JPS6296568A - 半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用樹脂組成物Info
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- JPS6296568A JPS6296568A JP23636685A JP23636685A JPS6296568A JP S6296568 A JPS6296568 A JP S6296568A JP 23636685 A JP23636685 A JP 23636685A JP 23636685 A JP23636685 A JP 23636685A JP S6296568 A JPS6296568 A JP S6296568A
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- particles
- fused silica
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体などの電子部品の封止材料として用いら
れる樹脂組成物に関するものである。
れる樹脂組成物に関するものである。
（従来の技術）
従来から、半導体などの電子部品の封止用樹脂組成物に
は、熱硬化性樹脂に結晶性又は溶融シリカ粉末を含有し
てなるものが用いられている。この結晶性又は溶融シリ
カ粉末はインゴットを破砕分級することにより得られ金
が、その為粒子ｄ分葉矛は尖った角を有する形状になっ
ている。このため、これらの粒子を含む樹脂組成物を封
止材として成形する際に金型の摩耗の促進、おるいは半
導体素子表面やワイヤーの損傷といった問題の原因とな
る。一方、粒子径がある程度以上大きいと成形時のデー
ト詰りゃ素子ワイヤーへの損傷の原因となったり粒度分
布のバランスが適切でないと樹脂組成物の成形性が悪く
なる。
は、熱硬化性樹脂に結晶性又は溶融シリカ粉末を含有し
てなるものが用いられている。この結晶性又は溶融シリ
カ粉末はインゴットを破砕分級することにより得られ金
が、その為粒子ｄ分葉矛は尖った角を有する形状になっ
ている。このため、これらの粒子を含む樹脂組成物を封
止材として成形する際に金型の摩耗の促進、おるいは半
導体素子表面やワイヤーの損傷といった問題の原因とな
る。一方、粒子径がある程度以上大きいと成形時のデー
ト詰りゃ素子ワイヤーへの損傷の原因となったり粒度分
布のバランスが適切でないと樹脂組成物の成形性が悪く
なる。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、成
形時における金型の、摩耗や半導体素子表面、ワイヤー
等への損傷がなく、かつ、極めて良好な流動性を有する
半導体封止用樹脂組成物を提供することを目的とするも
のである。
形時における金型の、摩耗や半導体素子表面、ワイヤー
等への損傷がなく、かつ、極めて良好な流動性を有する
半導体封止用樹脂組成物を提供することを目的とするも
のである。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは上記問題の解決に努力した詰朱、まず、シ
リカ粉末の代りに溶融シリカ球状体を用いることにより
、トランスファ成形時の金凰摩耗が少なくなり、かつ、
半導体素子表面やワイヤーへの損傷が減少することを見
出し、さらに溶融シリカ球状体の粒度分布について検討
した結果、樹脂組成物の成形性を良好にする最適な粒度
分布を見出し本発明を完成した。
リカ粉末の代りに溶融シリカ球状体を用いることにより
、トランスファ成形時の金凰摩耗が少なくなり、かつ、
半導体素子表面やワイヤーへの損傷が減少することを見
出し、さらに溶融シリカ球状体の粒度分布について検討
した結果、樹脂組成物の成形性を良好にする最適な粒度
分布を見出し本発明を完成した。
すなわち、本発明は、その粒度分布が１０μｍ以下が１
０重量−以下、４４〜７４μｍが２０〜３０重量％、７
４μｍ以上が０．０１重量％未満、残部が１０〜４４μ
ｍである溶融シリカ球状体を含有することを！！ｆ！ｆ
徴とする半導体封止用樹脂組成物である。
０重量−以下、４４〜７４μｍが２０〜３０重量％、７
４μｍ以上が０．０１重量％未満、残部が１０〜４４μ
ｍである溶融シリカ球状体を含有することを！！ｆ！ｆ
徴とする半導体封止用樹脂組成物である。
以下さらに詳しく本発明について説明する。
一般に半導体封止用樹脂組成物は樹脂および充填剤より
成りこれに硬化剤・硬化促進剤・ｍｕ剤・難燃剤・処理
剤・顔料などを混合する場合が多い。
成りこれに硬化剤・硬化促進剤・ｍｕ剤・難燃剤・処理
剤・顔料などを混合する場合が多い。
本発明における樹脂はエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、
ポリエステル樹脂等のことをいう。
ポリエステル樹脂等のことをいう。
また、本発明において開用される充填剤としては、長短
径比が１〜１．６である溶融クリカ球状体でおることが
好ましい。長短径比が１．６をこえると成形時における
金型の摩耗の促進や、半導体素子表面及びワイヤーへの
損傷の危険性が大きくなる。又、その粒度分布は１０μ
ｍ以下が１１］ｊｉｊ量慢以下、４４〜７４μｍが２０
