JPS58140142A - 電子部品被覆用組成物 - Google Patents
電子部品被覆用組成物Info
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- JPS58140142A JPS58140142A JP57023432A JP2343282A JPS58140142A JP S58140142 A JPS58140142 A JP S58140142A JP 57023432 A JP57023432 A JP 57023432A JP 2343282 A JP2343282 A JP 2343282A JP S58140142 A JPS58140142 A JP S58140142A
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- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
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- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子部品特に半導体素子被覆用の改良された有
機重合体組成物に関するものであり、さらに詳しくは半
導体素子をその表面にあらかじめα線じゃへい層を設け
る必要なく直接被覆することができ、かつ好適な高熱伝
導性の被覆組成物の提供を目的とする。
機重合体組成物に関するものであり、さらに詳しくは半
導体素子をその表面にあらかじめα線じゃへい層を設け
る必要なく直接被覆することができ、かつ好適な高熱伝
導性の被覆組成物の提供を目的とする。
半導体素子等の電子部品の被覆に使用される有機重合体
としては、従来、シリコーン樹脂、シリコーンゴム、エ
ポ＋ Ｖ＃＃、シリコーン−エポキシ樹脂、ポリイミド
樹脂、ＰＰ８樹脂（ポリフェニレン夛ルファイド）等が
知られており、これらは主にパッケージングあるいはコ
ーティング材料として使用されている。
としては、従来、シリコーン樹脂、シリコーンゴム、エ
ポ＋ Ｖ＃＃、シリコーン−エポキシ樹脂、ポリイミド
樹脂、ＰＰ８樹脂（ポリフェニレン夛ルファイド）等が
知られており、これらは主にパッケージングあるいはコ
ーティング材料として使用されている。
しかしながら、半導体素子等の電子部品形成材料とこれ
ら有機重合体との間には熱膨張係数や熱伝導性などに大
きなズレがあるため、これを補正する目的で加工性や他
の機械的、電気的特性を調定する範囲でこの有機重合体
にできるだけ多くの無・機質充填剤を複合することが試
みられており、このような目的に最も適した充填剤とし
てＶ９力があり今日多量に使用されている。
ら有機重合体との間には熱膨張係数や熱伝導性などに大
きなズレがあるため、これを補正する目的で加工性や他
の機械的、電気的特性を調定する範囲でこの有機重合体
にできるだけ多くの無・機質充填剤を複合することが試
みられており、このような目的に最も適した充填剤とし
てＶ９力があり今日多量に使用されている。
上記充填剤としてのシリカには結晶性のものと非結晶性
の２種類が供されているのであるが各々一長一短があり
、例えば結晶性のシリカは熱伝導性にすぐれているが膨
張係数が大きく、また非結晶性のシリカはその逆の性質
をもっている。一方また今日多量に供されているνツカ
はいずれも天然の鉱石を微粉砕したものであり、したが
って純度的１：も必ずしも満足されるものではなく、た
とえば微量（数＋ｐｐｂあるいはそれ以上）ではあるが
ウラン、トリウムなどの放射性元素が含まれている。
の２種類が供されているのであるが各々一長一短があり
、例えば結晶性のシリカは熱伝導性にすぐれているが膨
張係数が大きく、また非結晶性のシリカはその逆の性質
をもっている。一方また今日多量に供されているνツカ
はいずれも天然の鉱石を微粉砕したものであり、したが
って純度的１：も必ずしも満足されるものではなく、た
とえば微量（数＋ｐｐｂあるいはそれ以上）ではあるが
ウラン、トリウムなどの放射性元素が含まれている。
しかして、今日一段と高集積化されてきたＬＳＩ、ＶＩ
