JPS62132944A - 超ｌｓｉメモリ封止樹脂用石英ガラス充填剤 - Google Patents
超ｌｓｉメモリ封止樹脂用石英ガラス充填剤Info
- Publication number
- JPS62132944A JPS62132944A JP27259785A JP27259785A JPS62132944A JP S62132944 A JPS62132944 A JP S62132944A JP 27259785 A JP27259785 A JP 27259785A JP 27259785 A JP27259785 A JP 27259785A JP S62132944 A JPS62132944 A JP S62132944A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz glass
- sealing resin
- synthetic quartz
- filler
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Glass Compositions (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業 の１
本発明は、超ＬＳＩメモリ封止樹脂用石英ガラス充填剤
に関し、さらに詳しくいえば、本発明は１Ｍビット以上
の集積度を有するダイナミックメモリ素子等を保護する
ために用いられる封止樹脂使用の充填剤に関するもので
ある。
に関し、さらに詳しくいえば、本発明は１Ｍビット以上
の集積度を有するダイナミックメモリ素子等を保護する
ために用いられる封止樹脂使用の充填剤に関するもので
ある。
従」じ矢弦」Ｌ
従来、６４ Ｋ ｂｉｔおよび２５６Ｋｂｉｔのダイナ
ミックメモリ素子の封止樹脂用の充填剤として使用され
ているのは、ウラニウム、トリウムの少ない天然のケイ
石を溶融して粉砕したものだけである。
ミックメモリ素子の封止樹脂用の充填剤として使用され
ているのは、ウラニウム、トリウムの少ない天然のケイ
石を溶融して粉砕したものだけである。
また、極端にウラニウム含有量の少ない充填剤としては
、四塩化ケイ素等のケイ素化合物を加水分解して得られ
るアモルフ？スジリカ等がある。しかし、それらの量産
化には、まだ到っていない。
、四塩化ケイ素等のケイ素化合物を加水分解して得られ
るアモルフ？スジリカ等がある。しかし、それらの量産
化には、まだ到っていない。
が ）しようとする １、
天然のケイ石には、ウラニウムやトリウムの含有量が極
端に少ないものは存在しない。
端に少ないものは存在しない。
本発明者等の調査によれば、天然ケイ石の場合、α線量
で表わせば０．０００７ｃ ／ｃ ｍ２・ｈｒ程度の含
有量が最も小さい値であった。
で表わせば０．０００７ｃ ／ｃ ｍ２・ｈｒ程度の含
有量が最も小さい値であった。
それに比べ、四塩化ケイ素から製造される合成石英の含
有量は、０．０００１ｃ ／ｃ ｍ２−ｈｒ以下であり
、極端に不純物の含有量が低いものの、体積抵抗率が低
いこと、流動性が悪いこと、などの諸欠点を有していた
。
有量は、０．０００１ｃ ／ｃ ｍ２−ｈｒ以下であり
、極端に不純物の含有量が低いものの、体積抵抗率が低
いこと、流動性が悪いこと、などの諸欠点を有していた
。
また、１Ｍビット以上の封止樹脂に要求されるα線量は
、Ｏ，０Ｏ０５ｃ ／ｃ ｍ２・ｈｒ以下である。この
程度のα線量であれば、１Ｍｂｉｔ Ｄ ＲＡ Ｍ ノ
’ＪＭ 合、１ｏ２フィツト程度のソフトエラー率であ
ると推定される。
、Ｏ，０Ｏ０５ｃ ／ｃ ｍ２・ｈｒ以下である。この
程度のα線量であれば、１Ｍｂｉｔ Ｄ ＲＡ Ｍ ノ
’ＪＭ 合、１ｏ２フィツト程度のソフトエラー率であ
ると推定される。
このようなαａｍは、天然ケイ石であれば、ウラニウム
とトリウムがそれぞれ０．０５ｐｐｂ程度である。合成
石英ガラス粉は、α線量が検出されず、ウラニウムが０
．０２ｐｐｂ以下で、トリウムが０．０３ｐｐｂ以下で
ある。
とトリウムがそれぞれ０．０５ｐｐｂ程度である。合成
石英ガラス粉は、α線量が検出されず、ウラニウムが０
．０２ｐｐｂ以下で、トリウムが０．０３ｐｐｂ以下で
ある。
本発明者等は、世界各地のケイ石と水晶のウラニウムと
トリウムの量およびα線量を調べた結果、α線量は、最
小で０．００７ｃ／ｃ ｍ２− ｈｒテあり、ウラニウ
ムはｏ、ｏｏ３ｐｐｂ、トリウムは０．１ｐｐｂであっ
た。その他は全て、これらの値より高くなっていた。
トリウムの量およびα線量を調べた結果、α線量は、最
小で０．００７ｃ／ｃ ｍ２− ｈｒテあり、ウラニウ
ムはｏ、ｏｏ３ｐｐｂ、トリウムは０．１ｐｐｂであっ
た。その他は全て、これらの値より高くなっていた。
この原因を考えるに、ケイ石や水晶の生成過程において
ウラニウムやトリウム等の不純物が分子量の重さのため
に十分精製されなかったからであると推測される。
ウラニウムやトリウム等の不純物が分子量の重さのため
に十分精製されなかったからであると推測される。
また、放射化分析値のウラニウムおよびトリウムの開か
らα線量を計算した値と、実測したα線間との間に誤差
がでているのは、ケイ石にはウラニウムとトリウム以外