〜３０重量％、７４μｍ以上がｏ、ｏ ｉ重ｆ１％未満
、残部が１０〜４４μｍでなければならない。１０μｍ
以下が１０重量％をこえ、又、４４〜７４μｍが２０重
量％未満であると、充填剤の充填量が高い場合の樹脂組
成物の流動性が著しく低下するので充填剤の高充填が不
可能となる。４４〜７４μｍが３０重量％をこえると、
成形時のパリの発生が多くなる。さらに７４μｍ以上が
０．０１重１ｔチ以上であると、やはり成形時の金型の
摩耗や半導体素子表面ワイヤー等への損傷の危険性が大
きくなり好ましくない。
径比が１〜１．６である溶融クリカ球状体でおることが
好ましい。長短径比が１．６をこえると成形時における
金型の摩耗の促進や、半導体素子表面及びワイヤーへの
損傷の危険性が大きくなる。又、その粒度分布は１０μ
ｍ以下が１１］ｊｉｊ量慢以下、４４〜７４μｍが２０
〜３０重量％、７４μｍ以上がｏ、ｏ ｉ重ｆ１％未満
、残部が１０〜４４μｍでなければならない。１０μｍ
以下が１０重量％をこえ、又、４４〜７４μｍが２０重
量％未満であると、充填剤の充填量が高い場合の樹脂組
成物の流動性が著しく低下するので充填剤の高充填が不
可能となる。４４〜７４μｍが３０重量％をこえると、
成形時のパリの発生が多くなる。さらに７４μｍ以上が
０．０１重１ｔチ以上であると、やはり成形時の金型の
摩耗や半導体素子表面ワイヤー等への損傷の危険性が大
きくなり好ましくない。
本発明における充填剤を製造する方法としては櫨々ある
が、−例をあげると、高純度の珪石、珪砂、水晶等、あ
るいはハロダン化珪素化合物から熱分解等により得られ
る粉末を浴融塊状化したものを、磨砕又は破砕によって
１０μｍ〜７４μｍの粒径に調整した後、プロパン／ば
素炭等の火炎と共に溶射することにより得られる。
が、−例をあげると、高純度の珪石、珪砂、水晶等、あ
るいはハロダン化珪素化合物から熱分解等により得られ
る粉末を浴融塊状化したものを、磨砕又は破砕によって
１０μｍ〜７４μｍの粒径に調整した後、プロパン／ば
素炭等の火炎と共に溶射することにより得られる。
次に本発明における充填剤の配合割合は樹脂組成物全量
の４０〜９０重＃Ｌ％であることが好ましい。４０重量
％未満では熱伝導性、寸法安定性、成形性が低下し、９
０重量％をこえると封止成形不能となるので好ましくな
い。
の４０〜９０重＃Ｌ％であることが好ましい。４０重量
％未満では熱伝導性、寸法安定性、成形性が低下し、９
０重量％をこえると封止成形不能となるので好ましくな
い。
本発明による樹脂組成物は前記の各成分をロール、ニー
ター、バンバリーミキサ−等で混練することにより得ら
れる。
ター、バンバリーミキサ−等で混練することにより得ら
れる。
（実施例）
次に本発明を実施例により更に詳しく説明する。
実施例１〜５、比較例１〜５
エポキシ樹脂、エポキシ樹脂の硬化剤、充填剤を第１表
に示す割合で配合し、さらに各側とも硬化促進剤０．５
％およびカルナバワックス０．５％を配合した。３０〜
１００℃に加熱したミキシングロールで５〜１０分混練
した後、冷却粉砕して組成物のぺＶットを得た。
に示す割合で配合し、さらに各側とも硬化促進剤０．５
％およびカルナバワックス０．５％を配合した。３０〜
１００℃に加熱したミキシングロールで５〜１０分混練
した後、冷却粉砕して組成物のぺＶットを得た。
このペンットを５００Ｘ５００Ｘ４００朋の金型に充填
し、成形圧カフ０１Ｋｇ／ｃｒＩＬ２、成形温度１３０
°Ｃの条件にてトランスファー成形を行ない、その成形
物の各種物性を測定した。その結果を第１表に示す。
し、成形圧カフ０１Ｋｇ／ｃｒＩＬ２、成形温度１３０
°Ｃの条件にてトランスファー成形を行ない、その成形
物の各種物性を測定した。その結果を第１表に示す。
実施例及び比較例で用いた材料及び物性の測定法を次に
示す。
示す。
材料
（１） エポキシ樹脂・・・クレゾールノざラック型
エポキン附脂テバがイヤー社製 商品名「ｇｃＮ−１２８０Ｊ （２） 工、ｊ（’キシ樹脂の硬化剤・・・フェノー
ルノビラック樹脂チバがイヤー社製 商品名１’−ＨＴ−９４９ＤＪ （３）硬化促進剤・・・・・・ニーランデシルイミダゾ
ール（４）充填剤・・・・・・高純度水晶をショークラ
ッシャー、ダブルロールクラッシャーで粗砕 した後ざ−ルミルで粉砕した。こ のときの粉砕時間の調整及びその 後の気流分級機による分級で所望 の粒度に調整した。次にこのよう にして準備した水晶粉をプロパン ／酸素容積比＝１１５〜６に保た れた２０００℃の温度のプロパン ／酸素火炎中に投入し、溶融球状 化を行なった。得られた溶融シリ カ球状体を再分級して粒度調整を 行ない、これを充填剤とした。こ れらの充填剤の特性を第１表に示 す。
エポキン附脂テバがイヤー社製 商品名「ｇｃＮ−１２８０Ｊ （２） 工、ｊ（’キシ樹脂の硬化剤・・・フェノー
ルノビラック樹脂チバがイヤー社製 商品名１’−ＨＴ−９４９ＤＪ （３）硬化促進剤・・・・・・ニーランデシルイミダゾ
ール（４）充填剤・・・・・・高純度水晶をショークラ