、８１等の半導体素子に関し、この被覆組成物を構成す
るりリカ充填剤中に微量含まれるウラン、トリウムなど
の放射性元素から放出されるα線によって、この半導体
メモリーが娯動作（ソフトエラー）を起こすという１６
ＩｉＩが庄じ、このためこのようなりリカ充填剤を含む
被覆組成物を半導体素子表面に［＃被覆することは非常
に危険であり、かかるソフトエラーを防ぐためには半導
体素子と被覆層との間にα線しやへい層を設ける方法が
提案されている。
、８１等の半導体素子に関し、この被覆組成物を構成す
るりリカ充填剤中に微量含まれるウラン、トリウムなど
の放射性元素から放出されるα線によって、この半導体
メモリーが娯動作（ソフトエラー）を起こすという１６
ＩｉＩが庄じ、このためこのようなりリカ充填剤を含む
被覆組成物を半導体素子表面に［＃被覆することは非常
に危険であり、かかるソフトエラーを防ぐためには半導
体素子と被覆層との間にα線しやへい層を設ける方法が
提案されている。
高集積化された半導体素子に関するさらに別の問題とし
て、その被覆組成物に従来以上の放熱性（高熱伝導性）
が要求されてきており、臭好な放熱性を得るためには多
量のシリカ充填剤を充填する必要があり、この高充填は
それＣ二含まれるクラン、トリウムによる危険をますま
す大きくしている。したがって、充填剤としてウラン、
トリウムなどの放射性元素含有量が１ｐｐｂ以下である
きわめて高純度のものを使用することが必要とされるの
である。
て、その被覆組成物に従来以上の放熱性（高熱伝導性）
が要求されてきており、臭好な放熱性を得るためには多
量のシリカ充填剤を充填する必要があり、この高充填は
それＣ二含まれるクラン、トリウムによる危険をますま
す大きくしている。したがって、充填剤としてウラン、
トリウムなどの放射性元素含有量が１ｐｐｂ以下である
きわめて高純度のものを使用することが必要とされるの
である。
本発明者らはかかる技術的課題Ｃかんがみ、高純度充填
側の製法ならびにそれを用いた半導体素子封止用１Ｍｒ
Ｉ！組成物の開発に力を注いできたのであるが、今回、
前記放熱性（高熱伝導性）の点をより改良したソフトエ
ラーを発圧しない、半導体素子の直接被覆に好適とされ
るきわめて高純度の充填剤を用いてなる被覆用組成物を
開発したので、これを提供するものである。もちろん、
この組成物は半導体素子に限らずその他の電子部品の被
覆（樹脂封止）にも応用できる。
側の製法ならびにそれを用いた半導体素子封止用１Ｍｒ
Ｉ！組成物の開発に力を注いできたのであるが、今回、
前記放熱性（高熱伝導性）の点をより改良したソフトエ
ラーを発圧しない、半導体素子の直接被覆に好適とされ
るきわめて高純度の充填剤を用いてなる被覆用組成物を
開発したので、これを提供するものである。もちろん、
この組成物は半導体素子に限らずその他の電子部品の被
覆（樹脂封止）にも応用できる。
すなわち本発明は
（イ）有機重合体 １００重量部
（ロ）（ａ）分子中に加水分解性基および／または水酸
基を有するほう素糸、アルミニウム系、けい素糸または
チタン系化合物の１種または２璽以上を出発原料として
合成した該いずれかの元素を含む窒化物または酸化物（
ただしＶｇ力を除＜）Ｚｏｏ 〜８００重量部と、（ｂ
）合成シ９力０〜５００重量部とからなる充填剤１００
〜８００重量部、 からなる電子部品被覆用組成物に関するものである。
基を有するほう素糸、アルミニウム系、けい素糸または
チタン系化合物の１種または２璽以上を出発原料として
合成した該いずれかの元素を含む窒化物または酸化物（
ただしＶｇ力を除＜）Ｚｏｏ 〜８００重量部と、（ｂ
）合成シ９力０〜５００重量部とからなる充填剤１００
〜８００重量部、 からなる電子部品被覆用組成物に関するものである。
以下本発明の詳細な説明する。
本発明の被覆用組成物を構成する（イ）成分としての有
機重合体は、常温もしくは加熱下に架橋硬化する硬化性
樹脂、ゴム、および熱可塑性樹脂のいずれでもよいが、
半導体素子等の電子部品被覆用重合体としては、耐熱性
、化学的安定性、電気絶縁性などにすぐれたシリコーン
ゴム、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ボヅイミｒ樹脂