の放射性元素が含有されているためである。
らα線量を計算した値と、実測したα線間との間に誤差
がでているのは、ケイ石にはウラニウムとトリウム以外
の放射性元素が含有されているためである。
これらを総合して考えると、１Ｍビット以上の集積度を
もつダイナミックメモリー素子には、天然ケイ石から製
造した溶融石英ガラス粉の充填剤は適していないことが
わかる。
もつダイナミックメモリー素子には、天然ケイ石から製
造した溶融石英ガラス粉の充填剤は適していないことが
わかる。
しかし、四塩化ケイ素から製造した合成石英ガラス粉を
封止樹脂用の充填剤として用いた場合、塩素イオン含有
量が溶融石英ガラス粉の３倍以上もあり、プレッシャー
クツカーテストをした場合、体積抵抗率が低下したり、
アルミ配線が腐蝕しやすいなどの欠点があった。また、
溶融石英ガラス粉に比較して、流動性が悪（、モールデ
ィング時に使いづらい等の欠点があった。
封止樹脂用の充填剤として用いた場合、塩素イオン含有
量が溶融石英ガラス粉の３倍以上もあり、プレッシャー
クツカーテストをした場合、体積抵抗率が低下したり、
アルミ配線が腐蝕しやすいなどの欠点があった。また、
溶融石英ガラス粉に比較して、流動性が悪（、モールデ
ィング時に使いづらい等の欠点があった。
１１１１江
この発明は、これらの事情に鑑みて行なわれたものであ
り、天然ケイ石から製造された充填剤にみられる流動性
や電気特性等の長所と、合成石英にみられφ線量の低い
長所とを兼ねそなえた超ＬＳＩメモリ封止樹脂用石英ガ
ラス充填剤を提供することを目的としている。
り、天然ケイ石から製造された充填剤にみられる流動性
や電気特性等の長所と、合成石英にみられφ線量の低い
長所とを兼ねそなえた超ＬＳＩメモリ封止樹脂用石英ガ
ラス充填剤を提供することを目的としている。
発１へ贋」Ｅ
この目的を達成するために、本発明は、天然ケイ石を溶
融してなるシリカガラスと四塩化ケイ素を出発原料とし
て製造した合成石英ガラスとを混合粉砕してなる超ＬＳ
Ｉメモリ封止樹脂用石英ガラス充填剤を要旨としている
。
融してなるシリカガラスと四塩化ケイ素を出発原料とし
て製造した合成石英ガラスとを混合粉砕してなる超ＬＳ
Ｉメモリ封止樹脂用石英ガラス充填剤を要旨としている
。
ρ を ゛ る
例えば、天然ケイ石から製造された粉状の充填剤に、２
０％から８０％の割合で、四塩化ケイ素から製造された
粉状の合成石英ガラス充填剤を混合した充填剤が最適で
ある。
０％から８０％の割合で、四塩化ケイ素から製造された
粉状の合成石英ガラス充填剤を混合した充填剤が最適で
ある。
本発明によれば、溶融石英ガラス粉に合成石英ガラス粉
を混合することによって、１Ｍビット以上の集積度をも
つダイナミックメモリ素子に使用できるα線量や高体積
抵抗や耐腐蝕性等の高信頼性を与える封止樹脂用充填剤
の製造が可能となった。
を混合することによって、１Ｍビット以上の集積度をも
つダイナミックメモリ素子に使用できるα線量や高体積
抵抗や耐腐蝕性等の高信頼性を与える封止樹脂用充填剤
の製造が可能となった。
以下、実施例について述べる。文中、部とあるのは重量
部を示す。
部を示す。
えＬＬＬ
溶融石英ガラス塊８０部と、合成石英ガラス塊２０部と
を混合粉砕し、粒度を調整した。
を混合粉砕し、粒度を調整した。
なお、溶融石英ガラス塊の純度は、ウラニウムが０．１
ｐｐｂで、トリウムが０．３ｐｐｂで、α線量は、Ｏ，
０Ｏ０６ｃ ／ｃ ｍ２・ｈｒｒあった。これに合成石
英ガラスを２０部混合したものは、ウラニウムが０．０
７ｐｌ）ｂで、トリウムがｏ、ｏａｐｐｂとなり、α線
量は０．０００５Ｃ／ｃｍ２−ｈｒであった。
ｐｐｂで、トリウムが０．３ｐｐｂで、α線量は、Ｏ，
０Ｏ０６ｃ ／ｃ ｍ２・ｈｒｒあった。これに合成石
英ガラスを２０部混合したものは、ウラニウムが０．０
７ｐｌ）ｂで、トリウムがｏ、ｏａｐｐｂとなり、α線
量は０．０００５Ｃ／ｃｍ２−ｈｒであった。
このような充填剤を７０部と、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂２５部と、硬化剤として００Ｍ５部を混合
し、１５０℃で成型し、さらに１ＭビットＤＲＡＭ素子
にトランスファー成型でパッケージングした。
エポキシ樹脂２５部と、硬化剤として００Ｍ５部を混合
し、１５０℃で成型し、さらに１ＭビットＤＲＡＭ素子
にトランスファー成型でパッケージングした。
１１九ｉ
溶融石英ガラス塊２０部と、合成石英ガラス塊８０部を
混合粉砕し、粒度を調整した。
混合粉砕し、粒度を調整した。
α線量はＯ，０Ｏ０３ｃ ／ｃ ｍ２−ｈｒで、ウラニ
ウムは０．０４ｐｐｂで、トリウムは０．０５ ｐｐｂ
であった。実施例１と同様のやり方で、１ＭビットＤＲ
ＡＭ素子を成型した。
ウムは０．０４ｐｐｂで、トリウムは０．０５ ｐｐｂ
であった。実施例１と同様のやり方で、１ＭビットＤＲ
ＡＭ素子を成型した。
支ｉ九工
溶融石英ガラス塊１０部と合成石英ガラス塊９０部を混
合粉砕し、粒度を調整した。α線量は、０．０Ｏ０２ｃ
／ｃ ｍ２−ｈｒ以下で、ウラニウムは０．０３ｐｐ
ｂで、トリウムは０゜０４ ｐｐｂであった。実施例１
と同様のやり方で１ＭビットＤＲＡＭ素子を成型した。