ッシャー、ダブルロールクラッシャーで粗砕 した後ざ−ルミルで粉砕した。こ のときの粉砕時間の調整及びその 後の気流分級機による分級で所望 の粒度に調整した。次にこのよう にして準備した水晶粉をプロパン ／酸素容積比＝１１５〜６に保た れた２０００℃の温度のプロパン ／酸素火炎中に投入し、溶融球状 化を行なった。得られた溶融シリ カ球状体を再分級して粒度調整を 行ない、これを充填剤とした。こ れらの充填剤の特性を第１表に示 す。
測定法
（１） 流動性゛（スパイラルフロー）ＫＭＭ工規格
に準じた金型を使用し成形温度１３０°Ｃ１成形圧カフ
０ｋｇ／ｉで測定した。
に準じた金型を使用し成形温度１３０°Ｃ１成形圧カフ
０ｋｇ／ｉで測定した。
この値は大きいほど成形性が優れていることを示すもの
である。
である。
（２） 耐クラツク性
半導体製品を一６５°Ｃの低温室と１５０°Ｃの高温室
（いずれも媒体は空気）内にそれぞれ約１０分ごとに移
し替え、クラックが発生するまでの移し替え回数を求め
た。１００回の移し替え回数でクラックが発生しなかっ
た場合には１００とした。この値は大きいほど好ましい
ことを示すものである。
（いずれも媒体は空気）内にそれぞれ約１０分ごとに移
し替え、クラックが発生するまでの移し替え回数を求め
た。１００回の移し替え回数でクラックが発生しなかっ
た場合には１００とした。この値は大きいほど好ましい
ことを示すものである。
（３）信頼性評価
断線及びリーク電流測定用に設計した半導体素子に樹脂
組成物をトランスファーモールドにより被覆し、それを
１２５°Ｃ，２，５気圧の水蒸気加圧下で、電極間に２
０１のバイアス電流をかけ、２００時間までのアルミニ
ウム線のオープン不良率（断線率）とリーク不良率（ア
ルミニウム線間の漏れ電流値が１０ｎＡ以上になった率
）を測定することにより信頼性の評価を行なった。この
際、オープン不良率は被評価個数５０ケ中の不良個数か
ら、リーク不良率は２５ケ中の不良個数から各々求めた
。これらの不良率は値が小さいほど好ましいことを示す
ものである。
組成物をトランスファーモールドにより被覆し、それを
１２５°Ｃ，２，５気圧の水蒸気加圧下で、電極間に２
０１のバイアス電流をかけ、２００時間までのアルミニ
ウム線のオープン不良率（断線率）とリーク不良率（ア
ルミニウム線間の漏れ電流値が１０ｎＡ以上になった率
）を測定することにより信頼性の評価を行なった。この
際、オープン不良率は被評価個数５０ケ中の不良個数か
ら、リーク不良率は２５ケ中の不良個数から各々求めた
。これらの不良率は値が小さいほど好ましいことを示す
ものである。
（発明の効果）
本発明の半導体封止用樹脂組成物は成形性が良く、また
、これを用いて封止した半導体は耐クラツク性に優れ、
さらに使用中に不良になる率が低いという効果がある。
、これを用いて封止した半導体は耐クラツク性に優れ、
さらに使用中に不良になる率が低いという効果がある。
Claims (2)
- （１）粒度分布が、１０μｍ以下が１０重量％以下、４
４〜７４μｍが２０〜３０重量％、７４μｍ以上が０．
０１重量％未満、残部が１０〜４４μｍである溶融シリ
カ球状体を含有することを特徴とする半導体封止用樹脂
組成物。 - （２）溶融シリカ球状体の含有量が樹脂組成物全量の４
０〜９０重量％であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体封止用樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23636685A JPS6296568A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23636685A JPS6296568A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6296568A true JPS6296568A (ja) | 1987-05-06 |
Family
ID=16999730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23636685A Pending JPS6296568A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6296568A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63128020A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-05-31 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS6422967A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Shinetsu Chemical Co | Curable liquid silicone rubber composition |
| JPH01294765A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-28 | Nippon Retsuku Kk | エポキシ樹脂組成物 |