、ジアリルフタレート樹脂、ｐｐｓ樹脂、シリコーン−
エポキシ樹脂、ポリイミド−シリコーン樹脂などが好ま
しい。これらの有機重合体は一般工業用の用途とは興な
り、ｃｌ、Ｎａ、に等の不純物イオンを除去した高純度
品であることが必要であり、また硬化促進剤や他の添加
剤についても同様のことが十分に配慮されていなければ
ならない。
機重合体は、常温もしくは加熱下に架橋硬化する硬化性
樹脂、ゴム、および熱可塑性樹脂のいずれでもよいが、
半導体素子等の電子部品被覆用重合体としては、耐熱性
、化学的安定性、電気絶縁性などにすぐれたシリコーン
ゴム、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ボヅイミｒ樹脂
、ジアリルフタレート樹脂、ｐｐｓ樹脂、シリコーン−
エポキシ樹脂、ポリイミド−シリコーン樹脂などが好ま
しい。これらの有機重合体は一般工業用の用途とは興な
り、ｃｌ、Ｎａ、に等の不純物イオンを除去した高純度
品であることが必要であり、また硬化促進剤や他の添加
剤についても同様のことが十分に配慮されていなければ
ならない。
つぎに、充填剤としての（ロ）成分は前記した（＆）成
分単独もしくは（ａ）成分と（ｂ）成分の混合物として
使用するのであるが、この（ａ）ａ分である窒化物およ
び酸化物は本発明において最っとも重要とされる成分で
あって、このものはきわめて高純はチタン系化合物の１
種または２種以上を出発原料として合成した該いずれか
の元素を含む窒化物または酸化物であり、この窒化物と
してはＢＮ、８１□Ｎ４、ＴＩＮ等が、また酸化物とし
てはＡｌ、Ｏｓ、ＡＩ、Ｏ，−８１０，等がそれぞれ例
示される。なお、この酸化物にはシリカ（８１０）意 は含まれないものとする。
分単独もしくは（ａ）成分と（ｂ）成分の混合物として
使用するのであるが、この（ａ）ａ分である窒化物およ
び酸化物は本発明において最っとも重要とされる成分で
あって、このものはきわめて高純はチタン系化合物の１
種または２種以上を出発原料として合成した該いずれか
の元素を含む窒化物または酸化物であり、この窒化物と
してはＢＮ、８１□Ｎ４、ＴＩＮ等が、また酸化物とし
てはＡｌ、Ｏｓ、ＡＩ、Ｏ，−８１０，等がそれぞれ例
示される。なお、この酸化物にはシリカ（８１０）意 は含まれないものとする。
この出発原料について具体的例示をあげると、これは分
子中にへロゲン、アルコキシ基等の加水分解性基および
／または水酸基をもつ化合物であって、たとえばＢＣｌ
、、Ｅ （ＯＨ）、、ＡｌＣｌ、、Ａｌ （ＱＣｓＨ，
） ｓ、８１Ｃ１４、ＣＨ，５ｉＣ１，，０、Ｈ，８１
Ｃ１，、ＴｉＣｌ４、Ｔｉ （ＱＣ！、Ｈ７）４．８１
（ＯＣＨ，）４．８１ （００，Ｈ，） ４．Ｂ （
ＯＣＯＯＨ，）、、Ａｌ （ＯＣＯＣＲ，）、 、Ｔｉ
（ＱＣ４Ｈ，）４ などがあげられる。
子中にへロゲン、アルコキシ基等の加水分解性基および
／または水酸基をもつ化合物であって、たとえばＢＣｌ
、、Ｅ （ＯＨ）、、ＡｌＣｌ、、Ａｌ （ＱＣｓＨ，
） ｓ、８１Ｃ１４、ＣＨ，５ｉＣ１，，０、Ｈ，８１
Ｃ１，、ＴｉＣｌ４、Ｔｉ （ＱＣ！、Ｈ７）４．８１
（ＯＣＨ，）４．８１ （００，Ｈ，） ４．Ｂ （
ＯＣＯＯＨ，）、、Ａｌ （ＯＣＯＣＲ，）、 、Ｔｉ
（ＱＣ４Ｈ，）４ などがあげられる。
これらの化合物はいずれも蒸留することができるので、
あらかじめ高純度原料として前記窒化物および酸化物合
成に使用することができ、したがって不利な不純物を含
まない高純度な製品を得ることができる。
あらかじめ高純度原料として前記窒化物および酸化物合
成に使用することができ、したがって不利な不純物を含
まない高純度な製品を得ることができる。
上記した原料からきわめて高純度の酸化物充填剤を得る
ためには、■原料としての精製塩化物、アルコキン化合
物、アセトキＶ化合物を通常３〜１０倍の酸性または塩
基性の水溶液にかくはんしながら滴下し、ゲル状粒子と
して析出させるか、またはアルコールのような親水性溶
媒共存下に水和ゾルを形成させ、ついで反応を進め粒子
化する。
ためには、■原料としての精製塩化物、アルコキン化合
物、アセトキＶ化合物を通常３〜１０倍の酸性または塩