合粉砕し、粒度を調整した。α線量は、０．０Ｏ０２ｃ
／ｃ ｍ２−ｈｒ以下で、ウラニウムは０．０３ｐｐ
ｂで、トリウムは０゜０４ ｐｐｂであった。実施例１
と同様のやり方で１ＭビットＤＲＡＭ素子を成型した。
ＬＬ列１１
これらの実施例１〜３により成型された１ＭビットＤＲ
ＡＭのソフトエラー率および体積抵抗率を測定した。そ
の結果を表１に示す。
ＡＭのソフトエラー率および体積抵抗率を測定した。そ
の結果を表１に示す。
合成ガラス粉だけでは、体積抵抗率の電気特性等が悪く
、他方、溶融石英ガラス粉だけでは、ソフトエラー率が
高いため、両者とも単独では使用しにくい面があったが
、本発明は、第１図に例示するように、両者の短所を極
端に減らし、実用に最も適した充填剤を提供できるよう
にしたものである。
、他方、溶融石英ガラス粉だけでは、ソフトエラー率が
高いため、両者とも単独では使用しにくい面があったが
、本発明は、第１図に例示するように、両者の短所を極
端に減らし、実用に最も適した充填剤を提供できるよう
にしたものである。
Claims (2)
- （１）天然ケイ石を溶融してなるシリカガラスと四塩化
ケイ素を出発原料として製造した合成石英ガラスとを混
合粉砕してなる超ＬＳＩメモリ封止樹脂用石英ガラス充
填剤。 - （２）前記合成石英ガラスの混合量が２０部から８０部
までであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の超ＬＳＩメモリ樹脂用石英ガラス充填剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27259785A JPS62132944A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | 超ｌｓｉメモリ封止樹脂用石英ガラス充填剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27259785A JPS62132944A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | 超ｌｓｉメモリ封止樹脂用石英ガラス充填剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62132944A true JPS62132944A (ja) | 1987-06-16 |
Family
ID=17516136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27259785A Pending JPS62132944A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | 超ｌｓｉメモリ封止樹脂用石英ガラス充填剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62132944A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5798400A (en) * | 1995-01-05 | 1998-08-25 | Toray Industries, Inc. | Epoxy resin compound |
| US10308541B2 (en) | 2014-11-13 | 2019-06-04 | Gerresheimer Glas Gmbh | Glass forming machine particle filter, a plunger unit, a blow head, a blow head support and a glass forming machine adapted to or comprising said filter |
-
1985
- 1985-12-05 JP JP27259785A patent/JPS62132944A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5798400A (en) * | 1995-01-05 | 1998-08-25 | Toray Industries, Inc. | Epoxy resin compound |
| US5985455A (en) * | 1995-01-05 | 1999-11-16 | Toray Industries, Inc. | Semiconductor element sealed with an epoxy resin compound |
| US10308541B2 (en) | 2014-11-13 | 2019-06-04 | Gerresheimer Glas Gmbh | Glass forming machine particle filter, a plunger unit, a blow head, a blow head support and a glass forming machine adapted to or comprising said filter |
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