| JPH02187055A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-23 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| JPH04200840A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-21 | Kubota Corp | 鋳造用金型の塗型材 |
| JPH0779686A (ja) * | 1993-09-14 | 1995-03-28 | Susumu Tanaka | もぐら撃退装置 |
| JPH08104730A (ja) * | 1995-06-20 | 1996-04-23 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物 |
| JPH08124956A (ja) * | 1995-10-06 | 1996-05-17 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| US5719225A (en) * | 1994-06-13 | 1998-02-17 | Sumitomo Chemical Company, Ltd. | Filler-containing resin composition suitable for injection molding and transfer molding |
| EP2025644A1 (en) * | 2006-05-12 | 2009-02-18 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Ceramic powder and method of using the same |
-
1985
- 1985-10-24 JP JP23636685A patent/JPS6296568A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0554865B2 (ja) * | 1986-11-18 | 1993-08-13 | Hitachi Ltd | |
| JPS63128020A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-05-31 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
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| JPH0528738B2 (ja) * | 1987-07-17 | 1993-04-27 | Shinetsu Chem Ind Co | |
| JPH01294765A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-28 | Nippon Retsuku Kk | エポキシ樹脂組成物 |
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| US5780145A (en) * | 1994-06-13 | 1998-07-14 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Filler-containing resin composition suitable for injection molding and transfer molding |
| JPH08104730A (ja) * | 1995-06-20 | 1996-04-23 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物 |
| JPH08124956A (ja) * | 1995-10-06 | 1996-05-17 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| EP2025644A1 (en) * | 2006-05-12 | 2009-02-18 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Ceramic powder and method of using the same |
| EP2025644A4 (en) * | 2006-05-12 | 2010-07-14 | Denki Kagaku Kogyo Kk | CERAMIC POWDER AND METHOD OF USE THEREOF |
| US8063120B2 (en) | 2006-05-12 | 2011-11-22 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Ceramic powder and use thereof |
| US8273807B2 (en) | 2006-05-12 | 2012-09-25 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Ceramic powder and use thereof |
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