基性の水溶液にかくはんしながら滴下し、ゲル状粒子と
して析出させるか、またはアルコールのような親水性溶
媒共存下に水和ゾルを形成させ、ついで反応を進め粒子
化する。
ｐＨ，温度、水量、゛溶剤など加水分解条件によって得
られる粒子径は■整することができる。乾燥後は一般に
数百度またはそれ以上の温度で加熱し、残存有機物を除
去する。加水分解の８１２種以上の原料を組合せれば共
重合充填剤を得ることができる。■熱酸化法、火炎加水
分解法、プラズマ法などによって微粒子酸化物を得る方
法は、工業的にも広く行なわれているが、一般にここに
得られる粒子はｍμオーダーで比表面積が大きく、シた
がって有機重合体に多量に充填することはできない。そ
こでｍμオーダーのものよりも粗粒にするためには生成
した微粒酸化物を加熱により部分（または全部）焼結、
溶融し、粉砕するという方法を採ることが必要である。
られる粒子径は■整することができる。乾燥後は一般に
数百度またはそれ以上の温度で加熱し、残存有機物を除
去する。加水分解の８１２種以上の原料を組合せれば共
重合充填剤を得ることができる。■熱酸化法、火炎加水
分解法、プラズマ法などによって微粒子酸化物を得る方
法は、工業的にも広く行なわれているが、一般にここに
得られる粒子はｍμオーダーで比表面積が大きく、シた
がって有機重合体に多量に充填することはできない。そ
こでｍμオーダーのものよりも粗粒にするためには生成
した微粒酸化物を加熱により部分（または全部）焼結、
溶融し、粉砕するという方法を採ることが必要である。
■の加水分解法と同様出発原料を２種以上混合しておく
ことにより、共重合あるいは混合物充填剤を得ることが
できる。
ことにより、共重合あるいは混合物充填剤を得ることが
できる。
また高純度の窒化物充填剤を得るためには、例えば原料
としての精製塩化物、水酸化物（酸化物）をアンモニア
ガスと反応させることにより得ることができ、 ＢＣＩ ＋ ４ＮＨ，→ ＢＮ ＋ ３Ｎ
Ｈ４Ｃ１Ｂ、Ｏ，＋２ＮＨ，→２Ｂ）Ｊ＋３Ｉ（，０３
８ｉ０１ ＋ ４ＮＨ，−８１□Ｎ、 ＋１２ ＨＣ
Ｉなどの反応によって得られた非晶質粒子からなる窒化
物である。必要に応じて高温に加熱処理すればそれぞれ
結晶質粒子とすることができる。この非晶質および結晶
質のいずれも本発明に使用することができるが、安定性
の点で後者がより好ましい。
としての精製塩化物、水酸化物（酸化物）をアンモニア
ガスと反応させることにより得ることができ、 ＢＣＩ ＋ ４ＮＨ，→ ＢＮ ＋ ３Ｎ
Ｈ４Ｃ１Ｂ、Ｏ，＋２ＮＨ，→２Ｂ）Ｊ＋３Ｉ（，０３
８ｉ０１ ＋ ４ＮＨ，−８１□Ｎ、 ＋１２ ＨＣ
Ｉなどの反応によって得られた非晶質粒子からなる窒化
物である。必要に応じて高温に加熱処理すればそれぞれ
結晶質粒子とすることができる。この非晶質および結晶
質のいずれも本発明に使用することができるが、安定性
の点で後者がより好ましい。
なお、その偏量化物を得る方法としては例えば金属けい
素と窒素ガスとの高温反応なども知られるが、気泡率が
高く熱伝導性が劣る。しかし高純度８１を使用すればウ
ラン、、トリウム等の放射性元素の低濃度品を得ること
は可能であり、精製技術の困難さと上記欠点を除けば本
発明に使用することができる。
素と窒素ガスとの高温反応なども知られるが、気泡率が
高く熱伝導性が劣る。しかし高純度８１を使用すればウ
ラン、、トリウム等の放射性元素の低濃度品を得ること
は可能であり、精製技術の困難さと上記欠点を除けば本
発明に使用することができる。
以上述べた方法により得られる酸化物系および窒化物系
の充填剤はウラン、トリウム等の放射性元素含有量が１
ｐｐｂ以下のきわめて高純度のものであって、本発明の
要求を満足している。
の充填剤はウラン、トリウム等の放射性元素含有量が１
ｐｐｂ以下のきわめて高純度のものであって、本発明の
要求を満足している。
本発明に適した充填剤の平均粒径としては１＃寓ずれも
０．５〜１００μ好ましくは３〜５０μ程度である。０
．５声以下では有機重合体に同量以上充填し、すぐれた
加工性を得ることが困難となり、また１００μ以上では
成形物の機械的特性の低下や、有機重合体との分離、ゲ
ート閉塞などが生じやすく良好な被覆組成物を得ること
