤であって、その硬化物の熱膨
張率が低いエポキシ樹脂封止剤を提供することができ
る。
止材の硬化物の低熱膨張率化を達成しようとすると、封
止材の溶融粘度が上昇し、それにつれて流動性も低下す
るという問題点が解決でき、溶融粘度が低く、流動性が
良好に保たれている封止剤であって、その硬化物の熱膨
張率が低いエポキシ樹脂封止剤を提供することができ
る。
Claims (2)
- 【請求項１】 非晶質シリカ粉末、エポキシ樹脂、フェ
ノール系硬化剤及び硬化促進剤を必須成分として含有す
るエポキシ樹脂封止材において、前記の非晶質シリカ粉
末として、非晶質シリカ粉末のみを３００ｋｇ／ｃｍ 2
で圧縮成形して成形体とした際に、圧縮成形前の非晶質
シリカ粉末の平均粒子径が圧縮成形後も保持され、且
つ、前記成形体における非晶質シリカ粉末の体積分率が
７８％以上である非晶質シリカ粉末を、エポキシ樹脂封
止材の全重量に対して８０重量％以上含有していること
を特徴とするエポキシ樹脂封止材。 - 【請求項２】 非晶質シリカ粉末のみを３００ｋｇ／ｃ
ｍ 2 で圧縮成形して成形体とした際に、圧縮成形前の非
晶質シリカ粉末の平均粒子径が圧縮成形後も保持され、
且つ、前記成形体における非晶質シリカ粉末の体積分率
が８０％以上である非晶質シリカ粉末を、エポキシ樹脂
封止材の全重量に対して８３重量％以上含有しているこ
とを特徴とする請求項１記載のエポキシ樹脂封止材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3301492A JP2725513B2 (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | エポキシ樹脂封止材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3301492A JP2725513B2 (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | エポキシ樹脂封止材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05230279A JPH05230279A (ja) | 1993-09-07 |
| JP2725513B2 true JP2725513B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=12374961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3301492A Expired - Lifetime JP2725513B2 (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | エポキシ樹脂封止材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2725513B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4873564A (en) * | 1985-10-22 | 1989-10-10 | Harris Corporation | Conductivity-modulated FET with improved pinch off-ron performance |
-
1992
- 1992-02-20 JP JP3301492A patent/JP2725513B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05230279A (ja) | 1993-09-07 |
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