が難かしい。
０．５〜１００μ好ましくは３〜５０μ程度である。０
．５声以下では有機重合体に同量以上充填し、すぐれた
加工性を得ることが困難となり、また１００μ以上では
成形物の機械的特性の低下や、有機重合体との分離、ゲ
ート閉塞などが生じやすく良好な被覆組成物を得ること
が難かしい。
上記窒化物系もしくは酸化物系充填側の使用にあたって
、平均粒子径０．５〜１００μの合成シリカ粉末を併用
することができる。天然水晶等の粉砕シリカは前記した
ようにウラン、トリウム等の放射性元素を含有しており
、ソフトエラーなひき起こすことから使用できないので
あるが、合成石英インゴットの粉砕品、高純度シランの
加水分解、気相酸化、加水分解−νンターによって得ら
れるいわゆる合成りリカはウラン、トリウム等の放射性
元素が１ｐｐｂ以下のきわめて高純度なものとして得る
ことができるので、このような高純度の合成シリカは併
用することができる。この合成シリカ（溶融νツカ）は
低膨張係数、良好な電気特性、補強性にすぐれており、
これの有機重合体への充填効果は大きく、例えば樹脂封
止材料のようにきわめて多量に充填される系においてそ
の併用効果は十分に期待できる。
、平均粒子径０．５〜１００μの合成シリカ粉末を併用
することができる。天然水晶等の粉砕シリカは前記した
ようにウラン、トリウム等の放射性元素を含有しており
、ソフトエラーなひき起こすことから使用できないので
あるが、合成石英インゴットの粉砕品、高純度シランの
加水分解、気相酸化、加水分解−νンターによって得ら
れるいわゆる合成りリカはウラン、トリウム等の放射性
元素が１ｐｐｂ以下のきわめて高純度なものとして得る
ことができるので、このような高純度の合成シリカは併
用することができる。この合成シリカ（溶融νツカ）は
低膨張係数、良好な電気特性、補強性にすぐれており、
これの有機重合体への充填効果は大きく、例えば樹脂封
止材料のようにきわめて多量に充填される系においてそ
の併用効果は十分に期待できる。
充填剤の使用量は、（ａ）窒化物または酸化物Ｚｏｏ〜
５ＯＯ１量部、（ｂ）合成シリカ０〜５００重量部で使
用されるが、この（ｂ）成分を併用する場合でも（ａ）
成分と（ｂ）成分の合計量が有機重合体の１００重量部
当り１００〜８００重量部の範囲であることが必要とさ
れる。１００重量部以下ではすぐれた放熱性（高熱伝導
性）や低熱膨張性が得られず、また５ｏｏｔ量部以上で
は成形性、機械的強度などの点で満足されるべき組成物
（コンパウンド）が得られないからである。
５ＯＯ１量部、（ｂ）合成シリカ０〜５００重量部で使
用されるが、この（ｂ）成分を併用する場合でも（ａ）
成分と（ｂ）成分の合計量が有機重合体の１００重量部
当り１００〜８００重量部の範囲であることが必要とさ
れる。１００重量部以下ではすぐれた放熱性（高熱伝導
性）や低熱膨張性が得られず、また５ｏｏｔ量部以上で
は成形性、機械的強度などの点で満足されるべき組成物
（コンパウンド）が得られないからである。
本発明の電子部品被覆用組成物には、有機重合体の覆類
や被覆材料の用途、加工法に応じてカーボンファンクシ
ョナルシラン、シロキチン類、硬化促進剤、架橋剤の他
、着色剤、難燃剤、離型剤等の添加剤を加えてもよい。
や被覆材料の用途、加工法に応じてカーボンファンクシ
ョナルシラン、シロキチン類、硬化促進剤、架橋剤の他
、着色剤、難燃剤、離型剤等の添加剤を加えてもよい。
各成分の混合は一般に利用される機器、プロセスに準じ
て行うことができるが、その混合過程における汚染防止
については細心の配慮が必要である。
て行うことができるが、その混合過程における汚染防止
については細心の配慮が必要である。
本発明の組成物を用いて半導体素子等の電子部品を被覆
する方法は、コーティング、スクリーン印刷、転写など
による塗布、含浸、注型等の方法、そのほかコツプレッ
ション、トランスファー、イｙジ千りν璽ン等の加圧成
形等、いずれの方法も組成物の特性に応じて利用するこ
とができる。
する方法は、コーティング、スクリーン印刷、転写など
による塗布、含浸、注型等の方法、そのほかコツプレッ
ション、トランスファー、イｙジ千りν璽ン等の加圧成
形等、いずれの方法も組成物の特性に応じて利用するこ
とができる。
本発咀はいずれの用法においても充填剤の高充填による
低膨張化、高熱伝導化、低ｉａ湿化の効果と、組成物（
特にその中の充填剤）から放射されるα線量がきわめて
少ないことを特長としており、特にＬＳＩ、ＶＬ８１の
直接被覆（ダイレクトモールド）を可能とする樹脂封止
材料への応用が最も期待されるところである。
低膨張化、高熱伝導化、低ｉａ湿化の効果と、組成物（
特にその中の充填剤）から放射されるα線量がきわめて
少ないことを特長としており、特にＬＳＩ、ＶＬ８１の
直接被覆（ダイレクトモールド）を可能とする樹脂封止
材料への応用が最も期待されるところである。
以下本発明を実施例によって説明する。
実施例１
下記に示すとおり各種充填剤を合成、調整した。
■充填剤１ （ＢＮ）：
蒸留精製したＢＣ！ｌ、と窒素ガスの混合ガスと脱水し
たＢＣＩ、の６モル倍量のアンモニアガスとを常温で反
応させた。生成したＢＮとＮＨ４Ｃｌの混合微粉末から
ＮＨ４Ｃｌを除去するために４００〜４５０℃に加熱Ｌ
ＮＨ４Ｃ１＆昇華サセた。ついでアンモニアと窒素ガス
を通しながら８００℃に加熱しＢＮ粉末を得た。これを
脱水エーテルで湿らし圧縮成形後さらに窒素ガス中で１
７００℃Ｃ：加熱し安定化したＢＮビレットを得た。こ
れｔ粉砕しふるい分けして平均粒径８声のＢＮ粉末を調
整した。
たＢＣＩ、の６モル倍量のアンモニアガスとを常温で反
応させた。生成したＢＮとＮＨ４Ｃｌの混合微粉末から
ＮＨ４Ｃｌを除去するために４００〜４５０℃に加熱Ｌ
ＮＨ４Ｃ１＆昇華サセた。ついでアンモニアと窒素ガス
を通しながら８００℃に加熱しＢＮ粉末を得た。これを
脱水エーテルで湿らし圧縮成形後さらに窒素ガス中で１
７００℃Ｃ：加熱し安定化したＢＮビレットを得た。こ
れｔ粉砕しふるい分けして平均粒径８声のＢＮ粉末を調
整した。
■ 充填剤１ （８１，Ｎ、 ） ：
精留した１３１０１．ｔ”蒸発させ乾燥アルゴンガスと
共（二反応塔へ導き、一方高純度乾燥アンモニアガス）
ｌ Ｂ１１１ の１５倍量の割合で反応塔に導いて気
相反応ン行わせ、シリコンジイミドＹ生成させた。
共（二反応塔へ導き、一方高純度乾燥アンモニアガス）
ｌ Ｂ１１１ の１５倍量の割合で反応塔に導いて気
相反応ン行わせ、シリコンジイミドＹ生成させた。
８１０１４＋６ＮＨ，→ｓｉ （ＮＨ）、 ＋ ４ Ｎ
Ｈ４０１このシリコンジイミドおよび塩化アンモニウム
の混合物なレシーバ−に捕集し、これｖ５００℃ｃ加熱
して塩化アンモニウムを昇華除去した。
Ｈ４０１このシリコンジイミドおよび塩化アンモニウム
の混合物なレシーバ−に捕集し、これｖ５００℃ｃ加熱
して塩化アンモニウムを昇華除去した。
ついでシリコンジイミドを焼成ボードへ移し、１４００
〜１５００℃の１熱ゾーン中でアルゴンガスふん囲気下
に ３８１（冊）、→８１．Ｎ４＋２ＮＨ。
〜１５００℃の１熱ゾーン中でアルゴンガスふん囲気下
に ３８１（冊）、→８１．Ｎ４＋２ＮＨ。
の反応を行わせ窒化けい素（Ｂｌ、Ｎ、） Ｙ得た。
加熱５時間後のＨＦ不溶解物は９８％であった。
Ｘ線回折の結果このものはα体８５％、β体１５％の割
合で比１！ｌｌ１ｆｉ槓２ ｒｒＩ／ ＃ 、平均粒子
径１０μを有していた。
合で比１！ｌｌ１ｆｉ槓２ ｒｒＩ／ ＃ 、平均粒子
径１０μを有していた。
■ 充填剤厘（Ａｌ２Ｏ，・８１０□）：精留した８ｉ
（ＯＯＨ，）４２モルトＡｌ （０−ｉ Ｐ ｒ ）
ａ（式中のＩＰｒ はイソプロピル基ン示す）１モル
との混合物を定量供給ポンプおよび流量針を通して１７
０℃に保持されている気化器Ｉ：導入して気化させたの
ち、混合予熱器Ｉ：供給し、これを送風ポンプＣ二より
流量計ン通して４０ＯＮｌ／時の割合で送られてくる空
気を混合して３◇Ｏ℃の混合ガスとした。この混合ガス
を噴出口の開口面積が自由に調節できるバーナーで燃場
させた。生成したアルミナ・シリカ共重合−者チ混合物
を耐火性標的に堆積し％１４００℃で加熱し部分的−；
焼結した。これｔ合成石英ガラス製の乳鉢で破砕し、つ
いで微粉末Ｙ１００メツＶユふるいで分級した。こうし
て平均粒径５声のアルミナ・シリカ共重合混合物ケ得た
Ｏ 上記のようにして合成、調整した充填剤Ｉ〜Ｉｖ第１ｆ
ｉＣ示すとおりエポキＶ樹脂ｇよびその他の成分と熱２
本ロール（８０℃、６分）を用いて配合した。
（ＯＯＨ，）４２モルトＡｌ （０−ｉ Ｐ ｒ ）
ａ（式中のＩＰｒ はイソプロピル基ン示す）１モル
との混合物を定量供給ポンプおよび流量針を通して１７
０℃に保持されている気化器Ｉ：導入して気化させたの
ち、混合予熱器Ｉ：供給し、これを送風ポンプＣ二より
流量計ン通して４０ＯＮｌ／時の割合で送られてくる空
気を混合して３◇Ｏ℃の混合ガスとした。この混合ガス
を噴出口の開口面積が自由に調節できるバーナーで燃場
させた。生成したアルミナ・シリカ共重合−者チ混合物
を耐火性標的に堆積し％１４００℃で加熱し部分的−；
焼結した。これｔ合成石英ガラス製の乳鉢で破砕し、つ
いで微粉末Ｙ１００メツＶユふるいで分級した。こうし
て平均粒径５声のアルミナ・シリカ共重合混合物ケ得た
Ｏ 上記のようにして合成、調整した充填剤Ｉ〜Ｉｖ第１ｆ
ｉＣ示すとおりエポキＶ樹脂ｇよびその他の成分と熱２
本ロール（８０℃、６分）を用いて配合した。
このものＣ二ついて諸物性を測定したところ、結果は＄
２！１４：示すとおりであった。
２！１４：示すとおりであった。
第 １ ｆｌ（配合、璽曽部）＊ｌ ク
レゾーｌシノボラックエポキリ樹脂＊２ フェノールノ
ボクック樹Ｈ旨 ＊３ ＠型剤 ヘキスト社製 ＊４ ｒ−グリシドオキＶプロビルトリメトキＶＶクン
＊５ ０ＶＤ法合成シリカ、粉砕品 ６μ 粒径＊６市
販品溶融Ｖリカ、７μ粒径 第 ２ 表 （物性） 本発明組成物（／１６１〜３）は、組成物！４（比較例
）シ：比べα線電が格段に少なく、高熱伝導性であり、
さら菖二流動性、電気特性においても良好で、半導体メ
モリー素子のダイレクト封止材料として十分使用できる
ものであった。
レゾーｌシノボラックエポキリ樹脂＊２ フェノールノ
ボクック樹Ｈ旨 ＊３ ＠型剤 ヘキスト社製 ＊４ ｒ−グリシドオキＶプロビルトリメトキＶＶクン
＊５ ０ＶＤ法合成シリカ、粉砕品 ６μ 粒径＊６市
販品溶融Ｖリカ、７μ粒径 第 ２ 表 （物性） 本発明組成物（／１６１〜３）は、組成物！４（比較例
）シ：比べα線電が格段に少なく、高熱伝導性であり、
さら菖二流動性、電気特性においても良好で、半導体メ
モリー素子のダイレクト封止材料として十分使用できる
ものであった。
実施例２
第３Ｍ（：示すとおり、分子鎖両末端が水酸基であるジ
メチルポリシロキサンオイル（２５℃における粘度５０
００ｃＳ１表中率にＯｆ（シリコーンと記す）、充填剤
およびその他の成分を配合し、室温硬化性ゴム組成物を
調製した。
メチルポリシロキサンオイル（２５℃における粘度５０
００ｃＳ１表中率にＯｆ（シリコーンと記す）、充填剤
およびその他の成分を配合し、室温硬化性ゴム組成物を
調製した。
本１０．Ｈ，８１（００，Ｈ，）８
本２ ジプチルすずジラウレート
本３ 市販の結晶性シリカ
岨成妨鷹５〜８のもの≦二ついて、室温で７日間放ｌｌ
しゴムシートを作製した。このものについて諸物性を測
定したところ、＄４ｆｉに示すとＨりの結果が得られた
。
しゴムシートを作製した。このものについて諸物性を測
定したところ、＄４ｆｉに示すとＨりの結果が得られた
。
１（
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（イ）有機重合体 １００重量部 ｃ口）（ａ）分子中に加水分解性基および／または水＃
１ｆ１を有するほう素系、アル１＝ウム系、けい素系ま
たはチタン系化合物の１種また紘２種以上な出発原料と
して合成した該いずれがの元素を含む窒化物または酸化
物（ただしシリカを除＜）１００〜８００重量部ト、（
ｂ）合成ｖ９力０〜５００重量部とからなる充填剤１０
０〜８００重量部、 からなる電子部品被覆用！ｌｌ或物。 ２ 前記窒化物力ＢＮ、８１．Ｎ４＊）’ｌｊｔ Ｔｉ
Ｎ テある特許請求の範囲第１項記載の組成物。 ＆ 前記酸化物がＡｌ、 Ｏ，ｔタハＡＩ、 Ｏ，・Ｓ
ｉｎ。 である特許請求の範囲第１項記載の組成物。 也 前記（ａ）成分としての窒化物または酸化物が平均
粒子径０，５〜１００声ｍのものである特許請求の範囲
ＩＩＩ項記載の組成物。 翫 前記（ｂ）成分としての合ＩＸＶ９１Ｊが平均粒子
径α５〜１００μｍのものである特許請求の範囲第１項
記載の組成物。 東 前記（ロ）成分としての充填剤が放射性元素含有量
１ｐｐｍ）以下のものである特許請求の範囲第１項記載
の組成物。 ７、前記有機重合体がシリコーン樹脂、Ｖ９コーンゴム
、エポキシ樹脂、シリコーン−ｘ４キシされるものであ
る特許請求の範囲＄１項記載の組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57023432A JPS58140142A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 電子部品被覆用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57023432A JPS58140142A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 電子部品被覆用組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58140142A true JPS58140142A (ja) | 1983-08-19 |
Family
ID=12110337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57023432A Pending JPS58140142A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 電子部品被覆用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58140142A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58142552A (ja) * | 1982-02-18 | 1983-08-24 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS6151950A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS61190556A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-25 | Rishiyou Kogyo Kk | 電子部品封止用樹脂組成物 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5698845A (en) * | 1980-01-09 | 1981-08-08 | Hitachi Ltd | Semiconductor memory device |
-
1982
- 1982-02-16 JP JP57023432A patent/JPS58140142A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5698845A (en) * | 1980-01-09 | 1981-08-08 | Hitachi Ltd | Semiconductor memory device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58142552A (ja) * | 1982-02-18 | 1983-08-24 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS6151950A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS61190556A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-25 | Rishiyou Kogyo Kk | 電子部品封止用樹脂組成物 |
| JPS635429B2 (ja) * | 1985-02-12 | 1988-02-03 | Risho Kogyo Kk |
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